JP2009110776A

JP2009110776A - Method of manufacturing organic el display

Info

Publication number: JP2009110776A
Application number: JP2007280901A
Authority: JP
Inventors: Yasuyuki Tanba; 泰之丹波; Hiromitsu Ogawa; 浩充小川
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2007-10-29
Filing date: 2007-10-29
Publication date: 2009-05-21

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an organic EL display that stabilizes an electric connection between a contact electrode layer and a second electrode layer. <P>SOLUTION: The method of manufacturing the organic EL display includes: a step in which a substrate 2 is prepared which includes a first electrode layer 13, a contact electrode layer 11 arranged with a space with the first electrode layer 13, and an insulator 17 which is formed from over an end of the first electrode layer 13 through over an end of the contact electrode layer 11 and includes a gap G with the contact electrode layer 11; a step in which a charge injection layer 14 is formed from over the first electrode layer 13 through over the insulator 17; a step in which the charge injection layer 14 is filled in the gap G by heating the charge injection layer 14 to liquidate a part of the charge injection layer 14; a step in which an organic electroluminescent layer 15 is formed on the charge injection layer 14 positioned on the first electrode layer 13; and a step in which the second electrode layer 16 is formed from over the organic electroluminescent layer 15 through over the contact electrode layer 11 with the insulator 17 in-between. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機ＥＬディスプレイの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an organic EL display.

有機ＥＬディスプレイは、薄型、広視野角、低消費電力、優れた動画表示特性などの特色を有しており、複数個の画素をマトリックス状に配列して構成されたものが従来から知られている。 An organic EL display has features such as thinness, wide viewing angle, low power consumption, and excellent moving image display characteristics, and it has been conventionally known that a plurality of pixels are arranged in a matrix. Yes.

かかる画素には、有機ＥＬ素子が設けられており、有機ＥＬ素子は、素子基板上に形成される第１電極層と、第１電極層上に形成される有機発光層と、有機発光層上に形成される第２電極層と、から構成されている。なお、有機発光層は、有機材料から成る電荷注入層等の複数の層から構成されているものが一般的に用いられている。 Such a pixel is provided with an organic EL element. The organic EL element includes a first electrode layer formed on the element substrate, an organic light emitting layer formed on the first electrode layer, and an organic light emitting layer. And a second electrode layer formed on the substrate. In general, the organic light emitting layer is composed of a plurality of layers such as a charge injection layer made of an organic material.

有機発光層は、第１電極層及び第２電極層に電圧を加えて、第１電極層及び第２電極層から有機発光層に正孔及び電子を注入し、有機発光層中で正孔と電子が再結合することで、放出されるエネルギーの一部が有機発光層中の発光分子を励起する。そして、有機発光層は、その励起された発光分子が基底状態に戻るときにエネルギーを放出して光を発する。 The organic light emitting layer applies voltage to the first electrode layer and the second electrode layer, injects holes and electrons from the first electrode layer and the second electrode layer into the organic light emitting layer, and in the organic light emitting layer, As electrons recombine, part of the released energy excites the light emitting molecules in the organic light emitting layer. The organic light emitting layer emits energy by emitting energy when the excited light emitting molecules return to the ground state.

また、第２電極層は、第１電極層と間を空けて形成されるコンタクト電極層と電気的に接続されたものが開示されている（下記特許文献１参照）。特許文献１に示すように、第１電極層とコンタクト電極層との間には、両者が電気的に短絡しないように絶縁物が形成されている。さらに、その後、有機ＥＬ素子を形成するために、第１電極層上に有機発光層を、蒸着マスクを用いて塗り分けて形成している。
特開２００４−１１９２１０号公報 In addition, the second electrode layer is disclosed as being electrically connected to a contact electrode layer formed with a gap from the first electrode layer (see Patent Document 1 below). As shown in Patent Document 1, an insulator is formed between the first electrode layer and the contact electrode layer so that they are not electrically short-circuited. Further, thereafter, in order to form an organic EL element, an organic light emitting layer is separately formed on the first electrode layer using a vapor deposition mask.
JP 2004-119210 A

ところが、絶縁物とコンタクト電極層との間には隙間が形成されることがあり、第２電極層が絶縁物上からコンタクト電極層上に形成されると、その隙間による段差によって第２電極層が断線することがある。その結果、コンタクト電極層と第２電極層との間の電気的接続が不安定になり、有機ＥＬ素子が発光しないことがある。 However, a gap may be formed between the insulator and the contact electrode layer. When the second electrode layer is formed on the contact electrode layer from the insulator, the second electrode layer is formed by a step due to the gap. May break. As a result, the electrical connection between the contact electrode layer and the second electrode layer becomes unstable, and the organic EL element may not emit light.

また、有機ＥＬ素子を形成するために、第１電極層上に電荷注入層を形成する工程が存在するが、コンタクト電極層上に電荷注入層を構成する材料が被着しないように蒸着マスクを用いており、製造工程が煩雑化している。 In addition, in order to form an organic EL element, there is a step of forming a charge injection layer on the first electrode layer, but a vapor deposition mask is used so that the material constituting the charge injection layer is not deposited on the contact electrode layer. The manufacturing process is complicated.

本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、コンタクト電極層と第２電極層との電気的接続を安定にすることが可能な有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、製造工程を単純化することが可能な有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a method for manufacturing an organic EL display capable of stabilizing the electrical connection between a contact electrode layer and a second electrode layer. To do. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic EL display capable of simplifying the manufacturing process.

上記の課題を解決するため、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１電極層と、前記第１電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、前記第１電極層の端部上から前記コンタクト電極層の端部上にかけて形成され、且つ前記第１電極層の一部と前記コンタクト電極層の一部を露出し、前記コンタクト電極層との間に隙間を有する絶縁物と、を備えた基板を準備する工程と、前記第１電極層上から前記絶縁物上にかけて電荷注入層を形成する工程と、前記電荷注入層に熱を加えて、前記電荷注入層の一部を流動させ、前記隙間に前記電荷注入層を充填する工程と、前記第１電極層上に位置する前記電荷注入層上に、有機発光層を形成する工程と、前記有機発光層上から前記絶縁物上を介して前記コンタクト電極層上にかけて、第２電極層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, a method for manufacturing an organic EL display according to the present invention includes a first electrode layer, a contact electrode layer that is provided side by side with the first electrode layer, and an end of the first electrode layer. An insulator that is formed from the top of the contact electrode layer to an end of the contact electrode layer, exposes a part of the first electrode layer and a part of the contact electrode layer, and has a gap between the contact electrode layer; A step of preparing a substrate comprising: a step of forming a charge injection layer over the first electrode layer and the insulator; and applying heat to the charge injection layer to form a part of the charge injection layer Flowing, filling the gap with the charge injection layer, forming an organic light emitting layer on the charge injection layer located on the first electrode layer, and the insulator from above the organic light emitting layer Over the contact electrode layer Forming a second electrode layer, characterized by comprising a.

また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前記電荷注入層が、前記電荷注入層を構成する材料を蒸発する蒸着源を用いて蒸着法によって形成されるものであって、前記電荷注入層を形成する工程の前に、前記第１電極層及び前記コンタクト電極層の周囲を取り囲む絶縁体を形成する工程を備え、前記電荷注入層を形成する工程にて、前記絶縁体が、前記蒸着源から蒸発する前記電荷注入層を構成する材料から、前記コンタクト電極層を遮蔽した状態で、前記蒸着源から前記電荷注入層を構成する材料を蒸発させて、前記第１電極層上に前記電荷注入層を形成することを特徴とする。 Further, in the method for producing an organic EL display of the present invention, the charge injection layer is formed by a vapor deposition method using a vapor deposition source for evaporating a material constituting the charge injection layer, and the charge injection layer Before forming the first electrode layer and the contact electrode layer, and in the step of forming the charge injection layer, the insulator is the deposition source. The material constituting the charge injection layer is evaporated from the vapor deposition source in a state where the contact electrode layer is shielded from the material constituting the charge injection layer evaporating from the charge injection layer on the first electrode layer. A layer is formed.

また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前記絶縁体が、上部よりも下部が幅狭に形成されており、前記絶縁体の上面が前記蒸着源から蒸発した前記電荷注入層を構成する材料から前記コンタクト電極層を遮蔽することを特徴とする。 In the organic EL display manufacturing method of the present invention, the insulator is formed so that the lower part is narrower than the upper part, and the upper surface of the insulator constitutes the charge injection layer evaporated from the vapor deposition source. The contact electrode layer is shielded from a material.

また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前記電荷注入層を形成する工程では、前記絶縁体が、前記蒸着源と前記コンタクト電極層との間に配置されていること特徴とする。 In the method of manufacturing an organic EL display according to the present invention, in the step of forming the charge injection layer, the insulator is disposed between the vapor deposition source and the contact electrode layer.

また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１電極層と、前記第１電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、前記第１電極層及び前記コンタクト電極層の周囲を取り囲むように形成される絶縁体と、を備えた基板と準備する工程と、前記第１電極層上に電荷注入層を形成する工程と、を備えた有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、前記電荷注入層は、前記電荷注入層を構成する材料を蒸発する蒸着源を用いて蒸着法によって形成されるものであり、前記電荷注入層を形成する工程は、前記絶縁体が前記蒸着源と前記コンタクト電極層との間に配置されており、前記絶縁体が前記蒸着源から蒸発する前記電荷注入層を構成する材料から前記コンタクト電極層上を遮蔽した状態で、前記蒸着源が前記電荷注入層を構成する材料を蒸発し、前記第１電極層上に前記電荷注入層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 In addition, the manufacturing method of the organic EL display according to the present invention includes a first electrode layer, a contact electrode layer provided in parallel with the first electrode layer, and a periphery of the first electrode layer and the contact electrode layer. A method of manufacturing an organic EL display comprising: a substrate provided with an insulator formed to surround; and a step of forming a charge injection layer on the first electrode layer, The charge injection layer is formed by a vapor deposition method using a vapor deposition source that evaporates a material constituting the charge injection layer, and the step of forming the charge injection layer includes the insulator and the vapor deposition source. The vapor deposition source is disposed between the contact electrode layer, and the insulator is shielded from the material constituting the charge injection layer evaporated from the vapor deposition source. Configure Material is evaporated that, characterized by comprising a step of forming the charge injection layer on the first electrode layer.

本発明によれば、絶縁物とコンタクト電極層との間にて、第２電極層が断線するのを抑制することによって、コンタクト電極層と第２電極層との電気的接続を安定にすることができる有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することができる。また、製造工程を単純化することが可能な有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することができる。 According to the present invention, the electrical connection between the contact electrode layer and the second electrode layer is stabilized by suppressing the disconnection of the second electrode layer between the insulator and the contact electrode layer. The manufacturing method of the organic electroluminescent display which can be provided can be provided. Moreover, the manufacturing method of the organic electroluminescent display which can simplify a manufacturing process can be provided.

以下に、本発明について、図面を参照しつつ説明する。図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１の平面図である。図２は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの画素の平面図である。また、図３（Ａ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの画素の拡大断面図である。図３（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る絶縁物とコンタクト電極層との間の拡大断面図である。 The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of an organic EL display 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of a pixel of the organic EL display according to the embodiment of the present invention. FIG. 3A is an enlarged cross-sectional view of a pixel of the organic EL display according to the embodiment of the present invention. FIG. 3B is an enlarged cross-sectional view between the insulator and the contact electrode layer according to the embodiment of the present invention.

有機ＥＬディスプレイ１は、図１に示すように、テレビ等の家電機器、携帯電話又はコンピュータ機器等の電子機器に用いるものであり、基板としての素子基板２と、素子基板２上に複数の画素３と、かかる画素３の発光を制御する駆動ＩＣ４と、を含んで構成されている。 As shown in FIG. 1, the organic EL display 1 is used for a home appliance such as a television, an electronic device such as a mobile phone or a computer device, and includes an element substrate 2 as a substrate and a plurality of pixels on the element substrate 2. 3 and a driving IC 4 that controls the light emission of the pixel 3.

素子基板２は、例えばガラスやプラスチックから成り、素子基板２の中央に位置する表示領域Ｄ１には、マトリックス状に配列された複数の画素３が形成されている。また、素子基板２の端部に位置する非表示領域Ｄ２には、駆動ＩＣ４が実装されている。 The element substrate 2 is made of, for example, glass or plastic, and a plurality of pixels 3 arranged in a matrix are formed in the display region D1 located in the center of the element substrate 2. A driving IC 4 is mounted on the non-display area D2 located at the end of the element substrate 2.

画素３は、図２に示すように、発光領域Ｒ１とコンタクト領域Ｒ２とを含んで構成されており、発光領域Ｒ１に発光可能な有機ＥＬ素子５が設けられている。なお、各画素３は、絶縁体６によって仕切られている。絶縁体６は、後述する絶縁物１７上に形成され、画素３を取り囲むように配置されている。絶縁体６は、上部よりも下部が幅狭であって、例えばフェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料から成る。 As shown in FIG. 2, the pixel 3 includes a light emitting region R1 and a contact region R2, and an organic EL element 5 capable of emitting light is provided in the light emitting region R1. Each pixel 3 is partitioned by an insulator 6. The insulator 6 is formed on an insulator 17 which will be described later, and is disposed so as to surround the pixel 3. The insulator 6 is narrower at the lower part than at the upper part, and is made of an organic insulating material such as phenol resin, acrylic resin, or polyimide resin.

また、画素３は、赤色、緑色、青色のいずれかの色を発光することができる。このことは、後述するように有機ＥＬ素子５を構成する有機材料を選択することによって、発光する色を決定することができる。 The pixel 3 can emit any one of red, green, and blue colors. This can determine the light emission color by selecting an organic material constituting the organic EL element 5 as will be described later.

また、素子基板２上には、素子基板２に対して対向するように配置された封止基板７が形成されている。封止基板７は透明の基板から成り、例えばガラスやプラスチックを用いることができる。 In addition, a sealing substrate 7 is formed on the element substrate 2 so as to face the element substrate 2. The sealing substrate 7 is made of a transparent substrate, and for example, glass or plastic can be used.

さらに、素子基板２の表示領域Ｄ１には、表示領域Ｄ１を被覆するようにシール材８が形成されており、素子基板２と絶縁体６と封止基板７とシール材８によって各画素３を密封している。なお、シール材８は、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂又はシリコン樹脂等の光硬化性又は熱硬化性の樹脂を用いることができる。好ましくは、紫外線の照射により硬化する光硬化性のエポキシ樹脂を採用する。 Further, a sealing material 8 is formed in the display area D1 of the element substrate 2 so as to cover the display area D1, and each pixel 3 is formed by the element substrate 2, the insulator 6, the sealing substrate 7, and the sealing material 8. Sealed. Note that the sealing material 8 can be made of, for example, a photocurable or thermosetting resin such as an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, or a silicon resin. Preferably, a photocurable epoxy resin that is cured by irradiation with ultraviolet rays is employed.

次に、図３に示すように、素子基板２と封止基板７との間に形成される各種層について説明する。素子基板２上には、ＴＦＴや電気配線が形成されている回路層９と、回路層９上に回路層９を外部と電気的に絶縁するための窒化珪素等から成る絶縁層１０が形成されている。なお、回路層９の一部と、後述するコンタクト電極層１１とが電気的に接続されている。また、絶縁層１０上には、回路層９や絶縁層１０の凹凸を低減するための平坦化膜１２が形成されている。かかる平坦化膜１２は、例えばノボラック樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂等の絶縁性を有する有機材料を用いることができる。なお、平坦化膜１２の厚みは、例えば２μｍ以上、５μｍ以下に設定されている。 Next, as shown in FIG. 3, various layers formed between the element substrate 2 and the sealing substrate 7 will be described. On the element substrate 2, a circuit layer 9 on which TFTs and electric wirings are formed, and an insulating layer 10 made of silicon nitride or the like for electrically insulating the circuit layer 9 from the outside are formed on the circuit layer 9. ing. A part of the circuit layer 9 and a contact electrode layer 11 to be described later are electrically connected. A planarizing film 12 is formed on the insulating layer 10 to reduce the unevenness of the circuit layer 9 and the insulating layer 10. For the planarizing film 12, an organic material having an insulating property such as a novolac resin, an acrylic resin, an epoxy resin, or a silicon resin can be used. The thickness of the planarizing film 12 is set to, for example, 2 μm or more and 5 μm or less.

また、平坦化膜１２には、平坦化膜１２を貫通するコンタクトホールＳが形成されている。かかるコンタクトホールＳは、上部よりも下部が幅狭に形成されている。さらにコンタクトホールＳの内周面から平坦化膜１２の上面にかけて、例えば銅やアルミニウム等の導電材料から成るコンタクト電極層１１が形成されている。 Further, a contact hole S penetrating the planarizing film 12 is formed in the planarizing film 12. The contact hole S is formed so that the lower part is narrower than the upper part. Further, a contact electrode layer 11 made of a conductive material such as copper or aluminum is formed from the inner peripheral surface of the contact hole S to the upper surface of the planarizing film 12.

さらに、平坦化膜１２上には、有機ＥＬ素子５が形成されている。有機ＥＬ素子５は、第１電極層１３と、第１電極層１３上に形成された電荷注入層１４と、電荷注入層１４上に形成された有機発光層１５と、有機発光層１５上に形成された第２電極層１６と、を含んで構成されている。 Further, an organic EL element 5 is formed on the planarizing film 12. The organic EL element 5 includes a first electrode layer 13, a charge injection layer 14 formed on the first electrode layer 13, an organic light emitting layer 15 formed on the charge injection layer 14, and the organic light emitting layer 15. And the formed second electrode layer 16.

第１電極層１３は、平坦化膜１２上に形成されるとともに、コンタクト電極層１１と間を空けて併設されている。第１電極層１３は、例えばアルミニウム、銀、銅、金又はロジウム等の金属、又はこれらの合金等の光反射率の大きい材料から成る。このように、第１電極層１３を光反射率の大きい材料から構成することにより、トップエミッション型の有機ＥＬ素子５においては光取り出し効率を向上させることができる。なお、第１電極層１３の厚みは、例えば５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下に設定されている。 The first electrode layer 13 is formed on the planarizing film 12 and is provided side by side with the contact electrode layer 11. The first electrode layer 13 is made of a material having a high light reflectivity such as a metal such as aluminum, silver, copper, gold or rhodium, or an alloy thereof. In this manner, by configuring the first electrode layer 13 from a material having a high light reflectance, the light extraction efficiency can be improved in the top emission type organic EL element 5. The thickness of the first electrode layer 13 is set to, for example, 50 nm or more and 500 nm or less.

絶縁物１７は、平面視してコンタクト領域Ｒ２を取り囲むように形成されている。また、絶縁物１７は、断面視して第１電極層１３の端部上からコンタクト電極層１１の端部上にかけて形成されている。絶縁物１７は、その絶縁物１７の端部の一部が第１電極層１３と第２電極層１６との間に介在され、両者の短絡を防止している。なお、第１電極層１３の端部及びコンタクト電極層１１の端部とは、絶縁物１７の少なくとも一部が形成されうる箇所をいう。なお、絶縁物１７は、フェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料や、窒化珪素等の無機絶縁材料から成る。 The insulator 17 is formed so as to surround the contact region R2 in plan view. The insulator 17 is formed from the end of the first electrode layer 13 to the end of the contact electrode layer 11 in a cross-sectional view. The insulator 17 has a part of the end of the insulator 17 interposed between the first electrode layer 13 and the second electrode layer 16 to prevent a short circuit therebetween. Note that the end portion of the first electrode layer 13 and the end portion of the contact electrode layer 11 refer to locations where at least a part of the insulator 17 can be formed. The insulator 17 is made of an organic insulating material such as phenol resin, acrylic resin, or polyimide resin, or an inorganic insulating material such as silicon nitride.

また、絶縁物１７には、図３（Ｂ）に示すように、コンタクト電極層１１と間を空けるように隙間Ｇが形成されることがある。隙間Ｇは、例えば、絶縁物１７とコンタクト電極層１１との接着性が十分でない場合に発生すると考えられる。隙間Ｇの高さは、コンタクト電極層１１と絶縁物１７との間が最も空いている箇所においては、例えば５０ｎｍ以上空いていることがある。隙間Ｇが、絶縁物１７上からコンタクト電極層１１上にかけて形成される第２電極層１６の厚みよりも大きいと、第２電極層１６が断線することがある。後述するように、本発明の実施形態によれば、コンタクト電極層１１上に被着する電荷注入層１５を構成する材料を隙間Ｇに流入させることによって、第２電極層１６が断線するのを効果的に抑制することができる。 In addition, a gap G may be formed in the insulator 17 so as to be spaced from the contact electrode layer 11 as shown in FIG. The gap G is considered to occur when, for example, the adhesion between the insulator 17 and the contact electrode layer 11 is not sufficient. The height of the gap G may be, for example, 50 nm or more in a place where the space between the contact electrode layer 11 and the insulator 17 is the most vacant. If the gap G is larger than the thickness of the second electrode layer 16 formed from the insulator 17 to the contact electrode layer 11, the second electrode layer 16 may be disconnected. As will be described later, according to the embodiment of the present invention, the second electrode layer 16 is disconnected by causing the material constituting the charge injection layer 15 deposited on the contact electrode layer 11 to flow into the gap G. It can be effectively suppressed.

電荷注入層１４は、第１電極層１３の中央領域上から絶縁物１７上にかけて形成されている。第１電極層１３の中央領域上に形成される電荷注入層１４の厚みは、有機ＥＬ素子が発する光が屈折率や厚みに依存するため、所定の厚みに設計されている。また、コンタクト電極層１１上に電荷注入層１４が厚く形成されると、電荷注入層１４は有機材料から成るため電気抵抗が大きく、コンタクト電極層１１と第２電極層１６との間に印加する電圧が大きくなり、消費電力が増加してしまう。そのため、後述するような異方性蒸着法を用いて、コンタクト電極層１１の中央領域上に形成される電荷注入層１４の厚みを、第１電極層１３の中央領域上に形成される電荷注入層１４の厚みよりも薄く形成することもできる。なお、第１電極層１３の中央領域とは、有機発光層１５が形成される領域をいう。また、コンタクト電極層１１の中央領域とは、コンタクト電極層１１と第２電極層１６とが電気的に接続される流域をいう。なお、コンタクト電極層１１と第２電極層１６との間に被着する電荷注入層の厚みは、例えば３０ｎｍ以下に形成されている。また、コンタクト電極層１１と第２電極層１６との間の電気抵抗は、例えば１×１０^７Ω以下に設定されている。 The charge injection layer 14 is formed from the central region of the first electrode layer 13 to the insulator 17. The thickness of the charge injection layer 14 formed on the central region of the first electrode layer 13 is designed to be a predetermined thickness because the light emitted from the organic EL element depends on the refractive index and the thickness. Further, when the charge injection layer 14 is formed thick on the contact electrode layer 11, the charge injection layer 14 is made of an organic material, so that the electric resistance is large and is applied between the contact electrode layer 11 and the second electrode layer 16. The voltage increases and the power consumption increases. Therefore, the thickness of the charge injection layer 14 formed on the central region of the contact electrode layer 11 is set to the charge injection formed on the central region of the first electrode layer 13 by using an anisotropic vapor deposition method as will be described later. It can also be formed thinner than the thickness of the layer 14. The central region of the first electrode layer 13 refers to a region where the organic light emitting layer 15 is formed. Further, the central region of the contact electrode layer 11 refers to a flow region where the contact electrode layer 11 and the second electrode layer 16 are electrically connected. Note that the thickness of the charge injection layer deposited between the contact electrode layer 11 and the second electrode layer 16 is, for example, 30 nm or less. Further, the electrical resistance between the contact electrode layer 11 and the second electrode layer 16 is set to 1 × 10 ⁷ Ω or less, for example.

かかる電荷注入層１４は、例えばＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス[Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ]ビフェニル（α−ＮＰＤ）等の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、および４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等のスターバースト芳香族やアミン化合物を用いることができる。なお、第１電極層１３の中央領域上に形成される電荷注入層１４の厚みは、例えば１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下に設計されている。 The charge injection layer 14 is formed of, for example, N, N′-bis (3-methylphenyl)-(1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine (TPD), 4,4′-bis [N- ( Aromatic diamine compounds such as naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl (α-NPD), oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, imidazolone, stilbene derivative, pyrazoline derivative, tetrahydroimidazole, polyarylalkane, butadiene, and Starburst aromatics and amine compounds such as 4,4 ′, 4 ″ -tris (N- (3-methylphenyl) N-phenylamino) triphenylamine (m-MTDATA) can be used. The thickness of the charge injection layer 14 formed on the central region of the electrode layer 13 is, for example, 10 nm or more and 50 n It is designed to be below.

有機発光層１５は、例えばＣＢＰ、Ａｌｑ_３又はＳＤＰＶＢｉ等の発光樹脂、またはこれらにＤＣＪＴＢ、クマリン、キナクリドン、スチリルアミン又はペルリン等の添加物を含有したものを用いることができる。なお、有機発光層１５と第２電極層１６との間に、例えばα‐ＮＰＤ又はＴＰＤ等の輸送層、酸化ニッケル、酸化チタン、フッ化炭素又はＣｕＰｃ等の注入層を、介在させることができる。 As the organic light emitting layer 15, for example, a light emitting resin such as CBP, Alq ₃ or SDPVBi, or a material containing an additive such as DCJTB, coumarin, quinacridone, styrylamine or perlin can be used. A transport layer such as α-NPD or TPD, or an injection layer such as nickel oxide, titanium oxide, fluorocarbon, or CuPc can be interposed between the organic light emitting layer 15 and the second electrode layer 16. .

第２電極層１６は、光と透過する導電材料から、有機発光層１５上から絶縁物１７上まで延在されており、該延在部がコンタクト電極層１１と直接接続されている。第２電極層１６は、例えばＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明電極や、プラチナ、金、ニッケル、銀又は銅や、これらの合金から成る。 The second electrode layer 16 extends from a light-transmitting conductive material from the organic light emitting layer 15 to the insulator 17, and the extending portion is directly connected to the contact electrode layer 11. The 2nd electrode layer 16 consists of transparent electrodes, such as ITO or IZO, platinum, gold | metal | money, nickel, silver, copper, or these alloys, for example.

以下に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１の製造方法について、図４から図９を用いて詳細に説明する。なお、図７（Ｂ）、図８（Ｂ）及び図９（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１を製造するための工程を説明するために、簡略化した図面を用いている。 Below, the manufacturing method of the organic electroluminescent display 1 which concerns on embodiment of this invention is demonstrated in detail using FIGS. 7B, FIG. 8B, and FIG. 9B use simplified drawings in order to explain the steps for manufacturing the organic EL display 1 according to the embodiment of the present invention. ing.

まず、回路層９と、絶縁層１０とを上面に有する素子基板２を準備する。なお、回路層９及び絶縁層１０は、従来周知のＣＶＤ法、スパッタリング法やフォトリソグラフィー法等の薄膜加工技術を用いて、所定パターンに形成される。 First, the element substrate 2 having the circuit layer 9 and the insulating layer 10 on the upper surface is prepared. The circuit layer 9 and the insulating layer 10 are formed in a predetermined pattern by using a conventionally known thin film processing technique such as a CVD method, a sputtering method, or a photolithography method.

そして、図４（Ａ）に示すように、回路層９及び絶縁層１０を被覆するように例えば従来周知のスピンコート法を用いて、有機樹脂膜１２ａを形成する。なお、有機樹脂膜１２ａは、硬化後に平坦化膜１２となる。 Then, as shown in FIG. 4A, an organic resin film 12a is formed by using a conventionally known spin coating method so as to cover the circuit layer 9 and the insulating layer 10, for example. The organic resin film 12a becomes the planarizing film 12 after curing.

次に、有機樹脂膜１２ａ上に露光マスクを用いて有機樹脂膜１２ａを露光し、さらに現像、ベーキング処理を行い、図４（Ｂ）に示すように、回路層９の一部を露出させて、上部よりも下部が幅狭なコンタクトホールＳを有する平坦化膜１２を形成する。その後、平坦化膜１２上に、例えばアルミニウムから成る金属膜を形成する。そして、図４（Ｃ）に示すように、露出した金属膜に対して、従来周知のエッチング方法を行うことで、パターニングして、第１電極層１３及びコンタクト電極層１１を同時に形成することができる。 Next, the organic resin film 12a is exposed on the organic resin film 12a by using an exposure mask, and further developed and baked to expose a part of the circuit layer 9 as shown in FIG. Then, the planarization film 12 having the contact hole S whose lower part is narrower than the upper part is formed. Thereafter, a metal film made of, for example, aluminum is formed on the planarizing film 12. Then, as shown in FIG. 4C, the first metal layer 13 and the contact electrode layer 11 can be simultaneously formed by patterning the exposed metal film by performing a conventionally known etching method. it can.

次に、図５（Ａ）に示すように、例えばスピンコート法を用いて、第１電極層１３、コンタクト電極層１１及び露出した平坦化膜１２上に、絶縁物１７となりうる有機絶縁材料を被着し、有機絶縁材料層１７ａを形成する。そして、図５（Ｂ）に示すように、有機絶縁材料層１７ａに対してフォトマスクＭ１を対向させるとともに、フォトマスクＭ１の開口Ｈ１箇所が、平面視してエッチングする有機絶縁材料層１７ａの領域と重なるように配置する。そして、フォトマスクＭ１の開口Ｈ１を介して、有機絶縁材料層１７ａに光を照射する。なお、光が照射された有機絶縁材料層１７ａの露光箇所は、１７ｍとする。そして、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）等の現像液によって、有機絶縁材料層１７ａの露光箇所１７ｍを取り除く。その結果、図６（Ａ）に示すように、素子基板２上に絶縁体１７を形成することができる。次に、図６（Ｂ）に示すように、絶縁物１９上に、従来周知の薄膜加工技術を用いて、上部よりも下部が幅狭な絶縁体６を形成する。かかる絶縁体６は、各画素３を取り囲むように形成される。 Next, as shown in FIG. 5A, an organic insulating material that can become an insulator 17 is formed on the first electrode layer 13, the contact electrode layer 11, and the exposed planarizing film 12 by using, for example, a spin coating method. The organic insulating material layer 17a is formed by deposition. Then, as shown in FIG. 5B, the photomask M1 is opposed to the organic insulating material layer 17a, and the opening H1 portion of the photomask M1 is a region of the organic insulating material layer 17a that is etched in plan view. Arrange so as to overlap. Then, the organic insulating material layer 17a is irradiated with light through the opening H1 of the photomask M1. The exposed portion of the organic insulating material layer 17a irradiated with light is 17 m. Then, the exposed portion 17m of the organic insulating material layer 17a is removed with a developer such as tetramethylammonium hydroxide (TMAH) or potassium hydroxide (KOH). As a result, the insulator 17 can be formed over the element substrate 2 as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 6B, the insulator 6 having a lower width than the upper portion is formed on the insulator 19 by using a conventionally known thin film processing technique. The insulator 6 is formed so as to surround each pixel 3.

絶縁体１７を形成する際、例えば、現像液によって、絶縁体１７とコンタクト電極層１１との間に、現像液が滲みこんで隙間が形成されることがある。また、環境温度の変化によって、絶縁体１７が収縮して、絶縁体１７とコンタクト電極層１１との間で、隙間が生じることがある。さらに、コンタクト電極層１１と絶縁体１７との間に、コンタクト電極層１１の表面を保護するためのモリブデン等の保護膜を介在させていた場合、保護膜と絶縁体１７との密着力が弱く、絶縁体１７の端部に隙間が形成されることがある。上述したように、かかる隙間によって、絶縁体１７上からコンタクト電極層１１上にかけて形成される第２電極層１６が断線する虞がある。そこで、図７（Ａ）に示すように、第１電極層１３上に形成される電荷注入層１４を、絶縁体１７上からコンタクト電極層上１１にかけて形成し、電荷注入層１４の一部を隙間に充填することによって、第２電極層１６の断線の問題を事前に防止することができる。具体的な問題解決方法としては、まずは、第１電極層１３上から絶縁体１７上を介してコンタクト電極層１１上にかけて電荷注入層１４を形成する。さらに、電荷注入層１４に対して、電荷注入層１４を構成する材料のガラス転移点以上の温度であって、素子基板２上に形成されるその他の構成物が劣化することがない温度未満の熱を加えて、電荷注入層１４を流動させる。なお、電荷注入層１４に対して加える熱の温度は、例えば１００度以上、２００度以下である。そして、コンタクト電極層１１上に被着した電荷注入層１４の一部が、絶縁体１７とコンタクト電極層１１との間の隙間に進入して、隙間を電荷注入層１４の一部によって充填することができる。そうすることで、絶縁体１７上からコンタクト電極層１１上にかけて形成する第２電極層１６のステップカバレッジを良好にすることができ、第２電極層１６の断線を抑制することができる。 When the insulator 17 is formed, for example, the developer may ooze out between the insulator 17 and the contact electrode layer 11 due to the developer, thereby forming a gap. In addition, the insulator 17 contracts due to a change in the environmental temperature, and a gap may be generated between the insulator 17 and the contact electrode layer 11. Furthermore, when a protective film such as molybdenum for protecting the surface of the contact electrode layer 11 is interposed between the contact electrode layer 11 and the insulator 17, the adhesion between the protective film and the insulator 17 is weak. A gap may be formed at the end of the insulator 17. As described above, there is a possibility that the second electrode layer 16 formed from the insulator 17 to the contact electrode layer 11 is disconnected by the gap. Therefore, as shown in FIG. 7A, a charge injection layer 14 formed on the first electrode layer 13 is formed from the insulator 17 to the contact electrode layer 11, and a part of the charge injection layer 14 is formed. By filling the gap, the problem of disconnection of the second electrode layer 16 can be prevented in advance. As a specific problem solving method, first, the charge injection layer 14 is formed from the first electrode layer 13 to the contact electrode layer 11 via the insulator 17. Further, the temperature is higher than the glass transition point of the material constituting the charge injection layer 14 with respect to the charge injection layer 14 and less than the temperature at which other components formed on the element substrate 2 do not deteriorate. Heat is applied to cause the charge injection layer 14 to flow. The temperature of heat applied to the charge injection layer 14 is, for example, not less than 100 degrees and not more than 200 degrees. A part of the charge injection layer 14 deposited on the contact electrode layer 11 enters the gap between the insulator 17 and the contact electrode layer 11, and the gap is filled with a part of the charge injection layer 14. be able to. By doing so, the step coverage of the second electrode layer 16 formed from the insulator 17 to the contact electrode layer 11 can be improved, and disconnection of the second electrode layer 16 can be suppressed.

また、電荷注入層１４を形成する方法は、コンタクト電極層１１と第２電極層１６との間の電気抵抗を小さくするために、異方性蒸着法が好ましい。つまり、コンタクト電極層１１と第２電極層１６との間に被着する電荷注入層１４の厚みを薄くすることで、コンタクト電極層１１と第２電極層１６との間の電気抵抗を抑制し、電圧降下を小さくして、それにより電源電圧も下げることが可能となるので、結果として消費電力を抑制することができる。電荷注入層１４の具体的な形成方法を、図７（Ｂ）を用いて説明する。ここで、電荷注入層１４を構成する材料を蒸発させる蒸着源を蒸着源Ｖ１とする。また、絶縁体６が形成されており、電荷注入層１４を形成する前の素子基板２を用いる。まず、素子基板２上のコンタクト領域Ｒ２上に電荷注入層１４を構成する材料が薄く被着するように、素子基板２と蒸着源Ｖ１とを正対しない位置に配置して、絶縁体６を蒸着源Ｖ１とコンタクト領域Ｒ２との間に介在されるようにする。そして、蒸着源Ｖ１から電荷注入層１４を構成する材料を蒸発させると、絶縁体６が蒸着源Ｖ１から蒸発する材料を遮蔽して、コンタクト領域Ｒ２上に材料が被着するのを抑制する。そうすることによって、発光領域Ｒ１に対応する第１電極層１３上に、所望の膜厚の電荷注入層１４を形成するとともに、絶縁体１７上からコンタクト電極層１１上にかけて、発光領域Ｒ１に比べ薄い膜厚の電荷注入層１４を構成することができる。絶縁体６は、上部よりも下部が幅狭であるため、絶縁体６の上面によって蒸着物を効果的に遮蔽することができ、コンタクト領域Ｒ２に電荷注入層１４を構成する材料が被着するのを有効に抑制することができる。その結果、第２電極層１６とコンタクト電極層１１との間の電気抵抗を小さくすることができる。さらに、上述したように、電荷注入層１４に熱を加えて、絶縁体１７上に被着した電荷注入層１４の一部を流動させ、隙間Ｇに電荷注入層１４の一部を充填させることができる。また、コンタクト電極層１１上に被着した電荷注入層１４の一部を流動させて、隙間Ｇに充填することもある。 Further, the method of forming the charge injection layer 14 is preferably an anisotropic vapor deposition method in order to reduce the electrical resistance between the contact electrode layer 11 and the second electrode layer 16. That is, by reducing the thickness of the charge injection layer 14 deposited between the contact electrode layer 11 and the second electrode layer 16, the electrical resistance between the contact electrode layer 11 and the second electrode layer 16 is suppressed. Since the voltage drop can be reduced and thereby the power supply voltage can be lowered, the power consumption can be suppressed as a result. A specific method for forming the charge injection layer 14 will be described with reference to FIG. Here, an evaporation source for evaporating the material constituting the charge injection layer 14 is an evaporation source V1. In addition, the element substrate 2 on which the insulator 6 is formed and before the charge injection layer 14 is formed is used. First, the element substrate 2 and the vapor deposition source V1 are arranged at positions not facing each other so that the material constituting the charge injection layer 14 is thinly deposited on the contact region R2 on the element substrate 2, and the insulator 6 is disposed. It is interposed between the vapor deposition source V1 and the contact region R2. When the material constituting the charge injection layer 14 is evaporated from the vapor deposition source V1, the insulator 6 shields the material evaporated from the vapor deposition source V1 and suppresses the material from being deposited on the contact region R2. By doing so, the charge injection layer 14 having a desired film thickness is formed on the first electrode layer 13 corresponding to the light emitting region R1, and compared with the light emitting region R1 from the insulator 17 to the contact electrode layer 11. A thin charge injection layer 14 can be formed. Since the insulator 6 is narrower at the lower portion than the upper portion, the deposited material can be effectively shielded by the upper surface of the insulator 6 and the material constituting the charge injection layer 14 is deposited on the contact region R2. Can be effectively suppressed. As a result, the electrical resistance between the second electrode layer 16 and the contact electrode layer 11 can be reduced. Furthermore, as described above, heat is applied to the charge injection layer 14 to cause a part of the charge injection layer 14 deposited on the insulator 17 to flow, and to fill the gap G with a part of the charge injection layer 14. Can do. In addition, a part of the charge injection layer 14 deposited on the contact electrode layer 11 may flow to fill the gap G.

次に、図８（Ａ）に示すように、電荷注入層１４上に、有機発光層１５を形成する。具体的には、図８（Ｂ）に示すように、素子基板２に対して有機発光層１５を構成する材料を蒸発させる蒸着源Ｖ２を対向配置する。そして、素子基板２に蒸着マスクＭ２の開口部Ｈ２を介して、素子基板２上に有機発光層１５を形成する。なお、蒸着マスクＭ２を用いて、有機発光層１５が、赤色、緑色、青色と発光する色に応じた有機材料を塗り分けることができる。 Next, as shown in FIG. 8A, an organic light emitting layer 15 is formed on the charge injection layer 14. Specifically, as shown in FIG. 8B, an evaporation source V2 for evaporating the material constituting the organic light emitting layer 15 is disposed opposite to the element substrate 2. Then, the organic light emitting layer 15 is formed on the element substrate 2 through the opening H2 of the vapor deposition mask M2 on the element substrate 2. In addition, the organic light emitting layer 15 can apply | coat the organic material according to the color which light-emits red, green, and blue separately using the vapor deposition mask M2.

次に、図９（Ａ）に示すように、有機発光層１５上からコンタクト電極層１１上にかけて、第２電極層１６を形成する。具体的には、図９（Ｂ）に示すように、素子基板２に対して第２電極層１６を構成する材料を蒸発させる蒸着源Ｖ３を対向配置する。第２電極層１６を構成する際は、蒸着マスクを用いることなく、有機発光層１５上及びコンタクト電極層１１上に第２電極層１６を形成することができる。そして、コンタクト電極層１１と第２電極層１７とが接続することができ、コンタクト電極層１１と第２電極層１７との間の電気的接続を安定にすることができる。 Next, as shown in FIG. 9A, the second electrode layer 16 is formed from the organic light emitting layer 15 to the contact electrode layer 11. Specifically, as illustrated in FIG. 9B, the vapor deposition source V <b> 3 that evaporates the material constituting the second electrode layer 16 is disposed opposite to the element substrate 2. When configuring the second electrode layer 16, the second electrode layer 16 can be formed on the organic light emitting layer 15 and the contact electrode layer 11 without using a vapor deposition mask. The contact electrode layer 11 and the second electrode layer 17 can be connected, and the electrical connection between the contact electrode layer 11 and the second electrode layer 17 can be stabilized.

このようにして、有機ＥＬ素子５を形成することができる。そして、図３（Ａ）に示すように、有機ＥＬ素子５が形成された素子基板２に対して、封止基板７を対向配置し、両者をシール材８を介して接着する。なお、封止基板７をシール材８によって、素子基板２に固定する作業は、例えば窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガス中や、高真空中で行うことによって、素子基板２と封止基板７との間に酸素や水分が含まれるのを抑制することができる。 In this way, the organic EL element 5 can be formed. Then, as shown in FIG. 3A, a sealing substrate 7 is disposed opposite to the element substrate 2 on which the organic EL element 5 is formed, and both are bonded via a sealing material 8. The operation of fixing the sealing substrate 7 to the element substrate 2 with the sealing material 8 is performed in an inert gas such as nitrogen gas or argon gas or in a high vacuum, for example, so that the element substrate 2 and the sealing substrate are fixed. It is possible to suppress oxygen and moisture from being contained between the two.

そして、非表示領域Ｄ２に駆動ＩＣ４を実装することで、有機ＥＬディスプレイ１を作製することができる。 Then, the organic EL display 1 can be manufactured by mounting the driving IC 4 in the non-display area D2.

上述したように、本発明の実施形態によれば、絶縁物１７とコンタクト電極層１１との間の隙間Ｇに、電荷注入層１４の一部を充填させることができる。そのため、絶縁物１７とコンタクト電極層１１上に形成する第２電極層１６のステップカバレッジを良好にすることができ、第２絶縁層１６の断線を抑制することができ、コンタクト電極層１１と第２電極層１６との電気的接続を安定にすることができる。 As described above, according to the embodiment of the present invention, the gap G between the insulator 17 and the contact electrode layer 11 can be filled with a part of the charge injection layer 14. Therefore, the step coverage of the second electrode layer 16 formed on the insulator 17 and the contact electrode layer 11 can be improved, and disconnection of the second insulating layer 16 can be suppressed. The electrical connection with the two-electrode layer 16 can be stabilized.

また、従来技術である図１０に示すように、電荷注入層１４を形成する際に、コンタクト領域Ｒ２をマスクｍにて被覆するマスキング工程が必要であったが、本発明の実施形態に係る電荷注入層１４の形成方法によれば、マスキング工程を省略することができる。従来技術によれば、微細なコンタクト電極層のみをマスキングするのは、位置合わせが難しく、画素が小さくなるにつれさらにコンタクト電極層も小さくなり、マスキングすることは困難な作業となる。また、マスキングの位置合わせがずれると、コンタクト電極層の表面を被覆するように有機材料が被着することがある。その結果、コンタクト電極層と第２電極層との間の電気的接続が不安定になることがある。一方、本発明の実施形態に係る電荷注入層１４の形成方法によれば、製造工程を単純化することによって、生産性を向上させることができる。 Further, as shown in FIG. 10 showing the prior art, a masking process for covering the contact region R2 with the mask m is necessary when forming the charge injection layer 14, but the charge according to the embodiment of the present invention is required. According to the method for forming the injection layer 14, the masking step can be omitted. According to the prior art, masking only a fine contact electrode layer is difficult to align, and as the pixels become smaller, the contact electrode layer also becomes smaller, which makes it difficult to mask. Further, when the masking alignment is shifted, an organic material may be deposited so as to cover the surface of the contact electrode layer. As a result, the electrical connection between the contact electrode layer and the second electrode layer may become unstable. On the other hand, according to the method for forming the charge injection layer 14 according to the embodiment of the present invention, productivity can be improved by simplifying the manufacturing process.

なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。 In addition, this invention is not limited to the above-mentioned form, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention.

本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの平面図である。It is a top view of the organic electroluminescent display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る画素の拡大平面図である。It is an enlarged plan view of a pixel according to an embodiment of the present invention. 図３（Ａ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の拡大断面図であって、図３（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る絶縁体とコンタクト電極層との間の隙間を示す拡大断面図である。3A is an enlarged cross-sectional view of the organic EL element according to the embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a gap between the insulator and the contact electrode layer according to the embodiment of the present invention. FIG. 図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図である。4 (A), 4 (B), and 4 (C) are cross-sectional views of one pixel for explaining a manufacturing process of the organic EL display according to the embodiment of the present invention. 図５（Ａ）、図５（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図である。5A and 5B are cross-sectional views of one pixel for explaining a manufacturing process of the organic EL display according to the embodiment of the present invention. 図６（Ａ）、図６（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図である。6A and 6B are cross-sectional views of one pixel for explaining a manufacturing process of the organic EL display according to the embodiment of the present invention. 図７（Ａ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図であって、図７（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る電荷注入層の形成方法を説明する断面配置図である。FIG. 7A is a cross-sectional view of one pixel for explaining the manufacturing process of the organic EL display according to the embodiment of the present invention, and FIG. 7B shows the charge injection layer according to the embodiment of the present invention. It is a cross-sectional arrangement drawing explaining a formation method. 図８（Ａ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図であって、図８（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機発光層の形成方法を説明する断面配置図である。FIG. 8A is a cross-sectional view of one pixel for explaining a manufacturing process of the organic EL display according to the embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a diagram of the organic light emitting layer according to the embodiment of the present invention. It is a cross-sectional arrangement drawing explaining a formation method. 図９（Ａ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図であって、図９（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る第２電極層の形成方法を説明する断面配置図である。FIG. 9A is a cross-sectional view of one pixel for explaining a manufacturing process of the organic EL display according to the embodiment of the present invention, and FIG. 9B is a second electrode layer according to the embodiment of the present invention. It is a cross-sectional arrangement drawing explaining the formation method. 従来技術を説明する図面であって、従来の電荷注入層の形成方法を説明する平面図である。It is drawing explaining a prior art, Comprising: It is a top view explaining the formation method of the conventional charge injection layer.

Explanation of symbols

１有機ＥＬディスプレイ
２素子基板
３画素
４駆動ＩＣ
５有機ＥＬ素子
６絶縁体
７封止基板
８シール材
９回路層
１０絶縁層
１１コンタクト電極層
１２平坦化膜
１３第１電極層
１４電荷注入層
１５有機発光層
１６第２電極層
１７絶縁物
Ｄ１表示領域
Ｄ２非表示領域
Ｒ１発光領域
Ｒ２コンタクト領域
Ｓコンタクトホール
Ｇ隙間 1 Organic EL Display 2 Element Substrate 3 Pixel 4 Drive IC
DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 Organic EL element 6 Insulator 7 Sealing substrate 8 Sealing material 9 Circuit layer 10 Insulating layer 11 Contact electrode layer 12 Planarization film 13 1st electrode layer 14 Charge injection layer 15 Organic light emitting layer 16 2nd electrode layer 17 Insulator D1 Display area D2 Non-display area R1 Light emitting area R2 Contact area S Contact hole G Gap

Claims

A first electrode layer; a contact electrode layer provided side by side with the first electrode layer; and an end portion of the first electrode layer and an end portion of the contact electrode layer; and the first electrode layer Preparing a substrate comprising a part of an electrode layer and a part of the contact electrode layer exposed, and an insulator having a gap between the contact electrode layer;
Forming a charge injection layer over the first electrode layer and the insulator;
Applying heat to the charge injection layer to flow a part of the charge injection layer and filling the gap with the charge injection layer;
Forming an organic light emitting layer on the charge injection layer located on the first electrode layer;
Forming a second electrode layer from the organic light emitting layer to the contact electrode layer through the insulator;
A method for producing an organic EL display, comprising:

In the manufacturing method of the organic electroluminescent display of Claim 1,
The charge injection layer is formed by a vapor deposition method using a vapor deposition source that evaporates a material constituting the charge injection layer,
Before the step of forming the charge injection layer,
Forming an insulator surrounding the first electrode layer and the contact electrode layer;
In the step of forming the charge injection layer, the insulator is shielded from the material constituting the charge injection layer evaporated from the vapor deposition source and the contact electrode layer is shielded from the vapor deposition source to the charge injection layer. The method of manufacturing an organic EL display is characterized in that the charge injection layer is formed on the first electrode layer by evaporating a material constituting the substrate.

In the manufacturing method of the organic electroluminescent display of Claim 2,
The insulator is formed such that the lower part is narrower than the upper part,
A method for manufacturing an organic EL display, wherein the upper surface of the insulator shields the contact electrode layer from a material constituting the charge injection layer evaporated from the vapor deposition source.

In the manufacturing method of the organic electroluminescent display of Claim 2,
In the step of forming the charge injection layer, the insulator is disposed between the vapor deposition source and the contact electrode layer.

A first electrode layer; a contact electrode layer provided side by side with the first electrode layer; and an insulator formed to surround the first electrode layer and the contact electrode layer. A step of preparing with a substrate;
Forming a charge injection layer on the first electrode layer;
An organic EL display manufacturing method comprising:
The charge injection layer is formed by a vapor deposition method using a vapor deposition source that evaporates a material constituting the charge injection layer,
In the step of forming the charge injection layer, the insulator is disposed between the vapor deposition source and the contact electrode layer, and the insulator is evaporated from the material constituting the charge injection layer evaporated from the vapor deposition source. In a state where the contact electrode layer is shielded, the evaporation source evaporates a material constituting the charge injection layer, and forms the charge injection layer on the first electrode layer;
A method for producing an organic EL display, comprising: