JP2009266590A - Method of manufacturing organic electroluminescent panel - Google Patents

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JP2009266590A JP2008114369A JP2008114369A JP2009266590A JP 2009266590 A JP2009266590 A JP 2009266590A JP 2008114369 A JP2008114369 A JP 2008114369A JP 2008114369 A JP2008114369 A JP 2008114369A JP 2009266590 A JP2009266590 A JP 2009266590A
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Yutaka Hisayoshi
豊 久芳
Daisuke Ota
大助 太田
Kazumasa Kobayashi
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an organic EL panel 2, which can improve a sealing property of an organic EL element 9. <P>SOLUTION: The method of manufacturing an organic EL panel 2 includes a step of preparing a base body equipped with an element substrate 4 of which in a central region an organic EL element 9 is arranged, a sealing base plate 8 arranged to face the element substrate 4, an adhesive agent 6 which is positioned between the element substrate 4 and the sealing base plate 8 and provides a gap G in a tip portion of the organic EL element 9 and pastes the element substrate 4 with the sealing base plate 8, a step in which a sealing material 7 is enclosed between the element substrate 4 and the sealing base plate 8 in a decompressed atmosphere, and a step in which the sealing material 7 is cured and seals the organic EL element 9 by the element substrate 4, the sealing base plate 8 and the sealing material 7. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機ELパネルの製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing an organic EL panel.

近年、有機EL(Electroluminescence)素子を備えた有機ELパネルの開発が行われている。有機ELパネルは、有機EL素子を一対の基板の間に設けたものである(特許文献1参照)。   In recent years, an organic EL panel having an organic EL (Electroluminescence) element has been developed. An organic EL panel has an organic EL element provided between a pair of substrates (see Patent Document 1).

有機ELパネルは、一対の基板を接着材を介して貼り合わせて作製される。   The organic EL panel is manufactured by bonding a pair of substrates through an adhesive.

なお、接着材は、基板の全面又は基板の周囲に被着させて、基板同士を貼り合わせる技術が提案されている(特許文献2、3参照)。
特開平5−89959号公報 特開2007−200743号公報 特許第3903204号公報
A technique has been proposed in which the adhesive is attached to the entire surface of the substrate or the periphery of the substrate, and the substrates are bonded together (see Patent Documents 2 and 3).
Japanese Patent Laid-Open No. 5-89959 JP 2007-200743 A Japanese Patent No. 3903204

しかしながら、量産時においては、一対のマザー基板を複数個に分割して、有機ELパネルを作製するため、マザー基板の切断時に切断箇所に接着材が設けられていると、マザー基板をスムーズに複数個に分割することができず、ひいては有機EL素子の封止性にも影響を与えることがある。   However, at the time of mass production, a pair of mother substrates is divided into a plurality of parts to produce an organic EL panel. Therefore, if an adhesive is provided at the cutting position when the mother substrate is cut, the mother substrates are smoothly divided into a plurality of substrates. It cannot be divided into individual pieces, which may affect the sealing performance of the organic EL element.

本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、有機EL素子の封止性を向上させることが可能な有機ELパネルの製造方法を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of the subject mentioned above, Comprising: It aims at providing the manufacturing method of the organic electroluminescent panel which can improve the sealing performance of an organic electroluminescent element.

上記の課題を解決するため、本発明の有機ELパネルの製造方法は、中央領域に有機EL素子が設けられた素子基板と、前記素子基板に対向させた封止基板と、前記素子基板と前記封止基板との間であって前記有機EL素子の端部に隙間を設けるとともに、前記素子基板及び前記封止基板を貼り合わせる接着材と、を備えた基体を準備する工程と、前記素子基板と前記封止基板との間の前記隙間に、減圧雰囲気中にて封止材を充填する工程と、前記封止材を硬化させて、前記有機EL素子を前記素子基板、前記封止基板及び前記封止材にて封止する工程と、を備えたことを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, an organic EL panel manufacturing method of the present invention includes an element substrate in which an organic EL element is provided in a central region, a sealing substrate opposed to the element substrate, the element substrate, and the element substrate. A step of providing a base including a gap between the sealing substrate and an end of the organic EL element, and an adhesive for bonding the element substrate and the sealing substrate; and the element substrate Filling the gap between the sealing substrate and the sealing material in a reduced-pressure atmosphere, curing the sealing material, and the organic EL element to the element substrate, the sealing substrate, and And a step of sealing with the sealing material.

また、本発明の有機ELパネルの製造方法は、前記隙間に前記封止材を充填する工程では、前記封止材を前記封止基板の端面に塗布し、減圧雰囲気中に前記基体を設けることで、前記封止材が前記封止基板の端面から前記接着材の端面にまで進入して、前記隙間に前記封止材が充填されることを特徴とする。   In the method of manufacturing an organic EL panel of the present invention, in the step of filling the gap with the sealing material, the sealing material is applied to an end surface of the sealing substrate, and the base is provided in a reduced-pressure atmosphere. Then, the sealing material enters from the end surface of the sealing substrate to the end surface of the adhesive, and the gap is filled with the sealing material.

また、本発明の有機ELパネルの製造方法は、前記素子基板と前記封止基板との間の前記隙間は、前記有機EL素子を被覆する前記接着材を取り囲むように設けられており、前記隙間に前記封止材を充填する工程では、前記封止基板の一端に塗布された前記封止材が、減圧雰囲気中にて前記接着材の外周に沿って進入し、前記接着材の外周を取り囲むことを特徴とする。   In the organic EL panel manufacturing method of the present invention, the gap between the element substrate and the sealing substrate is provided so as to surround the adhesive covering the organic EL element. In the step of filling the sealing material, the sealing material applied to one end of the sealing substrate enters along the outer periphery of the adhesive material in a reduced pressure atmosphere and surrounds the outer periphery of the adhesive material It is characterized by that.

また、本発明の有機ELパネルの製造方法は、前記封止材を硬化させる工程では、前記封止材に紫外線を照射することで前記封止材が硬化することを特徴とする。   Moreover, the manufacturing method of the organic EL panel of the present invention is characterized in that, in the step of curing the sealing material, the sealing material is cured by irradiating the sealing material with ultraviolet rays.

また、本発明の有機ELパネルの製造方法は、前記封止材を硬化させる工程では、前記封止材が前記接着材よりも硬化収縮することで、前記素子基板と前記封止基板を接着させることを特徴とする。   Further, in the method of manufacturing the organic EL panel of the present invention, in the step of curing the sealing material, the sealing material is cured and contracted more than the adhesive material, thereby bonding the element substrate and the sealing substrate. It is characterized by that.

また、本発明の有機ELパネルの製造方法は、前記接着材は、エポキシ樹脂から成り、前記封止材は、ハンダから成ることを特徴とする。   In the method for manufacturing an organic EL panel according to the present invention, the adhesive is made of an epoxy resin, and the sealing material is made of solder.

本発明によれば、封止性を改善することができる有機ELパネルの製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the organic electroluminescent panel which can improve sealing performance can be provided.

以下に、本発明の実施形態に係る有機ELパネルを含む有機ELディスプレイについて、図面を参照しつつ説明する。図1は、有機ELディスプレイの平面図である。また、図2は、複数の有機ELパネルに分割する前のマザー基板の平面図である。図3は、有機ELパネルに含まれる多数の画素をマトリックス状に配列した状態を示す平面図である。図4(A)は、画素の断面図であって、図4(B)は、画素に含まれる有機EL素子の簡略化した断面図である。図5は、駆動ICが実装される側であって、素子基板と封止基板の端部を示す断面図である。   Hereinafter, an organic EL display including an organic EL panel according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of an organic EL display. FIG. 2 is a plan view of the mother substrate before being divided into a plurality of organic EL panels. FIG. 3 is a plan view showing a state in which a large number of pixels included in the organic EL panel are arranged in a matrix. 4A is a cross-sectional view of a pixel, and FIG. 4B is a simplified cross-sectional view of an organic EL element included in the pixel. FIG. 5 is a cross-sectional view showing the end of the element substrate and the sealing substrate on the side where the driving IC is mounted.

有機ELディスプレイ1は、図1に示すように、テレビ等の家電機器、携帯電話又はコンピュータ機器等の電子機器に用いるものであり、有機ELパネル2と、有機ELパネル2に実装する駆動IC3とを含んだものである。かかる有機ELパネル2は、平板状の素子基板4と、素子基板4上に形成される複数の画素5と、画素5を封止するように接着材6と封止材7とを介して素子基板4上に形成される封止基板8とを含んでいる。   As shown in FIG. 1, the organic EL display 1 is used for home appliances such as a television, electronic equipment such as a mobile phone or a computer device, and includes an organic EL panel 2 and a driving IC 3 mounted on the organic EL panel 2. Is included. The organic EL panel 2 includes a flat element substrate 4, a plurality of pixels 5 formed on the element substrate 4, and an adhesive 6 and a sealing material 7 so as to seal the pixels 5. And a sealing substrate 8 formed on the substrate 4.

素子基板4は、例えばガラス又はプラスチックから成り、素子基板4の中央に位置する中央領域としての表示領域D1には、マトリックス状に配列された複数の画素5が形成されている。また、素子基板4の端部であって、表示領域D1の一端に位置する非表示領域D2には、駆動IC3が実装されている。   The element substrate 4 is made of, for example, glass or plastic, and a plurality of pixels 5 arranged in a matrix are formed in a display area D1 as a central area located at the center of the element substrate 4. A driving IC 3 is mounted on a non-display area D2 that is an end of the element substrate 4 and is positioned at one end of the display area D1.

かかる画素5は、図4(A)に示すように、発光領域R1とコンタクト領域R2とを含んで構成されており、発光領域R1に発光可能な有機EL素子9が設けられている。なお、各画素5は、隔壁10によって仕切られている。また、画素5は、有機EL素子9を構成する有機材料を選択することによって、発光する色を決定することができる。   As shown in FIG. 4A, the pixel 5 includes a light emitting region R1 and a contact region R2, and an organic EL element 9 capable of emitting light is provided in the light emitting region R1. Each pixel 5 is partitioned by a partition wall 10. Further, the pixel 5 can determine the color to emit light by selecting an organic material constituting the organic EL element 9.

また、素子基板4上には、素子基板4に対して対向するように配置された封止基板8が形成されている。封止基板8は透明の基板から成り、例えばガラス又はプラスチックを用いることができる。   In addition, a sealing substrate 8 is formed on the element substrate 4 so as to face the element substrate 4. The sealing substrate 8 is made of a transparent substrate, and for example, glass or plastic can be used.

次に、図4(A)及び図4(B)に示すように、素子基板4と封止基板8との間に形成される各種層について説明する。   Next, as shown in FIGS. 4A and 4B, various layers formed between the element substrate 4 and the sealing substrate 8 will be described.

素子基板4上には、TFT又は電気配線が形成されている回路層11と、回路層11上に回路層11を外部と電気的に絶縁するための窒化珪素等から成る絶縁層12が形成されている。かかる回路層11の一部と、後述するコンタクト電極層13とが電気的に接続されている。また、絶縁層12上には、回路層11や絶縁層12の凹凸を低減するための平坦化膜14が形成されている。回路層11は、パターニングされた構造物であるため、その表面が凹凸に形成され、回路層11上を平坦にしないと、回路層11上に有機EL素子9を平らに設けることが困難となる。その結果、有機EL素子9を構成する各層の厚みを制御することが難しく、有機EL素子9が所望の色の光を発することができなくなる。これは、有機EL素子9が発する光の色が、有機EL素子9を構成する各層の厚みに依存するためである。そのため、回路層11上に、平坦化膜14を形成することで、回路層11上に形成する有機EL素子9の厚みを制御しやすくしている。かかる平坦化膜14は、例えばノボラック樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂等の絶縁性を有する有機材料を用いることができる。なお、平坦化膜14の厚みは、例えば2μm以上5μm以下に設定されている。   On the element substrate 4, a circuit layer 11 on which TFTs or electric wirings are formed, and an insulating layer 12 made of silicon nitride or the like for electrically insulating the circuit layer 11 from the outside are formed on the circuit layer 11. ing. A part of the circuit layer 11 and a contact electrode layer 13 to be described later are electrically connected. A planarizing film 14 is formed on the insulating layer 12 to reduce unevenness of the circuit layer 11 and the insulating layer 12. Since the circuit layer 11 is a patterned structure, the surface thereof is uneven, and it is difficult to provide the organic EL element 9 flat on the circuit layer 11 unless the surface of the circuit layer 11 is flattened. . As a result, it is difficult to control the thickness of each layer constituting the organic EL element 9, and the organic EL element 9 cannot emit light of a desired color. This is because the color of light emitted from the organic EL element 9 depends on the thickness of each layer constituting the organic EL element 9. Therefore, by forming the planarizing film 14 on the circuit layer 11, the thickness of the organic EL element 9 formed on the circuit layer 11 can be easily controlled. The planarizing film 14 may be made of an insulating organic material such as a novolac resin, an acrylic resin, an epoxy resin, or a silicon resin. The thickness of the planarizing film 14 is set to 2 μm or more and 5 μm or less, for example.

また、平坦化膜14には、平坦化膜14を貫通するコンタクトホールSが形成されている。かかるコンタクトホールSは、上部よりも下部が幅狭に形成されている。さらにコンタクトホールSの内周面から平坦化膜14の上面にかけて、例えばアルミニウム、銀、銅、金、ロジウム又はネオジム等の金属、あるいはこれらの合金から成るコンタクト電極層13が形成されている。   Further, a contact hole S penetrating the planarizing film 14 is formed in the planarizing film 14. The contact hole S is formed so that the lower part is narrower than the upper part. Further, a contact electrode layer 13 made of a metal such as aluminum, silver, copper, gold, rhodium or neodymium, or an alloy thereof is formed from the inner peripheral surface of the contact hole S to the upper surface of the planarizing film 14.

さらに、平坦化膜14上には、有機EL素子9が形成されている。有機EL素子9は、第1電極層15と、有機EL層16と、第2電極層17とを含んで構成されている。   Further, an organic EL element 9 is formed on the planarizing film 14. The organic EL element 9 includes a first electrode layer 15, an organic EL layer 16, and a second electrode layer 17.

また、発光領域R1及びコンタクト領域R2を取り囲むように、絶縁物18が形成されている。絶縁物18の一部は、第1電極層15とコンタクト電極層13との間に形成されている。そして、絶縁物18は、第1電極層15と第2電極層17とが短絡するのを防止している。なお、絶縁物18は、フェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料、あるいは窒化珪素、酸化珪素又は酸化窒化珪素等の無機絶縁材料から成る。   Further, an insulator 18 is formed so as to surround the light emitting region R1 and the contact region R2. A part of the insulator 18 is formed between the first electrode layer 15 and the contact electrode layer 13. The insulator 18 prevents the first electrode layer 15 and the second electrode layer 17 from being short-circuited. The insulator 18 is made of an organic insulating material such as phenol resin, acrylic resin, or polyimide resin, or an inorganic insulating material such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.

また、有機EL素子9を被覆するように、表示領域D1上には保護層19が形成されている。保護層19は、有機EL素子9を封止し、有機EL素子を水分又は外気から保護するものであって、光透過性の機能を有し、例えば窒化珪素、酸化珪素又は窒化炭化珪素等の無機材料から成る。なお、保護層19の厚みは、例えば100nm以上5μm以下に設定されている。   Further, a protective layer 19 is formed on the display region D1 so as to cover the organic EL element 9. The protective layer 19 seals the organic EL element 9 and protects the organic EL element from moisture or outside air, and has a light-transmitting function, such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon nitride carbide. Made of inorganic material. The thickness of the protective layer 19 is set to, for example, 100 nm or more and 5 μm or less.

次に、有機EL素子9を構成する各層について説明する。   Next, each layer constituting the organic EL element 9 will be described.

第1電極層15は、平坦化膜14上に形成されるとともに、コンタクト電極層13と間を空けて併設されている。第1電極層15は、例えばアルミニウム、銀、銅、金、ロジウム又はネオジム等の金属、あるいはこれらの合金等の光反射率の大きい材料から成る。このように、第1電極層15を光反射率の大きい材料から構成することにより、トップエミッション型の有機EL素子9においては光取り出し効率を向上させることができる。なお、第1電極層15の厚みは、例えば50nm以上500nm以下に設定されている。   The first electrode layer 15 is formed on the planarization film 14 and is provided side by side with the contact electrode layer 13. The first electrode layer 15 is made of a material having a high light reflectivity such as a metal such as aluminum, silver, copper, gold, rhodium or neodymium, or an alloy thereof. In this manner, by configuring the first electrode layer 15 from a material having a high light reflectance, the light extraction efficiency can be improved in the top emission type organic EL element 9. The thickness of the first electrode layer 15 is set to, for example, 50 nm or more and 500 nm or less.

有機EL層16は、第1電極層15上に形成される。有機EL層16は、図4(B)に示すように、複数の層から成り、下層から正孔注入層16a、正孔輸送層16b、有機発光層16c、電子輸送層16d及び電子注入層16eを含んで構成されている。   The organic EL layer 16 is formed on the first electrode layer 15. As shown in FIG. 4B, the organic EL layer 16 is composed of a plurality of layers. From the lower layer, the hole injection layer 16a, the hole transport layer 16b, the organic light emitting layer 16c, the electron transport layer 16d, and the electron injection layer 16e. It is comprised including.

正孔注入層16aは、例えばα‐NPD、TPD、酸化ニッケル、酸化チタン、フッ化炭素又はCuPc等から成る。正孔注入層16aの厚みは、例えば5nm以上40nm以下に設定されている。   The hole injection layer 16a is made of, for example, α-NPD, TPD, nickel oxide, titanium oxide, fluorocarbon, or CuPc. The thickness of the hole injection layer 16a is set to, for example, 5 nm or more and 40 nm or less.

また、正孔輸送層16bは、例えばN,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)、4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)等 の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、 ポリアリールアルカン、ブタジエン、および4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)等のスターバースト芳香族又は芳香族アミン化合物を用いることができる。また、正孔輸送層16bは、1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン又はそれにシアノ基などが結合した誘導体等の複素環化合物を用いることができる。正孔輸送層16bの厚みは、例えば10nm以上50nm以下に設定されている。   Further, the hole transport layer 16b is formed of, for example, N, N′-bis (3-methylphenyl)-(1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine (TPD), 4,4′-bis [N Aromatic diamine compounds such as-(naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl (α-NPD), oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, imidazolone, stilbene derivative, pyrazoline derivative, tetrahydroimidazole, polyarylalkane, butadiene , And 4,4 ′, 4 ″ -tris (N- (3-methylphenyl) N-phenylamino) triphenylamine (m-MTDATA) or other starburst aromatic or aromatic amine compounds can be used. In addition, the hole transport layer 16b is made of 1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene or it Can be used a heterocyclic compound such as derivatives such as cyano groups attached. The thickness of the hole transport layer 16b is set to, for example, 10nm or 50nm or less.

また、有機発光層16cは、赤色の光を発する場合、例えばCBP、Alq又はSDPVBi等のホスト材料、あるいはこれらのホスト材料にDCJTB、クマリン、キナクリドン、フェナンスレン基を有するペリノン誘導体、オリゴチオフェン誘導体又はペリレン誘導体等のドーパント材料を含有したものを用いることができる。また、緑色の光を発する場合、例えばCBP、Alq又はSDPVBi等のホスト材料、あるいはこれらのホスト材料にスチリルアミン、ペルリン、ベンゼン環を有するシロール誘導体、フェナンスレン基を有するペリノン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ペリレン誘導体又はアゾメチン亜鉛錯体等のドーパント材料を含有したものを用いることができる。また、青色の光を発する場合、例えばCBP又はSDPVBi等のホスト材料、あるいはこれらのホスト材料にスチリルアミン、ペルリン、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジェン、トリフェニルアミン構造とビニル基が結合した化合物、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体又はベンゼン環を有するシロール誘導体等のドーパント材料を含有したものを用いることができる。なお、有機発光層16cの厚みは、例えば20nm以上40nm以下に設定されている。 The organic light-emitting layer 16c, if that emits red light, for example CBP, Alq 3 or a host material such SDPVBi or DCJTB these host materials, coumarin, quinacridone, perinone derivatives having phenanthrene group, oligothiophene derivatives or What contains dopant materials, such as a perylene derivative, can be used. Further, when emitting green light, for example, host materials such as CBP, Alq 3 or SDPVBi, or styrylamine, perlin, silole derivatives having a benzene ring in these host materials, perinone derivatives having a phenanthrene group, oligothiophene derivatives, A material containing a dopant material such as a perylene derivative or an azomethine zinc complex can be used. Further, when emitting blue light, for example, a host material such as CBP or SDPVBi, or a styrylamine, perlin, cyclopentadiene derivative, tetraphenylbutadiene, a compound having a triphenylamine structure and a vinyl group bonded to these host materials, A material containing a dopant material such as an oxadiazole derivative, a pyrazoloquinoline derivative, a distyrylarylene derivative, or a silole derivative having a benzene ring can be used. The thickness of the organic light emitting layer 16c is set to 20 nm or more and 40 nm or less, for example.

また、電子輸送層16dは、例えばトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)、又は4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)等 の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、 ポリアリールアルカン、ブタジエン、又は4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)等のスターバースト芳香族やアミン化合物を用いることができる。電子輸送層16dの厚みは、例えば20nm以上60nm以下に設定されている。 The electron transport layer 16d is formed of, for example, tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ), N, N′-bis (3-methylphenyl)-(1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine ( TPD), or aromatic diamine compounds such as 4,4′-bis [N- (naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl (α-NPD), oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, imidazolone, stilbene derivatives , Pyrazoline derivatives, tetrahydroimidazole, polyarylalkane, butadiene, or starburst aroma such as 4,4 ′, 4 ″ -tris (N- (3-methylphenyl) N-phenylamino) triphenylamine (m-MTDATA) A thickness of the electron transport layer 16d is, for example, 20 nm or more. It is set to 60 nm or less.

また、電子注入層16eは、例えばフッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化炭素等を用いることができる。電子注入層16eの厚みは、例えば0.5nm以上2nm以下に設定されている。   Further, for example, lithium fluoride, cesium fluoride, carbon fluoride, or the like can be used for the electron injection layer 16e. The thickness of the electron injection layer 16e is set to 0.5 nm or more and 2 nm or less, for example.

第2電極層17は、有機EL層16上から絶縁酸化膜16上にかけて形成される。第2電極層17は、有機EL層16から放出される光が透過することができる材料から構成され、例えばインジウム錫酸化膜(ITO)又は錫酸化膜等の光透過性を有する導電材料を用いて形成される。また、第2電極層17は、例えばマグネシウム、銀、アルミニウム又はカルシウム等の材料を用いることができ、その厚みを30nm以下にすることによって、光透過性の電極とすることができる。その結果、有機EL層16から放出された光が、第2電極層17を透過して、有機EL素子9から外部に出射される。   The second electrode layer 17 is formed from the organic EL layer 16 to the insulating oxide film 16. The second electrode layer 17 is made of a material that can transmit light emitted from the organic EL layer 16, and uses a light-transmitting conductive material such as an indium tin oxide film (ITO) or a tin oxide film. Formed. The second electrode layer 17 can be made of, for example, a material such as magnesium, silver, aluminum, or calcium. By setting the thickness to 30 nm or less, a light transmissive electrode can be obtained. As a result, the light emitted from the organic EL layer 16 passes through the second electrode layer 17 and is emitted from the organic EL element 9 to the outside.

また、絶縁物18上には、画素5を取り囲むように隔壁10が形成されている。隔壁10は、上部よりも下部が幅狭であって、例えばフェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料から成る。なお、隔壁10の厚みは、例えば2μm以上5μm以下に設定されている。   A partition 10 is formed on the insulator 18 so as to surround the pixel 5. The partition 10 is narrower at the lower part than at the upper part, and is made of an organic insulating material such as phenol resin, acrylic resin, or polyimide resin. In addition, the thickness of the partition 10 is set to 2 μm or more and 5 μm or less, for example.

次に、素子基板4と封止基板8とを接着する接着材6について説明する。接着材6は、素子基板4の表示領域D1全面を被覆するとともに、各画素5上に形成されている。また、接着材6は、素子基板4と封止基板8の間であって、最外周に配置された画素の端部まで形成されている。ただし、素子基板4及び封止基板8の端面から表示領域D1に向かって接着材6が形成されない領域が存在する。   Next, the adhesive 6 that bonds the element substrate 4 and the sealing substrate 8 will be described. The adhesive 6 covers the entire display area D1 of the element substrate 4 and is formed on each pixel 5. The adhesive 6 is formed between the element substrate 4 and the sealing substrate 8 up to the end of the pixel arranged on the outermost periphery. However, there is a region where the adhesive 6 is not formed from the end surfaces of the element substrate 4 and the sealing substrate 8 toward the display region D1.

接着材6は、有機EL素子9の発する光が外部に取り出されるように、光透過性の優れた材料から構成されており、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂又はシリコン樹脂等の光硬化性又は熱硬化性の樹脂を用いることができる。好ましくは、紫外線の照射により硬化する光硬化性のエポキシ樹脂を採用する。なぜならば、接着剤は有機EL素子直上に配されるため、低酸素濃度・低水分環境において塗布・接着する必要があるため、塗布装置などのメンテナンスの頻度をあげることは難しく、ポットライフの短い熱硬化型に比べ非常に生産性が改善することができるからである。但し、コントラストを重視するアプリケーションに対しては、発光エリアの画素間にブラックマトリックスを配するため、ブラックマトリックス下でUV光の照射が不十分であっても十分硬化するために、紫外線及び熱併用硬化型樹脂を使用することがより好ましい。   The adhesive 6 is made of a material having excellent light transmittance so that the light emitted from the organic EL element 9 is extracted to the outside. For example, the adhesive 6 is a photocurable material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, or a silicon resin. Alternatively, a thermosetting resin can be used. Preferably, a photocurable epoxy resin that is cured by irradiation with ultraviolet rays is employed. Because the adhesive is placed directly on the organic EL element, it is necessary to apply and adhere in a low oxygen concentration / low moisture environment. Therefore, it is difficult to increase the frequency of maintenance of the application device, etc., and the pot life is short. This is because productivity can be greatly improved as compared with the thermosetting type. However, for applications where importance is placed on contrast, a black matrix is placed between the pixels in the light emitting area, so that UV light can be cured sufficiently even under insufficient irradiation of UV light under the black matrix. It is more preferable to use a curable resin.

図5は、素子基板4及び封止基板8の端部であって、駆動IC3を実装する側の有機ELパネルの断面図である。なお、駆動IC3は、実装部20に実装される。   FIG. 5 is a cross-sectional view of the organic EL panel on the side where the drive IC 3 is mounted, which is an end of the element substrate 4 and the sealing substrate 8. The driving IC 3 is mounted on the mounting unit 20.

封止材7は、図5に示すように、封止基板8の端面から素子基板4と封止基板8の間に形成された接着材6の表面にまで形成されている。すなわち、素子基板4と封止基板8の間であって接着材6が形成されない領域に、封止材7が充填されている。   As shown in FIG. 5, the sealing material 7 is formed from the end surface of the sealing substrate 8 to the surface of the adhesive 6 formed between the element substrate 4 and the sealing substrate 8. That is, the sealing material 7 is filled in a region between the element substrate 4 and the sealing substrate 8 where the adhesive 6 is not formed.

封止材7は、大気中の酸素又は水分が接着材6にて被覆された画素5内に浸入し、有機EL素子9を劣化させるのを抑制する封止機能に優れた材料から構成されており、例えばエポキシ接着剤等の熱硬化型樹脂、低融点ガラス、低融点ハンダ等を用いることができる。そして、有機EL素子9は、素子基板4、封止基板8、接着材6及び封止材7によって大気から封止されている。   The sealing material 7 is made of a material having an excellent sealing function that prevents oxygen or moisture in the atmosphere from entering the pixel 5 covered with the adhesive 6 and deteriorating the organic EL element 9. For example, a thermosetting resin such as an epoxy adhesive, low melting glass, low melting solder or the like can be used. The organic EL element 9 is sealed from the atmosphere by the element substrate 4, the sealing substrate 8, the adhesive 6 and the sealing material 7.

上述したように本実施形態に係る有機ELパネルによれば、有機EL素子9の発する光を光透過性の優れた接着材6にて外部に効率良く取り出すとともに、封止性の優れた封止材7にて大気中から酸素又は水分が画素内に浸入するのを有効的に抑制することができる。   As described above, according to the organic EL panel according to the present embodiment, the light emitted from the organic EL element 9 is efficiently taken out to the outside by the adhesive 6 having excellent light transmittance, and the sealing having excellent sealing property is performed. The material 7 can effectively prevent oxygen or moisture from entering the pixel from the atmosphere.

以下に、本発明の実施形態に係る有機ELパネル2を含む有機ELディスプレイ1の製造方法について、図6(A)から図11を用いて詳細に説明する。なお、製造方法の説明について、図6(A)から図9(A)までは、一つの画素の断面を用いて説明するが、いずれの説明も素子基板4及び封止基板8は、有機ELパネル2毎に切断される前の状態である。   Below, the manufacturing method of the organic electroluminescent display 1 containing the organic electroluminescent panel 2 which concerns on embodiment of this invention is demonstrated in detail using FIG. 6 (A) to FIG. 6A to 9A is described using a cross section of one pixel. In either case, the element substrate 4 and the sealing substrate 8 are organic EL. This is a state before the panel 2 is cut.

図6(A)に示すように、回路層11、絶縁層12及び平坦化膜14を上面に積層した素子基板4を準備する。なお、回路層11及び絶縁層12は、従来周知のCVD法、蒸着法又はスパッタリング法等の薄膜形成技術、エッチング法やフォトリソグラフィー法等の薄膜加工技術を用いて、所定パターンに形成される。また、平坦化膜14は、例えば従来周知のスピンコート法を用いて、絶縁層12上に形成する。   As shown in FIG. 6A, an element substrate 4 in which a circuit layer 11, an insulating layer 12, and a planarizing film 14 are stacked on top is prepared. The circuit layer 11 and the insulating layer 12 are formed in a predetermined pattern by using a conventionally known thin film forming technique such as a CVD method, a vapor deposition method or a sputtering method, or a thin film processing technique such as an etching method or a photolithography method. Further, the planarizing film 14 is formed on the insulating layer 12 by using, for example, a conventionally known spin coating method.

次に、平坦化膜14上に露光マスクを用いて平坦化膜14を露光し、さらに現像、ベーキング処理を行い、図6(B)に示すように、回路層11の一部を露出させて、上部よりも下部が幅狭なコンタクトホールSを有する平坦化膜14を形成する。さらに、コンタクトホールSを形成した平坦化膜14上に、例えばアルミニウムから成る金属膜を形成する。そして、図6(C)に示すように、金属膜をパターニングして、第1電極層15及びコンタクト電極層13を形成する。   Next, the planarizing film 14 is exposed on the planarizing film 14 using an exposure mask, and further developed and baked to expose a part of the circuit layer 11 as shown in FIG. 6B. Then, a planarizing film 14 having a contact hole S whose lower part is narrower than the upper part is formed. Further, a metal film made of, for example, aluminum is formed on the planarizing film 14 in which the contact holes S are formed. Then, as shown in FIG. 6C, the metal film is patterned to form the first electrode layer 15 and the contact electrode layer 13.

次に、例えばスピンコート法を用いて、第1電極層15、コンタクト電極層13及び一部露出した平坦化膜14上に、例えばアクリル樹脂から成る有機絶縁材料層を形成する。そして、有機絶縁材料層に対してフォトリソグラフィー法を用いて、有機絶縁材料層をパターニングして、図7(A)に示すように、絶縁物18を形成する。   Next, an organic insulating material layer made of, for example, an acrylic resin is formed on the first electrode layer 15, the contact electrode layer 13, and the partially exposed planarizing film 14 by using, for example, a spin coating method. Then, the organic insulating material layer is patterned with respect to the organic insulating material layer using a photolithography method, so that the insulator 18 is formed as shown in FIG.

次に、図7(B)に示すように、絶縁物18上に、従来周知のフォトリソグラフィー法を用いて、上部よりも下部が幅狭な隔壁10を形成する。かかる隔壁10は、各画素5を取り囲むように形成される。そして、蒸着法を用いて図7(C)に示すように、発光領域R1に有機EL層16を形成する。なお、各画素の発する色は、有機EL層16を構成する材料を選択することで決定することができる。   Next, as shown in FIG. 7B, a partition wall 10 having a lower width than the upper portion is formed on the insulator 18 by using a well-known photolithography method. The partition wall 10 is formed so as to surround each pixel 5. Then, as shown in FIG. 7C, the organic EL layer 16 is formed in the light emitting region R1 using a vapor deposition method. Note that the color emitted by each pixel can be determined by selecting a material constituting the organic EL layer 16.

さらに、図8(A)に示すように、有機EL層16上からコンタクト電極層13上にかけて、従来周知の蒸着法を用いて、第2電極層17を形成する。したがって、上面が露出しているコンタクト電極層13と第2電極層17とを直接接続することができる。このようにして、有機EL素子9を形成することができる。   Further, as shown in FIG. 8A, the second electrode layer 17 is formed from the organic EL layer 16 to the contact electrode layer 13 by using a conventionally known vapor deposition method. Therefore, the contact electrode layer 13 whose upper surface is exposed and the second electrode layer 17 can be directly connected. In this way, the organic EL element 9 can be formed.

そして、図8(B)に示すように、有機EL素子9を被覆するように、表示領域D1全面に、従来周知の薄膜形成技術を用いて、保護層19を形成する。   Then, as shown in FIG. 8B, a protective layer 19 is formed on the entire surface of the display region D1 using a conventionally known thin film forming technique so as to cover the organic EL element 9.

次に、図9(A)に示すように、有機EL素子9が形成された素子基板4に対して、封止基板8を対向配置し、両基板を接着材6を介して接着する。なお、接着材6は、素子基板4に封止基板8を対向配置したときに、各有機ELパネル2の表示領域D1に対応する箇所に、スクリーン印刷法等により被着されている。スクリーン印刷法の形成精度は数十um程度であり、表示領域D1から100um以内に制御することが可能であり、後述するように、切断箇所への接着剤被着を防止することが可能である。なお、接着材6としては、UV硬化型接着剤を用いている。   Next, as shown in FIG. 9A, the sealing substrate 8 is disposed opposite to the element substrate 4 on which the organic EL element 9 is formed, and both the substrates are bonded via the adhesive 6. Note that the adhesive 6 is attached to a portion corresponding to the display region D1 of each organic EL panel 2 by a screen printing method or the like when the sealing substrate 8 is disposed opposite to the element substrate 4. The formation accuracy of the screen printing method is about several tens of um, and can be controlled within 100 um from the display area D1, and it is possible to prevent adhesion of the adhesive to the cut portion as will be described later. . As the adhesive 6, a UV curable adhesive is used.

ここで、図9(B)について説明する。素子基板4及び封止基板8を有機ELパネル2毎に切断するが、図9(B)は、その切断する予定箇所の断面図である。   Here, FIG. 9B will be described. The element substrate 4 and the sealing substrate 8 are cut for each organic EL panel 2, and FIG. 9B is a cross-sectional view of a portion to be cut.

図9(B)に示すように、有機ELパネル2毎に切断する箇所においては、素子基板4及び封止基板8を貼り合わせる前から、接着材6が被着しないように接着材6の量が調整されている。   As shown in FIG. 9B, the amount of the adhesive 6 is prevented from adhering to the adhesive substrate 6 before the element substrate 4 and the sealing substrate 8 are bonded to each other at the location where the organic EL panel 2 is cut. Has been adjusted.

そして、図10(A)に示すように、素子基板4及び封止基板8を接着材6にて貼り合わせて、接着材6にUV光を照射させて硬化させる。なお、P1,P2は、両基板の切断する箇所を示している。   Then, as shown in FIG. 10A, the element substrate 4 and the sealing substrate 8 are bonded to each other with the adhesive 6, and the adhesive 6 is irradiated with UV light and cured. In addition, P1 and P2 have shown the location which cut | disconnects both board | substrates.

さらに、接着材6を硬化させて、両基板を固着させた後に、ガラススクライバ又は分断器等によって、切断箇所P1,P2を切断し、マザー基板を有機ELパネル2毎に分断する。両基板をガラス分断器にて切断するときは、切断箇所P1,P2の直上及び直下に接着材6が形成されておらず、接着材6が切断箇所に存在する場合に比べて、切断箇所の剛性が小さく、ガラス分断器による押圧により、封止基板及び素子基板が十分にたわむことで、ガラススクライブ部からの亀裂がスムーズに両基板内にて成長し両基板を切断しやすい。また、接着材6に封止機能を持たせた場合には基板切断部への被着が無い領域へ接着材を配する設計となるが、その際には、部分的に切断部への被着が起き、被着の有無によるガラス応力の不規則性から、切断不良を誘発するが、本実施例ではその例を皆無にすることが可能になる。   Further, after the adhesive 6 is cured and both the substrates are fixed, the cut portions P1 and P2 are cut by a glass scriber or a divider, and the mother substrate is divided for each organic EL panel 2. When both substrates are cut with a glass breaker, the adhesive 6 is not formed immediately above and below the cut points P1 and P2, and compared with the case where the adhesive 6 is present at the cut point. The rigidity is small, and the sealing substrate and the element substrate are sufficiently bent by the pressing by the glass divider, so that cracks from the glass scribe portion grow smoothly in both substrates, and both substrates are easily cut. In addition, when the adhesive 6 is provided with a sealing function, the adhesive is designed to be disposed in an area where there is no adhesion to the substrate cutting portion. In the present embodiment, it is possible to eliminate the example of the occurrence of defective cutting due to irregularity of glass stress depending on the presence or absence of deposition.

そして、図10(B)に示すように、切断箇所P1,P2を切断して、有機ELパネル2を切り出す。なお、図10(B)は、駆動IC3を実装する実装部20が形成されている有機ELパネルの一端を示す断面図である。   Then, as shown in FIG. 10B, the cut portions P1 and P2 are cut, and the organic EL panel 2 is cut out. FIG. 10B is a cross-sectional view showing one end of the organic EL panel on which the mounting portion 20 for mounting the driving IC 3 is formed.

次に、有機ELパネル2毎に切断したのち、駆動IC3を実装する実装部20上の封止基板8の一部を取り除くために、封止基板8の切断箇所P3を切断し、図11(A)に示すように、中央領域に有機EL素子9が設けられた素子基板4と、素子基板4に対向させた封止基板8と、素子基板4と封止基板8との間であって有機EL素子9の端部に隙間Gを設け、有機EL素子9を被覆するとともに素子基板4及び封止基板8を貼り合わせる接着材6と、を備えた基体を準備することができる。なお、隙間Gは、有機EL素子9を被覆する接着材6を取り囲むように設けられている。また、隙間Gは、素子基板4と封止基板8との間の距離が2μm以上20μm以下の大きさのものである。   Next, after cutting for each organic EL panel 2, in order to remove a part of the sealing substrate 8 on the mounting portion 20 on which the driving IC 3 is mounted, the cutting portion P3 of the sealing substrate 8 is cut, and FIG. As shown in A), between the element substrate 4 provided with the organic EL element 9 in the central region, the sealing substrate 8 opposed to the element substrate 4, and the element substrate 4 and the sealing substrate 8. A base having the gap G at the end of the organic EL element 9 and the adhesive 6 that covers the organic EL element 9 and bonds the element substrate 4 and the sealing substrate 8 together can be prepared. The gap G is provided so as to surround the adhesive 6 that covers the organic EL element 9. The gap G is such that the distance between the element substrate 4 and the sealing substrate 8 is 2 μm or more and 20 μm or less.

そして、素子基板4と封止基板8との間の隙間Gに、減圧雰囲気中にてハンダからなる封止材7を充填する。ここで、減圧雰囲気とは、例えば窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガス中、高真空中であって、10000Pa以下の気圧をいう。まず、準備した基体の端面に封止材7を被着させ、減圧室に投入する。減圧室の気圧を調整し、減圧室内を減圧雰囲気中にすることで隙間Gにて空気を除去し、封止材7が毛細管現象により封止基板8の端面から接着材6の端面にまで進入して、隙間Gに封止材7が充填される。また、封止材7は、少なくとも基体の一端にのみ塗布されているのであれば、その塗布された箇所から封止材7が、減圧雰囲気中にて接着材6の外周に沿って進入し、接着材6の外周を取り囲むことができる。なお、封止基板8を封止材7によって、素子基板4に固定する作業は、例えば窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガス中や、高真空中で行うことによって、素子基板4と封止基板8との間に酸素又は水分が含まれるのを抑制することができる。   Then, the gap G between the element substrate 4 and the sealing substrate 8 is filled with a sealing material 7 made of solder in a reduced pressure atmosphere. Here, the reduced pressure atmosphere refers to an atmospheric pressure of 10000 Pa or less in an inert gas such as nitrogen gas or argon gas or in a high vacuum. First, the sealing material 7 is attached to the end face of the prepared substrate and put into the decompression chamber. The pressure in the decompression chamber is adjusted, the air is removed in the gap G by placing the decompression chamber in a decompressed atmosphere, and the sealing material 7 enters from the end surface of the sealing substrate 8 to the end surface of the adhesive material 6 by capillary action. Then, the gap G is filled with the sealing material 7. Moreover, if the sealing material 7 is applied only to at least one end of the substrate, the sealing material 7 enters from the applied portion along the outer periphery of the adhesive material 6 in a reduced-pressure atmosphere, The outer periphery of the adhesive material 6 can be surrounded. The operation of fixing the sealing substrate 8 to the element substrate 4 with the sealing material 7 is performed, for example, in an inert gas such as nitrogen gas or argon gas or in a high vacuum, thereby sealing the element substrate 4 with the element substrate 4. Oxygen or moisture can be suppressed from being contained between the substrate 8 and the substrate 8.

次に、封止材7を硬化させて、有機EL素子9を含む表示領域D1を素子基板4、封止基板8及び封止材7にて封止する。なお、未硬化の状態の封止材7は、加熱されることによって硬化する。封止材7を硬化させる工程では、封止材7が接着材よりも硬化収縮することで、素子基板4と封止基板8を接着させることができ、接着材6の接着強度にとらわれず、接着材6の材料選択の自由度を確保することができる。また、封止材7の強化収縮により基板間が狭まることにより、素子基板4と封止基板8との間の距離を短くし、大気中から酸素又は水分が画素5内に浸入するのを抑制することができる。   Next, the sealing material 7 is cured, and the display region D <b> 1 including the organic EL element 9 is sealed with the element substrate 4, the sealing substrate 8, and the sealing material 7. The uncured sealing material 7 is cured by being heated. In the step of curing the sealing material 7, the sealing material 7 cures and shrinks more than the adhesive, so that the element substrate 4 and the sealing substrate 8 can be bonded, without being bound by the adhesive strength of the adhesive 6, The degree of freedom in selecting the material of the adhesive 6 can be ensured. Further, the distance between the element substrate 4 and the sealing substrate 8 is shortened by strengthening and shrinking the sealing material 7, and oxygen or moisture is prevented from entering the pixel 5 from the atmosphere. can do.

このようにして、有機ELパネル2を作製することができる。そして、有機ELパネル2の非表示領域D2上に駆動IC3を実装することで、有機ELディスプレイ1を作製することができる。   In this way, the organic EL panel 2 can be produced. Then, by mounting the drive IC 3 on the non-display area D2 of the organic EL panel 2, the organic EL display 1 can be manufactured.

加えて、本件では駆動ICの実装を先に行うことも可能である。従来のように駆動ICの実装を最後に行う場合、封止材が駆動IC実装部へ延伸しないように配慮する必要があり、その塗布量の制御に厳しい制限が生じていた。本実施例においては、減圧下での封止材塗布はIC実装後に行うことも可であり、その際に、ICが実装された部分に封止材が延伸したとしても性能上問題は生じない。また、IC実装部はその実装強度を補強するため、一般にその実装部分上部から樹脂を塗布するが、本実施例の封止材がそれを兼ねることも可能である。   In addition, in this case, the driving IC can be mounted first. When the drive IC is mounted last as in the prior art, it is necessary to consider that the sealing material does not extend to the drive IC mounting portion, which severely limits the control of the coating amount. In this embodiment, application of the sealing material under reduced pressure can be performed after mounting the IC. At that time, even if the sealing material extends to the portion where the IC is mounted, there is no problem in performance. . Further, in order to reinforce the mounting strength of the IC mounting portion, generally, resin is applied from the upper portion of the mounting portion, but the sealing material of this embodiment can also serve as this.

なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。   In addition, this invention is not limited to the above-mentioned form, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention.

本発明の実施形態に係る有機ELパネルを含む有機ELディスプレイの平面図である。1 is a plan view of an organic EL display including an organic EL panel according to an embodiment of the present invention. 有機ELパネルに分割する前の状態を示すマザー基板の平面図である。It is a top view of the mother board | substrate which shows the state before dividing | segmenting into an organic electroluminescent panel. マトリックス状に配列された画素の平面図である。It is a top view of the pixel arranged in the matrix form. 図4(A)は一つの画素の断面図であって、図4(B)は有機EL素子の簡略化した断面図である。4A is a cross-sectional view of one pixel, and FIG. 4B is a simplified cross-sectional view of an organic EL element. 駆動ICが実装される側であって、素子基板と封止基板の端部を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing the end of the element substrate and the sealing substrate on the side where the driving IC is mounted. 図6(A),図6(B),図6(C)は、本発明の実施形態に係る有機ELパネルを含む有機ディスプレイの製造工程を説明する画素の断面図である。6 (A), 6 (B), and 6 (C) are cross-sectional views of a pixel for explaining a manufacturing process of an organic display including an organic EL panel according to an embodiment of the present invention. 図7(A),図7(B),図7(C)は、本発明の実施形態に係る有機ELパネルを含む有機ディスプレイの製造工程を説明する画素の断面図である。FIG. 7A, FIG. 7B, and FIG. 7C are cross-sectional views of a pixel for explaining a manufacturing process of an organic display including an organic EL panel according to an embodiment of the present invention. 図8(A),図8(B)は、本発明の実施形態に係る有機ELパネルを含む有機ディスプレイの製造工程を説明する画素の断面図である。FIG. 8A and FIG. 8B are cross-sectional views of a pixel for explaining a manufacturing process of an organic display including an organic EL panel according to an embodiment of the present invention. 図9(A)は素子基板と封止基板とを貼り合わせる前の状態を示す素子基板と封止基板の断面図であって、図9(B)は素子基板と封止基板の切断箇所における両基板を貼り合わせる前の状態を示す素子基板と封止基板の断面図である。9A is a cross-sectional view of the element substrate and the sealing substrate showing a state before the element substrate and the sealing substrate are bonded to each other. FIG. 9B is a cross-sectional view of the element substrate and the sealing substrate. It is sectional drawing of the element substrate and sealing substrate which show the state before bonding both substrates. 図10(A)は素子基板と封止基板の切断箇所を示す両基板の断面図であって、図10(B)は素子基板と封止基板を切断した後の状態を示す両基板の端部の断面図である。FIG. 10A is a cross-sectional view of both the substrates showing the cut portions of the element substrate and the sealing substrate, and FIG. 10B is an end view of both substrates showing the state after the element substrate and the sealing substrate are cut. It is sectional drawing of a part. 図11(A)は封止基板の一端を切断した後の状態を示す素子基板と封止基板の端部の断面図であって、図11(B)は封止基板の端部に封止材を塗布した状態を示す素子基板と封止基板の端部の断面図である。FIG. 11A is a cross-sectional view of the element substrate and the end portion of the sealing substrate showing a state after one end of the sealing substrate is cut, and FIG. 11B is sealed at the end portion of the sealing substrate. It is sectional drawing of the edge part of the element substrate and sealing substrate which shows the state which apply | coated the material.

符号の説明Explanation of symbols

1 有機ELディスプレイ
2 有機ELパネル
3 駆動IC
4 素子基板
5 画素
6 接着材
7 封止材
8 封止基板
9 有機EL素子
10 隔壁
11 回路層
12 絶縁層
13 コンタクト電極層
14 平坦化膜
15 第1電極層
16 有機EL層
17 第2電極層
18 絶縁物
19 保護層
20 実装部
D1 表示領域
D2 非表示領域
R1 発光領域
R2 コンタクト領域
S コンタクトホール
M マザー基板
1 Organic EL Display 2 Organic EL Panel 3 Drive IC
DESCRIPTION OF SYMBOLS 4 Element substrate 5 Pixel 6 Adhesive material 7 Sealing material 8 Sealing substrate 9 Organic EL element 10 Partition 11 Circuit layer 12 Insulating layer 13 Contact electrode layer 14 Planarization film 15 1st electrode layer 16 Organic EL layer 17 2nd electrode layer 18 Insulator 19 Protective layer 20 Mounting part D1 Display area D2 Non-display area R1 Light emitting area R2 Contact area S Contact hole M Mother board

Claims (6)

中央領域に有機EL素子が設けられた素子基板と、前記素子基板に対向させた封止基板と、前記素子基板と前記封止基板との間であって前記有機EL素子の端部に隙間を設けるとともに、前記素子基板及び前記封止基板を貼り合わせる接着材と、を備えた基体を準備する工程と、
前記素子基板と前記封止基板との間の前記隙間に、減圧雰囲気中にて封止材を充填する工程と、
前記封止材を硬化させて、前記有機EL素子を前記素子基板、前記封止基板及び前記封止材にて封止する工程と、
を備えたことを特徴とする有機ELパネルの製造方法。
An element substrate provided with an organic EL element in a central region, a sealing substrate facing the element substrate, and a gap between the element substrate and the sealing substrate and at an end of the organic EL element Providing a base comprising: an adhesive that bonds the element substrate and the sealing substrate together; and
Filling the gap between the element substrate and the sealing substrate with a sealing material in a reduced pressure atmosphere;
Curing the sealing material and sealing the organic EL element with the element substrate, the sealing substrate and the sealing material;
A method for producing an organic EL panel, comprising:
請求項1に記載の有機ELパネルの製造方法において、
前記隙間に前記封止材を充填する工程では、前記封止材を前記封止基板の端面に塗布し、減圧雰囲気中に前記基体を設けることで、前記封止材が前記封止基板の端面から前記接着材の端面にまで進入して、前記隙間に前記封止材が充填されることを特徴とする有機ELパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the organic electroluminescent panel of Claim 1,
In the step of filling the gap with the sealing material, the sealing material is applied to an end surface of the sealing substrate, and the base is provided in a reduced-pressure atmosphere so that the sealing material is an end surface of the sealing substrate. To the end surface of the adhesive material, and the sealing material is filled in the gap.
請求項2に記載の有機ELパネルの製造方法において、
前記素子基板と前記封止基板との間の前記隙間は、前記有機EL素子を被覆する前記接着材を取り囲むように設けられており、
前記隙間に前記封止材を充填する工程では、前記封止基板の一端に塗布された前記封止材が、減圧雰囲気中にて前記接着材の外周に沿って進入し、前記接着材の外周を取り囲むことを特徴とする有機ELパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the organic electroluminescent panel of Claim 2,
The gap between the element substrate and the sealing substrate is provided so as to surround the adhesive covering the organic EL element,
In the step of filling the gap with the sealing material, the sealing material applied to one end of the sealing substrate enters along the outer periphery of the adhesive material in a reduced-pressure atmosphere, and the outer periphery of the adhesive material A method for manufacturing an organic EL panel, characterized in that
請求項1に記載の有機ELパネルの製造方法において、
前記封止材を硬化させる工程では、前記封止材に紫外線を照射することで前記封止材が硬化することを特徴とする有機ELパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the organic electroluminescent panel of Claim 1,
In the step of curing the sealing material, the sealing material is cured by irradiating the sealing material with ultraviolet rays.
請求項1に記載の有機ELパネルの製造方法において、
前記封止材を硬化させる工程では、前記封止材が前記接着材よりも硬化収縮することで、前記素子基板と前記封止基板を接着させることを特徴とする有機ELパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the organic electroluminescent panel of Claim 1,
In the step of curing the encapsulating material, the element substrate and the encapsulating substrate are adhered to each other when the encapsulating material cures and shrinks more than the adhesive material.
請求項1に記載の有機ELパネルの製造方法において、
前記接着材は、エポキシ樹脂から成り、前記封止材は、ハンダから成ることを特徴とする有機ELパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the organic electroluminescent panel of Claim 1,
The method for manufacturing an organic EL panel, wherein the adhesive material is made of an epoxy resin, and the sealing material is made of solder.
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