JP2007236105A - パワーモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】 装置を小型化してＨＥＶへの搭載を容易化し得るパワーモジュールを得る。
【解決手段】 半導体チップ１ａ〜１ｃは、端子板４０Ｈの表面上の所定の箇所に実装されている。半導体チップ２ａ〜２ｃは、バスバー１１ｕ〜１１ｗの表面上の所定の箇所に実装されている。半導体チップ１ａ〜１ｃの各ソース電極Ｓは、バネ性導電部材を介在させることによってバスバー１１ｕ〜１１ｗの各裏面にそれぞれ圧接される。半導体チップ２ａ〜２ｃの各ソース電極Ｓは、弾性導体９０を介在させることによって端子板４０Ｌの裏面に圧接される。半導体チップ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃを実装するためのプリント基板が不要となるため、全体として装置の小型化を図ることができる。
【選択図】 図１１

Description

本発明は、パワーモジュールに関し、特に、電機モータを駆動するためのインバータ回路を備えるパワーモジュールに関する。

近年、環境意識の高まりから、ガソリンエンジンと電機モータとの双方を動力源として用いるハイブリッド自動車（以下、ＨＥＶという。）が注目されている。ＨＥＶにおいては、複数のパワースイッチング素子を備えるインバータ回路を用いて直流電源をスイッチングすることにより、電機モータが交流駆動されている。パワースイッチング素子のオンオフは、制御回路により制御される。

従来のパワーモジュールの構成例として、制御回路、インバータ回路および電機モータとが一体化されたパワーモジュールが、開示されている（特許文献１参照）。かかるパワーモジュールでは、モータハウジングの周壁外周面にプリント基板が固定され、プリント基板上に制御回路とインバータ回路とが実装されている。

なお、環状導体のバスバーを備える車両用ブラシレスモータに関する技術が、開示されている（特許文献２参照）。

特開２００３−３２４９０３号公報 特開２００３−１３４７２８号公報

上記特許文献１に開示された従来のパワーモジュールによると、制御回路、インバータ回路および電機モータのすべてが一体化して構成されているため、装置全体が大型化する。かかるパワーモジュールをＨＥＶに搭載する場合、ＨＥＶ内に大きなスペースが必要となる。

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、装置全体を小型化してＨＥＶへの搭載を容易にするパワーモジュールを得ることを目的とする。

第１の発明にかかるパワーモジュールは、２本の直流電源用導体と、３本の三相交流電力供給用導体と、これらの直流電源用導体のいずれか１本とこれらの三相交流電力供給用導体のいずれか１本からなる６組の導体対のそれぞれに挟持される６個のパワースイッチング素子から構成され、各パワースイッチング素子は、第１の面に第１の通電電極を有し、第１の面とは表裏関係を成す第２の面に第２の通電電極を有しており、第１の通電電極が直流電源用導体に接続され、かつ、第２の通電電極が三相交流電力供給用導体に接続されていることを特徴とする。

第２の発明にかかるパワーモジュールは、パワースイッチング素子の第１の通電電極又は第２の通電電極のいずれか一方の電極と直流電源用導体又は三相交流電力供給用導体のいずれか一方の導体との間に、弾性導体を介在させることを特徴とする。
この弾性導体が介在することにより、パワースイッチング素子の電極と直流電源用導体または三相交流電力供給用導体に発生する熱による変位を弾性導体の撓で吸収できる。

第３の発明にかかるパワーモジュールは、三相交流電力供給用導体は環状導体であることを特徴とする。
このため、三相交流電力供給用導体は円形形状を有する電機モータの三相交流電力供給部品として形状上電機モータに容易に装着される。

本願の発明にかかるパワーモジュールによれば、パワースイッチング素子は素子の表面と裏面にそれぞれ電極を有するため、各々の電極は直流電源用導体および三相交流電力供給用導体に直接接続される。このため、インバータ回路を基板に構成する必要はなく、パワーモジュールの小型化を図ることができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、異なる図面において同一または相応する符号を付した要素は、同一または相応する要素を示すものとする。

図１は、本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの構成を示す回路図である。図１には、パワースイッチング素子として、パワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃが用いられた例が示されている。本実施の形態に係るパワーモジュールは、三相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）の電機モータ４と、電機モータ４を駆動するためのインバータ回路８と、インバータ回路８が有するパワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃを制御するための制御回路７とを備えている。なお、本発明の本質に影響しないので図示は省略しているが、パワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃのそれぞれのデバイス内には、ドレイン−ソース間に寄生ダイオードがあり、転流時の電流がこの寄生ダイオードに流れる。

パワーＭＯＳＦＥＴ１ａ，２ａは、正の直流電源電圧ＶＨと負の直流電源電圧ＶＬとの間で、ノード６ｕを介して直列に接続されている。具体的に、パワーＭＯＳＦＥＴ１ａのドレイン電極は正の直流電源電圧ＶＨに接続され、ソース電極はノード６ｕに接続されている。また、パワーＭＯＳＦＥＴ２ａのドレイン電極はノード６ｕに接続され、ソース電極は負の直流電源電圧ＶＬに接続されている。同様に、パワーＭＯＳＦＥＴ１ｂ，２ｂは、正の直流電源電圧ＶＨと負の直流電源電圧ＶＬとの間でノード６ｖを介して直列に接続されており、パワーＭＯＳＦＥＴ１ｃ，２ｃは、正の直流電源電圧ＶＨと負の直流電源電圧ＶＬとの間でノード６ｗを介して直列に接続されている。

パワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃの各ゲート電極は、制御回路７に接続されている。制御回路７は、パワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃの各ゲート電極に電圧パルスを印加することにより、パワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃをそれぞれ駆動する。

ノード６ｕ，６ｖ，６ｗは、電機モータ４の各相の電極５ｕ，５ｖ，５ｗにそれぞれ接続されている。制御回路７によってパワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃおよびパワーＭＯＳＦＥＴ２ａ〜２ｃのいずれを駆動するかによって、電機モータ４が備える電磁コイル３に流れる電流の向きを制御することができる。また、制御回路７からパワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃの各ゲート電極に印加される電圧パルスのパルス幅によって、電磁コイル３に流れる電流の大きさを制御することができる。

なお、図１には、パワースイッチング素子としてパワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃが用いられた例が示されているが、パワーＭＯＳＦＥＴの代わりにＩＧＢＴ等の他のパワースイッチング素子を用いてもよい。なお、ＩＧＢＴでは寄生ダイオードがないので、転流ダイオードを逆並列に接続しておく必要がある。あるいは、ＳｉＣ，ＧａＮ，Ｃ等のワイドバンドギャップ半導体を用いた、大電力制御可能かつ高温動作可能なトランジスタを使用してもよい。ワイドバンドギャップデバイスを用いた場合には、電機モータ４と同様に高温環境で動作可能なインバータ回路を実現することができる。

また、図１には、Ｕ，Ｖ，Ｗの各相のハイサイド及びローサイドに各１個のパワーＭＯＳＦＥＴのみが用いられた例が示されているが、電流容量に応じて、それぞれ複数個のパワーＭＯＳＦＥＴを用いて構成してもよい。

図２は、本実施の形態に係るパワーモジュールが備える三相交流電力供給用導体のバスバー１１の構造の一部を示す上面図である。電機モータ４（図２には示さない）の外周に沿って、リング状のバスバー１１が配設されている。バスバー１１は、電機モータ４のＵ相に対応するバスバー１１ｕと、Ｖ相に対応するバスバー１１ｖと、Ｗ相に対応するバスバー１１ｗとに分離されている。バスバー１１ｕは図１に示したノード６ｕと電極５ｕとの間を接続し、バスバー１１ｖはノード６ｖと電極５ｖとの間を接続し、バスバー１１ｗはノード６ｗと電極５ｗとの間を接続する。バスバー１１ｕ〜１１ｗは、打ち抜き加工された銅板の表面にスズまたはニッケル等のメッキ処理が施されることによって形成されている。

バスバー１１ｕ〜１１ｗは、筐体１０内に収納されている。筐体１０は、ＰＰＳ等の耐熱性樹脂によって構成されている。但し、筐体１０は、強度を高めるために、金属部材によって強化されていてもよい。筐体１０の内部には、内壁１０ａ，１０ｂによって規定される溝が形成されており、その溝部分にバスバー１１ｕ〜１１ｗが嵌め込まれている。また、筐体１０が形成されていない領域５０が部分的に設けられており、この領域５０においてはバスバー１１ｕ〜１１ｗが露出している。

図３は、領域５０におけるバスバー１１ｕ〜１１ｗの構造を具体的に示す斜視図である。図３では、リング状のバスバー１１ｕ〜１１ｗを直線状に近似して図示している。バスバー１１ｕの表面上には、図１に示したパワーＭＯＳＦＥＴ２ａの半導体チップ（以下、パワーＭＯＳＦＥＴと同一の符号を用いる）２ａが実装されている。バスバー１１ｕの表面上の所定の箇所に、チップを実装すべき位置を示すマーキングを刻印しておくことにより、その所定の箇所に半導体チップ２ａを実装することができる。同様に、バスバー１１ｖ，１１ｗの表面上の所定の箇所には、パワーＭＯＳＦＥＴ２ｂ，２ｃの半導体チップ２ｂ，２ｃがそれぞれ実装されている。また、バスバー１１ｕ，１１ｖ，１１ｗには、それぞれ所定の箇所に切り欠き２０ｕ，２０ｖ，２０ｗが形成されている。

図４は、図３に示した半導体チップ２ａの構造を示す上面図であり、図５は、図４に示したラインV−Vに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。図４，５を参照して、半導体チップ２ａは、いわゆる縦型パワーＭＯＳチップであり、半導体チップ２ａの表面にはゲート電極（制御電極）Ｇおよびソース電極（電流流出電極）Ｓが形成されており、裏面にはドレイン電極（電流流入電極）Ｄが形成されている。図１３，１４は、図４，５におけるソース電極Ｓ上に、弾性導体９０を接合した図である。この弾性導体９０は、半田付けまたはロウ付けによってこのソース電極Ｓ上に接合される。また、この弾性導体９０は、リン青銅を用いその表面にはスズまたはニッケル等のメッキ処理が施されることによって形成されている。また、図１３，１４における弾性導体９０は、コ字状の板バネであるが、弦巻バネなどであってもよい。

図３を参照して、半導体チップ２ｂ，２ｃは、半導体チップ２ａと同様の構造を有している。つまり、半導体チップ２ｂ，２ｃの各表面にはゲート電極Ｇ及びソース電極Ｓがそれぞれ形成されており、各裏面にはドレイン電極Ｄがそれぞれ形成されている。半導体チップ２ａ〜２ｃの各ドレイン電極Ｄは、半田付けまたはロウ付けによって、バスバー１１ｕ〜１１ｗの各表面にそれぞれ直接的に接合されている。

図６は、本実施の形態に係るパワーモジュールが備える筐体３０の構造を示す斜視図である。筐体３０は、ＰＰＳ等の耐熱性樹脂によって構成されている。筐体３０の側壁には、位置決め構造として複数の溝３１ｕ，３１ｖ，３１ｗ，３２Ｈ，３２Ｌが形成されている。溝３２Ｈは溝３１ｕ〜３１ｗよりも深く形成されており、溝３２Ｌは溝３１ｕ〜３１ｗよりも浅く形成されている。また、溝３２Ｈと溝３２Ｌとの間には開口部３３が形成されている。

図３，６を参照して、互いに隣接する溝３１ｕ〜３１ｗ同士の間隔は、切り欠き２０ｕ〜２０ｗが形成されている箇所における、互いに隣接するバスバー１１ｕ〜１１ｗ同士の間隔に等しい。また、溝３１ｕ〜３１ｗが形成されている側壁同士の間隔は、バスバー１１ｕ〜１１ｗが延在する方向において互いに隣接する切り欠き２０ｕ同士の間隔に等しい。

図７〜１２は、本実施の形態に係るパワーモジュールの組立工程を順に示す斜視図である。まず、図７を参照して、図６に示した筐体３０の溝３２Ｈ内に、直流電源用導体としての端子板４０Ｈを嵌め込む。端子板４０Ｈは、図１に示した正の直流電源電圧ＶＨを供給するためのものであり、銅板の表面にスズまたはニッケル等のメッキ処理が施されることによって形成されている。端子板４０Ｈには所定の箇所に切り欠き２０Ｈが形成されており、この切り欠き２０Ｈを溝３２Ｈの側壁に嵌合させることによって、筐体３０と端子板４０Ｈとの位置決めがなされる。

端子板４０Ｈの表面上の所定の箇所には、図１に示したパワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃの半導体チップ１ａ〜１ｃが予め実装されている。端子板４０Ｈの表面上の所定の箇所に、チップを実装すべき位置を示すマーキングを刻印しておくことにより、その所定の箇所に半導体チップ１ａ〜１ｃを実装することができる。

半導体チップ１ａ〜１ｃは、図３に示した半導体チップ２ａ〜２ｃと同様の構造を有している。つまり、半導体チップ１ａ〜１ｃの各表面にはゲート電極Ｇおよびソース電極Ｓがそれぞれ形成されており、各裏面にはドレイン電極Ｄがそれぞれ形成されている。また、半導体チップ１ａ〜１ｃの各ドレイン電極Ｄは、半田付けまたはロウ付けによって、端子板４０Ｈの表面にそれぞれ直接的に接合されている。なお、図７〜１１において、ソース電極Ｓ上に接合されている弾性導体９０は明示されていないが、図１３および図１４に記載の弾性導体９０がソース電極Ｓ上に接合されているものとする。

筐体３０から外部に突出している端子板４０Ｈの端部には、電力供給用の高圧ケーブルの一端が接続される。高圧ケーブルの他端は、バッテリまたは昇圧コンバータに接続される。

次に、図８を参照して、筐体３０の溝３１ｕ〜３１ｗ内に、バスバー１１ｕ〜１１ｗをそれぞれ嵌め込む。具体的には、図７に示した構造を図３に示したバスバー１１ｕ，１１ｖ，１１ｗの下方に位置させた後、溝３１ｕ〜３１ｗと切り欠き２０ｕ〜２０ｗとをそれぞれ嵌合させながら、図７に示した構造を上方に持ち上げる。これにより、図８に示すように、半導体チップ１ａ〜１ｃの各ソース電極Ｓが、バスバー１１ｕ〜１１ｗの各裏面にそれぞれ接触する。その際、コ字状弾性導体の片端を固定されていないので、半導体チップ１ａ〜１ｃの各ソース電極Ｓ上に接合されている弾性導体９０は、バスバー１１ｕ〜１１ｗによって押し当てられ撓む。この押し当てられた撓みによって、バスバー１１ｕ〜１１ｗの各裏面と圧接され電気的接続状態になる。弾性導体９０を介在させることより、各ソース電極Ｓとバスバー１１ｕ〜１１ｗの裏面とを半田付けまたはロウ付けするよりも簡便に接合することができる。また、自動車走行による振動があっても、弾性導体９０の撓みによって電気的接続状態が長期に安定する。

次に、図９を参照して、筐体３０の溝３２Ｌ内に、直流電源用導体としての端子板４０Ｌを嵌め込む。端子板４０Ｌは、図１に示した負の直流電源電圧ＶＬを供給するためのものであり、銅板の表面にスズまたはニッケル等のメッキ処理が施されることによって形成されている。端子板４０Ｌには所定の箇所に切り欠き２０Ｌが形成されており、この切り欠き２０Ｌを溝３２Ｌの側壁に嵌合させることによって、筐体３０と端子板４０Ｌとの位置決めがなされる。

これにより、図９に示すように、半導体チップ２ａ〜２ｃの各ソース電極Ｓ上に接合されている弾性導体９０は、端子板４０Ｌによって押し当てられ撓む。この弾性導体９０の撓みによる圧接よって、半導体チップ２ａ〜２ｃの各ソース電極Ｓと端子板４０Ｌの裏面とが電気的に接続される。

筐体３０から外部に突出している端子板４０Ｌの端部には、電力供給用の高圧ケーブルの一端が接続される。高圧ケーブルの他端は、バッテリ又は昇圧コンバータに接続される。

次に、図１０を参照して、筐体３０の開口部３３にコネクタ６０を嵌め込み、ネジ止め等によって固定する。コネクタ６０は複数の端子６２を有しており、端子６２は筐体３０内に突出している。コネクタ６０には、端子６２に電気的に接続された信号線６１の一端が接続されている。信号線６１の他端は、図１に示した制御回路７に接続される。

次に、図１１を参照して、コネクタ６０の端子６２と、半導体チップ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃの各ゲート電極Ｇとを、ボンディングワイヤ７０によってそれぞれ接続する。これにより、図１に示した制御回路７と、半導体チップ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃの各ゲート電極Ｇとが、信号線６１、端子６２、およびボンディングワイヤ７０を介して、それぞれ電気的に接続される。

なお、筐体３０内に所望のセンサ等を配設してもよく、この場合は、上記のゲート電極Ｇと同様に、センサの出力端子とコネクタ６０の端子６２とをボンディングワイヤ７０によって接続することにより、センサの出力信号をコネクタ６０から筐体３０の外部に取り出すことができる。

次に、図１２を参照して、図１１に示した筐体３０の内部を樹脂等の絶縁性の封止材によって封止した後、カバー８０を筐体３０の上面に固定する。カバー８０の材質は、例えば筐体３０の材質と同一である。以上の工程により、本実施の形態に係るパワーモジュールの組立が完了する。なお、ソース電極Ｓが端子板４０Ｌの裏面やバスバー１１ｕ〜１１ｗの各裏面に半田付けまたはロウ付けされる場合、ドレイン電極Ｄに弾性導体９０を介在させることも可能である。

このように本実施の形態に係るパワーモジュールによれば、筐体３０内にはパワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃが実装されており、図１に示した制御回路７は、筐体３０内に実装されるのではなく、筐体３０の外部に配設されている。つまり、本実施の形態に係るパワーモジュールにおいては、インバータ回路８及び電機モータ４が一体化して構成され、制御回路７は別体として構成されている。従って、制御回路７、インバータ回路８および電機モータ４の全てが一体化して構成されているパワーモジュールと比較すると、全体として装置の小型化を図ることができる。

また、インバータ回路８と電機モータ４とが一体化して構成されていることにより、インバータ回路８と電機モータ４とを互いに接続するための大電流量の配線ケーブルが不要となるため、配線の簡素化を図ることもできる。

さらに、本実施の形態に係るパワーモジュールによれば、図１１に示したように、半導体チップ１ａ〜１ｃは端子板４０Ｈとバスバー１１ｕ〜１１ｗとの間に実装され、半導体チップ２ａ〜２ｃはバスバー１１ｕ〜１１ｗと端子板４０Ｌとの間に実装される。従って、半導体チップ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃを実装するためのプリント基板が不要となるため、全体として装置の小型化を図ることができる。

また、半導体チップ１ａ〜１ｃの各ソース電極Ｓは、弾性導体９０を介在することによってバスバー１１ｕ〜１１ｗの各裏面にそれぞれ接合され、半導体チップ２ａ〜２ｃの各ソース電極Ｓは、弾性導体９０を介在することによって端子板４０Ｌの裏面に接合される。このため、半導体チップ１ａ〜１ｃとバスバー１１ｕ〜１１ｗとを、および、半導体チップ２ａ〜２ｃと端子板４０Ｌとを、簡便に接続することができる。

さらに、端子板４０Ｈ、バスバー１１ｕ〜１１ｗおよび端子板４０Ｌが、筐体３０の溝３２Ｈ，３１ｕ〜３１ｗ，３２Ｌにそれぞれ嵌め込まれることにより、相互の位置関係が規定される。従って、端子板４０Ｈ、バスバー１１ｕ〜１１ｗ、及び端子板４０Ｌの位置決め作業の容易化を図ることができる。なお、図７〜１２において、端子板４０Ｈ，４０Ｌの端部は筐体３０内に位置するが、溝３２Ｈ，３２Ｌに対向する筐体３０内の側壁に新たな溝を設け、これらの端部を新たな溝に嵌合し固定をしてもよい。端子板４０Ｈ，４０Ｌの端部を固定することにより、バスバー１１ｕ〜１１ｗとの位置決め精度を向上させ、ひいては各ソース電極Ｓ上の弾性導体９０がバネの撓みにより圧接される部分の位置決め精度を向上させることができる。

しかも、筐体３０の内部は絶縁性の封止材によって封止されている。従って、端子板４０Ｈ，４０Ｌ間やバスバー１１ｕ〜１１ｗ間の放電を効果的に防止できるとともに、防塵効果や防水効果等の耐環境性を高めることができる。

本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態に係るパワーモジュールが備えるバスバー１１の構造の一部を示す上面図である。 領域５０におけるバスバー１１ｕ〜１１ｗの構造を具体的に示す斜視図である。 図３に示した半導体チップ２ａの構造を示す上面図である。 図４に示したラインV−Vに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。 本発明の実施の形態に係るパワーモジュールが備える筐体３０の構造を示す斜視図である。 本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの組立工程を順に示す斜視図である。 本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの組立工程を順に示す斜視図である。 本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの組立工程を順に示す斜視図である。 本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの組立工程を順に示す斜視図である。 本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの組立工程を順に示す斜視図である。 本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの組立工程を順に示す斜視図である。 ソース電極Ｓ上に弾性導体９０を接合した半導体チップ２ａの構造を示す上面図である。 図１３に示したラインV−Vに沿った位置に関する断面構造を示す断面図であって、ソース電極Ｓ上に弾性導体９０を接合した半導体チップ２ａの断面図である。

符号の説明

１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃ パワーＭＯＳＦＥＴ（半導体チップ）
３ 電磁コイル
４ 電機モータ
５ｕ〜５ｗ 電極
６ｕ〜６ｗ ノード
７ 制御回路
８ インバータ回路
１０ 筐体
１０ａ，１０ｂ 内壁
１１，１１ｕ〜１１ｗ バスバー
２０ｕ〜２０ｗ，２０Ｈ，２０Ｌ 切り欠き
３０ 筐体
３１ｕ〜３１ｗ，３２Ｈ，３２Ｌ 溝
３３ 開口部
４０Ｈ，４０Ｌ 端子板
５０ 筐体１０が形成されていない領域
６０ コネクタ
６１ 信号線
６２ 端子
７０ ボンディングワイヤ
８０ カバー
９０ 弾性導体

Claims (3)

1. ２本の直流電源用導体と、
   ３本の三相交流電力供給用導体と、
   該直流電源用導体のいずれか１本と該三相交流電力供給用導体のいずれか１本からなる６組の導体対のそれぞれに挟持される６個のパワースイッチング素子から構成されるパワーモジュールであって、
   該各パワースイッチング素子は、第１の面に第１の通電電極を有し、該第１の面とは表裏関係を成す第２の面に第２の通電電極を有しており、該第１の通電電極が該直流電源用導体に接続され、かつ、該第２の通電電極が該三相交流電力供給用導体に接続されていることを特徴とするパワーモジュール。
2. 前記パワースイッチング素子の該第１の通電電極又は該第２の通電電極のいずれか一方の電極と該直流電源用導体又は該三相交流電力供給用導体のいずれか一方の導体との間に、弾性導体を介在させることを特徴とする請求項１のパワーモジュール。
3. 該三相交流電力供給用導体は環状導体であることを特徴とする請求項１又は２のパワーモジュール。

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