JP2009266591A - Organic el element and method of manufacturing the same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 35
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 179
- 239000010408 film Substances 0.000 description 66
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- -1 and for example Substances 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CAAMSDWKXXPUJR-UHFFFAOYSA-N 3,5-dihydro-4H-imidazol-4-one Chemical compound O=C1CNC=N1 CAAMSDWKXXPUJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(3-methylanilino)phenyl]phenyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(NC=3C=C(C)C=CC=3)=CC=2)=C1 ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRYCSMQKUKOKBP-UHFFFAOYSA-N Imidazolidine Chemical compound C1CNCN1 WRYCSMQKUKOKBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical class C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZNMRPQBBZBTSW-UHFFFAOYSA-N [Au]=O Chemical compound [Au]=O KZNMRPQBBZBTSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QPJFIVIVOOQUKD-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2,3-h]quinoxaline Chemical group C1=CN=C2C3=NC=CN=C3C3=NC=CN=C3C2=N1 QPJFIVIVOOQUKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910001922 gold oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機ＥＬ素子及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to an organic EL element and a method for manufacturing the same.
近年、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子の開発が行われている。有機ＥＬ素子は、ガラス基板上に金属電極と、有機発光層を含む有機ＥＬ層と、透明電極とが積層されて構成されている。かかる有機ＥＬ素子は、有機発光層において発光した光を金属電極において反射させて外部に取り出すことによって、有機ＥＬ素子の輝度を向上させている。 In recent years, organic EL (Electroluminescence) elements have been developed. The organic EL element is configured by laminating a metal electrode, an organic EL layer including an organic light emitting layer, and a transparent electrode on a glass substrate. Such an organic EL element improves the luminance of the organic EL element by reflecting the light emitted from the organic light emitting layer at the metal electrode and taking it out.
なお、有機ＥＬ層の形成後に、金属電極の一部を酸化させる技術が開示されている（下記、特許文献１参照）。
しかし、反射機能を有する金属電極においては、外光をも反射することになる。例えば、発光領域の周辺に位置する金属表面において外光が多く反射すると、有機ＥＬ素子の外部に、発光層が発光した光以外に反射した多くの外光が取り出されるので、コントラストが低下するという問題がある。 However, a metal electrode having a reflection function also reflects external light. For example, when a lot of external light is reflected on the metal surface located around the light emitting region, a lot of external light reflected in addition to the light emitted from the light emitting layer is extracted outside the organic EL element, so that the contrast is lowered. There's a problem.
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、コントラストを改善することが可能な有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 This invention is made | formed in view of the subject mentioned above, Comprising: It aims at providing the organic EL element which can improve contrast, and its manufacturing method.
上記の課題を解決するため、本発明の有機ＥＬ素子は、導電層と、前記導電層の中央領域の直上に形成される反射電極層と、前記導電層の中央領域を取り囲む周辺領域の直上に形成される光吸収絶縁膜と、前記反射電極層上に形成される有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上から前記光吸収絶縁膜上にかけて形成される光透過性電極層と、を備えたことを特徴とする。 In order to solve the above problems, the organic EL element of the present invention includes a conductive layer, a reflective electrode layer formed immediately above the central region of the conductive layer, and a peripheral region surrounding the central region of the conductive layer. A light absorbing insulating film to be formed; an organic EL layer formed on the reflective electrode layer; and a light transmissive electrode layer formed on the light absorbing insulating film from the organic EL layer. It is characterized by.
また、本発明の有機ＥＬ素子は、前記導電層と間を空けて併設されるコンタクト電極層を備え、前記光吸収絶縁膜は、前記導電層の端部上から前記コンタクト電極層の端部上にかけて形成されることを特徴する。 In addition, the organic EL element of the present invention includes a contact electrode layer that is provided side by side with the conductive layer, and the light absorption insulating film extends from the end of the conductive layer to the end of the contact electrode layer. It is characterized by being formed over.
また、本発明の有機ＥＬ素子は、前記光吸収絶縁膜の直上に形成される前記光透過性電極層の高さ位置が、前記有機ＥＬ層の直上に形成される前記光透過性電極層の高さ位置よりも低いことを特徴とする。 In the organic EL element of the present invention, the height position of the light transmissive electrode layer formed immediately above the light absorbing insulating film is the same as that of the light transmissive electrode layer formed immediately above the organic EL layer. It is characterized by being lower than the height position.
また、本発明の有機ＥＬ素子は、前記光吸収絶縁膜が、前記反射電極層よりも光反射率の小さい材料からなることを特徴とする。 In the organic EL element of the present invention, the light absorption insulating film is made of a material having a light reflectance lower than that of the reflective electrode layer.
また、本発明の有機ＥＬ素子は、前記光吸収絶縁膜は、酸化銀からなることを特徴とする。 In the organic EL device of the present invention, the light absorption insulating film is made of silver oxide.
また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、導電層上に反射電極層が形成された基板を準備する工程と、前記反射電極層の上面の中央領域を取り囲む周辺領域に対して酸化処理を施し、前記反射電極層の一部に光吸収絶縁膜を形成する工程と、前記反射電極層の中央領域の直上に有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層上から前記光吸収絶縁膜上にかけて光透過性電極層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 The organic EL device manufacturing method of the present invention includes a step of preparing a substrate having a reflective electrode layer formed on a conductive layer, and an oxidation process on a peripheral region surrounding a central region on the upper surface of the reflective electrode layer. And a step of forming a light absorption insulating film on a part of the reflective electrode layer, a step of forming an organic EL layer immediately above a central region of the reflective electrode layer, and the light absorbing insulating film from above the organic EL layer. And a step of forming a light transmissive electrode layer on the top.
また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、前記反射電極層の中央領域を被覆し、且つ前記反射電極層の周辺領域を露出するように前記反射電極層上にフォトレジストを形成する工程と、を備え、前記反射電極層の周辺領域を露出した状態で、前記反射電極層の周辺領域を酸化することを特徴とする。 The organic EL device manufacturing method of the present invention includes a step of forming a photoresist on the reflective electrode layer so as to cover a central region of the reflective electrode layer and to expose a peripheral region of the reflective electrode layer. The peripheral region of the reflective electrode layer is oxidized with the peripheral region of the reflective electrode layer exposed.
本発明によれば、コントラストを改善することができる有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the organic EL element which can improve contrast, and its manufacturing method can be provided.
以下に、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬディスプレイについて、図面を参照しつつ説明する。図１は、有機ＥＬディスプレイの平面図である。また、図２（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の拡大断面図であって、図２（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子を構成する光吸収絶縁膜の平面図である。 Hereinafter, an organic EL display including the organic EL element according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of an organic EL display. 2A is an enlarged cross-sectional view of the organic EL element according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a configuration of the organic EL element according to the first embodiment of the present invention. It is a top view of the light absorption insulating film to do.
有機ＥＬディスプレイ１は、図１に示すように、テレビ等の家電機器、携帯電話又はコンピュータ機器等の電子機器に用いるものであり、有機ＥＬパネル２と、有機ＥＬパネル２に実装する駆動ＩＣ３とを含んだものである。かかる有機ＥＬパネル２は、平板状の素子基板４と、素子基板４上に形成される複数の画素５とを含んだものである。 As shown in FIG. 1, the organic EL display 1 is used for home appliances such as a television, electronic equipment such as a mobile phone or a computer device, and includes an organic EL panel 2 and a driving IC 3 mounted on the organic EL panel 2. Is included. The organic EL panel 2 includes a flat element substrate 4 and a plurality of pixels 5 formed on the element substrate 4.
素子基板４は、例えばガラス又はプラスチックから成り、素子基板４の中央に位置する表示領域Ｄ１には、マトリックス状に配列された複数の画素５が形成されている。また、素子基板４の端部であって、表示領域Ｄ１の一端に位置する非表示領域Ｄ２には、駆動ＩＣ３が実装されている。 The element substrate 4 is made of, for example, glass or plastic, and a plurality of pixels 5 arranged in a matrix are formed in the display region D1 located in the center of the element substrate 4. A driving IC 3 is mounted on a non-display area D2 that is an end of the element substrate 4 and is positioned at one end of the display area D1.
かかる画素５は、図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示すように、発光領域Ｒ１とコンタクト領域Ｒ２とを含んで構成されており、発光領域Ｒ１に発光可能な有機ＥＬ素子６が設けられている。なお、各画素５は、隔壁７によって仕切られている。また、画素５は、有機ＥＬ素子６を構成する有機材料を選択することによって、発光する色を決定することができる。 As shown in FIGS. 2A and 2B, the pixel 5 includes a light emitting region R1 and a contact region R2, and an organic EL element 6 capable of emitting light is provided in the light emitting region R1. It has been. Each pixel 5 is partitioned by a partition wall 7. Further, the pixel 5 can determine the color to emit light by selecting an organic material constituting the organic EL element 6.
また、素子基板４上には、素子基板４に対して対向するように配置された封止基板８が形成されている。封止基板８は透明の基板から成り、例えばガラス又はプラスチックを用いることができる。さらに、素子基板４の表示領域Ｄ１には、表示領域Ｄ１を被覆するようにシール材９が形成されており、素子基板４と隔壁７と封止基板８とシール材９によって複数の画素５を密封している。なお、シール材９は、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂又はシリコン樹脂等の光硬化性又は熱硬化性の樹脂を用いることができる。好ましくは、紫外線の照射により硬化する光硬化性のエポキシ樹脂を採用する。 In addition, a sealing substrate 8 is formed on the element substrate 4 so as to face the element substrate 4. The sealing substrate 8 is made of a transparent substrate, and for example, glass or plastic can be used. Further, a sealing material 9 is formed in the display region D1 of the element substrate 4 so as to cover the display region D1, and a plurality of pixels 5 are formed by the element substrate 4, the partition wall 7, the sealing substrate 8, and the sealing material 9. Sealed. The sealing material 9 can be made of, for example, a photocurable or thermosetting resin such as an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, or a silicon resin. Preferably, a photocurable epoxy resin that is cured by irradiation with ultraviolet rays is employed.
次に、図２（Ａ）に示すように、素子基板４と封止基板８との間に形成される各種層について説明する。素子基板４上には、ＴＦＴ又は電気配線が形成されている回路層１０と、回路層１０上に回路層１０を外部と電気的に絶縁するための窒化珪素等から成る絶縁層１１が形成されている。かかる回路層１０の一部と、後述するコンタクト電極層１２とが電気的に接続されている。また、絶縁層１１上には、回路層１０や絶縁層１１の凹凸を低減するための平坦化膜１３が形成されている。回路層１０は、パターニングされた構造物であるため、その表面が凹凸に形成され、回路層１０上を平坦にしないと、回路層１０上に有機ＥＬ素子６を平らに設けることが困難となる。その結果、有機ＥＬ素子６を構成する各層の厚みを制御することが難しく、有機ＥＬ素子６が所望の色の光を発することができなくなる。これは、有機ＥＬ素子６が発する光の色が、有機ＥＬ素子６を構成する各層の厚みに依存するためである。そのため、回路層１０上に、平坦化膜１３を形成することで、回路層１０上に形成する有機ＥＬ素子６の厚みを制御しやすくしている。かかる平坦化膜１３は、例えばノボラック樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂等の絶縁性を有する有機材料を用いることができる。なお、平坦化膜１３の厚みは、例えば２μｍ以上５μｍ以下に設定されている。 Next, as shown in FIG. 2A, various layers formed between the element substrate 4 and the sealing substrate 8 will be described. On the element substrate 4, a circuit layer 10 on which TFTs or electric wirings are formed, and an insulating layer 11 made of silicon nitride or the like for electrically insulating the circuit layer 10 from the outside are formed on the circuit layer 10. ing. A part of the circuit layer 10 and a contact electrode layer 12 described later are electrically connected. A planarizing film 13 is formed on the insulating layer 11 to reduce unevenness of the circuit layer 10 and the insulating layer 11. Since the circuit layer 10 is a patterned structure, the surface of the circuit layer 10 is uneven, and it is difficult to flatten the organic EL element 6 on the circuit layer 10 unless the circuit layer 10 is flattened. . As a result, it is difficult to control the thickness of each layer constituting the organic EL element 6, and the organic EL element 6 cannot emit light of a desired color. This is because the color of light emitted from the organic EL element 6 depends on the thickness of each layer constituting the organic EL element 6. Therefore, by forming the planarizing film 13 on the circuit layer 10, the thickness of the organic EL element 6 formed on the circuit layer 10 can be easily controlled. The planarizing film 13 can be made of an insulating organic material such as a novolac resin, an acrylic resin, an epoxy resin, or a silicon resin. The thickness of the planarizing film 13 is set to 2 μm or more and 5 μm or less, for example.
また、平坦化膜１３には、平坦化膜１３を貫通するコンタクトホールＳが形成されている。かかるコンタクトホールＳは、上部よりも下部が幅狭に形成されている。さらにコンタクトホールＳの内周面から平坦化膜１３の上面にかけて、例えば銅又はアルミニウム等の導電材料から成るコンタクト電極層１２が形成されている。 Further, a contact hole S that penetrates the planarizing film 13 is formed in the planarizing film 13. The contact hole S is formed so that the lower part is narrower than the upper part. Further, a contact electrode layer 12 made of a conductive material such as copper or aluminum is formed from the inner peripheral surface of the contact hole S to the upper surface of the planarizing film 13.
さらに、平坦化膜１３上には、有機ＥＬ素子６が形成されている。有機ＥＬ素子６は、導電層１４と、反射電極層１５と、光吸収絶縁膜１６と、有機ＥＬ層１７と、光透過性電極層１８とを含んで構成されている。 Further, an organic EL element 6 is formed on the planarizing film 13. The organic EL element 6 includes a conductive layer 14, a reflective electrode layer 15, a light absorption insulating film 16, an organic EL layer 17, and a light transmissive electrode layer 18.
また、有機ＥＬ素子６を被覆するように、表示領域Ｄ１上には保護層１９が形成されている。保護層１９は、有機ＥＬ素子６を封止し、有機ＥＬ素子を水分又は外気から保護するものであって、光透過性の機能を有し、例えば窒化珪素、酸化珪素又は窒化炭化珪素等の無機材料から成る。なお、保護層１９の厚みは、例えば１００ｎｍ以上５μｍ以下に設定されている。 In addition, a protective layer 19 is formed on the display region D1 so as to cover the organic EL element 6. The protective layer 19 seals the organic EL element 6 and protects the organic EL element from moisture or outside air, and has a light-transmitting function, such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon nitride carbide. Made of inorganic material. The thickness of the protective layer 19 is set to, for example, 100 nm or more and 5 μm or less.
次に、図３に示すように、有機ＥＬ素子６を構成する各層について説明する。導電層１４は、平坦化膜１３上に形成され、コンタクト電極層１２と間を空けて併設されている。また、隣接する導電層１４同士が直接接続されており、導電層１４は、共通電極として機能する。かかる導電層１４は、例えばアルミニウム、銀又は銅等の導電率の高い材料、或いはそれらを主成分とする合金等から成る。なお、導電層１４の厚みは、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下に設定されている。 Next, as shown in FIG. 3, each layer constituting the organic EL element 6 will be described. The conductive layer 14 is formed on the planarizing film 13 and is provided side by side with the contact electrode layer 12. Further, adjacent conductive layers 14 are directly connected to each other, and the conductive layer 14 functions as a common electrode. The conductive layer 14 is made of, for example, a material having high conductivity such as aluminum, silver, or copper, or an alloy containing them as a main component. The thickness of the conductive layer 14 is set to, for example, 50 nm or more and 500 nm or less.
反射電極層１５は、導電層１４の中央領域の直上に形成される。ここで、中央領域とは、導電層１４と光透過性電極層１８に挟まれた有機ＥＬ層１７が発光する領域である発光領域Ｒ１をさす。反射電極層１５は、有機ＥＬ層１７が発する光の多くを反射することができる材料から構成され、例えば銀、金又はクロム等の金属材料を用いて形成される。なお、反射電極層１５は、酸化していない状態においては光反射率が高く、酸化した状態においては光反射率の低い材料からなる。 The reflective electrode layer 15 is formed immediately above the central region of the conductive layer 14. Here, the central region refers to a light emitting region R1 that is a region where the organic EL layer 17 sandwiched between the conductive layer 14 and the light transmissive electrode layer 18 emits light. The reflective electrode layer 15 is made of a material that can reflect much of the light emitted from the organic EL layer 17 and is formed using a metal material such as silver, gold, or chromium. The reflective electrode layer 15 is made of a material having a high light reflectance in a non-oxidized state and a low light reflectance in an oxidized state.
光吸収絶縁膜１６は、有機ＥＬディスプレイ１内に入射する外光を反射しにくい機能を備えており、反射電極層１５よりも光反射率の小さい材料からなる。 The light absorbing insulating film 16 has a function of hardly reflecting external light incident on the organic EL display 1 and is made of a material having a light reflectance lower than that of the reflective electrode layer 15.
ここで、光反射率について説明する。光反射率Ｒとは、ある面に垂直に入射する光束φと反射してきた光束φrの比であり、次式で定義する。 Here, the light reflectance will be described. The light reflectivity R is the ratio of the light beam φ incident perpendicularly to a certain surface and the reflected light beam φr, and is defined by the following equation.
また、光反射率は、例えば一般的な分光光度計を用いて測定することができる。光反射率を測定する場合、測定領域に対し、ある波長範囲の光を垂直に入射させ、反射してきた光の強度を測定し、上式から波長範囲における反射率を求める。測定時には、反射率が既知であるサンプルを用いて補正するようにすれば、異なるサンプルの測定結果を比較することが可能となる。 The light reflectance can be measured using, for example, a general spectrophotometer. When measuring the light reflectance, light in a certain wavelength range is vertically incident on the measurement region, the intensity of the reflected light is measured, and the reflectance in the wavelength range is obtained from the above equation. If correction is performed using a sample with a known reflectance at the time of measurement, the measurement results of different samples can be compared.
光吸収絶縁膜１６は、導電層１４の中央領域を取り囲む周辺領域の直上に形成される。周辺領域Ｒ３とは、図２（Ｂ）に示すように、平面視して有機ＥＬ層１７を取り囲む領域のことをいう。すなわち、光吸収絶縁膜１６は、発光領域Ｒ１とコンタクト領域Ｒ２を除いた領域に設けられる。そのため、光吸収絶縁膜１６の一部は、導電層１４とコンタクト電極層１２との間に介在して設けられている。具体的には、断面視して導電層１４の端部上からコンタクト電極層１２の端部上にかけて形成されている。その結果、光吸収絶縁膜１６は、光透過性電極層１８が導電層１４と短絡するのを防止している。 The light absorbing insulating film 16 is formed immediately above the peripheral region surrounding the central region of the conductive layer 14. The peripheral region R3 refers to a region surrounding the organic EL layer 17 in plan view as shown in FIG. That is, the light absorption insulating film 16 is provided in a region excluding the light emitting region R1 and the contact region R2. Therefore, a part of the light absorption insulating film 16 is provided between the conductive layer 14 and the contact electrode layer 12. Specifically, it is formed from the end of the conductive layer 14 to the end of the contact electrode layer 12 in a cross-sectional view. As a result, the light absorption insulating film 16 prevents the light transmissive electrode layer 18 from being short-circuited with the conductive layer 14.
また、光吸収絶縁膜１６が周辺領域Ｒ３に形成されていることで、発光領域Ｒ１の周辺に位置する金属表面において外光が多く反射するのを抑制することができる。そのため、有機ＥＬ素子の外部に反射した外光を取り出されにくくすることができ、ひいては有機ＥＬディスプレイのコントラストを向上させることができる。 Further, since the light absorption insulating film 16 is formed in the peripheral region R3, it is possible to suppress a large amount of external light from being reflected on the metal surface located around the light emitting region R1. For this reason, it is possible to make it difficult to extract external light reflected to the outside of the organic EL element, and as a result, it is possible to improve the contrast of the organic EL display.
さらに、光吸収絶縁膜１６は、電流が流れにくい性質を有し、且つ反射率が低い性質を有する絶縁材料であって、例えば酸化銀、酸化金、酸化銅又は酸化クロム等を用いて形成される。光吸収絶縁膜１６の材料に、反射電極層１５を酸化させた材料を用いることが出来る場合、光吸収絶縁膜１６と反射電極層１５とを一続きに連続して設けることができる。例えば、反射電極層１５が銀から成る場合、光吸収絶縁膜１６を酸化銀とすることができる。 Furthermore, the light absorption insulating film 16 is an insulating material having a property that current is difficult to flow and a property having low reflectance, and is formed using, for example, silver oxide, gold oxide, copper oxide, chromium oxide, or the like. The In the case where a material obtained by oxidizing the reflective electrode layer 15 can be used as the material of the light absorption insulating film 16, the light absorption insulating film 16 and the reflective electrode layer 15 can be continuously provided in succession. For example, when the reflective electrode layer 15 is made of silver, the light absorption insulating film 16 can be made of silver oxide.
特に、光吸収絶縁膜１６として、可視光線の反射率が金属の中でも優れている銀を酸化させた酸化銀を用いることが好ましい。光吸収絶縁膜１６は、反射電極層１５と一続きに連続して設けることができ、反射率の優れた銀を反射電極層１５に用いることで、発光領域においては有機ＥＬ層１７の発する光が、銀から成る反射電極層１５にて反射し、外部量子効率を向上させることができる。 In particular, as the light-absorbing insulating film 16, it is preferable to use silver oxide obtained by oxidizing silver, which has excellent visible light reflectance among metals. The light-absorbing insulating film 16 can be provided continuously with the reflective electrode layer 15, and the light emitted from the organic EL layer 17 is used in the light-emitting region by using silver having excellent reflectance for the reflective electrode layer 15. However, it is reflected by the reflective electrode layer 15 made of silver, and the external quantum efficiency can be improved.
仮に、光吸収絶縁膜１６に代えて、導電層とコンタクト電極層との間に、例えば、酸化珪素等の無機材料、或いはエポキシ樹脂等の有機材料から成る絶縁構造物を設けた場合、絶縁構造物の端部とその下面との間に隙間が生じていることがある。このような隙間が存在すると、該隙間に起因して導通不良が発生し、画素に滅点不良が発生することがある。本実施形態によれば、光吸収絶縁膜１６が反射電極層１５と一続きに連続した層として形成されるため、別途絶縁構造物を設ける必要が無く、絶縁構造物の隙間に起因して、画素の滅点不良が発生することがない。 If an insulating structure made of, for example, an inorganic material such as silicon oxide or an organic material such as epoxy resin is provided between the conductive layer and the contact electrode layer instead of the light absorption insulating film 16, the insulating structure There may be a gap between the end of the object and its lower surface. If such a gap exists, a conduction failure may occur due to the gap and a dark spot defect may occur in the pixel. According to the present embodiment, since the light absorption insulating film 16 is formed as a continuous layer with the reflective electrode layer 15, there is no need to provide a separate insulating structure, and due to the gap between the insulating structures, There is no occurrence of defective pixels.
有機ＥＬ層の上下に配置される下部電極層の端部と上部電極層の端部との間に、両層の短絡を防止する絶縁構造物を設け、両層の短絡を防止するものに比べて、本実施形態のように、光吸収絶縁膜１６の厚みを薄くすることができ、ひいては有機ＥＬパネルの厚みを薄くすることができる。 Compared to an insulating structure that prevents a short circuit between both layers between the end of the lower electrode layer and the end of the upper electrode layer disposed above and below the organic EL layer, and prevents a short circuit between both layers. Thus, as in this embodiment, the thickness of the light absorption insulating film 16 can be reduced, and as a result, the thickness of the organic EL panel can be reduced.
有機ＥＬ層１７は、反射電極層１５上に形成される。有機ＥＬ層１７は、図３に示すように、複数の層から成り、下層から正孔注入層１７ａ、正孔輸送層１７ｂ、有機発光層１７ｃ、電子輸送層１７ｄ及び電子注入層１７ｅを含んで構成されている。 The organic EL layer 17 is formed on the reflective electrode layer 15. As shown in FIG. 3, the organic EL layer 17 includes a plurality of layers, and includes a hole injection layer 17a, a hole transport layer 17b, an organic light emitting layer 17c, an electron transport layer 17d, and an electron injection layer 17e from the lower layer. It is configured.
正孔注入層１７ａは、例えばα‐ＮＰＤ、ＴＰＤ、酸化ニッケル、酸化チタン、フッ化炭素又はＣｕＰｃ等から成る。正孔注入層１７ａの厚みは、例えば５ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定されている。 The hole injection layer 17a is made of, for example, α-NPD, TPD, nickel oxide, titanium oxide, fluorocarbon, or CuPc. The thickness of the hole injection layer 17a is set to, for example, 5 nm or more and 40 nm or less.
また、正孔輸送層１７ｂは、例えばＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス[Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ]ビフェニル（α−ＮＰＤ）等 の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、 ポリアリールアルカン、ブタジエン、および４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等のスターバースト芳香族又は芳香族アミン化合物を用いることができる。また、正孔輸送層１７ｂは、１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン又はそれにシアノ基などが結合した誘導体等の複素環化合物を用いることができる。正孔輸送層１７ｂの厚みは、例えば１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下に設定されている。 Further, the hole transport layer 17b is formed of, for example, N, N′-bis (3-methylphenyl)-(1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine (TPD), 4,4′-bis [N Aromatic diamine compounds such as-(naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl (α-NPD), oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, imidazolone, stilbene derivative, pyrazoline derivative, tetrahydroimidazole, polyarylalkane, butadiene , And 4,4 ′, 4 ″ -tris (N- (3-methylphenyl) N-phenylamino) triphenylamine (m-MTDATA) or other starburst aromatic or aromatic amine compounds can be used. In addition, the hole transport layer 17b is made of 1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene or it Can be used a heterocyclic compound such as derivatives such as cyano groups attached. The thickness of the hole transport layer 17b is set to, for example, 10nm or 50nm or less.
また、有機発光層１７ｃは、赤色の光を発する場合、例えばＣＢＰ、Ａｌｑ３又はＳＤＰＶＢｉ等のホスト材料、あるいはこれらのホスト材料にＤＣＪＴＢ、クマリン、キナクリドン、フェナンスレン基を有するペリノン誘導体、オリゴチオフェン誘導体又はペリレン誘導体等のドーパント材料を含有したものを用いることができる。また、緑色の光を発する場合、例えばＣＢＰ、Ａｌｑ３又はＳＤＰＶＢｉ等のホスト材料、あるいはこれらのホスト材料にスチリルアミン、ペルリン、ベンゼン環を有するシロール誘導体、フェナンスレン基を有するペリノン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ペリレン誘導体又はアゾメチン亜鉛錯体等のドーパント材料を含有したものを用いることができる。また、青色の光を発する場合、例えばＣＢＰ又はＳＤＰＶＢｉ等のホスト材料、あるいはこれらのホスト材料にスチリルアミン、ペルリン、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジェン、トリフェニルアミン構造とビニル基が結合した化合物、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体又はベンゼン環を有するシロール誘導体等のドーパント材料を含有したものを用いることができる。なお、発光層１７ｃの厚みは、例えば２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定されている。 The organic light-emitting layer 17c, if that emits red light, for example CBP, Alq 3 or a host material such SDPVBi or DCJTB these host materials, coumarin, quinacridone, perinone derivatives having phenanthrene group, oligothiophene derivatives or What contains dopant materials, such as a perylene derivative, can be used. Further, when emitting green light, for example, a host material such as CBP, Alq 3 or SDPVBi, or a styrylamine, perlin, silole derivative having a benzene ring in these host materials, a perinone derivative having a phenanthrene group, an oligothiophene derivative, A material containing a dopant material such as a perylene derivative or an azomethine zinc complex can be used. Further, when emitting blue light, for example, a host material such as CBP or SDPVBi, or a styrylamine, perlin, cyclopentadiene derivative, tetraphenylbutadiene, a compound having a triphenylamine structure and a vinyl group bonded to these host materials, A material containing a dopant material such as an oxadiazole derivative, a pyrazoloquinoline derivative, a distyrylarylene derivative, or a silole derivative having a benzene ring can be used. In addition, the thickness of the light emitting layer 17c is set to 20 nm or more and 40 nm or less, for example.
また、電子輸送層１７ｄは、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、又は４，４’−ビス[Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ]ビフェニル（α−ＮＰＤ）等 の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、 ポリアリールアルカン、ブタジエン、又は４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等のスターバースト芳香族やアミン化合物を用いることができる。電子輸送層１７ｄの厚みは、例えば２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下に設定されている。 The electron transport layer 17d is formed of, for example, tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ), N, N′-bis (3-methylphenyl)-(1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine ( TPD), or aromatic diamine compounds such as 4,4′-bis [N- (naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl (α-NPD), oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, imidazolone, stilbene derivatives , Pyrazoline derivatives, tetrahydroimidazole, polyarylalkane, butadiene, or starburst aroma such as 4,4 ′, 4 ″ -tris (N- (3-methylphenyl) N-phenylamino) triphenylamine (m-MTDATA) A thickness of the electron transport layer 17d is, for example, 20 nm or more. It is set to 60 nm or less.
また、電子注入層１７ｅは、例えばフッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化炭素等を用いることができる。電子注入層１７ｅの厚みは、例えば０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下に設定されている。 The electron injection layer 17e can be made of, for example, lithium fluoride, cesium fluoride, or carbon fluoride. The thickness of the electron injection layer 17e is set to 0.5 nm or more and 2 nm or less, for example.
光透過性電極層１８は、有機ＥＬ層１７上から光吸収絶縁膜１６上にかけて形成される。光透過性電極層１８は、有機ＥＬ層１７から放出される光が透過することができる材料から構成され、例えばインジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）又は錫酸化膜や酸化亜鉛等の光透過性を有する導電材料を用いて形成される。また、光透過性電極層１８は、例えばマグネシウム、銀、アルミニウム又はカルシウム等の材料を用いることができ、その厚みを３０ｎｍ程度にすることによって、光透過性の電極とすることができる。その結果、有機ＥＬ層１７から放出された光が、光透過性電極層を透過して、有機ＥＬ素子６から外部に出射される。 The light transmissive electrode layer 18 is formed from the organic EL layer 17 to the light absorbing insulating film 16. The light transmissive electrode layer 18 is made of a material that can transmit light emitted from the organic EL layer 17 and has light transmissive properties such as an indium tin oxide film (ITO), a tin oxide film, or zinc oxide. It is formed using a conductive material. The light transmissive electrode layer 18 can be made of a material such as magnesium, silver, aluminum, or calcium, and can be made a light transmissive electrode by setting its thickness to about 30 nm. As a result, the light emitted from the organic EL layer 17 passes through the light transmissive electrode layer and is emitted from the organic EL element 6 to the outside.
また、光吸収絶縁膜１６の直上に形成される光透過性電極層１８の高さ位置は、有機ＥＬ層１７の直上に形成される光透過性電極層１８の高さ位置よりも低く設定されている。つまり、有機ＥＬ層１７が形成されている発光領域Ｒ１は、有機ＥＬ層１７の厚みが存在する。一方、有機ＥＬ層１７が形成されていない発光領域Ｒ１の周囲の周辺領域Ｒ３は、有機ＥＬ層１７の厚みが存在しない。そのため、光透過性電極層１８の高さ位置が、発光領域Ｒ１上よりもと周辺領域Ｒ３上で低くなる。その結果、中央領域に比べて周辺領域において光透過性電極層１８の高さ位置を低くし、周辺領域の有機ＥＬ素子６の近傍にて光を吸収するような構造物を配置しないことで、有機ＥＬ層１７から上方に向けて発する光が構造物によって遮られず、有機ＥＬ素子６の外部に良好に出射される。 Further, the height position of the light transmissive electrode layer 18 formed immediately above the light absorption insulating film 16 is set lower than the height position of the light transmissive electrode layer 18 formed directly above the organic EL layer 17. ing. That is, the thickness of the organic EL layer 17 exists in the light emitting region R1 where the organic EL layer 17 is formed. On the other hand, the thickness of the organic EL layer 17 does not exist in the peripheral region R3 around the light emitting region R1 where the organic EL layer 17 is not formed. Therefore, the height position of the light transmissive electrode layer 18 is lower on the peripheral region R3 than on the light emitting region R1. As a result, by lowering the height position of the light transmissive electrode layer 18 in the peripheral region as compared with the central region and not disposing a structure that absorbs light in the vicinity of the organic EL element 6 in the peripheral region, Light emitted upward from the organic EL layer 17 is not blocked by the structure, and is emitted to the outside of the organic EL element 6 satisfactorily.
また、光吸収絶縁膜１６上には、画素５を取り囲むように隔壁７が形成されている。隔壁７は、隔壁７と光吸収絶縁膜１６との間にその他の層を介在させることなく、光吸収絶縁膜１６上に直接形成されることで、素子基板４と封止基板７との間の距離を短くすることができ、厚みの薄い有機ＥＬパネル２にすることができる。また、隔壁７は、上部よりも下部が幅狭であって、例えばフェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料から成る。なお、隔壁７の厚みは、例えば２μｍ以上５μｍ以下に設定されている。 A partition wall 7 is formed on the light absorption insulating film 16 so as to surround the pixel 5. The partition wall 7 is formed directly on the light absorption insulating film 16 without interposing other layers between the partition wall 7 and the light absorption insulating film 16, so that the space between the element substrate 4 and the sealing substrate 7 is formed. , The organic EL panel 2 having a small thickness can be obtained. In addition, the lower part of the partition wall 7 is narrower than the upper part, and is made of an organic insulating material such as phenol resin, acrylic resin, or polyimide resin. The thickness of the partition wall 7 is set to 2 μm or more and 5 μm or less, for example.
上述したように本実施形態に係る有機ＥＬ素子６によれば、有機ＥＬ層１７から発する光を反射電極層１５にて上方に向けて反射させることで、効率よく輝度を向上させることができる。また、有機ＥＬ素子６の周囲に外光を多く吸収することができる光吸収絶縁膜１６を設け、コントラストを向上させることができる。さらに、光透過性電極層１８と導電層１４との短絡を厚みが薄い光吸収絶縁膜１６にて防止することができ、有機ＥＬパネルの厚みを薄くすることができる。 As described above, according to the organic EL element 6 according to the present embodiment, the light emitted from the organic EL layer 17 is reflected upward by the reflective electrode layer 15, whereby the luminance can be improved efficiently. Moreover, the light absorption insulating film 16 that can absorb a large amount of external light is provided around the organic EL element 6 to improve the contrast. Furthermore, a short circuit between the light transmissive electrode layer 18 and the conductive layer 14 can be prevented by the light absorbing insulating film 16 having a small thickness, and the thickness of the organic EL panel can be reduced.
以下に、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１の製造方法について、図４から図７を用いて詳細に説明する。なお、図４から図７は、作製する有機ＥＬディスプレイにおける一つの画素の断面図である。 Below, the manufacturing method of the organic electroluminescent display 1 which concerns on 1st Embodiment of this invention is demonstrated in detail using FIGS. 4-7. 4 to 7 are cross-sectional views of one pixel in the organic EL display to be manufactured.
図４（Ａ）に示すように、回路層１０、絶縁層１１及び平坦化膜１３を上面に積層した素子基板４を準備する。なお、回路層１０及び絶縁層１１は、従来周知のＣＶＤ法、蒸着法又はスパッタリング法等の薄膜形成技術、エッチング法やフォトリソグラフィー法等の薄膜加工技術を用いて、所定パターンに形成される。また、平坦化膜１３は、例えば従来周知のスピンコート法を用いて、絶縁層１１上に形成する。 As shown in FIG. 4A, an element substrate 4 in which a circuit layer 10, an insulating layer 11, and a planarizing film 13 are stacked on top is prepared. The circuit layer 10 and the insulating layer 11 are formed in a predetermined pattern by using a conventionally known thin film forming technique such as a CVD method, a vapor deposition method or a sputtering method, or a thin film processing technique such as an etching method or a photolithography method. Further, the planarizing film 13 is formed on the insulating layer 11 by using, for example, a conventionally known spin coating method.
次に、平坦化膜１３上に露光マスクを用いて平坦化膜１３を露光し、さらに現像、ベーキング処理を行い、図４（Ｂ）に示すように、回路層１０の一部を露出させて、上部よりも下部が幅狭なコンタクトホールＳを有する平坦化膜１３を形成する。さらに、コンタクトホールＳを形成した平坦化膜１３上に、例えばアルミニウムから成る金属膜を形成する。そして、図４（Ｃ）に示すように、金属膜をパターニングして、導電層１４及びコンタクト電極層１２を形成する。 Next, the planarization film 13 is exposed on the planarization film 13 using an exposure mask, and further developed and baked to expose a part of the circuit layer 10 as shown in FIG. Then, a planarizing film 13 having a contact hole S whose lower part is narrower than the upper part is formed. Further, a metal film made of, for example, aluminum is formed on the planarizing film 13 in which the contact holes S are formed. Then, as shown in FIG. 4C, the metal film is patterned to form the conductive layer 14 and the contact electrode layer 12.
次に、図５（Ａ）に示すように、例えばスパッタリング法を用いて、導電層１４及びコンタクト電極層１２を被覆するように銀から成る反射電極層１５を形成する。そして、図５（Ｂ）に示すように、反射電極層１５上にフォトレジストＦを形成する。さらに、フォトレジストＦに対して、フォトリソグラフィー法を用いて、周辺領域に対応する箇所を露出させる。そして、図５（Ｃ）に示すように露出した領域を酸化させ、光吸収絶縁膜１６を形成する。酸化させる方法としては、例えば、大気中あるいは酸素雰囲気下において、低圧水銀ランプあるいはエキシマレーザーを用いて、紫外線を照射するという方法がある。例えば、露出した反射電極層１５が膜厚１００ｎｍの銀からなる場合、波長が２５４ｎｍの紫外線を出力１０００Ｊ／ｃｍ２以上３０００Ｊ／ｃｍ２以下程度照射することにより、波長５５０ｎｍの光の反射率を９９％から３０％以下に低下させることができる。フォトリソグラフィー法を用いて紫外線を照射し光吸収絶縁膜１６を形成する方法は、マスクを用いて紫外線を照射し光吸収絶縁膜１６を形成する方法に比べて、より光吸収絶縁膜１６を正確に形成することができる。 Next, as shown in FIG. 5A, a reflective electrode layer 15 made of silver is formed so as to cover the conductive layer 14 and the contact electrode layer 12 by using, for example, a sputtering method. Then, as shown in FIG. 5B, a photoresist F is formed on the reflective electrode layer 15. Further, a portion corresponding to the peripheral region is exposed to the photoresist F by using a photolithography method. Then, as shown in FIG. 5C, the exposed region is oxidized to form the light absorption insulating film 16. As an oxidation method, for example, there is a method of irradiating ultraviolet rays using a low-pressure mercury lamp or an excimer laser in the air or in an oxygen atmosphere. For example, if the exposed reflective electrode layer 15 made of silver having a thickness of 100 nm, by the wavelength is irradiated extent UV 254nm Output 1000 J / cm 2 or more 3000 J / cm 2 or less, the reflectance of light having a wavelength of 550 nm 99 % To 30% or less. The method of forming the light absorbing insulating film 16 by irradiating ultraviolet rays using a photolithography method is more accurate than the method of forming the light absorbing insulating film 16 by irradiating ultraviolet rays using a mask. Can be formed.
まず、反射電極層１５の表面上にマスクを対向配置すると、反射電極層１５の表面とマスクとの間に大きな隙間が生じてしまい、マスクにて反射電極層１５の表面を隙間無く被覆することができない。そして、その隙間に紫外線等が回り込むことによって、光吸収絶縁膜１６を正確に形成することが出来ないため、フォトリソグラフィー法を用いて光吸収絶縁膜１６を形成することが好ましい。 First, when a mask is disposed opposite to the surface of the reflective electrode layer 15, a large gap is generated between the surface of the reflective electrode layer 15 and the mask, and the surface of the reflective electrode layer 15 is covered with the mask without any gap. I can't. Since the light absorbing insulating film 16 cannot be formed accurately due to ultraviolet light or the like entering the gap, it is preferable to form the light absorbing insulating film 16 using a photolithography method.
そして、図６（Ａ）に示すように、光吸収絶縁膜１６を形成した後に、パターニングしたフォトレジストを削除する。このようにして、連続した一層から成る反射電極層１５の一部を光吸収絶縁膜１６とすることができ、別途光吸収絶縁膜１６に対応する層を反射電極層１５上に形成する必要が無く、製造工程を単純化することができ、有機ＥＬパネルの厚みを薄くすることができる。また、有機ＥＬ層１７を形成する前に、光吸収絶縁膜１６を形成することができ、酸化処理の工程において有機ＥＬ層１７が酸化されることがなく、ひいては有機ＥＬ素子の製品寿命を長くすることができる。 Then, as shown in FIG. 6A, after the light absorption insulating film 16 is formed, the patterned photoresist is removed. In this way, a part of the reflective electrode layer 15 composed of a continuous layer can be used as the light-absorbing insulating film 16, and a layer corresponding to the light-absorbing insulating film 16 needs to be separately formed on the reflective electrode layer 15. In addition, the manufacturing process can be simplified and the thickness of the organic EL panel can be reduced. In addition, the light absorption insulating film 16 can be formed before the organic EL layer 17 is formed, so that the organic EL layer 17 is not oxidized in the oxidation treatment step, thereby extending the product life of the organic EL element. can do.
次に、反射電極層１５及び光吸収絶縁膜１６上に、隔壁７となりうる有機絶縁材料を被着する。そして、かかる有機絶縁材料に対してフォトマスクを対向配置して、従来周知の薄膜形成技術及び薄膜加工技術を用いて、図６（Ｂ）に示すように、上部よりも下部が幅狭な隔壁７を形成する。かかる隔壁７は、各画素５を取り囲むように形成される。 Next, an organic insulating material that can form the partition wall 7 is deposited on the reflective electrode layer 15 and the light absorption insulating film 16. Then, a photomask is placed opposite to the organic insulating material, and a partition having a lower width than the upper portion is formed using a conventionally known thin film forming technique and thin film processing technique, as shown in FIG. 6B. 7 is formed. The partition wall 7 is formed so as to surround each pixel 5.
そして、図６（Ｃ）に示すように、発光領域Ｒ１上に、従来周知の蒸着マスクを用いる蒸着法を用いて有機ＥＬ層１７を形成する。そして、従来周知の蒸着法を用いて、有機ＥＬ層１７上からコンタクト電極層１２の直上に位置する反射電極層１５上にかけて、光透過性電極層１８を形成する。そして、コンタクト電極層１２と光透過性電極層１８とを電気的に接続することができる。このようにして、有機ＥＬ素子６を形成することができる。 Then, as shown in FIG. 6C, an organic EL layer 17 is formed on the light emitting region R1 by using a vapor deposition method using a conventionally known vapor deposition mask. Then, a light transmissive electrode layer 18 is formed from the organic EL layer 17 to the reflective electrode layer 15 located immediately above the contact electrode layer 12 by using a conventionally known vapor deposition method. Then, the contact electrode layer 12 and the light transmissive electrode layer 18 can be electrically connected. In this way, the organic EL element 6 can be formed.
さらに、図７（Ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子６を被覆するように、従来周知の薄膜形成技術を用いて、保護層１９を形成する。そして、有機ＥＬ素子が形成された素子基板４に対して、封止基板８を対向配置し、両基板をシール材９を介して接着する。なお、封止基板８をシール材９によって、素子基板４に固定する作業は、例えば窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガス中や、高真空中で行うことによって、素子基板４と封止基板８との間に酸素や水分が含まれるのを抑制することができる。このようにして、有機ＥＬパネル２を作製することができる。そして、有機ＥＬパネル２の非表示領域Ｄ２上に駆動ＩＣ３を実装することで、有機ＥＬディスプレイ１を作製することができる。 Further, as shown in FIG. 7B, a protective layer 19 is formed using a conventionally well-known thin film forming technique so as to cover the organic EL element 6. Then, the sealing substrate 8 is disposed opposite to the element substrate 4 on which the organic EL element is formed, and both the substrates are bonded via the sealing material 9. The operation of fixing the sealing substrate 8 to the element substrate 4 with the sealing material 9 is performed in, for example, an inert gas such as nitrogen gas or argon gas, or in a high vacuum, so that the element substrate 4 and the sealing substrate are fixed. It is possible to suppress oxygen and moisture from being contained between the two. In this way, the organic EL panel 2 can be produced. Then, by mounting the drive IC 3 on the non-display area D2 of the organic EL panel 2, the organic EL display 1 can be manufactured.
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。 In addition, this invention is not limited to the above-mentioned form, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention.
以下に、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬディスプレイについて、図面を参照しつつ説明する。図８（Ａ）は、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ素子の拡大断面図であって、図８（Ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ素子を構成する光吸収絶縁膜の平面図である。 Hereinafter, an organic EL display including the organic EL element according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 8A is an enlarged cross-sectional view of an organic EL element according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a diagram showing light constituting the organic EL element according to the second embodiment of the present invention. It is a top view of an absorption insulating film.
上述した本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬディスプレイは、隔壁７を設け、導電層１４を隣接する画素同士で共通電極として構成であって、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬディスプレイには、隔壁７を無くして、光透過性電極層１８を隣接する画素同士で共通電極とした構成である。 The organic EL display including the organic EL element according to the first embodiment of the present invention described above is provided with the partition wall 7 and the conductive layer 14 is configured as a common electrode between adjacent pixels, and the second embodiment of the present invention. The organic EL display including the organic EL element according to the embodiment has a configuration in which the partition wall 7 is eliminated and the light transmissive electrode layer 18 is a common electrode between adjacent pixels.
第２実施形態に係る有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬディスプレイは、隔壁７を無くすことで、隔壁７が有る場合に比べて、発光領域Ｒ１を広くすることができる。その結果、有機ＥＬディスプレイの輝度を向上させることができる。また、隔壁７を無くすことで、製造工程を単純化することができる。さらには、隔壁７を無くしたことで、有機ＥＬパネルの厚みを更に薄くすることができ、有機ＥＬディスプレイの薄型化に貢献することができる。 In the organic EL display including the organic EL element according to the second embodiment, the light emitting region R <b> 1 can be widened by eliminating the partition wall 7 as compared with the case where the partition wall 7 is provided. As a result, the luminance of the organic EL display can be improved. Further, the manufacturing process can be simplified by eliminating the partition wall 7. Furthermore, by eliminating the partition walls 7, the thickness of the organic EL panel can be further reduced, which can contribute to the thinning of the organic EL display.
１ 有機ＥＬディスプレイ
２ 有機ＥＬパネル
３ 駆動ＩＣ
４ 素子基板
５ 画素
６ 有機ＥＬ素子
７ 隔壁
８ 封止基板
９ シール材
１０ 回路層
１１ 絶縁層
１２ コンタクト電極層
１３ 平坦化膜
１４ 導電層
１５ 反射電極層
１６ 光吸収絶縁膜
１７ 有機ＥＬ層
１８ 光透過性電極層
１９ 保護層
Ｄ１ 表示領域
Ｄ２ 非表示領域
Ｒ１ 発光領域
Ｒ２ コンタクト領域
Ｓ コンタクトホール
1 Organic EL Display 2 Organic EL Panel 3 Drive IC
4 element substrate 5 pixel 6 organic EL element 7 partition 8 sealing substrate 9 sealing material 10 circuit layer 11 insulating layer 12 contact electrode layer 13 planarization film 14 conductive layer 15 reflective electrode layer 16 light absorption insulating film 17 organic EL layer 18 light Transparent electrode layer 19 Protective layer D1 Display area D2 Non-display area R1 Light emitting area R2 Contact area S Contact hole
Claims (7)
前記導電層の中央領域の直上に形成される反射電極層と、
前記導電層の中央領域を取り囲む周辺領域の直上に形成される光吸収絶縁膜と、
前記反射電極層上に形成される有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上から前記光吸収絶縁膜上にかけて形成される光透過性電極層と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ素子。 A conductive layer;
A reflective electrode layer formed immediately above the central region of the conductive layer;
A light-absorbing insulating film formed immediately above the peripheral region surrounding the central region of the conductive layer;
An organic EL layer formed on the reflective electrode layer;
A light transmissive electrode layer formed over the organic EL layer and the light absorbing insulating film;
An organic EL device comprising:
前記導電層と間を空けて併設されるコンタクト電極層を備え、
前記光吸収絶縁膜は、前記導電層の端部上から前記コンタクト電極層の端部上にかけて形成されることを特徴する有機ＥＬ素子。 The organic EL device according to claim 1,
A contact electrode layer provided adjacent to the conductive layer;
The organic EL element, wherein the light absorption insulating film is formed from an end portion of the conductive layer to an end portion of the contact electrode layer.
前記光吸収絶縁膜の直上に形成される前記光透過性電極層の高さ位置は、前記有機ＥＬ層の直上に形成される前記光透過性電極層の高さ位置よりも低いことを特徴とする有機ＥＬ素子。 The organic EL device according to claim 1,
The height position of the light transmissive electrode layer formed immediately above the light absorption insulating film is lower than the height position of the light transmissive electrode layer formed directly above the organic EL layer. Organic EL element to be used.
前記光吸収絶縁膜は、前記反射電極層よりも光反射率の小さい材料からなることを特徴とする有機ＥＬ素子。 The organic EL device according to claim 1,
The organic EL element, wherein the light absorption insulating film is made of a material having a light reflectance lower than that of the reflective electrode layer.
前記光吸収絶縁膜は、酸化銀からなることを特徴とする有機ＥＬ素子。 The organic EL device according to claim 4,
The organic EL element, wherein the light absorption insulating film is made of silver oxide.
前記反射電極層の上面の中央領域を取り囲む周辺領域に対して酸化処理を施し、前記反射電極層の一部に光吸収絶縁膜を形成する工程と、
前記反射電極層の中央領域の直上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層上から前記光吸収絶縁膜上にかけて光透過性電極層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 Preparing a substrate having a reflective electrode layer formed on a conductive layer;
Subjecting a peripheral region surrounding a central region of the upper surface of the reflective electrode layer to an oxidation treatment, and forming a light-absorbing insulating film on a part of the reflective electrode layer;
Forming an organic EL layer directly above the central region of the reflective electrode layer;
Forming a light transmissive electrode layer from the organic EL layer to the light absorbing insulating film;
A method for producing an organic EL device, comprising:
前記反射電極層の中央領域を被覆し、且つ前記反射電極層の周辺領域を露出するように前記反射電極層上にフォトレジストを形成する工程と、を備え、
前記反射電極層の周辺領域を露出した状態で、前記反射電極層の周辺領域を酸化することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 In the manufacturing method of the organic EL element of Claim 6,
Forming a photoresist on the reflective electrode layer so as to cover a central region of the reflective electrode layer and to expose a peripheral region of the reflective electrode layer;
A method for manufacturing an organic EL element, comprising oxidizing a peripheral region of the reflective electrode layer with the peripheral region of the reflective electrode layer exposed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008114370A JP2009266591A (en) | 2008-04-24 | 2008-04-24 | Organic el element and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008114370A JP2009266591A (en) | 2008-04-24 | 2008-04-24 | Organic el element and method of manufacturing the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009266591A true JP2009266591A (en) | 2009-11-12 |
Family
ID=41392169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008114370A Pending JP2009266591A (en) | 2008-04-24 | 2008-04-24 | Organic el element and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009266591A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013047622A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | シャープ株式会社 | Display device and display device manufacturing method |
| US9478670B2 (en) | 2012-09-05 | 2016-10-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor storage device |
| JP2018026278A (en) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | Organic el display panel, and manufacturing method of organic el display panel |
-
2008
- 2008-04-24 JP JP2008114370A patent/JP2009266591A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2013047622A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | シャープ株式会社 | Display device and display device manufacturing method |
| US9478670B2 (en) | 2012-09-05 | 2016-10-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor storage device |
| JP2018026278A (en) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | Organic el display panel, and manufacturing method of organic el display panel |
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