JP2009024246A - 金属ナノ粒子の製造方法 - Google Patents

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茂 黒澤
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Abstract

【課題】ナノコンポジット磁石用などに適した金属ナノ粒子を製造する方法を提供する。
【解決手段】金属の錯体を気体状態にしてプラズマ雰囲気下で分解させることにより該金属のナノ粒子を生成させる。複数種類の金属の錯体を用いて、複数種類の金属から成る多元系金属ナノ粒子を生成させることができる。望ましくは、固体状の金属錯体を、上記プラズマ雰囲気を含む反応装置内で加熱により気化させて用いる。金属ナノ粒子の金属源として固体を用いることは、安全性、安定性、経済性、取り扱い利便性等の観点から最も望ましい。また、ナノコンポジット磁石の成分金属の一部として固体状の金属錯体で適したものが無い場合には、更に液体状の金属錯体を反応装置外で気化させてから反応装置内に導入することができる。
【選択図】図2

Description

本発明は、金属ナノ粒子、特にナノコンポジット磁石用などとして有用な金属ナノ粒子の製造方法に関する。
硬磁性材料と軟磁性材料をそれぞれ特徴付ける性質は保磁力と最大磁化である。すなわち両者の対比において、硬磁性材料は保磁力が大きく永久磁石として高性能を発揮するが最大磁束密度(最大磁化)は小さいのに対して、軟磁性材料は保磁力が小さく最大磁束密度が大きいため低鉄損のトランス鉄心等として高性能を発揮する。
永久磁石用の材料としては、保磁力と最大磁束密度が共に大きいほど、すなわち減磁曲線における最大エネルギー積(BHmax)が大きいほど、強力な磁力を安定して維持できる優れた磁石材料と言える。
ナノコンポジット磁石は硬磁性相と軟磁性相とをそれぞれ数十nm以下の金属ナノ粒子として微細に混在させた磁石であり、硬磁性相と軟磁性相の長所を併せ持つ優れた性能の磁石が得られることが期待される。
ナノコンポジット磁石として、特にNdFeB系は優れた特性を発揮することが期待されている。その場合、構成成分であるNd、Fe、Bをそれぞれ金属ナノ粒子として安定して製造する方法が必要である。
プラズマを用いてナノ粒子を製造する方法が種々提案されている。
特許文献1に、SiN、SiC等のナノ粒子を製造する方法が開示されている。ナノ粒子の原料はボンベからガスとして供給され、原料ガス自体をプラズマ化しており、Si源としてシラン(SiH)や塩化シリコン(SiCl)、N源としてアンモニア(NH)、C源としてメタンガス(CH)が例示されている。しかし、ナノコンポジット磁石用等の金属ナノ粒子の金属源として適したガスは、安全性、安定性、経済性、取り扱い利便性等の面から見当たらず、金属ナノ粒子の製造方法としては適さない。
特許文献2に、水素プラズマを有機金属錯体に照射し金属ナノ粒子を形成する工程と、非晶質薄膜を形成する工程とを交互に行なって内部に金属ナノ粒子が分散した非晶質薄膜を製造する方法が開示されている。しかし、この方法では、金属ナノ粒子自体を独立して得ることができず、金属ナノ粒子の製造方法としては採用できない。
また、プラズマを用いない方法としては、特許文献3、4に、液体状または気体状のβジケトネート金属錯体と酸素含有ガスを反応(加熱分解)させることで金属酸化物微粒子が得られること(特許文献3、4)、また、2種類の錯体を用いることで複合酸化物微粒子が得られること(特許文献3)が開示されている。しかし、これらの方法では、金属酸化物ナノ粒子は得られるが、金属ナノ粒子は得られない。
特公平8−190号公報 特開平5−19319号公報 特開2004−168641号公報 特開2005−97092号公報
本発明は、ナノコンポジット磁石用などに適した金属ナノ粒子を製造する方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明によれば、金属の錯体を気体状態にしてプラズマ雰囲気下で分解させることにより該金属のナノ粒子を生成させることを特徴とする金属ナノ粒子の製造方法が提供される。
本発明は、金属ナノ粒子の原料として、個体あるいは液体の金属錯体を気体状態にして用いるので、安全性、安定性、経済性、取り扱い利便性等の観点から最も適した金属錯体を原料として用いることができるので、種々の金属ナノ粒子を得ることができる。
本発明の方法は、減圧下においてプラズマを生起させた状態で、金属ナノ粒子の原料としての金属錯体のガスを導入し、プラズマのエネルギーにより金属錯体を分解して金属ナノ粒子を生成させる。
本発明に用いるプラズマ生成ガスは、生成した金属ナノ粒子の酸化を防止できる非酸化性ガスであり、具体的にはHe、Ar、Kr、Ne、Xe等の不活性ガス、H等の還元性ガスを用いることができる。
プラズマの発生方法は特に限定する必要はなく、具体例としては高周波誘導(RFIC)プラズマ、電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマ等を用いることができる。
本発明の方法により生成した金属ナノ粒子は、適当な基板上に堆積させることができる。この基板も特に限定する必要はなく、例えばアモルファスカーボン基板、KBr基板、Si基板等を用いることができる。
本発明の望ましい一形態においては、複数種類の金属の錯体を用いて、複数種類の金属から成る多元系金属ナノ粒子を生成させることができる。
本発明の最も望ましい形態においては、固体状の金属錯体を、上記プラズマ雰囲気を含む反応装置内で加熱により気化させて用いる。金属ナノ粒子の金属源として固体を用いることは、安全性、安定性、経済性、取り扱い利便性等の観点から最も望ましい。
また、ナノコンポジット磁石の成分金属の一部として固体状の金属錯体で適したものが無い場合には、更に液体状の金属錯体を反応装置外で気化させてから反応装置内に導入することができる。
以下に、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
〔実施例1〕
本発明により下記の条件および手順でNdナノ粒子を作製した。
<作製条件>
原料:Nd(TMOD) (*1)(固体) 200mg
(*1)正式名称:トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−オクタジオナト)ネオジウム
構造式:図1
RFプラズマ出力:200W
真空度:2.61E−2Torr
基板:KBr
プラズマ生成ガス:He(流量5.94sccm)
原料加熱坩堝温度:152℃
坩堝/基板間距離:100mm
生成時間:60sec
反応チャンバ内の原料加熱用坩堝内に原料Nd(TMOD)を装入した後、反応チャンバを真空に減圧し、プラズマ生成ガスHeを導入し、RFプラズマ発生装置を所定出力で作動させてプラズマを生起させる。
原料加熱坩堝を加熱して原料Nd(TMOD)を融解させ、融液からの蒸発によりガス化し、プラズマ下で60sec間処理した。
処理後、反応チャンバ内が室温になったら基板を取り出して、基板上に堆積している生成物を基板と共にTEM観察およびEELS分析した。図2に透過電子顕微鏡(TEM)像、図3に電子エネルギー損失分光分析(EELS)チャートを示す。図2の(1)、(2)は同一視野であり、後者の方が高倍率である。直径数十nmのNdナノ粒子が生成していることが確認された。図2のTEM像で黒い斑点がNdナノ粒子である。
なお、本実施例ではNd源としてNd(TMOD)を用いたが、Nd(IBPM) (*A)、Nd(DPM) (*B)などを用いることができる。これらのうちで、Nd(TMOD)は低温で融解し、短時間で蒸発するので最も利用し易い。
なお、上記(*A)、(*B)の正式名称は下記のとおりである。
(*A)トリス(イソブチリルピバロイルメタナト)ネオジウム
(*B)トリス(ジピバロイルメタナト)ネオジウム
〔実施例2〕
本発明により下記の条件および手順でFeナノ粒子を作製した。
<作製条件>
原料:Fe(TMOD) (*2)(固体) 200mg
(*2)正式名称:トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−オクタンジオナト)鉄
構造式:図4
RFプラズマ出力:200W
真空度:2.05E−1Torr
基板:KBr
プラズマ生成ガス:He(流量50sccm)
原料加熱坩堝温度:140℃
坩堝/基板間距離:100mm
生成時間:60sec
反応チャンバ内の原料加熱用坩堝内に原料Fe(TMOD)を装入した後、反応チャンバを真空に減圧し、プラズマ生成ガスHeを導入し、RFプラズマ発生装置を所定出力で作動させてプラズマを生起させる。
原料加熱坩堝を加熱して原料Fe(TMOD)を昇華させることによりガス化し、プラズマ下で60sec間処理した。
処理後、反応チャンバ内が室温になったら基板を取り出して、基板上に堆積している生成物を基板と共にTEM観察およびEELS分析した。図5にTEM像、図6にEELS分析チャートを示す。図5の(1)、(2)は同一視野であり、後者の方が高倍率である。直径数十nmのFeナノ粒子が生成していることが確認された。図5のTEM像で黒い斑点がFeナノ粒子である。
なお、本実施例ではFe源としてFe(TMOD)を用いたが、Fe(DIBM) (*C)、Fe(IBPM) (*D)、Fe(DPM) (*E)などを用いることができる。これらのうちで、Fe(TMOD)は活発に昇華し、短時間でガス化するので最も利用し易い。
なお、上記(*C)、(*D)、(*E)の正式名称は下記のとおりである。
(*C)トリス(ジイソブチリルメタナト)鉄
(*D)トリス(イソブチリルピバロイルメタナト)鉄
(*E)トリス(ジピバロイルメタナト)鉄
〔実施例3〕
本発明により下記の条件および手順でFeBナノ粒子を作製した。
<作製条件>
原料:Fe(TMOD)(固体) 200mg
B(OC (*3)(液体) 流量5sccm(反応チャンバ外で気化して導入)(*3)正式名称:トリエトキシボロン
RFプラズマ出力:200W
真空度:1.68E−1Torr
基板:KBr
プラズマ生成ガス:He(流量50sccm)
Fe原料加熱坩堝温度:140℃
坩堝/基板間距離:100mm
生成時間:60sec
反応チャンバ内の原料加熱用坩堝内に原料Fe(TMOD)を装入した後、反応チャンバを真空に減圧し、プラズマ生成ガスHeを導入し、RFプラズマ発生装置を所定出力で作動させてプラズマを生起させる。
原料加熱坩堝を加熱して原料Fe(TMOD)を昇華させることによりガス化し、並行して原料B(OCを反応チャンバ外部の蒸発装置で気化してチャンバ内に導入し、プラズマ下で60sec間処理した。
処理後、反応チャンバ内が室温になったら基板を取り出して、基板上に堆積している生成物を基板と共にTEM観察およびEELS分析した。図7にTEM像、図8にEELS分析チャートを示す。図7の(1)、(2)は同一視野であり、後者の方が高倍率である。図8の(1)、(2)はそれぞれBおよびFeについてのEELS分析チャートである。直径数十nmのFeBナノ粒子が生成していることが確認された。図7のTEM像で黒い斑点がFeBナノ粒子である。
なお、本実施例ではFe源としてFe(TMOD)を用いたが、実施例2と同様、Fe(DIBM)、Fe(IBPM)、Fe(DPM)などを用いることができる。これらのうちで、Fe(TMOD)は活発に昇華し、短時間でガス化するので最も利用し易い。またB源としてB(OCを用いたが、これ以外にもB、BClなどを用いることができる。B(OCは安全性などの観点から最も利用し易い。
〔実施例4〕
本発明により下記の条件および手順でNdFeナノ粒子を作製した。
<作製条件>
原料:Nd(TMOD)(固体) 200mg
Fe(TMOD)(固体) 200mg
RFプラズマ出力:200W
真空度:1.51E−1Torr
基板:KBr
プラズマ生成ガス:He(流量50sccm)
Nd原料加熱坩堝温度:145℃
Fe原料加熱坩堝温度:140℃
坩堝/基板間距離:100mm
生成時間:60sec
反応チャンバ内の2つの原料加熱用坩堝内にそれぞれ原料Nd(TMOD)およびFe(TMOD)を装入した後、反応チャンバを真空に減圧し、プラズマ生成ガスHeを導入し、RFプラズマ発生装置を所定出力で作動させてプラズマを生起させる。
Nd原料加熱坩堝を加熱して原料Nd(TMOD)を融解させ、融液からの蒸発によりガス化し、並行して、Fe原料加熱坩堝を加熱して原料Fe(TMOD)を昇華させることによりガス化し、プラズマ下で60sec間処理した。
処理後、反応チャンバ内が室温になったら基板を取り出して、基板上に堆積している生成物を基板と共にTEM観察およびEELS分析した。図9にTEM像、図10にEELS分析チャートを示す。図9の(1)、(2)は同一視野であり、後者の方が高倍率である。図10の(1)、(2)はそれぞれNd、FeのEELS分析チャートである。直径数十nm〜200nm程度のNdFeナノ粒子が生成していることが確認された。図9のTEM像で黒い斑点がNdFeナノ粒子である。
〔実施例5〕
実施例2と同様の条件および手順で、ただしRFプラズマ出力を200W、300W、400Wに変えて、Feナノ粒子の生成実験を行なった。処理後の基板上堆積物の(1)TEM像および(2)EELS分析チャートを、上記3通りのRFプラズマ出力についてそれぞれ図11、図12、図13に示す。
図11に示すように、RF出力200Wの場合は、Feナノ粒子の生成が確認された。
図12に示すように、RF出力300Wの場合は、粒子が観察されず、原料のFe(TMOD)が分解しなかったと考えられる。
図13に示すように、RF出力400Wの場合は、TEM像で多数の粒子の生成が認められ、EELS分析チャートから化合物が生成している可能性がある。
このようにRFプラズマ出力によってFeナノ粒子の生成および生成する粒子の形態を制御できる。
〔実施例6〕
実施例2と同様の条件および手順で、ただし反応チャンバ内の真空度を2水準に変えて、Feナノ粒子の生成実験を行なった。処理後の基板上堆積物の(1)TEM像および(2)EELS分析チャートを、上記2水準の真空度についてそれぞれ図14、図15に示す。
図14に示すように、真空度5.68E−2Torrの場合は、Feナノ粒子の生成が確認された。
図15に示すように、真空度5.84E−1Torrの場合は、粒子が観察されず、原料のFe(TMOD)が分解しなかったと考えられる。
このように真空度によってFeナノ粒子の生成を制御できる。
〔実施例7〕
実施例2と同様の条件および手順で、ただしプラズマ生成ガスHeの流量を3水準(5.5sccm、50sccm、500sccm)に変えて、Feナノ粒子の生成実験を行なった。(なお、Heガスの流量の変化に応じて真空度も5.68E−2Torr、2.05E−1Torr、6.15E−1Torrに変化した。)
処理後の基板上堆積物の(1A)(1B)TEM像および(2)EELS分析チャートを、上記3水準のHe流量についてそれぞれ図16、図17、図18に示す。TEM像(1A)と(1B)は同一視野であり、後者の方が高倍率である。
図16に示すように、He流量5.5sccm(真空度5.68E−2Torr)の場合は、個々に離散したFeナノ粒子が確認された。
図17に示すように、He流量50sccm(真空度2.05E−1Torr)の場合も、個々に離散したFeナノ粒子が確認された。
図18に示すように、He流量500sccm(真空度6.15E−1Torr)の場合は、多数の粒子が線状に数珠繋ぎになったFeナノ粒子が観察された。
このようにHe流量によってFeナノ粒子の生成形態を制御できる。
〔実施例8〕
実施例2と同様の条件および手順で、ただし真空度およびHe流量を他水準に変えて、Feナノ粒子の生成実験を行なった。図19に、真空度とHe流量の種々の組み合わせについて、粒子の生成形態をまとめて示す。
図19にプロットした各条件において、Fe粒子の生成状態は下記のように異なった。
黒丸●で示した条件では離散したFeナノ粒子が生成し(図16、17の形態)、白丸○で示した条件では多数の粒子が線状に数珠繋ぎになって生成し(図18の形態)、△で示した条件では粒子としてではなく連続膜として生成し、×で示した条件では基板上に堆積物が生成していなかった。
このように、真空度とHe流量との組み合わせにより、Feナノ粒子の生成および生成形態を制御できる。
本発明によれば、ナノコンポジット磁石用などに適した金属ナノ粒子を製造する方法が提供される。
本発明によりNdナノ粒子を生成するためのNd源の金属錯体として用いたNd(TMOD)の化学構造式。 実施例1で生成したNdナノ粒子のTEM像。 実施例1で生成したNdナノ粒子のEELS分析チャート。 本発明によりFeナノ粒子を生成するためのFe源の金属錯体として用いたFe(TMOD)化学構造式。 実施例2で生成したFeナノ粒子のTEM像。 実施例2で生成したFeナノ粒子のEELS分析チャート。 実施例3で生成したFeBナノ粒子のTEM像。 実施例3で生成したFeBナノ粒子のEELS分析チャート。 実施例4で生成したNdFeナノ粒子のTEM像。 実施例4で生成したNdFeナノ粒子のEELS分析チャート。 実施例5においてRFプラズマ出力200Wで処理後の基板上の堆積物の(1)TEM像および(2)EELS分析チャート。 実施例5においてRFプラズマ出力300Wで処理後の基板上の堆積物の(1)TEM像および(2)EELS分析チャート。 実施例5においてRFプラズマ出力400Wで処理後の基板上の堆積物の(1)TEM像および(2)EELS分析チャート。 実施例6において真空度5.68E−2Torrで処理後の基板上の堆積物の(1)TEM像および(2)EELS分析チャート。 実施例6において真空度5.84E−1Torrで処理後の基板上の堆積物の(1)TEM像および(2)EELS分析チャート。 実施例7においてHe流量5.5sccmで処理後の基板上の堆積物の(1A)(1B)TEM像および(2)EELS分析チャート。 実施例7においてHe流量50sccmで処理後の基板上の堆積物の(1A)(1B)TEM像および(2)EELS分析チャート。 実施例7においてHe流量500sccmで処理後の基板上の堆積物の(1A)(1B)TEM像および(2)EELS分析チャート。 実施例8において、真空度とHe流量の組合せを種々に変えて処理した場合のFeナノ粒子の生成形態をまとめて示すグラフ。

Claims (4)

  1. 金属の錯体を気体状態にしてプラズマ雰囲気下で分解させることにより該金属のナノ粒子を生成させることを特徴とする金属ナノ粒子の製造方法。
  2. 請求項1において、複数種類の金属の錯体を用いて、該複数種類の金属から成る多元系金属ナノ粒子を生成させることを特徴とする金属ナノ粒子の製造方法。
  3. 請求項1または2において、固体状の金属錯体を、上記プラズマ雰囲気を含む反応装置内で加熱により気化させてから用いることを特徴とする金属ナノ粒子の製造方法。
  4. 請求項3において、更に液体状の金属錯体を、上記反応装置外で気化させてから該反応装置内に導入することを特徴とする金属ナノ粒子の製造方法。
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