JP2009032911A - 酸化膜形成方法及びその装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数種類の有機シリコンが気化状態となる温度領域のもとで前記反応ガスを前記基板に供給する。酸化膜形成装置1は基板9を格納する処理炉2を備える。基板9にはガス供給系4からオゾンガスと複数種類の有機シリコンガスとを含んだ反応ガスが供給される。処理炉2は炉内温度が前記複数種類の有機シリコンが気化状態となる温度領域に調節される。複数種類の有機シリコンガスとしてはテトラメチルシランとヘキサメチルジシラザンとが例示される。
【選択図】図1
Description
有力なひとつの解決法として基板を回転させる方式が挙げられる。だが、基板回転方式は基板の大型化につれて装置への負荷が大きくなる。近年ではメートルサイズを超えるような大型基板に対する製膜の需要が高まっており、このようなサイズの基板に回転機構を加えるには大規模な設備が必要なる。
図1は発明の第一の実施形態に係る酸化膜形成装置1の概略構成図である。
図7は発明の第二の実施形態に係る処理炉70の概略構成図である。
図8は発明の第三の実施形態に係る処理炉80の概略構成図である。
本実施形態は有機シリコンガスの混合ガスを用いてステップカバレージ特性の良好な膜を作製する方法及び装置を提供する。
2…処理炉、10…照射窓、16…サセプタ、18…圧力計
3…光源
4…ガス供給系、5…オゾン含有ガス供給系、6…有機シリコンガス供給系、7…有機シリコンガス供給系、8…リークガス供給系、11〜14…ボンベ
9…基板
15…バイパスライン
17…排気ポンプ
19…除外筒
V1〜V7…バルブ
Claims (11)
- オゾン含有ガスと複数種類の有機シリコンガスとを含んだ反応ガスを基板に供給して前記基板にシリコン酸化膜を形成することを特徴とする酸化膜形成方法。
- 前記複数種類の有機シリコンが気化状態となる温度領域のもとで前記反応ガスを前記基板に供給することを特徴とする請求項1に記載の酸化膜形成方法。
- 前記オゾン含有ガスと前記複数種類の有機シリコンの混合比を調整することで前記形成されるシリコン酸化膜の膜厚分布を制御することを特徴とする請求項1に記載の酸化膜形成方法。
- 前記反応ガスは複数種類の有機シリコンガスとしてテトラメチルシランとヘキサメチルジシラザンを含んでいることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の酸化膜形成方法。
- 前記酸化膜が形成される基板の面は段差を有することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の酸化膜形成方法。
- 前記反応ガスにおいて複数種類の有機シリコンガスの混合比を調整することで基板に形成される酸化膜の段差特性を制御することを特徴とする請求項5に記載の酸化膜形成方法。
- 基板にオゾンガスと複数種類の有機シリコンガスとを含んだ反応ガスが供給される処理炉を備えたことを特徴とする酸化膜形成装置。
- 前記処理炉は炉内温度が前記複数種類の有機シリコンが気化状態となる温度領域に調節されることを特徴とする請求項7に記載の酸化膜形成装置。
- 前記処理炉はバッチ式の処理炉であって、複数の基板を備え、これらの基板に前記反応ガスが層流状態で供給されることを特徴とする請求項7または8に記載の酸化膜形成装置。
- 前記処理炉はガス流が前記基板の上面に対して垂直方向となるように前記反応ガスを導入することを特徴とする請求項7または8に記載の酸化膜形成装置。
- 前記処理炉は、
オゾンガスと有機シリコンガスとを含んだ反応ガスを前記基板の上面の中心付近に供給する配管と、
この配管と同軸に設けられると共にオゾンガスと前記有機シリコンガスと異なる種類の有機シリコンガスとを含んだ反応ガスを前記基板の周縁付近に供給する配管と
を備えたこと
を特徴とする請求項10に記載の酸化膜形成装置。
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