JP2009031584A - Organic el display and its manufacturing method - Google Patents

Organic el display and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2009031584A
JP2009031584A JP2007196216A JP2007196216A JP2009031584A JP 2009031584 A JP2009031584 A JP 2009031584A JP 2007196216 A JP2007196216 A JP 2007196216A JP 2007196216 A JP2007196216 A JP 2007196216A JP 2009031584 A JP2009031584 A JP 2009031584A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode layer
layer
contact electrode
organic
insulator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007196216A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5111967B2 (en
Inventor
Motohiko Asano
元彦 浅野
Yusuke Miyamichi
祐介 宮道
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2007196216A priority Critical patent/JP5111967B2/en
Publication of JP2009031584A publication Critical patent/JP2009031584A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5111967B2 publication Critical patent/JP5111967B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display and its manufacturing method that can stabilize electrical connection between a contact electrode layer and a second electrode layer by connecting the contact electrode layer and the second electrode layer directly even if an organic material forming a charge-injection layer is attached to a contact area. <P>SOLUTION: The organic EL display comprises an element substrate 2; a first electrode layer 14; the contact electrode layer 11 juxtaposed with a space to the first electrode layer 14; an insulator 19 formed from the end top of the first electrode layer 14 to the end top of the contact electrode layer 11; the charge-injection layer 15 formed from the top of a center area of the first electrode layer 14 to the end top of the contact electrode layer 11 through the top of the insulator 19; an organic luminescent layer 16 formed on the center area of the first electrode layer 14; and the second electrode layer 17 formed from the top of the organic luminescent layer 16 to the top of the contact electrode layer 11 through the top of the insulator 19 and directly connected to the contact electrode layer 11. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機ELディスプレイ及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL display and a manufacturing method thereof.

有機ELディスプレイは、薄型、広視野角、低消費電力、優れた動画表示特性などの特色を有しており、複数個の有機EL素子をマトリックス状に配列して構成されたものが従来から知られている。   Organic EL displays have such characteristics as thinness, wide viewing angle, low power consumption, and excellent moving image display characteristics. Conventionally, organic EL displays are configured by arranging a plurality of organic EL elements in a matrix. It has been.

かかる有機EL素子は、素子基板上に形成される第1電極層と、第1電極層上に形成される有機発光層と、有機発光層上に形成される第2電極層と、から構成されている。なお、有機発光層は、有機材料から成る複数の層から構成されているものが一般的に用いられている。   Such an organic EL element includes a first electrode layer formed on the element substrate, an organic light emitting layer formed on the first electrode layer, and a second electrode layer formed on the organic light emitting layer. ing. In general, the organic light emitting layer is composed of a plurality of layers made of an organic material.

有機発光層は、第1電極層及び第2電極層に電圧を加えて、第1電極層及び第2電極層から有機発光層に正孔及び電子を注入し、有機発光層中で正孔と電子が再結合することで、放出されるエネルギーの一部が有機発光層中の発光分子を励起する。そして、有機発光層は、その励起された発光分子が基底状態に戻るときにエネルギーを放出して光を発する。   The organic light emitting layer applies voltage to the first electrode layer and the second electrode layer, injects holes and electrons from the first electrode layer and the second electrode layer into the organic light emitting layer, and in the organic light emitting layer, As electrons recombine, part of the released energy excites the light emitting molecules in the organic light emitting layer. The organic light emitting layer emits energy by emitting energy when the excited light emitting molecules return to the ground state.

また、第2電極層は、第1電極層と間を空けて形成されるコンタクト電極層と電気的に接続されたものが開示されている(下記特許文献1参照)。   In addition, the second electrode layer is disclosed as being electrically connected to a contact electrode layer formed with a gap from the first electrode layer (see Patent Document 1 below).

また、図14に示すように、有機発光層を成膜する際に、コンタクト電極層と第2電極層との間に、両電極層と異なる材料が被着しないように、コンタクト電極層をマスキングすることが行われている。両電極層の間に両電極層と異なる材料が被着すると、両電極層の間にて電気抵抗が大きくなり、有機発光層に電流が流れにくくなる。
特開2004−119210号公報
Further, as shown in FIG. 14, when the organic light emitting layer is formed, the contact electrode layer is masked so that a material different from both electrode layers is not deposited between the contact electrode layer and the second electrode layer. To be done. If a material different from both electrode layers is deposited between the two electrode layers, the electrical resistance increases between the two electrode layers, making it difficult for current to flow through the organic light emitting layer.
JP 2004-119210 A

ところが、微細なコンタクト電極層をマスキングするのは、位置合わせが難しく、画素が小さくなるにつれさらにコンタクト電極層も小さくなり、マスキングすることは困難な作業となる。また、有機発光層を構成する材料を被着させている場合は、マスキングの位置合わせがずれると、コンタクト電極層の表面を被覆するように有機材料が被着することがある。その結果、コンタクト電極層と第2電極層との間の電気的接続が不安定になることがある。   However, masking a fine contact electrode layer is difficult to align, and as the pixels become smaller, the contact electrode layer also becomes smaller, which makes it difficult to mask. Further, when the material constituting the organic light emitting layer is deposited, the organic material may be deposited so as to cover the surface of the contact electrode layer when the masking alignment is shifted. As a result, the electrical connection between the contact electrode layer and the second electrode layer may become unstable.

本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、コンタクト電極層と第2電極層との電気的接続を安定にすることが可能な有機ELディスプレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide an organic EL display capable of stabilizing electrical connection between a contact electrode layer and a second electrode layer and a method for manufacturing the same. And

上記の課題を解決するため、本発明の有機ELディスプレイは、素子基板と、前記素子基板上に形成される第1電極層と、前記素子基板上に形成され、前記第1電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、前記第1電極層の端部上から前記コンタクト電極層の端部上にかけて形成される絶縁物と、前記第1電極層の中央領域上から前記絶縁物上を介して前記コンタクト電極層の端部上にかけて形成される電荷注入層と、前記電荷注入層上であって、前記第1電極層の中央領域上に形成される有機発光層と、前記有機発光層上から前記絶縁物上を介して前記コンタクト電極層上にかけて形成され、前記コンタクト電極層と直接接続される第2電極層と、を備えたことを特徴とする。   In order to solve the above problems, an organic EL display according to the present invention includes an element substrate, a first electrode layer formed on the element substrate, and an element substrate formed between the first electrode layer and the first electrode layer. A contact electrode layer provided side by side; an insulator formed on an end portion of the first electrode layer to an end portion of the contact electrode layer; and on the insulator from a central region of the first electrode layer A charge injection layer formed over an end of the contact electrode layer through the organic electroluminescence layer formed on the charge injection layer and on a central region of the first electrode layer, and the organic light emission And a second electrode layer formed on the contact electrode layer through the insulator and directly connected to the contact electrode layer.

また、本発明の有機ELディスプレイは、前記絶縁物が、前記コンタクト電極層との間に隙間が形成されており、前記隙間に前記電荷注入層の一部が充填されていることを特徴とする。   In the organic EL display of the present invention, a gap is formed between the insulator and the contact electrode layer, and the gap is partially filled with the charge injection layer. .

また、本発明の有機ELディスプレイは、前記絶縁物が、前記コンタクト電極層の中央領域を囲むように形成されており、前記隙間は、前記コンタクト電極層の中央領域に沿って形成されていることを特徴とする。   In the organic EL display of the present invention, the insulator is formed so as to surround a central region of the contact electrode layer, and the gap is formed along the central region of the contact electrode layer. It is characterized by.

また、本発明の有機ELディスプレイの製造方法は、第1電極層と、該第1電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、を有する素子基板を準備する工程と、前記第1電極層の端部上から前記コンタクト電極層の端部上にかけて絶縁物を形成する工程と、前記第1電極層の中央領域上から前記絶縁物上を介して前記コンタクト電極層上にかけて電荷注入層を形成する工程と、前記電荷注入層に熱を加え、前記コンタクト電極層上の前記電荷注入層を溶融させて取り除き、前記コンタクト電極層上を露出させる工程と、を備えたことを特徴とする。   In addition, the method for manufacturing an organic EL display according to the present invention includes a step of preparing an element substrate having a first electrode layer and a contact electrode layer provided side by side with the first electrode layer; Forming an insulator from the end of the electrode layer to the end of the contact electrode layer; and a charge injection layer from the central region of the first electrode layer to the contact electrode layer through the insulator And a step of applying heat to the charge injection layer, melting and removing the charge injection layer on the contact electrode layer, and exposing the contact electrode layer. .

また、本発明の有機ELディスプレイの製造方法は、前記絶縁物と前記コンタクト電極層との間には隙間が形成されており、前記コンタクト電極層上に被着した前記電荷注入層を溶融させて、前記絶縁物と前記コンタクト電極層との間の前記隙間に溶融物を流し込むことを特徴とする。   In the organic EL display manufacturing method of the present invention, a gap is formed between the insulator and the contact electrode layer, and the charge injection layer deposited on the contact electrode layer is melted. The melt is poured into the gap between the insulator and the contact electrode layer.

また、本発明の有機ELディスプレイの製造方法は、前記コンタクト電極層と前記絶縁物との間には、モリブデンから成る中間層が形成されており、前記絶縁物を形成後に、前記中間層をエッチングして除去することで、前記絶縁物と前記コンタクト電極層との間に隙間を形成することを特徴とする。   In the method for manufacturing an organic EL display according to the present invention, an intermediate layer made of molybdenum is formed between the contact electrode layer and the insulator, and the intermediate layer is etched after the insulator is formed. Thus, a gap is formed between the insulator and the contact electrode layer.

本発明によれば、コンタクト電極層の上面を露出した状態で、第2電極層をコンタクト電極層上に形成し、両者の電気的接続を安定にすることができる有機ELディスプレイ及びその製造方法を提供することができる。   According to the present invention, there is provided an organic EL display capable of forming a second electrode layer on a contact electrode layer with the upper surface of the contact electrode layer exposed, and stabilizing the electrical connection between them, and a method for manufacturing the same. Can be provided.

以下に、本発明について、図面を参照しつつ説明する。   The present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は、本発明の実施形態に係る有機ELディスプレイ1の上方斜視図である。また、図2は、本発明の実施形態に係る有機ELディスプレイの画素の拡大断面図である。さらに、図3は、有機EL素子の拡大断面図である。   FIG. 1 is a top perspective view of an organic EL display 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a pixel of the organic EL display according to the embodiment of the present invention. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the organic EL element.

有機ELディスプレイ1は、図1に示すように、テレビ等の家電機器、携帯電話又はコンピュータ機器等の電子機器に用いるものであり、基板としての平板状の素子基板2と、素子基板2上に複数の画素3と、かかる画素3の発光を制御する駆動IC4と、を含んで構成されている。   As shown in FIG. 1, the organic EL display 1 is used for a home appliance such as a television, an electronic device such as a mobile phone or a computer device, and has a flat element substrate 2 as a substrate and an element substrate 2. A plurality of pixels 3 and a drive IC 4 that controls light emission of the pixels 3 are included.

素子基板2は、例えばガラスやプラスチックから成り、素子基板2の中央に位置する表示領域D1には、マトリックス状に配列された複数の画素3が形成されている。また、素子基板2の端部に位置する非表示領域D2には、駆動IC4が実装されている。   The element substrate 2 is made of, for example, glass or plastic, and a plurality of pixels 3 arranged in a matrix are formed in the display region D1 located in the center of the element substrate 2. A driving IC 4 is mounted on the non-display area D2 located at the end of the element substrate 2.

かかる画素3は、図2に示すように、発光領域R1とコンタクト領域R2とを含んで構成されており、発光領域R1に発光可能な有機EL素子5が設けられている。なお、各画素3は、隔壁6によって仕切られている。また、画素3は、赤色、緑色、青色のいずれかの色を発光することができる。このことは、後述するように有機EL素子5を構成する有機材料を選択することによって、発光する色を決定することができる。   As shown in FIG. 2, the pixel 3 includes a light emitting region R1 and a contact region R2, and an organic EL element 5 capable of emitting light is provided in the light emitting region R1. Each pixel 3 is partitioned by a partition wall 6. The pixel 3 can emit any one of red, green, and blue colors. This can determine the light emission color by selecting an organic material constituting the organic EL element 5 as will be described later.

また、素子基板2上には、素子基板2に対して対向するように配置された封止基板7が形成されている。封止基板7は透明の基板から成り、例えばガラスやプラスチックを用いることができる。さらに、素子基板2の表示領域D1には、表示領域D1を被覆するようにシール材8が形成されており、素子基板2と隔壁6と封止基板7とシール材8によって複数の画素3を密封している。なお、シール材8は、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂又はシリコン樹脂等の光硬化性又は熱硬化性の樹脂を用いることができる。好ましくは、紫外線の照射により硬化する光硬化性のエポキシ樹脂を採用する。   In addition, a sealing substrate 7 is formed on the element substrate 2 so as to face the element substrate 2. The sealing substrate 7 is made of a transparent substrate, and for example, glass or plastic can be used. Further, a sealing material 8 is formed in the display area D1 of the element substrate 2 so as to cover the display area D1, and a plurality of pixels 3 are formed by the element substrate 2, the partition wall 6, the sealing substrate 7, and the sealing material 8. Sealed. Note that the sealing material 8 can be made of, for example, a photocurable or thermosetting resin such as an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, or a silicon resin. Preferably, a photocurable epoxy resin that is cured by irradiation with ultraviolet rays is employed.

次に、図3に示すように、素子基板2と封止基板7との間に形成される各種層について説明する。   Next, as shown in FIG. 3, various layers formed between the element substrate 2 and the sealing substrate 7 will be described.

素子基板2上には、TFTや電気配線が形成されている回路層9と、回路層9上に回路層9を外部と電気的に絶縁するための窒化珪素等から成る絶縁層10が形成されている。なお、回路層9の一部と、後述するコンタクト電極層11とが電気的に接続されている。また、絶縁層10上には、回路層9や絶縁層10の凹凸を低減するための平坦化膜12が形成されている。かかる平坦化膜12は、例えばノボラック樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂等の絶縁性を有する有機材料を用いることができる。なお、平坦化膜12の厚みは、例えば2μm以上、5μm以下に設定されている。   On the element substrate 2, a circuit layer 9 on which TFTs and electric wirings are formed, and an insulating layer 10 made of silicon nitride or the like for electrically insulating the circuit layer 9 from the outside are formed on the circuit layer 9. ing. A part of the circuit layer 9 and a contact electrode layer 11 to be described later are electrically connected. A planarizing film 12 is formed on the insulating layer 10 to reduce the unevenness of the circuit layer 9 and the insulating layer 10. For the planarizing film 12, an organic material having an insulating property such as a novolac resin, an acrylic resin, an epoxy resin, or a silicon resin can be used. The thickness of the planarizing film 12 is set to, for example, 2 μm or more and 5 μm or less.

また、平坦化膜12には、平坦化膜12を貫通するコンタクトホール13が形成されている。かかるコンタクトホール13は、上部よりも下部が幅狭な逆テーパー状に形成されている。さらにコンタクトホール13の内周面から平坦化膜12の上面にかけて、例えば銅やアルミニウム等の導電材料から成るコンタクト電極層11が形成されている。   Further, a contact hole 13 penetrating the planarizing film 12 is formed in the planarizing film 12. The contact hole 13 is formed in a reverse taper shape in which the lower part is narrower than the upper part. Further, a contact electrode layer 11 made of a conductive material such as copper or aluminum is formed from the inner peripheral surface of the contact hole 13 to the upper surface of the planarizing film 12.

さらに、平坦化膜12上には、有機EL素子5が形成されている。   Further, an organic EL element 5 is formed on the planarizing film 12.

有機EL素子5は、第1電極層14と、第1電極層14上に形成された電荷注入層15と、電荷注入層15上に形成された有機発光層16と、有機発光層16上に形成された第2電極層17と、を含んで構成されている。   The organic EL element 5 includes a first electrode layer 14, a charge injection layer 15 formed on the first electrode layer 14, an organic light emitting layer 16 formed on the charge injection layer 15, and the organic light emitting layer 16. And the formed second electrode layer 17.

また、有機EL素子5を被覆するように、表示領域D1上には保護層18が形成されている。保護層18は、有機EL素子5を封止し、有機EL素子を水分や外気から保護するものであって、光透過性の機能を有し、例えば窒化珪素、酸化珪素又は窒化炭化珪素等の無機材料から成る。なお、保護層18の厚みは、例えば100nm以上、5μm以下に設定されている。   Further, a protective layer 18 is formed on the display region D1 so as to cover the organic EL element 5. The protective layer 18 seals the organic EL element 5 and protects the organic EL element from moisture and outside air, and has a light-transmitting function, such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon nitride carbide. Made of inorganic material. The thickness of the protective layer 18 is set to, for example, 100 nm or more and 5 μm or less.

第1電極層14は、平坦化膜12上に形成されるとともに、コンタクト電極層11と間を空けて併設されている。第1電極層14は、例えばアルミニウム、銀、銅、金又はロジウム等の金属、又はこれらの合金等の光反射率の大きい材料から成る。このように、第1電極層14を光反射率の大きい材料から構成することにより、トップエミッション型の有機EL素子5においては光取り出し効率を向上させることができる。なお、第1電極層14の厚みは、例えば50nm以上、500nm以下に設定されている。   The first electrode layer 14 is formed on the planarizing film 12 and is provided side by side with the contact electrode layer 11. The first electrode layer 14 is made of a material having a high light reflectance such as a metal such as aluminum, silver, copper, gold, or rhodium, or an alloy thereof. In this way, by configuring the first electrode layer 14 from a material having a high light reflectance, the light extraction efficiency can be improved in the top emission type organic EL element 5. The thickness of the first electrode layer 14 is set to, for example, 50 nm or more and 500 nm or less.

また、第1電極層14は、コンタクト電極層11と間を空けて併設されており、第1電極層14の端部上からコンタクト電極層11の端部上にかけて絶縁物19が形成されており、かかる絶縁物19は、その絶縁層19の端部の一部が第1電極層14と第2電極層17との間に介在され、両者の短絡を防止している。なお、第1電極層14の端部及びコンタクト電極層11の端部とは、絶縁層19の少なくとも一部が形成されうる箇所をいう。   Further, the first electrode layer 14 is provided side by side with the contact electrode layer 11, and an insulator 19 is formed from the end portion of the first electrode layer 14 to the end portion of the contact electrode layer 11. In the insulator 19, a part of the end of the insulating layer 19 is interposed between the first electrode layer 14 and the second electrode layer 17 to prevent a short circuit therebetween. Note that the end portion of the first electrode layer 14 and the end portion of the contact electrode layer 11 refer to locations where at least part of the insulating layer 19 can be formed.

また、絶縁物19には、コンタクト電極層11と間を空けるように隙間Gが形成されている。隙間Gの高さが、例えば30nm以上、70nm以下に設定されており、さらにコンタクト領域R2側から発光領域R1側に向かって、例えば500nm以上削られている。かかる絶縁物19は、フェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料や、窒化珪素等の無機絶縁材料から成る。   In addition, a gap G is formed in the insulator 19 so as to be spaced from the contact electrode layer 11. The height of the gap G is set to, for example, 30 nm or more and 70 nm or less, and is further cut, for example, by 500 nm or more from the contact region R2 side toward the light emitting region R1 side. The insulator 19 is made of an organic insulating material such as phenol resin, acrylic resin or polyimide resin, or an inorganic insulating material such as silicon nitride.

また、絶縁物19は、コンタクト領域R2を取り囲むように形成されており、絶縁物19に形成される隙間Gは、コンタクト領域R2に沿って設けられている。その結果、隙間Gの領域を十分に大きく確保することができ、後述するように、コンタクト電極層11上に被着する電荷注入層15を構成する材料の多くを隙間Gに流入させることができ、コンタクト電極層11を効果的に露出させることができる。   The insulator 19 is formed so as to surround the contact region R2, and the gap G formed in the insulator 19 is provided along the contact region R2. As a result, a sufficiently large region of the gap G can be secured, and as will be described later, most of the material constituting the charge injection layer 15 deposited on the contact electrode layer 11 can be caused to flow into the gap G. The contact electrode layer 11 can be effectively exposed.

また、絶縁物19上には、隔壁6が形成されている。   A partition wall 6 is formed on the insulator 19.

隔壁6は、絶縁物19上に形成され、画素3を取り囲むように配置されている。隔壁6は、上部よりも下部が幅狭であって、例えばフェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料から成る。   The partition wall 6 is formed on the insulator 19 and is disposed so as to surround the pixel 3. The lower part of the partition wall 6 is narrower than the upper part, and is made of, for example, an organic insulating material such as phenol resin, acrylic resin, or polyimide resin.

電荷注入層15は、第1電極層14の中央領域上から絶縁物19上を介してコンタクト電極層11上まで形成されている。電荷注入層15は、コンタクト電極層11の上面の全てを被覆せずに設けられている。また、電荷注入層15が形成される第1電極層14の中央領域とは、有機発光層16が形成される領域をいう。   The charge injection layer 15 is formed from the central region of the first electrode layer 14 to the contact electrode layer 11 via the insulator 19. The charge injection layer 15 is provided without covering the entire top surface of the contact electrode layer 11. The central region of the first electrode layer 14 where the charge injection layer 15 is formed refers to a region where the organic light emitting layer 16 is formed.

かかる電荷注入層15は、例えばN,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)、4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)等 の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、 ポリアリールアルカン、ブタジエン、および4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)等のスターバースト芳香族やアミン化合物を用いることができる。なお、第1電極層14の直上に形成される電荷注入層15の厚みは、例えば10nm以上、50nm以下に設定されている。   The charge injection layer 15 is formed of, for example, N, N′-bis (3-methylphenyl)-(1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine (TPD), 4,4′-bis [N- ( Aromatic diamine compounds such as naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl (α-NPD), oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, imidazolone, stilbene derivative, pyrazoline derivative, tetrahydroimidazole, polyarylalkane, butadiene, and Starburst aromatics and amine compounds such as 4,4 ′, 4 ″ -tris (N- (3-methylphenyl) N-phenylamino) triphenylamine (m-MTDATA) can be used. The thickness of the charge injection layer 15 formed immediately above the electrode layer 14 is, for example, 10 nm or more and 50 nm or less. It has been set.

有機発光層16は、例えばCBP、Alq又はSDPVBi等の発光樹脂、またはこれらにDCJTB、クマリン、キナクリドン、スチリルアミン又はペルリン等の添加物を含有したものを用いることができる。なお、有機発光層16と第2電極層17との間に、例えばα‐NPD又はTPD等の輸送層、酸化ニッケル、酸化チタン、フッ化炭素又はCuPc等の注入層を、介在させることができる。 The organic light-emitting layer 16, for example CBP, can be used Alq 3 or SDPVBi like luminescent resin or DCJTB to, coumarin, quinacridone, those containing an additive such as styrylamine or Perurin. Note that a transport layer such as α-NPD or TPD, and an injection layer such as nickel oxide, titanium oxide, fluorocarbon, or CuPc can be interposed between the organic light emitting layer 16 and the second electrode layer 17. .

第2電極層17は、光と透過する導電材料から、有機発光層16上から絶縁物19まで延在されており、該延在部がコンタクト電極層11と直接接続されている。第2電極層17は、例えばITO又はIZO等の透明電極や、プラチナ、金、ニッケル、銀又は銅や、これらの合金から成る。   The second electrode layer 17 extends from the light-transmitting conductive material to the insulator 19 from the organic light emitting layer 16, and the extending portion is directly connected to the contact electrode layer 11. The second electrode layer 17 is made of, for example, a transparent electrode such as ITO or IZO, platinum, gold, nickel, silver, copper, or an alloy thereof.

以下に、本発明の実施形態に係る有機ELディスプレイ1の製造方法について、図4から図8を用いて詳細に説明する。   Below, the manufacturing method of the organic electroluminescent display 1 which concerns on embodiment of this invention is demonstrated in detail using FIGS. 4-8.

まず、回路層9と、絶縁層10とを上面に有する素子基板2を準備する。なお、回路層9及び絶縁層10は、従来周知のCVD法、スパッタリング法やフォトリソグラフィー法等の薄膜加工技術を用いて、所定パターンに形成される。   First, the element substrate 2 having the circuit layer 9 and the insulating layer 10 on the upper surface is prepared. The circuit layer 9 and the insulating layer 10 are formed in a predetermined pattern by using a conventionally known thin film processing technique such as a CVD method, a sputtering method, or a photolithography method.

そして、図4(a)に示すように、回路層9及び絶縁層10を被覆するように例えば従来周知のスピンコート法を用いて、有機樹脂膜12aを形成する。なお、有機樹脂膜12aは、硬化後に平坦化膜12となる。   Then, as shown in FIG. 4A, an organic resin film 12a is formed using, for example, a conventionally known spin coating method so as to cover the circuit layer 9 and the insulating layer 10. The organic resin film 12a becomes the planarizing film 12 after curing.

次に、有機樹脂膜12a上に露光マスクを用いて有機樹脂膜12aを露光し、さらに現像、ベーキング処理を行い、図4(b)に示すように、回路層9の一部を露出させて、上部よりも下部が幅狭なコンタクトホール13を有する平坦化膜12を形成する。そして、図4(c)に示すように、例えばアルミニウムから成る金属膜14aを形成する。なお、金属膜14aは、後述するようにパターニング後に、第1電極層14及びコンタクト電極層11と成る。   Next, the organic resin film 12a is exposed on the organic resin film 12a by using an exposure mask, and further developed and baked to expose a part of the circuit layer 9 as shown in FIG. 4B. Then, the planarization film 12 having the contact hole 13 whose lower part is narrower than the upper part is formed. Then, as shown in FIG. 4C, a metal film 14a made of, for example, aluminum is formed. The metal film 14a becomes the first electrode layer 14 and the contact electrode layer 11 after patterning as will be described later.

さらに、図5(a)に示すように、露出した金属膜14aに対して、従来周知のエッチング処理を行うことで、パターニングして第1電極層14及びコンタクト電極層11を形成する。   Further, as shown in FIG. 5A, the exposed metal film 14a is patterned by performing a conventionally known etching process to form the first electrode layer 14 and the contact electrode layer 11.

次に、図5(b)に示すように、例えばスピンコート法を用いて、第1電極層14、コンタクト電極層11及び露出した平坦化膜12上に、絶縁物19となりうる有機絶縁材料を被着し、有機絶縁材料層19aを形成する。さらに、図5(c)に示すように、有機絶縁材料層19a上に、フォトマスクMを対向配置する。フォトマスクMは、絶縁物19となりうる領域の直上を被覆するとともに、発光領域R1及びコンタクト領域R2に対応する領域に開口M1、M2を有している。なお、開口M1、M2は、有機絶縁材料層19aを露光する範囲を調整するために、M1のテーパーの角度をM2のテーパーの角度よりも緩やかに設定されている。   Next, as shown in FIG. 5B, an organic insulating material that can become the insulator 19 is formed on the first electrode layer 14, the contact electrode layer 11, and the exposed planarizing film 12 by using, for example, a spin coating method. The organic insulating material layer 19a is formed by deposition. Further, as shown in FIG. 5C, a photomask M is disposed on the organic insulating material layer 19a so as to face each other. The photomask M covers the region immediately above the region that can become the insulator 19, and has openings M1 and M2 in regions corresponding to the light emitting region R1 and the contact region R2. The openings M1 and M2 are set such that the taper angle of M1 is set to be gentler than the taper angle of M2 in order to adjust the range in which the organic insulating material layer 19a is exposed.

そして、図6(a)に示すように、露光装置を用いて、フォトマスクMを介して、有機絶縁材料層19aに光を照射する。なお、光が照射された領域Bは、後述するように現像することによって除去される。そして、図6(b)に示すように、フォトマスクMを有機絶縁材料層19aから取り除く。   Then, as shown in FIG. 6A, the organic insulating material layer 19a is irradiated with light through a photomask M using an exposure apparatus. The region B irradiated with light is removed by development as described later. Then, as shown in FIG. 6B, the photomask M is removed from the organic insulating material layer 19a.

そして、図6(c)に示すように、光が照射された有機絶縁材料層19aの領域Bに対し、現像液を浸透させて領域Bを除去する。コンタクト領域R2は、コンタクト領域R1よりも光の照射された角度が急であるため、サイドエッチングが加わりやすく、隙間Gを有する絶縁物19を形成することができる。かかる絶縁物19は、コンタクト電極層11の表面を一部露出するように、コンタクト電極層11の外周を覆って形成される。   Then, as shown in FIG. 6C, the region B of the organic insulating material layer 19a irradiated with light is penetrated to remove the region B. Since the contact region R2 has a steeper angle of light than the contact region R1, side etching is easily applied, and the insulator 19 having the gap G can be formed. The insulator 19 is formed to cover the outer periphery of the contact electrode layer 11 so that a part of the surface of the contact electrode layer 11 is exposed.

また、別の隙間Gを有する絶縁物19の製造方法としては、例えば、予め、コンタクト電極層11上にモリブデン又はモリブデン合金から成る中間層を形成しておき、絶縁物19を形成後に、硝酸、酢酸又は燐酸等から成る混酸を中間層に浸透させて中間層をエッチングする。そして、中間層を選択的に除去することによって、中間層が形成されていた箇所に隙間Gを形成することも可能である。   In addition, as a method of manufacturing the insulator 19 having another gap G, for example, an intermediate layer made of molybdenum or a molybdenum alloy is formed on the contact electrode layer 11 in advance, and after the insulator 19 is formed, nitric acid, A mixed acid composed of acetic acid or phosphoric acid is infiltrated into the intermediate layer to etch the intermediate layer. Then, by selectively removing the intermediate layer, it is possible to form the gap G at the location where the intermediate layer was formed.

次に、図7(a)に示すように、絶縁物19上に、従来周知の薄膜加工技術を用いて、上部よりも下部が幅狭な隔壁6を形成する。かかる隔壁6は、各画素3を取り囲むように形成される。   Next, as shown in FIG. 7A, the partition wall 6 having a lower width than the upper portion is formed on the insulator 19 by using a conventionally known thin film processing technique. The partition wall 6 is formed so as to surround each pixel 3.

そして、図7(b)に示すように、表示領域D1全体に対し、具体的には、発光領域R1及びコンタクト領域R2上に、従来周知の蒸着法を用いて電荷注入層15を形成する。そして、図7(c)に示すように、電荷注入層15に対し、該電荷注入層15を構成する材料のガラス転移点以上の温度、且つ昇華点未満の温度の熱を加えて、電荷注入層15を溶融させ、隙間Gに溶融した電荷注入層15を構成する材料を流しこむ。かかる場合、コンタク電極層11上に被着した電荷注入層15を構成ずる材料は、溶融後に、表面張力によって、絶縁物19の隙間Gに向かって流れる。その結果、図14に示すように、電荷注入層15を形成する際に、コンタクト領域R2をマスクmにて被覆しなくても、コンタクト電極層11の上面を一部露出させることができ、製造工程を単純化することができ、生産性を向上させることができる。   Then, as shown in FIG. 7B, the charge injection layer 15 is formed on the entire display region D1, specifically, on the light emitting region R1 and the contact region R2 by using a conventionally known vapor deposition method. Then, as shown in FIG. 7C, the charge injection layer 15 is heated by applying heat at a temperature higher than the glass transition point of the material constituting the charge injection layer 15 and lower than the sublimation point. The layer 15 is melted, and the material constituting the charge injection layer 15 melted in the gap G is poured. In such a case, the material constituting the charge injection layer 15 deposited on the contact electrode layer 11 flows toward the gap G of the insulator 19 due to surface tension after melting. As a result, as shown in FIG. 14, when the charge injection layer 15 is formed, a part of the upper surface of the contact electrode layer 11 can be exposed without covering the contact region R2 with the mask m. The process can be simplified and productivity can be improved.

次に、図8(a)に示すように、電荷注入層15上に、従来周知の蒸着法を用いて、有機発光層16を形成する。さらに、図8(b)に示すように、有機発光層16からコンタクト電極層11上にかけて、従来周知の蒸着法を用いて、第2電極層17を形成する。したがって、上面が露出しているコンタクト電極層11と第2電極層17とが直接接続され、両者の間に、不純物の層が形成されることがなく、両者を直接接続することができ、コンタクト電極層11と第2電極層17との間の電気的接続を安定にすることができる。   Next, as shown in FIG. 8A, an organic light emitting layer 16 is formed on the charge injection layer 15 by using a conventionally known vapor deposition method. Further, as shown in FIG. 8B, a second electrode layer 17 is formed from the organic light emitting layer 16 to the contact electrode layer 11 by using a conventionally known vapor deposition method. Therefore, the contact electrode layer 11 whose upper surface is exposed and the second electrode layer 17 are directly connected to each other, and an impurity layer is not formed between the two. The electrical connection between the electrode layer 11 and the second electrode layer 17 can be stabilized.

このようにして、有機EL素子5を形成することができる。さらに、図8(c)に示すように、有機EL素子5を被覆するように、従来周知の薄膜形成技術を用いて、保護層18を形成する。そして、有機EL素子が形成された素子基板2に対して、封止基板7を対向配置し、両者をシール材8を介して接着する。なお、封止基板7をシール材8によって、素子基板2に固定する作業は、例えば窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガス中や、高真空中で行うことによって、素子基板2と封止基板7との間に酸素や水分が含まれるのを抑制することができる。   In this way, the organic EL element 5 can be formed. Further, as shown in FIG. 8C, a protective layer 18 is formed using a conventionally well-known thin film forming technique so as to cover the organic EL element 5. Then, the sealing substrate 7 is disposed opposite to the element substrate 2 on which the organic EL element is formed, and both are bonded via the sealing material 8. The operation of fixing the sealing substrate 7 to the element substrate 2 with the sealing material 8 is performed in an inert gas such as nitrogen gas or argon gas or in a high vacuum, for example, so that the element substrate 2 and the sealing substrate are fixed. It is possible to suppress oxygen and moisture from being contained between the two.

そして、非表示領域D2に駆動IC4を実装することで、有機ELディスプレイ1を製造することができる。   And the organic EL display 1 can be manufactured by mounting the drive IC 4 in the non-display area D2.

上述したように、本発明の実施形態によれば、絶縁物19に隙間Gを設けることで、仮に発光領域R1に電荷注入層15を被着させる際に、コンタクト領域R2におけるコンタクト電極層11上に電荷注入層15を構成する材料が被着しても、コンタクト電極層11上に被着した電荷注入層15を構成する材料を溶融させて、絶縁物19の隙間Gに流入させることができる。その結果、コンタクト電極層11上を露出させることができ、後に形成する第2電極層17をコンタクト電極層11に直接接続させることができ、両者の電気的接続を安定にすることができる。   As described above, according to the embodiment of the present invention, when the gap 19 is provided in the insulator 19, the charge injection layer 15 is temporarily deposited on the light emitting region R 1. Even if the material constituting the charge injection layer 15 is deposited on the contact electrode layer 11, the material constituting the charge injection layer 15 deposited on the contact electrode layer 11 can be melted and allowed to flow into the gap G of the insulator 19. . As a result, the upper surface of the contact electrode layer 11 can be exposed, the second electrode layer 17 to be formed later can be directly connected to the contact electrode layer 11, and the electrical connection between them can be stabilized.

なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。   In addition, this invention is not limited to the above-mentioned form, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention.

本発明の第2の実施形態として、図9、図10に示すように、絶縁物19には、コンタクト電極層側に切り欠いた溝Hを有していても構わない。溝Hは、従来周知の薄膜加工技術を用いることにより、有機絶縁材料層19aのエッチングパターンを調整し、形成することができる。溝Hが形成されていると、電荷注入層15を、例えば蒸着法を用いて素子基板2上に被着させた後、コンタクト電極層11上に被着した電荷注入層15に熱を加えて溶融させ、溶融した電荷注入層15を構成する材料を、絶縁物19の側面を介して、毛管現象によって、溝Hまで流す。その結果、コンタクト電極層11上を露出させて、コンタクト電極層11と第2電極層17とを直接接続することができる。   As a second embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 9 and 10, the insulator 19 may have a groove H cut out on the contact electrode layer side. The groove H can be formed by adjusting the etching pattern of the organic insulating material layer 19a by using a conventionally known thin film processing technique. When the groove H is formed, the charge injection layer 15 is deposited on the element substrate 2 using, for example, vapor deposition, and then heat is applied to the charge injection layer 15 deposited on the contact electrode layer 11. The material constituting the melted charge injection layer 15 is flowed to the groove H through the side surface of the insulator 19 by capillary action. As a result, the contact electrode layer 11 can be exposed and the contact electrode layer 11 and the second electrode layer 17 can be directly connected.

また、本発明の第3の実施形態として、図11に示すように、コンタクト領域R2におけるコンタクト電極層11に凹部11aが形成されていても構わない。凹部11aは、例えば、予め、コンタクト領域R2に対応する平坦化膜12に窪みを形成し、その平坦化膜12上にコンタクト電極層11を形成することで、凹部11aを形成することができる。また、凹部11aは、例えば、第1電極層14及びコンタクト電極層11と成りうる金属膜14aをエッチングする際に、コンタクト領域R2に対応する金属膜14aの表面に対し、該金属膜14aの表面が窪んで凹部となるようにエッチングすることによって形成することもできる。凹部11aは、コンタクト電極層11の表面が窪んだものであって、溶融した電荷注入層15を構成する材料が、窪んだ凹部11aに溜まる。その結果、コンタクト電極層11上を露出させて、コンタクト電極層11と第2電極層17とを直接接続することができる。   Further, as a third embodiment of the present invention, as shown in FIG. 11, a recess 11a may be formed in the contact electrode layer 11 in the contact region R2. The recess 11a can be formed, for example, by forming a depression in the planarization film 12 corresponding to the contact region R2 in advance and forming the contact electrode layer 11 on the planarization film 12. The recess 11a is formed on the surface of the metal film 14a with respect to the surface of the metal film 14a corresponding to the contact region R2, for example, when the metal film 14a that can be the first electrode layer 14 and the contact electrode layer 11 is etched. It can also form by etching so that may become a recessed part and may become a recessed part. The concave portion 11a is a depression of the surface of the contact electrode layer 11, and the material constituting the molten charge injection layer 15 is accumulated in the concave portion 11a. As a result, the contact electrode layer 11 can be exposed and the contact electrode layer 11 and the second electrode layer 17 can be directly connected.

また、本発明の第4の実施形態として、図12に示すように、コンタクト領域R2におけるコンタクト電極層11に凸部11bが形成されていても構わない。凸部11bは、コンタクト領域R2に対応する有機絶縁材料層19aが一部残存するように、フォトマスクMを調整し、露光現像することによって形成することができる。コンタクト領域R2に被着した電荷注入層15が溶融すると、凸部11bに凝集することができ、コンタクト領域R2におけるコンタクト電極層11を露出させることができる。その結果、第2電極層17を露出したコンタクト電極層11に直接接続することができる。   Further, as a fourth embodiment of the present invention, as shown in FIG. 12, a convex portion 11b may be formed on the contact electrode layer 11 in the contact region R2. The convex portion 11b can be formed by adjusting the photomask M and exposing and developing so that a part of the organic insulating material layer 19a corresponding to the contact region R2 remains. When the charge injection layer 15 deposited on the contact region R2 is melted, the charge injection layer 15 can be agglomerated on the protrusions 11b, and the contact electrode layer 11 in the contact region R2 can be exposed. As a result, the second electrode layer 17 can be directly connected to the exposed contact electrode layer 11.

また、本発明の第5の実施形態として、図13に示すように、絶縁物19xは、第1電極層14上の端部から第1電極層14とコンタクト電極層11との間の露出領域Fにかけて形成され、且つコンタクト電極層11と間を空けて設けられている。すなわち、コンタクト領域R2における絶縁物19xの縁が、コンタクト電極層11と間を空けて設けられている。そのため、コンタクト領域R2における平坦化膜12の上面が露出するため、かかる露出箇所に溶融した電荷注入層15を構成する材料を流し込むことができる。具体的には、電荷注入層15を発光領域R1及びコンタクト領域R2にかけて被着して形成した後、コンタクト領域R2のコンタクト電極層11上に被着した電荷注入層15を構成する材料を溶融して露出領域Fに流す。その結果、コンタクト電極層11の上面を露出することができ、しいてはコンタクト電極層11と第2電極層17とを直接接続することができる。なお、絶縁物19xは、有機絶縁材料層19aを従来周知のフォトリソグラフィー技術を用いて、コンタクト領域R2における平坦化膜12の上面が一部露出するように、露光現像することによって形成することができる。   Further, as a fifth embodiment of the present invention, as shown in FIG. 13, the insulator 19 x is an exposed region between the first electrode layer 14 and the contact electrode layer 11 from the end on the first electrode layer 14. It is formed over F and is provided to be spaced from the contact electrode layer 11. That is, the edge of the insulator 19x in the contact region R2 is provided with a space from the contact electrode layer 11. Therefore, since the upper surface of the planarizing film 12 in the contact region R2 is exposed, a material constituting the molten charge injection layer 15 can be poured into the exposed portion. Specifically, after the charge injection layer 15 is formed by being deposited over the light emitting region R1 and the contact region R2, the material constituting the charge injection layer 15 deposited on the contact electrode layer 11 in the contact region R2 is melted. And flow to the exposed area F. As a result, the upper surface of the contact electrode layer 11 can be exposed, and the contact electrode layer 11 and the second electrode layer 17 can be directly connected. The insulator 19x can be formed by exposing and developing the organic insulating material layer 19a by using a well-known photolithography technique so that a part of the upper surface of the planarizing film 12 in the contact region R2 is exposed. it can.

また、本発明の第6の実施形態として、図14に示すように、第5の実施形態における露出領域Fに凹部20が形成されている。電荷注入層15を、例えば蒸着法を用いて素子基板2上に被着させた後、コンタクト電極層11上に被着した電荷注入層15に熱を加えて溶融させ、溶融した電荷注入層15を構成する材料を、凹部20に流し込む。凹部20は、コンタクト電極層11の下面よりもさらに下方に窪んでいるため、凹部20に溶融した電荷注入層15を構成する材料を集中させることができる。その結果、コンタクト電極層11上を露出させて、コンタクト電極層11と第2電極層17とを直接接続することができる。なお、凹部20は、次の方法によって形成される。例えば、上述した有機絶縁材料層19aを現像液にて現像する際に、平坦化膜12の上面をも現像することで、露出領域Fに凹部20を形成することができる。   Further, as a sixth embodiment of the present invention, as shown in FIG. 14, a recessed portion 20 is formed in the exposed region F in the fifth embodiment. After the charge injection layer 15 is deposited on the element substrate 2 by using, for example, a vapor deposition method, the charge injection layer 15 deposited on the contact electrode layer 11 is melted by applying heat to the melted charge injection layer 15. Is poured into the recess 20. Since the recess 20 is recessed further below the lower surface of the contact electrode layer 11, the material constituting the molten charge injection layer 15 can be concentrated in the recess 20. As a result, the contact electrode layer 11 can be exposed and the contact electrode layer 11 and the second electrode layer 17 can be directly connected. The recess 20 is formed by the following method. For example, when the organic insulating material layer 19a described above is developed with a developer, the upper surface of the planarizing film 12 is also developed, whereby the recess 20 can be formed in the exposed region F.

本発明の実施形態に係る有機ELディスプレイの平面図である。It is a top view of the organic electroluminescent display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る画素の拡大平面図である。It is an enlarged plan view of a pixel according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る有機EL素子の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the organic EL element concerning the embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る有機ELディスプレイの製造工程を説明する画素の断面図である。It is sectional drawing of the pixel explaining the manufacturing process of the organic electroluminescent display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機ELディスプレイの製造工程を説明する画素の断面図である。It is sectional drawing of the pixel explaining the manufacturing process of the organic electroluminescent display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機ELディスプレイの製造工程を説明する画素の断面図である。It is sectional drawing of the pixel explaining the manufacturing process of the organic electroluminescent display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機ELディスプレイの製造工程を説明する画素の断面図である。It is sectional drawing of the pixel explaining the manufacturing process of the organic electroluminescent display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機ELディスプレイの製造工程を説明する画素の断面図である。It is sectional drawing of the pixel explaining the manufacturing process of the organic electroluminescent display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係る有機EL素子の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the organic EL element concerning a 2nd embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施形態に係る有機EL素子の平面図である。It is a top view of the organic EL element which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態に係る有機EL素子の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the organic EL element concerning a 3rd embodiment of the present invention. 本発明の第4の実施形態に係る有機EL素子の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the organic EL element concerning a 4th embodiment of the present invention. 本発明の第5の実施形態に係る有機EL素子の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the organic EL element concerning a 5th embodiment of the present invention. 本発明の第6の実施形態に係る有機EL素子の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the organic EL element concerning a 6th embodiment of the present invention. コンタクト領域をマスクで被覆した状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which coat | covered the contact area | region with the mask.

符号の説明Explanation of symbols

1 有機ELディスプレイ
2 素子基板
3 画素
4 駆動IC
5 有機EL素子
6 隔壁
7 封止基板
8 シール材
9 回路層
10 絶縁層
11 コンタクト電極層
12 平坦化膜
13 コンタクトホール
14 第1電極層
15 電荷注入層
16 有機発光層
17 第2電極層
18 保護層
19 絶縁物
20 凹部
D1 表示領域
D2 非表示領域
R1 発光領域
R2 コンタクト領域
F 露出領域
G 隙間
1 Organic EL Display 2 Element Substrate 3 Pixel 4 Drive IC
DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 Organic EL element 6 Partition 7 Sealing substrate 8 Sealing material 9 Circuit layer 10 Insulating layer 11 Contact electrode layer 12 Planarization film 13 Contact hole 14 1st electrode layer 15 Charge injection layer 16 Organic light emitting layer 17 2nd electrode layer 18 Protection Layer 19 Insulator 20 Recess D1 Display area D2 Non-display area R1 Light emitting area R2 Contact area F Exposed area G Gap

Claims (6)

素子基板と、
前記素子基板上に形成される第1電極層と、
前記素子基板上に形成され、前記第1電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、
前記第1電極層の端部上から前記コンタクト電極層の端部上にかけて形成される絶縁物と、
前記第1電極層の中央領域上から前記絶縁物上を介して前記コンタクト電極層の端部上にかけて形成される電荷注入層と、
前記電荷注入層上であって、前記第1電極層の中央領域上に形成される有機発光層と、
前記有機発光層上から前記絶縁物上を介して前記コンタクト電極層上にかけて形成され、前記コンタクト電極層と直接接続される第2電極層と、
を備えたことを特徴とする有機ELディスプレイ。
An element substrate;
A first electrode layer formed on the element substrate;
A contact electrode layer formed on the element substrate and provided side by side with the first electrode layer;
An insulator formed from an end of the first electrode layer to an end of the contact electrode layer;
A charge injection layer formed from a central region of the first electrode layer to an end of the contact electrode layer via the insulator;
An organic light emitting layer formed on the charge injection layer and on a central region of the first electrode layer;
A second electrode layer formed on the organic light emitting layer over the insulator over the contact electrode layer and directly connected to the contact electrode layer;
An organic EL display comprising:
請求項1に記載の有機ELディスプレイにおいて、
前記絶縁物は、前記コンタクト電極層との間に隙間が形成されており、
前記隙間に前記電荷注入層の一部が充填されていることを特徴とする有機ELディスプレイ。
The organic EL display according to claim 1,
A gap is formed between the insulator and the contact electrode layer,
An organic EL display, wherein the gap is partially filled with the charge injection layer.
請求項1又は請求項2に記載の有機ELディスプレイにおいて、
前記絶縁物は、前記コンタクト電極層の中央領域を囲むように形成されており、
前記隙間は、前記コンタクト電極層の中央領域に沿って形成されていることを特徴とする有機ELディスプレイ。
The organic EL display according to claim 1 or 2,
The insulator is formed so as to surround a central region of the contact electrode layer,
The organic EL display, wherein the gap is formed along a central region of the contact electrode layer.
第1電極層と、該第1電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、を有する基板を準備する工程と、
前記第1電極層の端部上から前記コンタクト電極層の端部上にかけて絶縁物を形成する工程と、
前記第1電極層の中央領域上から前記絶縁物上を介して前記コンタクト電極層上にかけて電荷注入層を形成する工程と、
前記電荷注入層に熱を加え、前記コンタクト電極層上の前記電荷注入層を溶融させて取り除き、前記コンタクト電極層上を露出させる工程と、
を備えたことを特徴とする有機ELディスプレイの製造方法。
Preparing a substrate having a first electrode layer and a contact electrode layer provided to be spaced apart from the first electrode layer;
Forming an insulator from the end of the first electrode layer to the end of the contact electrode layer;
Forming a charge injection layer from a central region of the first electrode layer over the insulator over the contact electrode layer;
Applying heat to the charge injection layer, melting and removing the charge injection layer on the contact electrode layer, exposing the contact electrode layer;
A method for producing an organic EL display, comprising:
請求項4に記載の有機ELディスプレイの製造方法において、
前記絶縁物と前記コンタクト電極層との間には隙間が形成されており、
前記コンタクト電極層上に被着した前記電荷注入層を溶融させて、前記絶縁物と前記コンタクト電極層との間の前記隙間に溶融物を流し込むことを特徴とする有機ELディスプレイの製造方法。
In the manufacturing method of the organic electroluminescent display of Claim 4,
A gap is formed between the insulator and the contact electrode layer,
A method for producing an organic EL display, comprising melting the charge injection layer deposited on the contact electrode layer and pouring the melt into the gap between the insulator and the contact electrode layer.
請求項4又は請求項5に記載の有機ELディスプレイの製造方法において、
前記コンタクト電極層と前記絶縁物との間には、モリブデンから成る中間層が形成されており、
前記絶縁物を形成後に、前記中間層をエッチングして除去することで、前記絶縁物と前記コンタクト電極層との間に隙間を形成することを特徴とする有機ELディスプレイの製造方法。
In the manufacturing method of the organic electroluminescent display of Claim 4 or Claim 5,
An intermediate layer made of molybdenum is formed between the contact electrode layer and the insulator,
After forming the insulator, the intermediate layer is etched and removed, thereby forming a gap between the insulator and the contact electrode layer.
JP2007196216A 2007-07-27 2007-07-27 Organic EL display and manufacturing method thereof Active JP5111967B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007196216A JP5111967B2 (en) 2007-07-27 2007-07-27 Organic EL display and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007196216A JP5111967B2 (en) 2007-07-27 2007-07-27 Organic EL display and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009031584A true JP2009031584A (en) 2009-02-12
JP5111967B2 JP5111967B2 (en) 2013-01-09

Family

ID=40402148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007196216A Active JP5111967B2 (en) 2007-07-27 2007-07-27 Organic EL display and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5111967B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106856204A (en) * 2016-12-28 2017-06-16 上海天马有机发光显示技术有限公司 A kind of OLED display panel, display device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004095482A (en) * 2002-09-03 2004-03-25 Chi Mei Electronics Corp Image display device
JP2004119210A (en) * 2002-09-26 2004-04-15 Chi Mei Electronics Corp Picture display device, organic el element, and manufacturing method of picture display device
JP2007179913A (en) * 2005-12-28 2007-07-12 Kyocera Corp El device and method of manufacturing same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004095482A (en) * 2002-09-03 2004-03-25 Chi Mei Electronics Corp Image display device
JP2004119210A (en) * 2002-09-26 2004-04-15 Chi Mei Electronics Corp Picture display device, organic el element, and manufacturing method of picture display device
JP2007179913A (en) * 2005-12-28 2007-07-12 Kyocera Corp El device and method of manufacturing same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106856204A (en) * 2016-12-28 2017-06-16 上海天马有机发光显示技术有限公司 A kind of OLED display panel, display device
CN106856204B (en) * 2016-12-28 2019-12-03 上海天马有机发光显示技术有限公司 A kind of OLED display panel, display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP5111967B2 (en) 2013-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4809186B2 (en) Organic EL display and manufacturing method thereof
WO2011083515A1 (en) Organic el panel, display device using same, and method for producing organic el panel
JP2010186582A (en) Organic el display
US9502684B2 (en) Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same
JP4183427B2 (en) Electroluminescence element
US7839073B2 (en) Light-emitting display apparatus incorporating combined first and second auxiliary electrodes arranged at intervals and method of producing the same
JP5155067B2 (en) Image display device
JP5313785B2 (en) Image display device and manufacturing method thereof
JP5111967B2 (en) Organic EL display and manufacturing method thereof
JP2009156913A (en) Organic electroluminescence display device and its manufacturing method
JP5553518B2 (en) Image display device
JP2011134706A (en) Electronic display device having electroluminescent screen, and method for manufacturing the same
JP6019372B2 (en) Light emitting device and light emitting panel
JP2010140852A (en) Organic el display device and its manufacturing method
JP5313769B2 (en) Multilayer substrate and light emitting device manufacturing method
JP2009266590A (en) Method of manufacturing organic electroluminescent panel
JP5328261B2 (en) Organic EL device
JP2009087626A (en) Organic el display
JP5710858B2 (en) Organic EL device
CN110085625B (en) Top-emission type display device and manufacturing method thereof
JP2009266591A (en) Organic el element and method of manufacturing the same
JP5058690B2 (en) Organic light emitting device
JP2010257694A (en) Image display device
JP2010044916A (en) Manufacturing method of organic el element
JP2009110776A (en) Method of manufacturing organic el display

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100517

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20111020

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120330

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120425

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120724

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120911

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121010

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151019

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5111967

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250