JP5155067B2 - Image display device - Google Patents
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 10
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 88
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 42
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 14
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 11
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- DVNOWTJCOPZGQA-UHFFFAOYSA-N 9-[3,5-di(carbazol-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=C1 DVNOWTJCOPZGQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- -1 phenyl-kC] (2 Chemical class 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N triphenyl-(4-triphenylsilylphenyl)silane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si](C=1C=CC(=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical class C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229940045985 antineoplastic platinum compound Drugs 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- PPTSBERGOGHCHC-UHFFFAOYSA-N boron lithium Chemical compound [Li].[B] PPTSBERGOGHCHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZKRXPZXQLARHH-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=CC=CC1=CC=CC=C1 XZKRXPZXQLARHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002504 iridium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 150000003058 platinum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XQKGOOYAZCXERG-UHFFFAOYSA-N triphenyl-(2-triphenylsilylphenyl)silane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si](C=1C(=CC=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XQKGOOYAZCXERG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSVXWCZFSFKRDO-UHFFFAOYSA-N triphenyl-(3-triphenylsilylphenyl)silane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si](C=1C=C(C=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XSVXWCZFSFKRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本発明は、画像表示装置に関する。 The present invention relates to an image display device.
画像表示装置としては、複数の画素（sub pixel）で構成する絵素（pixel）を縦横のマトリックス状に配列したものが一般的に用いられている。 As an image display device, a device in which picture elements (pixels) composed of a plurality of pixels (sub pixels) are arranged in a vertical and horizontal matrix is generally used.
複数の画素が異なる色の光を発することにより、画像を表示することができる。有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）を用いた画像表示装置では、画素の発する光の色を異ならせるために、蒸着マスクを用いて、画素ごとに画素を構成する発光層を塗り分ける技術が知られている。 An image can be displayed when a plurality of pixels emit light of different colors. In an image display device using organic EL (electroluminescence), a technique is known in which a light-emitting layer constituting a pixel is painted for each pixel by using a vapor deposition mask in order to change the color of light emitted from the pixel. .
発光層を塗り分けるために、画素の一部に孤立してあるいは周囲を囲むようにスペーサーが設けられ、そのスペーサー上に蒸着マスクを載置して、必要な箇所に発光層を構成する蒸着材料を被着させる技術が提案されている（下記特許文献１参照）。また、蒸着時に蒸着マスクと接触箇所を減らすために、画素の一部に孤立してスペーサーを設ける技術が提案されている（下記特許文献２参照）。
ところが、上述した特許文献１、２に記載の技術であっては、各画素の形状が同一になっているため、発光層を形成する領域に制限がかかり、発光領域を大きくすることが困難であった。 However, in the techniques described in Patent Documents 1 and 2 described above, since the shape of each pixel is the same, the region where the light emitting layer is formed is limited, and it is difficult to enlarge the light emitting region. there were.
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、画素の発光領域を大きくすることが可能な画像表示装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an image display device capable of increasing the light emitting area of a pixel.
本発明の一実施形態に係る画像表示装置は、複数の画素で構成する絵素を備えた画像表示装置において、前記絵素は第一方向及び第二方向に沿ってマトリックス状に配列され、前記絵素に含まれる各画素には発光領域が形成されているとともに、前記絵素に含まれる複数の画素うちいずれか一つの画素には前記第一方向に沿って前記発光領域と該発光領域の高さ位置よりも頂部が上方に位置する凸部とが併設されており、前記凸部が形成されている画素の発光領域は、前記凸部が形成されていない画素の発光領域に比べて、前記第一方向の幅が小さく形成されており、前記第二方向の幅が大きく形成されていることを特徴とする。 An image display device according to an embodiment of the present invention is an image display device including a picture element composed of a plurality of pixels, wherein the picture elements are arranged in a matrix along a first direction and a second direction, Each pixel included in the picture element has a light emitting area, and any one of the plurality of pixels included in the picture element includes the light emitting area and the light emitting area along the first direction. A convex portion whose top is located above the height position is provided side by side, and the light emitting region of the pixel in which the convex portion is formed is compared with the light emitting region of the pixel in which the convex portion is not formed. The width in the first direction is small, and the width in the second direction is large.
また、本発明の一実施形態に係る画像表示装置は、前記複数の凸部が、一方向に沿って配列されていることを特徴とする。 The image display device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the plurality of convex portions are arranged along one direction.
また、本発明の一実施形態に係る画像表示装置は、前記凸部が、上部より下部が幅広に形成されていることを特徴とする。 The image display device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the convex portion is formed wider at the lower portion than at the upper portion.
また、本発明の一実施形態に係る画像表示装置は、前記凸部が形成されている画素の発光領域と、前記凸部が形成されていない画素の発光領域との面積比は、０．９５以上１．０５以下に設定されていることを特徴とする。 In the image display device according to an embodiment of the present invention, the area ratio between the light emitting region of the pixel in which the convex portion is formed and the light emitting region of the pixel in which the convex portion is not formed is 0.95. It is characterized by being set to 1.05 or less.
また、本発明の一実施形態に係る画像表示装置は、それぞれ異なる色の光を発する複数の画素を有する絵素を備えた画像表示装置において、前記絵素は第一方向及び第二方向に沿ってマトリックス状に配列されており、前記絵素に含まれる各画素には発光領域が形成されているとともに、前記絵素に含まれる複数の画素のうちいずれか一つの画素には前記第一方向に沿って前記発光領域と該発光領域の高さ位置よりも頂部が上方に位置する凸部とが併設されており、前記凸部は、前記第一方向においては、隣接する絵素において異なる色の光を発する画素に設けられているとともに、前記第二方向においては、隣接する絵素において同じ色の光を発する画素に設けられていることを特徴とする。 An image display device according to an embodiment of the present invention is an image display device including a picture element having a plurality of pixels that emit light of different colors, and the picture element extends along a first direction and a second direction. Are arranged in a matrix, each pixel included in the picture element has a light emitting region, and any one of the plurality of pixels included in the picture element has the first direction. Along the light emitting region and a convex portion whose top is located above the height position of the light emitting region, and the convex portion has different colors in adjacent picture elements in the first direction. In the second direction, the pixel is provided in a pixel that emits light of the same color in adjacent picture elements.
また、本発明の一実施形態に係る画像表示装置は、それぞれ異なる色の光を発する複数の画素を有する絵素を備えた画像表示装置において、前記絵素は第一方向及び第二方向に沿ってマトリックス状に配列されており、前記絵素に含まれる各画素には発光領域が形成されているとともに、前記絵素に含まれる複数の画素のうちいずれか一つの画素には前記第一方向に沿って前記発光領域と該発光領域の高さ位置よりも頂部が上方に位置する凸部とが併設されており、前記凸部が形成されている特定の絵素に対して前記第一方向に沿って隣接する絵素には前記凸部が形成されておらず、前記特定の絵素に対して第二方向に沿って隣接する絵素には前記凸部が形成されていることを特徴とする。 An image display device according to an embodiment of the present invention is an image display device including a picture element having a plurality of pixels that emit light of different colors, and the picture element extends along a first direction and a second direction. Are arranged in a matrix, each pixel included in the picture element has a light emitting region, and any one of the plurality of pixels included in the picture element has the first direction. Along the light emitting region and a convex portion whose top is located above the height position of the light emitting region, and the first direction with respect to the specific picture element on which the convex portion is formed The protrusions are not formed on the picture elements adjacent to each other, and the protrusions are formed on the picture elements adjacent to the specific picture elements along the second direction. And
本発明によれば、発光面積を大きくすることが可能な画像表示装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the image display apparatus which can enlarge a light emission area can be provided.
以下に、本発明について、図面を参照しつつ説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る画像表示装置としての有機ＥＬディスプレイの平面図である。図２は、有機ＥＬディスプレイの複数の画素を含む絵素の平面図である。また、図３，図４は、画素の拡大断面図である。 The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of an organic EL display as an image display apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of a picture element including a plurality of pixels of the organic EL display. 3 and 4 are enlarged sectional views of the pixels.
有機ＥＬディスプレイ１は、図１に示すように、テレビ等の家電機器、携帯電話又はコンピュータ機器等の電子機器に用いるものであり、素子基板２と、素子基板２上に形成される複数の絵素３と、かかる絵素３の発光を制御する駆動ＩＣ４と、を含んで構成されている。 As shown in FIG. 1, the organic EL display 1 is used for home appliances such as a television, electronic equipment such as a mobile phone or a computer device, and includes an element substrate 2 and a plurality of pictures formed on the element substrate 2. An element 3 and a drive IC 4 that controls light emission of the picture element 3 are configured.
素子基板２は、例えば、ガラス又はプラスチックから成り、素子基板２の中央に位置する表示領域Ｄ１には、マトリックス状に配列された複数の画素３が形成されている。また、素子基板２の端部に位置する非表示領域Ｄ２には、駆動ＩＣ４が実装されている。 The element substrate 2 is made of, for example, glass or plastic, and a plurality of pixels 3 arranged in a matrix are formed in the display region D1 located in the center of the element substrate 2. A driving IC 4 is mounted on the non-display area D2 located at the end of the element substrate 2.
図２に示すように、絵素３には、複数の画素５が設けられている。図２の矩形状の点線にて囲まれた領域が一つの絵素を示している。画素５には、発光領域Ｒが形成されており、かかる発光領域Ｒに発光可能な有機ＥＬ素子６が設けられている。なお、有機ＥＬ素子６は、後述する発光領域Ｒにおける第１電極層と、発光層と、第２電極層とから構成されている。発光領域Ｒとは、発光層が発光する領域であって、第１電極層と発光層とが直接的に接している領域をいう。なお、図２の発光領域Ｒの大きさが絵素中にて形状が異なるとともに、ハッチングパターンが異なっているが、これは異なる色を発光することを示している。 As shown in FIG. 2, the picture element 3 is provided with a plurality of pixels 5. A region surrounded by a rectangular dotted line in FIG. 2 represents one picture element. In the pixel 5, a light emitting region R is formed, and an organic EL element 6 capable of emitting light is provided in the light emitting region R. The organic EL element 6 is composed of a first electrode layer, a light emitting layer, and a second electrode layer in a light emitting region R described later. The light emitting region R is a region where the light emitting layer emits light, and is a region where the first electrode layer and the light emitting layer are in direct contact. In addition, although the magnitude | size of the light emission area | region R of FIG. 2 differs in a shape in a picture element, and a hatching pattern is different, this has shown light-emitting a different color.
また、画素３は、赤色、緑色又は青色のいずれかの色を発光することができる。このことは、後述するように有機ＥＬ素子６を構成する材料を選択することによって、発光する色を決定することができる。なお、本実施形態においては、画素を赤色、緑色又は青色のいずれかの色を発光するものとしたが、例えば、白色又は橙色等の色を発光するようにしてもよい。 The pixel 3 can emit any one of red, green, and blue colors. This can determine the color of light emission by selecting the material which comprises the organic EL element 6 so that it may mention later. In the present embodiment, the pixel emits one of red, green, and blue. However, for example, the pixel may emit white or orange.
次に、図３に示すように、素子基板２上に形成される各種層について説明する。なお、図３は、後述する凸部が形成された一画素の断面図である。また、図４は、凸部が形成されない一画素の断面図である。 Next, as shown in FIG. 3, various layers formed on the element substrate 2 will be described. FIG. 3 is a cross-sectional view of one pixel on which a convex portion described later is formed. FIG. 4 is a cross-sectional view of one pixel in which no protrusion is formed.
素子基板２上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や電気配線等から成る回路層７が形成されている。さらに、回路層７上には、回路層７の所定領域以外が電気的にショートしないように、例えば、窒化珪素、酸化珪素又は酸化窒化珪素等から成る絶縁層８が形成されている。なお、回路層７は、駆動ＩＣ４からの電気信号が入力される。 On the element substrate 2, a circuit layer 7 made of a thin film transistor (TFT), electric wiring, or the like is formed. Further, an insulating layer 8 made of, for example, silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, or the like is formed on the circuit layer 7 so as to prevent electrical short-circuiting except for a predetermined region of the circuit layer 7. The circuit layer 7 receives an electric signal from the driving IC 4.
また、絶縁層８上には、回路層７及び絶縁層８に起因する表面の凹凸を低減するために、平坦化膜９が形成されている。回路層７は、複数の電気配線がパターニングされているため、その表面には凹凸が形成される。有機ＥＬ素子６を凹凸な面上に形成すると、有機ＥＬ素子６を構成する電極層同士が短絡する虞があるが、平坦化膜９を形成することによって、有機ＥＬ素子６を良好に発光させることができる。 Further, a planarizing film 9 is formed on the insulating layer 8 in order to reduce surface irregularities due to the circuit layer 7 and the insulating layer 8. Since the circuit layer 7 is patterned with a plurality of electrical wirings, irregularities are formed on the surface thereof. When the organic EL element 6 is formed on an uneven surface, the electrode layers constituting the organic EL element 6 may be short-circuited. However, by forming the planarizing film 9, the organic EL element 6 can emit light well. be able to.
かかる平坦化膜９は、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂等の絶縁性を有する有機材料を用いることができる。なお、平坦化膜９の厚みは、例えば２μｍ以上５μｍ以下に設定されている。 For the planarizing film 9, for example, an insulating organic material such as a novolac resin, an acrylic resin, an epoxy resin, or a silicone resin can be used. The thickness of the planarizing film 9 is set to 2 μm or more and 5 μm or less, for example.
また、平坦化膜９には、平坦化膜９を貫通するコンタクトホールＳが形成されている。かかるコンタクトホールＳは、上部よりも下部が幅狭に形成されている。コンタクトホールＳは、各画素５に形成されており、コンタクトホールＳの底部には、回路層７の一部が露出している。 Further, a contact hole S penetrating the planarizing film 9 is formed in the planarizing film 9. The contact hole S is formed so that the lower part is narrower than the upper part. The contact hole S is formed in each pixel 5, and a part of the circuit layer 7 is exposed at the bottom of the contact hole S.
そして、コンタクトホールＳの内壁面から平坦化膜９の上面にかけて第１電極層１０が形成されている。コンタクトホールＳ内に位置する第１電極層１０の一部は、コンタクトホールＳの底部に位置する回路層７の一部と接続されている。また、第１電極層１０は、発光領域Ｒにも形成されており、各画素５に設けられている。さらに、第１電極層１０は、隣接する画素５における第１電極層と離間して設けられている。なお、第１電極層１０は、例えばアルミニウム、銀、銅又は金等の金属、あるいはこれらの合金等の材料から成る。なお、第１電極層１０の厚みは、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下に設定されている。 A first electrode layer 10 is formed from the inner wall surface of the contact hole S to the upper surface of the planarizing film 9. A part of the first electrode layer 10 located in the contact hole S is connected to a part of the circuit layer 7 located at the bottom of the contact hole S. The first electrode layer 10 is also formed in the light emitting region R and is provided in each pixel 5. Further, the first electrode layer 10 is provided apart from the first electrode layer in the adjacent pixel 5. In addition, the 1st electrode layer 10 consists of materials, such as metals, such as aluminum, silver, copper, or gold, or these alloys, for example. The thickness of the first electrode layer 10 is set to, for example, 50 nm or more and 500 nm or less.
また、発光領域Ｒを取り囲むように、第１電極層１０上に絶縁物１１が形成されている。そして、絶縁物１１は、第１電極層１０と後述する第２電極層１２とが短絡するのを防止している。なお、絶縁物１１は、例えば、フェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料、あるいは窒化珪素、酸化珪素又は酸化窒化珪素等の無機絶縁材料から成る。 An insulator 11 is formed on the first electrode layer 10 so as to surround the light emitting region R. And the insulator 11 has prevented that the 1st electrode layer 10 and the 2nd electrode layer 12 mentioned later short-circuit. The insulator 11 is made of, for example, an organic insulating material such as phenol resin, acrylic resin, or polyimide resin, or an inorganic insulating material such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.
さらに、発光領域Ｒには、発光層１３が形成されている。発光層１３は、第１電極層１０上から絶縁物１１上にかけて形成されている。発光層１３は、一層以上から構成されており、正孔と電子が結合することによって、光を発することができる。なお、発光領域Ｒとは、発光層が光を発することが可能な領域であって、第１電極層１０と第２電極層１２と直接接して挟まれている箇所である。両者と直接接することによって、電圧が加えられて発光層１３に電流が流れ、発光層１３が発光する。 Further, a light emitting layer 13 is formed in the light emitting region R. The light emitting layer 13 is formed from the first electrode layer 10 to the insulator 11. The light emitting layer 13 is composed of one or more layers, and can emit light by combining holes and electrons. The light emitting region R is a region where the light emitting layer can emit light, and is a portion sandwiched between the first electrode layer 10 and the second electrode layer 12 in direct contact. By directly contacting both, a voltage is applied, a current flows through the light emitting layer 13, and the light emitting layer 13 emits light.
発光層１３は、赤色の光を発する場合、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム、１，４−フェニレンビス（トリフェニルシラン）、１，３−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン、１，３，５−トリ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ベンゼン、ＣＢＰ、Ａｌｑ３又はＳＤＰＶＢｉ等のホスト材料に ビス［２−（２−ベンゾチアゾイル−ｋＮ３）フェニル−ｋＣ］（２，４−ペンタジオナト−ｋＯ，ｋＯ’）イリジウム等の有機イリジウム化合物、有機白金化合物、ＤＣＪＴＢ、クマリン、キナクリドン、フェナンスレン基を有するペリノン誘導体、オリゴチオフェン誘導体又はペリレン誘導体等のドーパント材料を含有したものを用いることができる。 When the light emitting layer 13 emits red light, for example, bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4- (phenylphenolato) aluminum, 1,4-phenylenebis (triphenylsilane), 1,3- As a host material such as bis (triphenylsilyl) benzene, 1,3,5-tri (9H-carbazol-9-yl) benzene, CBP, Alq 3 or SDPVBi, bis [2- (2-benzothiazoyl-kN3) Dopant materials such as organic iridium compounds such as phenyl-kC] (2,4-pentadionato-kO, kO ′) iridium, organic platinum compounds, DCJTB, coumarin, quinacridone, perinone derivatives having a phenanthrene group, oligothiophene derivatives or perylene derivatives Can be used.
また、緑色の光を発する場合、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム、１，４−フェニレンビス（トリフェニルシラン）、１，３−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン、１，３，５−トリ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ベンゼン、ＣＢＰ、Ａｌｑ３又はＳＤＰＶＢｉ等のホスト材料、あるいはこれらのホスト材料にビス［ピリジニル−ｋＮ−フェニル−ｋＣ］（２，４−ペンタジオナト−ｋＯ，ｋＯ’）イリジウム、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）、スチリルアミン、ペルリン、ベンゼン環を有するシロール誘導体、フェナンスレン基を有するペリノン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ペリレン誘導体又はアゾメチン亜鉛錯体等のドーパント材料を含有したものを用いることができる。 When green light is emitted, for example, bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4- (phenylphenolato) aluminum, 1,4-phenylenebis (triphenylsilane), 1,3-bis (tri Phenylsilyl) benzene, 1,3,5-tri (9H-carbazol-9-yl) benzene, host materials such as CBP, Alq 3 or SDPVBi, or bis [pyridinyl-kN-phenyl-kC] to these host materials (2,4-pentadionato-kO, kO ′) iridium, bis [2- (2-benzoxazolyl) phenolato] zinc (II), styrylamine, perlin, silole derivatives having a benzene ring, perinone having a phenanthrene group Dopants such as derivatives, oligothiophene derivatives, perylene derivatives or azomethine zinc complexes It can be used which contains charges.
また、青色の光を発する場合、例えば、ＣＢＰ又はＳＤＰＶＢｉ等のホスト材料、あるいはこれらのホスト材料にテトラ（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナト）ホウ素リチウム、スチリルアミン、ペルリン、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジェン、トリフェニルアミン構造とビニル基が結合した化合物、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体又はベンゼン環を有するシロール誘導体等のドーパント材料を含有したものを用いることができる。なお、発光層１３の厚みは、例えば２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定されている。 In the case of emitting blue light, for example, a host material such as CBP or SDPVBi, or these host materials include tetra (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) boron lithium, styrylamine, perlin, cyclopentadiene derivatives, tetra A compound containing a dopant material such as phenylbutadiene, a compound in which a triphenylamine structure and a vinyl group are bonded, an oxadiazole derivative, a pyrazoloquinoline derivative, a distyrylarylene derivative, or a silole derivative having a benzene ring can be used. . In addition, the thickness of the light emitting layer 13 is set to 20 nm or more and 40 nm or less, for example.
また、第２電極層１２は、発光層１３上から絶縁物１１上にかけて形成される。さらに、第２電極層１２は、表示領域Ｄ１を被覆するように形成されており、隣接する画素同士にて第２電極層１２は共通電極として機能している。 The second electrode layer 12 is formed from the light emitting layer 13 to the insulator 11. Further, the second electrode layer 12 is formed so as to cover the display region D1, and the second electrode layer 12 functions as a common electrode between adjacent pixels.
第２電極層１２は、発光層１３から放出される光が透過することができる材料から構成され、例えばインジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）又は錫酸化膜等の光透過性を有する導電材料を用いて形成される。また、第２電極層１２は、例えばマグネシウム、銀、アルミニウム又はカルシウム等の材料、あるいはこれらの合金等を用いることができ、その厚みを３０ｎｍ以下にすることによって、光透過性の電極とすることができる。その結果、発光層１３から放出された光が、第２電極層１２を透過して外部に出射される。 The second electrode layer 12 is made of a material that can transmit light emitted from the light emitting layer 13, and uses a light-transmitting conductive material such as an indium tin oxide film (ITO) or a tin oxide film. It is formed. The second electrode layer 12 can be made of, for example, a material such as magnesium, silver, aluminum, or calcium, or an alloy thereof. The thickness of the second electrode layer 12 is set to 30 nm or less to form a light transmissive electrode. Can do. As a result, the light emitted from the light emitting layer 13 passes through the second electrode layer 12 and is emitted to the outside.
また、図３に示すように、平坦化膜９上には、凸部１４が形成されている。凸部１４は、発光領域Ｒの高さ位置よりも頂部１４ａの高さ位置が上方に位置して併設されている。なお、頂部１４ａとは、素子基板２に対して垂直な方向（Ｚ方向）において凸部１４の一部が素子基板２側から封止基板１７に向けて最も高くなる箇所である。 Further, as shown in FIG. 3, a convex portion 14 is formed on the planarizing film 9. The convex portion 14 is provided side by side with the height position of the top portion 14a positioned higher than the height position of the light emitting region R. The top portion 14 a is a portion where a part of the convex portion 14 is highest from the element substrate 2 side toward the sealing substrate 17 in a direction perpendicular to the element substrate 2 (Z direction).
凸部１４ａの頂部１４ａの高さ位置が、発光領域Ｒの高さ位置よりも上方に位置することにより、蒸着マスクを凸部１４上に載置することができ、発光領域Ｒの色を塗り分けることができる。 Since the height position of the top portion 14a of the convex portion 14a is positioned higher than the height position of the light emitting region R, the vapor deposition mask can be placed on the convex portion 14, and the color of the light emitting region R is painted. Can be divided.
凸部１４は、蒸着法を用いて発光層１３を形成する際に、蒸着マスクを支持する台としての機能を有している。なお、凸部１４は、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素又は酸化窒化ケイ素等の無機絶縁材料、あるいはフェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料から成る。 The convex part 14 has a function as a stand for supporting the vapor deposition mask when the light emitting layer 13 is formed using the vapor deposition method. The convex portion 14 is made of, for example, an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride, or an organic insulating material such as phenol resin, novolac resin, acrylic resin, or polyimide resin.
図５は、本実施形態にて使用する蒸着マスクＭの拡大平面図である。図５の矩形状の点線にて囲まれた領域が一つの絵素に対応している。 FIG. 5 is an enlarged plan view of the vapor deposition mask M used in the present embodiment. A region surrounded by a rectangular dotted line in FIG. 5 corresponds to one picture element.
蒸着法にて、画素毎に発光層１３を塗り分ける際に、蒸着マスクＭの桟ｆが凸部１４と直接接する。かかる蒸着マスクＭにおいて、画素の周囲全てを囲むように桟を設けた蒸着マスクに比べて、桟を設ける箇所を少なくすることができ、蒸着マスクＭの開口部ｈの面積を大きくすることができる。その結果、一画素における発光領域Ｒを大きくすることができ、輝度を向上させることができる。すなわち、凸部１４は、絵素３に含まれる複数の画素５のうちいずれか一つの画素にのみ形成し、凸部１４の形成されていない画素の領域を活用する。具体的には、凸部１４を形成する箇所を少なくすることにより、凸部１４が形成されていない画素の発光領域Ｒの幅を、凸部１４が形成されている画素に比べて、一方向に大きくすることができ、発光領域Ｒを広くすることができ、輝度を向上させることができる。 When the light emitting layer 13 is separately applied to each pixel by the vapor deposition method, the crosspiece f of the vapor deposition mask M is in direct contact with the convex portion 14. In such a vapor deposition mask M, the number of portions where the crosspieces are provided can be reduced and the area of the opening h of the vapor deposition mask M can be increased as compared with the vapor deposition mask provided with the crosspieces so as to surround the entire periphery of the pixel. . As a result, the light emitting region R in one pixel can be increased, and the luminance can be improved. That is, the convex part 14 is formed only on any one of the plurality of pixels 5 included in the picture element 3, and a pixel area where the convex part 14 is not formed is used. Specifically, by reducing the number of locations where the convex portions 14 are formed, the width of the light emitting region R of the pixels where the convex portions 14 are not formed can be set in one direction compared to the pixels where the convex portions 14 are formed. The light emitting region R can be widened, and the luminance can be improved.
凸部１４は、該凸部１４が設けられている絵素３中の端部に設けられており、平面視して複数の画素５の配列されている配列方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）に位置するように設けられている。 The convex portion 14 is provided at an end portion in the picture element 3 where the convex portion 14 is provided, and is a direction orthogonal to the arrangement direction (X direction) in which the plurality of pixels 5 are arranged in plan view. It is provided so as to be located in the (Y direction).
そして、表示領域Ｄ１において、複数の凸部１４は、一方向に沿って配列されている。つまり、凸部１４が隣接する絵素３同士にて、平面視して直線上に設けられていることにより、蒸着マスクＭの桟ｆを一方向に沿って連続して形成することができ、蒸着マスクを撓みにくくすることができる。強度が維持された蒸着マスクを用いて発光層１３を形成することにより、蒸着時に発光層１３を構成する材料の回り込みを少なくすることができ、蒸着材料を所望の領域に形成することができる。しいては発光層１３の厚みを所望の厚みに調整することも可能である。 And in the display area D1, the some convex part 14 is arranged along one direction. That is, by providing the projections 14 on the straight line in plan view between the adjacent picture elements 3, the crosspiece f of the vapor deposition mask M can be continuously formed along one direction. A vapor deposition mask can be made hard to bend. By forming the light emitting layer 13 using a vapor deposition mask that maintains the strength, the wraparound of the material constituting the light emitting layer 13 during vapor deposition can be reduced, and the vapor deposition material can be formed in a desired region. Accordingly, the thickness of the light emitting layer 13 can be adjusted to a desired thickness.
また、凸部１４は、上部より下部が幅広に形成されている。第２電極層１２を分断することなく、表示領域Ｄ１の全面に連続して形成することができる。そのため、第２電極層１２を各画素にて分断するために、別途、上部よりも下部が幅狭な構造物を画素の周囲を取り囲むように設ける必要がなく、画素の発光領域Ｒを大きくすることができる。 Moreover, the convex part 14 is formed so that the lower part is wider than the upper part. The second electrode layer 12 can be continuously formed on the entire surface of the display region D1 without being divided. Therefore, in order to divide the second electrode layer 12 in each pixel, it is not necessary to separately provide a structure having a lower width than the upper portion so as to surround the periphery of the pixel, and the light emitting region R of the pixel is enlarged. be able to.
凸部１４が形成されている画素５Ａは、凸部１４が形成されていない画素５Ｂに比べて、発光領域の幅がＸ方向に大きく形成されている。また、画素５Ａは、画素５Ｂに比べて、平面視してＸ方向と直交するＹ方向に発光領域の幅が小さく形成されている。つまり、画素５Ａの発光領域の面積と画素５Ｂの発光領域の面積とは、ほぼ一致するように形成されている。ここでほぼ一致するとは、両者の発光領域の面積比が、０．９５以上１．０５以下に設定されているものをいう。このように、絵素３中の各画素５の発光領域の大きさをほぼ一致させることにより、各絵素の特性を実質的に同じにすることができる。 The pixel 5A in which the convex portion 14 is formed has a light emitting region having a larger width in the X direction than the pixel 5B in which the convex portion 14 is not formed. In addition, the pixel 5A has a light emitting region with a smaller width in the Y direction perpendicular to the X direction in plan view than the pixel 5B. That is, the area of the light emitting region of the pixel 5A and the area of the light emitting region of the pixel 5B are formed so as to substantially coincide. Here, “substantially match” means that the area ratio of the light emitting regions is set to 0.95 or more and 1.05 or less. In this way, by making the sizes of the light emitting areas of the respective pixels 5 in the picture element 3 substantially coincide with each other, the characteristics of the picture elements can be made substantially the same.
ここで、図３の画素５Ａと図４の画素５Ｂの違いについて説明する。図３では、一画素中にて凸部１４を絶縁物１１上に形成するための領域が必要である。そのため、画素５Ａは、画素５Ｂに比べて、Ｙ方向の発光領域の大きさが小さくなるが、Ｘ方向の発光領域の大きさを大きく調整することにより、両者の発光領域の面積をほぼ一致させることができる。また、画素５Ａ同士で挟まれる複数の画素５ＢのＸ方向及びＹ方向の発光領域の大きさについては、同じ大きさに設定されている。 Here, the difference between the pixel 5A in FIG. 3 and the pixel 5B in FIG. 4 will be described. In FIG. 3, a region for forming the convex portion 14 on the insulator 11 in one pixel is necessary. Therefore, the size of the light emitting region in the Y direction is smaller in the pixel 5A than the pixel 5B, but the areas of the light emitting regions are substantially matched by adjusting the size of the light emitting region in the X direction. be able to. The sizes of the light emitting areas in the X direction and the Y direction of the plurality of pixels 5B sandwiched between the pixels 5A are set to the same size.
また、有機ＥＬ素子６を被覆するように、表示領域Ｄ１上には保護層１５が形成されている。保護層１５は、有機ＥＬ素子６を封止し、有機ＥＬ素子６を水分又は外気から保護するものであって、光透過性の機能を有し、例えば窒化珪素、酸化珪素又は窒化炭化珪素等の無機材料から成る。なお、保護層１５の厚みは、例えば１００ｎｍ以上５μｍ以下に設定されている。 Further, a protective layer 15 is formed on the display region D1 so as to cover the organic EL element 6. The protective layer 15 seals the organic EL element 6 and protects the organic EL element 6 from moisture or outside air, and has a light-transmitting function, such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon nitride carbide. Made of inorganic material. The thickness of the protective layer 15 is set to, for example, 100 nm or more and 5 μm or less.
また、素子基板２の表示領域Ｄ１には、表示領域Ｄ１を被覆するようにシール材１６が形成されており、素子基板２と封止基板１７とシール材１６によって各画素３を密封している。各画素３を密封することによって、各画素３に酸素又は水分が浸入するのを低減し、各画素３が劣化するのを抑制することができる。また、シール材１６は、接着材としての機能を有し、硬化することによって素子基板２と封止基板１７とを固着することができる。かかるシール材１６は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂又はシリコーン樹脂等の光硬化性樹脂、あるいは熱硬化性の樹脂を用いることができる。なお、本実施形態においては、紫外線の照射により硬化する光硬化性のエポキシ樹脂を用いる。 Further, a sealing material 16 is formed in the display area D1 of the element substrate 2 so as to cover the display area D1, and each pixel 3 is sealed by the element substrate 2, the sealing substrate 17, and the sealing material 16. . By sealing each pixel 3, it is possible to reduce the ingress of oxygen or moisture into each pixel 3 and to suppress the deterioration of each pixel 3. Further, the sealing material 16 has a function as an adhesive and can fix the element substrate 2 and the sealing substrate 17 by being cured. As the sealing material 16, for example, a photocurable resin such as an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, or a silicone resin, or a thermosetting resin can be used. In this embodiment, a photocurable epoxy resin that is cured by irradiation with ultraviolet rays is used.
また、素子基板２上には、素子基板２に対して対向するように配置された封止基板１７が形成されている。封止基板１７は透明の基板から成り、例えばガラス又はプラスチックを用いることができる。なお、本実施形態においては、素子基板２側から封止基板１７側に向けて光が発せられるトップエミッション型の有機ＥＬディスプレイであるため、封止基板１７は透明の部材が用いられる。 In addition, a sealing substrate 17 is formed on the element substrate 2 so as to face the element substrate 2. The sealing substrate 17 is made of a transparent substrate, and for example, glass or plastic can be used. In this embodiment, since the top emission type organic EL display emits light from the element substrate 2 side toward the sealing substrate 17 side, a transparent member is used for the sealing substrate 17.
上述したように本実施形態に係る画像表示装置によれば、絵素中のいずれか一つの画素に凸部を設け、凸部が設けられていない画素の領域を活用して、絵素中の画素のそれぞれの大きさを大きくすることによって、画素の発光領域を大きくすることができ、輝度を向上させることができる。また、発光層に印加する電圧を下げても、輝度を大きくさげることなく、消費電流を下げることも可能である。 As described above, according to the image display device according to the present embodiment, any one pixel in the picture element is provided with a convex portion, and the pixel area in which the convex portion is not provided is utilized. By increasing the size of each pixel, the light emitting area of the pixel can be increased and the luminance can be improved. In addition, even when the voltage applied to the light emitting layer is reduced, the current consumption can be reduced without increasing the luminance.
以下に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子６を含む有機ＥＬディスプレイ１の製造方法について、図６から図１５を用いて詳細に説明する。なお、図６から図１５は、凸部が形成される一つの画素の断面図を示している。 Below, the manufacturing method of the organic electroluminescent display 1 containing the organic electroluminescent element 6 which concerns on embodiment of this invention is demonstrated in detail using FIGS. 6 to 15 show cross-sectional views of one pixel in which a convex portion is formed.
図６に示すように、回路層７、絶縁層８及び平坦化膜９を上面に積層した素子基板２を準備する。なお、回路層７及び絶縁層８は、従来周知のＣＶＤ法、蒸着法又はスパッタリング法等の薄膜形成技術、エッチング法やフォトリソグラフィー法等の薄膜加工技術を用いて、所定パターンに形成される。また、平坦化膜９は、例えば従来周知のスピンコート法を用いて、絶縁層８上に形成する。 As shown in FIG. 6, an element substrate 2 having a circuit layer 7, an insulating layer 8, and a planarizing film 9 laminated on the upper surface is prepared. The circuit layer 7 and the insulating layer 8 are formed in a predetermined pattern using a conventionally known thin film forming technique such as a CVD method, a vapor deposition method or a sputtering method, or a thin film processing technique such as an etching method or a photolithography method. The planarizing film 9 is formed on the insulating layer 8 by using, for example, a conventionally known spin coating method.
次に、平坦化膜９上に露光マスクを用いて平坦化膜９を露光し、さらに現像、ベーキング処理を行い、図７に示すように、回路層７の一部を露出させて、上部よりも下部が幅狭なコンタクトホールＳを有する平坦化膜９を形成する。さらに、コンタクトホールＳを形成した平坦化膜９上に、例えばアルミニウムから成る金属膜を形成する。そして、図８に示すように、金属膜をパターニングして、第１電極層１０形成する。 Next, the planarizing film 9 is exposed on the planarizing film 9 using an exposure mask, and further developed and baked to expose a part of the circuit layer 7 as shown in FIG. Also, a planarizing film 9 having a contact hole S with a narrow bottom is formed. Further, a metal film made of, for example, aluminum is formed on the planarizing film 9 in which the contact holes S are formed. Then, as shown in FIG. 8, the metal film is patterned to form the first electrode layer 10.
次に、例えばスピンコート法を用いて、第１電極層１０及び一部露出した平坦化膜９上に、例えばアクリル樹脂から成る有機絶縁材料層を形成する。そして、有機絶縁材料層に対してフォトリソグラフィー法を用いて、有機絶縁材料層をパターニングして、図９に示すように、絶縁物１１を形成する。なお、絶縁物１１は、発光領域Ｒを取り囲むように形成され、第１電極層１０の上面の一部を露出している。 Next, an organic insulating material layer made of, for example, an acrylic resin is formed on the first electrode layer 10 and the partially exposed planarizing film 9 by using, for example, a spin coating method. Then, the organic insulating material layer is patterned using a photolithography method on the organic insulating material layer to form the insulator 11 as shown in FIG. The insulator 11 is formed so as to surround the light emitting region R, and a part of the upper surface of the first electrode layer 10 is exposed.
次に、図１０に示すように、絶縁物１１上に、従来周知のフォトリソグラフィー法を用いて、上部よりも下部が幅広な凸部１４を形成する。かかる凸部１４は、絶縁物１１上の一部に形成され、画素を取り囲むようには形成されない。また、凸部１４は、蒸着マスクを載置することができる支持台としての機能を備えている。かかる凸部１４は、蒸着マスクを基板に対向させた際に、基板と蒸着マスクが接触し、基板を損傷しないように設けられている。 Next, as shown in FIG. 10, a convex portion 14 having a lower width than the upper portion is formed on the insulator 11 by using a conventionally known photolithography method. The convex portion 14 is formed on a part of the insulator 11 and is not formed so as to surround the pixel. Moreover, the convex part 14 is provided with the function as a support stand which can mount a vapor deposition mask. The convex portion 14 is provided so that the substrate and the vapor deposition mask are in contact with each other and the substrate is not damaged when the vapor deposition mask is opposed to the substrate.
次に、蒸着法を用いて図１１に示すように、凸部１４上に蒸着マスクＭの桟ｆを接触させて、基板上に蒸着マスクＭを載置する。図１２は、基板上に蒸着マスクＭを載置した状態を平面視したものである。この状態にて、蒸着マスクＭの開口部ｈにて露出する発光領域Ｒに、例えば、赤色を発することが可能な発光層を構成する材料を発光領域に蒸着させる。その結果、図１３に示すように、発光領域に発光層１３を形成することができる。
そして、蒸着マスクＭを図１２のＷ方向に移動させて、先ほど蒸着させた箇所を蒸着マスクＭにて覆いつつ、先ほど蒸着マスクＭにて覆われていた箇所の一部を露出させる。さらに、かかる露出した発光領域に、例えば、青色を発することが可能な発光層を構成する材料を発光領域に蒸着させる。この作業を、絵素中に含まれる画素数分、繰り返すことによって、複数の画素のそれぞれに異なる材料を被着させることができる。
Next, as illustrated in FIG. 11, the vapor deposition mask M is placed on the substrate by bringing the crosspiece f of the vapor deposition mask M into contact with the convex portion 14 using the vapor deposition method. FIG. 12 is a plan view of a state in which the vapor deposition mask M is placed on the substrate. In this state, for example, a material constituting a light emitting layer capable of emitting red is deposited on the light emitting region R exposed at the opening h of the vapor deposition mask M in the light emitting region. As a result, as shown in FIG. 13, the light emitting layer 13 can be formed in the light emitting region.
Then, the vapor deposition mask M is moved in the W direction in FIG. 12, and the portion previously covered with the vapor deposition mask M is exposed while the vapor deposition mask M covers the portion vapor-deposited earlier. Further, for example, a material constituting the light emitting layer capable of emitting blue is deposited on the light emitting region in the exposed light emitting region. By repeating this operation for the number of pixels included in the picture element, a different material can be applied to each of the plurality of pixels.
ここで、蒸着マスクＭをＷ方向に移動させて蒸着させる理由について説明する。絵素３が、第一方向（Ｙ方向）及び第二方向（Ｘ方向）に沿ってマトリックス状に配列されており、絵素３中のいずれかの画素５には凸部１４が形成されているからである。つまり、凸部１４は、第一方向においては、隣接する絵素３同士において同じ色の光を発する画素５に設けられているとともに、第二方向においては、隣接する絵素３同士において異なる色の光を発する画素に設けられているためである。このように、発光領域の形状が同じ画素を平面視して第一方向及び第二方向に対して傾斜させる方向（Ｗ方向）に沿って設けることにより、蒸着マスクＭをそのＷ方向に沿って移動させながら、蒸着させることができる。 Here, the reason for vapor deposition by moving the vapor deposition mask M in the W direction will be described. The picture elements 3 are arranged in a matrix along the first direction (Y direction) and the second direction (X direction), and any pixel 5 in the picture element 3 has a convex portion 14 formed. Because. In other words, the protrusions 14 are provided in the pixels 5 that emit light of the same color in the adjacent picture elements 3 in the first direction, and are different colors in the adjacent picture elements 3 in the second direction. This is because it is provided in a pixel that emits light. In this way, by providing pixels along the direction (W direction) inclined with respect to the first direction and the second direction in a plan view of pixels having the same light emitting region shape, the vapor deposition mask M is arranged along the W direction. It can be deposited while moving.
次に、図１４に示すように、例えば、従来周知の蒸着法を用いて、表示領域Ｄ１を被覆するように、発光層１３上に、例えばマグネシウム３３質量％と銀６７質量％との混合物から成る厚さ１５ｎｍの第２電極層１２を形成する。第２電極層１２は、隣接する画素同士で共通しており、共通電極として機能する。第２電極層１２を共通電極とすることで、微細な空孔を備えた蒸着マスクを用いずに第２電極層１２を形成することができるので、製造工程を単純化することができる。このようにして、有機ＥＬ素子６を形成することができる。 Next, as shown in FIG. 14, for example, from a mixture of 33% by mass of magnesium and 67% by mass of silver on the light emitting layer 13 so as to cover the display region D1, using a conventionally known vapor deposition method. A second electrode layer 12 having a thickness of 15 nm is formed. The second electrode layer 12 is common to adjacent pixels and functions as a common electrode. By using the second electrode layer 12 as a common electrode, the second electrode layer 12 can be formed without using a vapor deposition mask having fine pores, so that the manufacturing process can be simplified. In this way, the organic EL element 6 can be formed.
さらに、図１５に示すように、例えば、化学気相成長法（熱ＣＶＤ法）を用いて、表示領域Ｄ１全面に、有機ＥＬ素子６が劣化しないように、窒化ケイ素から成る厚さ１．５μｍの保護層１５を形成する。 Further, as shown in FIG. 15, for example, a chemical vapor deposition method (thermal CVD method) is used, and a thickness of 1.5 μm made of silicon nitride is used to prevent the organic EL element 6 from deteriorating on the entire display region D1. The protective layer 15 is formed.
そして、有機ＥＬ素子６が形成された素子基板２に対して、封止基板１７を対向配置し、両者をシール材１６を介して接着する。具体的には、封止基板１７に対して、例えばスクリーン印刷法を用いて予めシール材１６を被着させておく。そして、素子基板２に対してシール材１６を介して封止基板１７を固着させる。なお、封止基板１７をシール材１６によって、素子基板２に固定する作業は、例えば窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガス中や、高真空中で行うことによって、素子基板２と封止基板１７との間に酸素や水分が含まれるのを抑制することができる。 Then, a sealing substrate 17 is disposed opposite to the element substrate 2 on which the organic EL element 6 is formed, and both are bonded via a sealing material 16. Specifically, the sealing material 16 is previously attached to the sealing substrate 17 by using, for example, a screen printing method. Then, the sealing substrate 17 is fixed to the element substrate 2 via the sealing material 16. The operation of fixing the sealing substrate 17 to the element substrate 2 with the sealing material 16 is performed in an inert gas such as nitrogen gas or argon gas or in a high vacuum, for example, so that the element substrate 2 and the sealing substrate are fixed. It can suppress that oxygen and a water | moisture content are contained between 17.
そして、非表示領域Ｄ２に駆動ＩＣ４を実装することで、有機ＥＬディスプレイ１を作製することができる。 Then, the organic EL display 1 can be manufactured by mounting the driving IC 4 in the non-display area D2.
上述したように、本発明の実施形態によれば、絵素中のいずれか一つの画素に凸部を設け、桟の設けられている箇所が少ない蒸着マスクを用いることができる。そのため、発光領域の周囲を被覆するような開口部を有する蒸着マスクを用いる場合に比べて、画素の発光領域を大きくすることができ、輝度を向上させることが可能な画像表示装置を製造することができる。 As described above, according to the embodiment of the present invention, it is possible to use a vapor deposition mask in which convex portions are provided on any one pixel in a picture element and there are few places where bars are provided. Therefore, it is possible to manufacture an image display device capable of increasing the light emitting area of the pixel and improving the luminance as compared with the case of using a vapor deposition mask having an opening that covers the periphery of the light emitting area. Can do.
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上述した実施形態においては、トップエミッションの有機ＥＬ素子について説明したが、本発明の作用効果を奏するのであれば、ボトムエミッションの有機ＥＬ素子であっても構わない。 In addition, this invention is not limited to the above-mentioned form, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. In the above-described embodiment, the top emission organic EL element has been described. However, a bottom emission organic EL element may be used as long as the effects of the present invention are achieved.
また、第２の実施形態に係る画像表示装置としては、図１６に示すように、特定の絵素のいずれかの画素には凸部１４が形成されているとともに、該特定の絵素のＸ方向に隣接する絵素中のいずれかの画素には凸部１４が形成されており、該特定の絵素のＹ方向に隣接する絵素中には凸部１４が形成されていない。すなわち、Ｙ方向に配列した絵素において、隣接する絵素のいずれか一方にのみ凸部を設けることにより、さらに桟の設けられる箇所の少ない蒸着マスクを用いて、画素の塗りわけを行うことができる。かかる蒸着マスクは、第１の実施形態にて用いる蒸着マスクに比べて、発光領域の面積だけでなく形状も同じ絵素を多く設けることができる。その結果、表示の均一性を更に高めることが可能な画像表示装置を製造することができる。第２の実施形態に係る画像表示装置に用いる蒸着マスクについても、蒸着マスクの桟を一方向に沿って連続して形成することができ、蒸着マスクが撓みにくく、強度を維持することができる。 Further, as shown in FIG. 16, the image display apparatus according to the second embodiment has a convex portion 14 formed on any pixel of a specific picture element, and the X of the specific picture element. A convex portion 14 is formed in any pixel in a picture element adjacent in the direction, and no convex section 14 is formed in a picture element adjacent in the Y direction of the specific picture element. That is, in the picture elements arranged in the Y direction, by providing a convex portion only on one of the neighboring picture elements, it is possible to coat the pixels using a vapor deposition mask with a smaller number of spots provided. it can. Such a vapor deposition mask can be provided with a larger number of picture elements having the same shape as well as the area of the light emitting region than the vapor deposition mask used in the first embodiment. As a result, it is possible to manufacture an image display device that can further improve display uniformity. Also for the vapor deposition mask used in the image display device according to the second embodiment, the vapor deposition mask can be continuously formed along one direction, the vapor deposition mask is difficult to bend, and the strength can be maintained.
１ 有機ＥＬディスプレイ
２ 素子基板
３ 絵素
４ 駆動ＩＣ
５ 画素
６ 有機ＥＬ素子
７ 回路層
８ 絶縁層
９ 平坦化膜
１０ 第１電極層
１１ 絶縁物
１２ 第２電極層
１３ 発光層
１４ 凸部
１５ 保護層
１６ シール材
１７ 封止基板
Ｄ１ 表示領域
Ｄ２ 非表示領域
Ｒ 発光領域
Ｓ コンタクトホール
Ｍ 蒸着マスク
ｆ 桟
ｈ 開口部
1 organic EL display 2 element substrate 3 picture element 4 drive IC
5 pixel 6 organic EL element 7 circuit layer 8 insulating layer 9 planarizing film 10 first electrode layer 11 insulator 12 second electrode layer 13 light emitting layer 14 convex portion 15 protective layer 16 sealing material 17 sealing substrate D1 display region D2 non- Display area R Light emitting area S Contact hole M Deposition mask f Beam h Opening
Claims (2)
前記絵素は第一方向及び第二方向に沿ってマトリックス状に配列されており、
前記絵素に含まれる各画素には発光領域が形成されているとともに、前記絵素に含まれる複数の画素のうち、いずれか一つの画素には前記第一方向に沿って前記発光領域と該発光領域の高さ位置よりも頂部が上方に位置する凸部とが併設されており、
前記凸部は、前記第一方向においては、隣接する絵素において異なる色の光を発する画素に設けられているとともに、前記第二方向においては、隣接する絵素において同じ色の光を発する画素に設けられており、
前記凸部が形成されている画素の発光領域の前記第二方向の幅が、前記凸部が形成されていない画素の発光領域の前記第二方向の幅より大きい、
ことを特徴とする画像表示装置。 In an image display device provided with picture elements each having a plurality of pixels that emit light of different colors,
The picture elements are arranged in a matrix along the first direction and the second direction,
Each pixel included in the pixel includes a light emitting region , and one of the plurality of pixels included in the pixel includes the light emitting region and the light emitting region along the first direction. A convex part whose top is located above the height position of the light emitting area is provided side by side,
The convex portions are provided in pixels that emit light of different colors in adjacent picture elements in the first direction, and pixels that emit light of the same color in adjacent picture elements in the second direction. is provided to,
The width in the second direction of the light emitting region of the pixel where the convex portion is formed is larger than the width in the second direction of the light emitting region of the pixel where the convex portion is not formed,
An image display device characterized by that.
前記絵素は第一方向及び第二方向に沿ってマトリックス状に配列されており、
前記絵素に含まれる各画素には発光領域が形成されているとともに、前記絵素に合まれる複数の画素のうち、いずれか一つの画素には前記第一方向に沿って前記発光領域と該発光領域の高さ位置よりも頂部が上方に位置する凸部とが併設されており、
前記凸部が形成されている特定の絵素に対して前記第一方向に沿って隣接する絵素には前記凸部が形成されておらず、前記特定の絵素に対して第二方向に沿って隣接する絵素には前記凸部が形成されており、
前記凸部が形成されている画素の発光領域の前記第二方向の幅が、前記凸部が形成されていない画素の発光領域の前記第二方向の幅より大きい、
ことを特徴とする画像表示装置。 In an image display device provided with picture elements each having a plurality of pixels that emit light of different colors,
The picture elements are arranged in a matrix along the first direction and the second direction,
A light emitting region is formed in each pixel included in the picture element , and any one of the plurality of pixels fitted to the pixel includes the light emitting region along the first direction. And a convex part whose top is located above the height position of the light emitting region,
The pixel adjacent to the first pixel in the first direction with respect to the specific pixel on which the convex is formed does not have the convex on the second pixel in the second direction with respect to the specific pixel. The projections are formed on the picture elements adjacent to each other,
The width in the second direction of the light emitting region of the pixel where the convex portion is formed is larger than the width in the second direction of the light emitting region of the pixel where the convex portion is not formed,
An image display device characterized by that.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008220484A JP5155067B2 (en) | 2008-08-28 | 2008-08-28 | Image display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008220484A JP5155067B2 (en) | 2008-08-28 | 2008-08-28 | Image display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010055963A JP2010055963A (en) | 2010-03-11 |
| JP5155067B2 true JP5155067B2 (en) | 2013-02-27 |
Family
ID=42071651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008220484A Active JP5155067B2 (en) | 2008-08-28 | 2008-08-28 | Image display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5155067B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8641304B2 (en) | 2009-06-30 | 2014-02-04 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Tape cassette |
| US8740482B2 (en) | 2009-03-31 | 2014-06-03 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Tape printer |
| US8757907B2 (en) | 2009-03-31 | 2014-06-24 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Tape cassette |
| US8764326B2 (en) | 2009-03-31 | 2014-07-01 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Tape cassette |
| US8770877B2 (en) | 2008-12-25 | 2014-07-08 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Tape printer |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289347A (en) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | Electroluminescence display device, its manufacturing method, covering mask and its manufacturing method |
| KR20070037848A (en) * | 2005-10-04 | 2007-04-09 | 삼성전자주식회사 | Organic light emitting diode display |
-
2008
- 2008-08-28 JP JP2008220484A patent/JP5155067B2/en active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8770877B2 (en) | 2008-12-25 | 2014-07-08 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Tape printer |
| US8740482B2 (en) | 2009-03-31 | 2014-06-03 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Tape printer |
| US8757907B2 (en) | 2009-03-31 | 2014-06-24 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Tape cassette |
| US8764326B2 (en) | 2009-03-31 | 2014-07-01 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Tape cassette |
| US8764325B2 (en) | 2009-03-31 | 2014-07-01 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Tape cassette |
| US8641304B2 (en) | 2009-06-30 | 2014-02-04 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Tape cassette |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010055963A (en) | 2010-03-11 |
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