JP2009021587A - デバイス、システム、方法(高電力デバイスの動作温度範囲を拡大するためのシステム) - Google Patents
デバイス、システム、方法(高電力デバイスの動作温度範囲を拡大するためのシステム) Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009021587A JP2009021587A JP2008173209A JP2008173209A JP2009021587A JP 2009021587 A JP2009021587 A JP 2009021587A JP 2008173209 A JP2008173209 A JP 2008173209A JP 2008173209 A JP2008173209 A JP 2008173209A JP 2009021587 A JP2009021587 A JP 2009021587A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- components
- component
- operating temperature
- minimum operating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K3/00—Thermometers giving results other than momentary value of temperature
- G01K3/005—Circuits arrangements for indicating a predetermined temperature
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1919—Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the type of controller
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/20—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/345—Arrangements for heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】埋め込みモニタが、コンポーネントの接合温度などの局部的温度を測定する。測定温度がコンポーネントの最低動作温度閾値よりも低い場合、温度制御ロジックは、加熱源を利用して、コンポーネントの温度を動作レベルまで上昇させるために予熱を開始する。コンポーネント(またはデバイス)は、温度が動作レベル以上である場合にのみ、動作状態にされる。温度制御ロジックは、動作中システム/デバイス内のコンポーネントによって散逸される高電力を自己加熱源として使用して、コンポーネントの動作温度を維持する。自己加熱が動作温度を維持することができない場合、加熱源が、コンポーネントの動作温度の維持を支援するために利用され、それによって、コンポーネントが利用されるシステムの有効動作温度範囲を拡大する。
【選択図】 図4
Description
102 温度制御サブシステム
103 冷却システム
104 温度センサ
105 予熱器&フィードバック・システム
106 加熱器
107 電力散逸
108 マイクロコード
110 下側動作温度閾値
112 高電力コンポーネント
200 ホスト・デバイス
203 ヒート・シンク
204 熱ダイオード
206 加熱器
212 高電力コンポーネント
300 局部温度制御ロジック
301 第1の温度制御サブシステム
304 熱ダイオード
306 加熱器
307 第1の入力
308 比較器
309 第1の出力
310 ORゲート
311 出力信号
312 主要コンポーネント
313 第2の温度制御サブシステム
314 第2の入力
316 第2の出力
317 第3の温度制御サブシステム
319 第3の入力
320 熱ダイオード電圧
321 第3の出力
Claims (19)
- 最低動作温度閾値を含む温度範囲内で動作する少なくとも1つのコンポーネントと、
温度制御サブシステムであって、
前記少なくとも1つのコンポーネントの現在温度が前記最低動作温度閾値よりも低い場合にそのことを検出し、
前記コンポーネントの動作を開始する前に、前記温度範囲内の温度まで前記少なくとも1つのコンポーネントを自動的に予熱するための温度制御サブシステムと、を含むデバイス。 - 前記温度制御サブシステムが、
前記少なくとも1つのコンポーネントの前記現在温度を検出する1つまたは複数の温度センサと、
前記少なくとも1つのコンポーネントの前記現在温度を増加させる熱を発生するために選択的に活動化される少なくとも1つの加熱器と、を含み、
前記最低動作温度閾値よりも低い温度を含む前記コンポーネントの前記現在温度を検出し、その現在温度を表す出力を生成するように、前記1つまたは複数の温度センサがキャリブレーションを施される、請求項1に記載のデバイス。 - 前記温度制御サブシステムが、
前記現在温度が前記最低動作温度閾値よりも低い場合に、前記少なくとも1つの加熱器に電力を印加することによって前記少なくとも1つの加熱器を活動化し、
前記現在温度が前記最低動作温度閾値以上である場合に、前記少なくとも1つの加熱器から電力を除去する、ロジックをさらに含み、
前記デバイスが、前記温度センサが前記最低動作温度閾値と少なくとも等しい現在温度を検出した場合に、前記少なくとも1つのコンポーネントに電力を供給するロジックを含む、請求項2に記載のデバイス。 - 前記温度制御サブシステムが、
ヒート・シンクを含む冷却機構と、
前記少なくとも1つのコンポーネントが動作状態になった場合にそのことを検出するロジックと、
前記ヒート・シンクと前記少なくとも1つのコンポーネントからの熱散逸との組合せを使用して前記少なくとも1つのコンポーネントの前記現在温度を調整するロジックであって、前記熱散逸が、現在温度を前記最低動作温度閾値に少なくとも等しく、または前記最低動作温度閾値よりも高く維持するために利用される自己加熱を提供し、電力が前記少なくとも1つのコンポーネントに印加され、前記デバイスが動作状態になった後、動作温度を維持するために自己加熱が利用されるロジックと、
前記少なくとも1つのコンポーネントの前記現在温度が動作閾値温度よりも低く降下した場合にそのことを検出し、前記現在温度を前記最低動作温度閾値よりも高く維持するために自己加熱が十分でないことを通知するロジックと、
前記検出に応答して、前記最低動作温度閾値以上の動作温度の維持を支援するために、前記自己加熱とは独立に熱を発生する加熱器を活動化するロジックと、をさらに含む、請求項1に記載のデバイス。 - 前記温度制御サブシステムが、前記デバイスの動作温度範囲を拡大するために、自己加熱と併用される熱を発生する前記加熱器の活動化をトリガするロジックであって、前記加熱器から発生される熱とデバイス・コンポーネントの前記自己加熱の組合せが、前記デバイスの信頼のおける動作温度範囲の下側限界を拡大するロジックをさらに含む、請求項4に記載のデバイス。
- 前記温度センサが、前記少なくとも1つのコンポーネントの現在温度と相関がある順方向バイアス電圧を生成する熱ダイオードであり、
前記温度制御サブシステムが、前記順方向バイアス電圧が前記最低動作温度閾値よりも低い現在温度と相関がある場合にそのことを決定する比較器ロジックをさらに含む、請求項2に記載のデバイス。 - 前記加熱器が、ヒート・シンク内に埋め込まれ、前記温度センサが、前記少なくとも1つのコンポーネントおよび前記ヒート・シンクの近辺に配置される、請求項2に記載のデバイス。
- 前記少なくとも1つのコンポーネントが、第1のコンポーネントと、第2のコンポーネントとを含み、その各々が、対応する温度センサと、それぞれの動作温度閾値とを有し、
前記温度制御サブシステムが、
前記第1のコンポーネントと前記第2のコンポーネントの少なくとも一方の前記現在温度がそれぞれの動作温度閾値よりも低い場合にそのことを細粒度で決定する比較器ロジックと、
前記第1のコンポーネントまたは前記第2のコンポーネントのいずれか一方が前記動作温度閾値よりも低い現在温度を有する場合に、前記第1のコンポーネントおよび前記第2のコンポーネントの特定の一方の温度を局部的に増加させるために、前記加熱器の活動化をトリガするロジックと、を含む、請求項2に記載のデバイス。 - 2つ以上のコンポーネントを有し、複数のコンポーネントが、別個の加熱器および温度センサを有し、前記複数のコンポーネントの各々が、対応する最低動作温度も有し、前記温度制御サブシステムが、
前記コンポーネントの前記対応する最低動作温度よりも低い現在温度を有する、前記2つ以上のコンポーネントのうちのただ1つのコンポーネントの前記別個の加熱器を、前記コンポーネントに関連する局部加熱器を活動化することによって前記コンポーネントの温度が増加されるように、細粒度で活動化するロジックをさらに含む、請求項2に記載のデバイス。 - 2つ以上のコンポーネントを有し、複数のコンポーネントが、個々の最低動作温度を有し、前記温度制御サブシステムが、
前記複数のコンポーネントのそれぞれに個々に関連する複数の温度センサと、
前記複数の温度センサから入力を受け取り、複数の比較出力を生成するために、前記入力と前記個々の最低動作温度のうち前記関連するコンポーネントに対応する最低動作温度とを比較する比較器機構と、
前記複数の比較出力を組み合わせて、前記複数のコンポーネントの少なくとも1つがそのコンポーネントの前記最低動作温度未満である場合にそのことを通知する第1の組合せ出力と、前記複数のコンポーネントの少なくとも1つがそのコンポーネントの前記最低動作温度以上である場合にそのことを通知する第2の組合せ出力の一方を生成する論理関数と、をさらに含み、
熱を提供するために前記加熱器を活動化するロジックが、前記論理関数から前記第1の組合せ出力が受け取られた場合、前記複数のコンポーネントを加熱する前記加熱器の活動化をトリガするロジックを含む、請求項2に記載のデバイス。 - 最低動作温度を含む事前定義された温度範囲内で動作する1つまたは複数のコンポーネントと、
前記1つまたは複数のコンポーネントの前記最低動作温度と相関がある、前記1つまたは複数のコンポーネントの最低動作温度と対比される前記1つまたは複数のコンポーネントの温度の監視を行うための少なくとも1つの温度センサと、
少なくとも1つの熱発生機構と、
前記1つまたは複数のコンポーネントの温度が前記最低動作温度よりも低く、デバイスが動作状態にされている場合に、前記1つまたは複数のコンポーネントを前記1つまたは複数のコンポーネントの前記最低動作温度以上の温度まで予熱するように加熱器を制御するロジックと、
前記1つまたは複数のコンポーネントが前記最低動作温度以上の温度まで予熱された場合に、システムにシステム電力を印加するロジックと、を含むシステム。 - 前記温度センサが、前記1つまたは複数のコンポーネントに実質的に隣接して配置され、前記1つまたは複数のコンポーネントの現在温度にその値が相関する順方向バイアス電圧を生成する熱ダイオードであり、
前記制御するロジックが、前記1つまたは複数のコンポーネントの前記現在温度が前記最低動作温度よりも低いかどうかを決定するために、前記ダイオードの前記順方向バイアス電圧を、前記1つまたは複数のコンポーネントの前記最低動作温度を表す事前設定された基準順方向バイアス電圧と比較するロジックをさらに含む、請求項11に記載のシステム。 - 前記制御するロジックが、前記1つまたは複数のコンポーネントの現在温度が前記1つまたは複数のコンポーネントの前記最低動作温度よりも低い場合に、前記1つまたは複数のコンポーネントを予熱するために、前記熱発生機構を活動化することによって、前記1つまたは複数のコンポーネントを取り巻くエリアを予熱するロジックを含む、請求項11に記載のシステム。
- 自己加熱を提供するためにデバイスによって散逸される熱と前記1つまたは複数のコンポーネントに適用される冷却の量とのバランスを取ることによって、前記1つまたは複数のコンポーネントの動作温度の範囲内に前記1つまたは複数のコンポーネントの温度を維持するロジックと、
前記1つまたは複数のコンポーネントの温度が前記システムの動作中に前記最低動作温度よりも低く降下し、自己加熱として前記システムによって散逸される熱が前記1つまたは複数のコンポーネントの温度を動作温度の前記範囲内に維持するのに十分でないことを示した場合、前記自己加熱と組み合わせる追加の熱を発生するために、前記熱発生機構を活動化するロジックと、をさらに含み、
前記活動化するロジックが、前記温度センサからフィードバックを受け取り、前記1つまたは複数のコンポーネントにとって望ましい温度範囲を達成するために、調整された方式で前記熱発生機構を選択的に活動化することによって前記フィードバックに応答するロジックをさらに含み、
前記システムの動作が、前記熱発生機構および自己加熱に起因する前記1つまたは複数のコンポーネントの温度上昇に実質的に等しい量だけ保証された周囲限界よりも低い温度で可能にされる、請求項11に記載のシステム。 - 個々の最低動作温度を有する複数のコンポーネントを有し、
前記複数のコンポーネントのそれぞれに個々に関連する複数の温度センサと、
前記複数の温度センサから入力を受け取り、複数の比較出力を生成するために、前記入力と前記個々の最低動作温度のうち前記関連するコンポーネントに対応する最低動作温度とを比較する比較器機構と、
前記複数の比較出力を組み合わせて、前記複数のコンポーネントの少なくとも1つがそのコンポーネントの前記最低動作温度未満である場合にそのことを通知する第1の組合せ出力と、前記複数のコンポーネントの少なくとも1つがそのコンポーネントの前記最低動作温度以上である場合にそのことを通知する第2の組合せ出力の一方を生成する論理関数と、をさらに含み、
前記複数のコンポーネントに熱を提供するために前記加熱器を活動化する前記ロジックが、前記論理関数から前記第1の組合せ出力が受け取られた場合、前記加熱器の活動化をトリガするロジックを含む、請求項11に記載のシステム。 - 前記1つまたは複数のコンポーネントが、別個の加熱器および温度センサを有する複数のコンポーネントを含み、前記複数のコンポーネントの各々が、対応する最低動作温度も有し、前記制御するロジックが、
前記コンポーネントの前記対応する最低動作温度よりも低い現在温度を有する、前記複数のコンポーネントのうちのただ1つのコンポーネントの前記別個の加熱器を、前記コンポーネントに関連する局部加熱器を活動化することによって前記コンポーネントの温度が増加されるように、細粒度で活動化するロジックをさらに含む、請求項11に記載のシステム。 - ホスト・デバイスの1つまたは複数のコンポーネントの最低動作温度閾値と比べて前記1つまたは複数のコンポーネントの温度を監視するステップと、
前記1つまたは複数のコンポーネントの温度が前記最低動作温度閾値よりも低い場合、前記1つまたは複数のコンポーネントの前記最低動作温度閾値まで前記1つまたは複数のコンポーネントを自動的に予熱するステップと、
前記1つまたは複数のコンポーネントが前記最低動作温度閾値よりも高い温度まで予熱された場合にのみ、前記ホスト・デバイスの前記1つまたは複数のコンポーネントへのシステム電力の印加を可能にするステップと、を含む方法。 - 前記ホスト・デバイスが、埋め込み熱ダイオードおよび加熱源を含み、
前記監視するステップが、前記1つまたは複数のコンポーネントの局部動作温度を決定するために、前記1つまたは複数のコンポーネントの近辺に配置される前記熱ダイオードの順方向バイアス電圧を、前記1つまたは複数のコンポーネントの最低動作温度を表す事前設定された基準順方向バイアス電圧と比較するステップをさらに含み、
前記予熱するステップが、前記1つまたは複数のコンポーネントの局部温度が前記1つまたは複数のコンポーネントの前記最低動作温度閾値よりも低い場合、前記ホスト・デバイスを予熱するために前記埋め込み加熱源を活動化するステップをさらに含む、請求項17に記載の方法。 - 前記印加するステップが、動作状態になるように前記ホスト・デバイスを初期化するステップを含み、
前記方法が、
前記ホスト・デバイスのコンポーネントによって発生される熱を自己加熱として利用して、前記ホスト・デバイスの温度を動作温度範囲内に維持するステップと、
望ましい温度範囲を達成し維持するために、調整された方式で前記加熱源が選択的に利用されるフィードバック・システムを活動化するステップと、
前記デバイスの温度が前記最低動作温度よりも低く降下した場合、前記埋め込み加熱源から発生される熱を前記コンポーネントの自己加熱と組み合わせて、前記1つまたは複数のコンポーネントの温度を前記動作温度範囲内に維持するために、前記埋め込み加熱源を活動化するステップと、をさらに含み、
前記デバイスの動作が、自己加熱および前記埋め込み加熱源からの加熱に起因する前記1つまたは複数のコンポーネントの温度上昇に等しい量だけ周囲限界よりも低い温度まで拡大される、請求項18に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/776,369 US8785823B2 (en) | 2007-07-11 | 2007-07-11 | Extending the operating temperature range of high power devices |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012270285A Division JP5658221B2 (ja) | 2007-07-11 | 2012-12-11 | デバイス、システム、方法(高電力デバイスの動作温度範囲を拡大するためのシステム) |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009021587A true JP2009021587A (ja) | 2009-01-29 |
Family
ID=40253082
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008173209A Pending JP2009021587A (ja) | 2007-07-11 | 2008-07-02 | デバイス、システム、方法(高電力デバイスの動作温度範囲を拡大するためのシステム) |
JP2012270285A Expired - Fee Related JP5658221B2 (ja) | 2007-07-11 | 2012-12-11 | デバイス、システム、方法(高電力デバイスの動作温度範囲を拡大するためのシステム) |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012270285A Expired - Fee Related JP5658221B2 (ja) | 2007-07-11 | 2012-12-11 | デバイス、システム、方法(高電力デバイスの動作温度範囲を拡大するためのシステム) |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8785823B2 (ja) |
JP (2) | JP2009021587A (ja) |
TW (1) | TW200918873A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012114400A1 (ja) * | 2011-02-21 | 2012-08-30 | パナソニック株式会社 | 集積回路 |
JP2012169555A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Canon Inc | 半導体システム、及びその起動方法、プログラム |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8378271B2 (en) * | 2007-07-11 | 2013-02-19 | International Business Machines Corporation | Utilization of overvoltage and overcurrent compensation to extend the usable operating range of electronic devices |
US8586982B2 (en) * | 2010-08-25 | 2013-11-19 | International Business Machines Corporation | Semiconductor test chip device to mimic field thermal mini-cycles to assess reliability |
JP5206814B2 (ja) * | 2011-02-02 | 2013-06-12 | カシオ計算機株式会社 | 冷却装置、冷却制御方法及びプログラム |
US8744666B2 (en) * | 2011-07-06 | 2014-06-03 | Peloton Technology, Inc. | Systems and methods for semi-autonomous vehicular convoys |
WO2013140226A2 (en) * | 2012-03-20 | 2013-09-26 | Chleon Automotive Ltd., | System and method for controlling internal temperature of electronic components |
US20140245028A1 (en) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Qualcomm Incorporated | System and method for temperature driven selection of voltage modes in a portable computing device |
CN104634466B (zh) * | 2013-11-14 | 2018-07-06 | 北京华峰测控技术有限公司 | 半导体功率器件结温仿真电路 |
EP3104511B2 (en) | 2015-06-09 | 2020-09-09 | MARICI Holdings The Netherlands B.V. | Electrical assembly |
US10566783B2 (en) * | 2017-04-11 | 2020-02-18 | Intel Corporation | Methods and apparatus for implementing over-temperature fault protection in wearable devices and other electronic devices |
JP2019102473A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置における電流調整方法 |
JP7134111B2 (ja) | 2019-02-08 | 2022-09-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュールおよび半導体モジュールの評価方法 |
US10796977B2 (en) | 2019-03-04 | 2020-10-06 | Intel Corporation | Method and apparatus to control temperature of a semiconductor die in a computer system |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07153876A (ja) * | 1994-09-19 | 1995-06-16 | Hitachi Ltd | 半導体冷却装置 |
JP2000101276A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Seiko Epson Corp | 電子機器 |
JP2003309317A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-10-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光学装置、光学装置の起動方法及び駆動方法、並びに光通信機器 |
JP2004221157A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 電子機器 |
JP2006351979A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | パワー半導体モジュール、温度計測装置、および温度計測方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4086467A (en) * | 1976-07-19 | 1978-04-25 | Texas Instruments Incorporated | Electronic heater for high voltage applications |
US4675777A (en) | 1984-12-13 | 1987-06-23 | General Electric Company | Temperature-responsive circuit for load control apparatus |
JPH0529428A (ja) | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の検査装置 |
GB2258356B (en) | 1991-07-31 | 1995-02-22 | Metron Designs Ltd | Method and apparatus for conditioning an electronic component having a characteristic subject to variation with temperature |
US5324916A (en) | 1991-11-01 | 1994-06-28 | Hewlett-Packard Company | System and method for dynamic power compensation |
JPH05226440A (ja) | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPH05235254A (ja) | 1992-02-25 | 1993-09-10 | Nec Corp | モノリシック集積回路 |
US5774331A (en) | 1996-05-01 | 1998-06-30 | Raytheon Company | Portable workstation having environmentally sealed components |
US5911897A (en) | 1997-01-13 | 1999-06-15 | Micro Control Company | Temperature control for high power burn-in for integrated circuits |
US6928559B1 (en) | 1997-06-27 | 2005-08-09 | Broadcom Corporation | Battery powered device with dynamic power and performance management |
US6389225B1 (en) | 1998-07-14 | 2002-05-14 | Delta Design, Inc. | Apparatus, method and system of liquid-based, wide range, fast response temperature control of electronic device |
US6046433A (en) | 1998-09-11 | 2000-04-04 | Linear Technology Corporation | Monolithic integrated circuit die heater and methods for using same |
WO2001028293A1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-04-19 | Xircom, Inc. | Thermally controlled circuit using planar resistive elements |
US7050959B1 (en) | 1999-12-23 | 2006-05-23 | Intel Corporation | Dynamic thermal management for integrated circuits |
JP3583704B2 (ja) * | 2000-01-12 | 2004-11-04 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 温度測定装置、熱型赤外線イメージセンサ及び温度測定方法 |
US6525354B2 (en) | 2001-04-27 | 2003-02-25 | Fujitsu Limited | FET circuit block with reduced self-heating |
US6917237B1 (en) | 2004-03-02 | 2005-07-12 | Intel Corporation | Temperature dependent regulation of threshold voltage |
JP2006135186A (ja) | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Nec Corp | 回路の加熱・保温装置 |
US8086358B2 (en) | 2007-07-11 | 2011-12-27 | International Business Machines Corporation | Method for pre-heating high power devices to enable low temperature start-up and operation |
US8378271B2 (en) | 2007-07-11 | 2013-02-19 | International Business Machines Corporation | Utilization of overvoltage and overcurrent compensation to extend the usable operating range of electronic devices |
-
2007
- 2007-07-11 US US11/776,369 patent/US8785823B2/en active Active
-
2008
- 2008-07-02 JP JP2008173209A patent/JP2009021587A/ja active Pending
- 2008-07-09 TW TW097125829A patent/TW200918873A/zh unknown
-
2012
- 2012-12-11 JP JP2012270285A patent/JP5658221B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07153876A (ja) * | 1994-09-19 | 1995-06-16 | Hitachi Ltd | 半導体冷却装置 |
JP2000101276A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Seiko Epson Corp | 電子機器 |
JP2003309317A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-10-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光学装置、光学装置の起動方法及び駆動方法、並びに光通信機器 |
JP2004221157A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 電子機器 |
JP2006351979A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | パワー半導体モジュール、温度計測装置、および温度計測方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012169555A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Canon Inc | 半導体システム、及びその起動方法、プログラム |
WO2012114400A1 (ja) * | 2011-02-21 | 2012-08-30 | パナソニック株式会社 | 集積回路 |
US8952499B2 (en) | 2011-02-21 | 2015-02-10 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Integrated circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090016408A1 (en) | 2009-01-15 |
JP5658221B2 (ja) | 2015-01-21 |
TW200918873A (en) | 2009-05-01 |
US8785823B2 (en) | 2014-07-22 |
JP2013070085A (ja) | 2013-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5658221B2 (ja) | デバイス、システム、方法(高電力デバイスの動作温度範囲を拡大するためのシステム) | |
JP5658222B2 (ja) | デバイス、方法、システム(電子デバイスの有効動作範囲を拡大するための過電圧および過電流補償の利用) | |
TWI382162B (zh) | 以熱敏電阻為基礎之溫度偵測裝置及其溫度偵測方法 | |
US8087823B2 (en) | Method for monitoring thermal control | |
US8086358B2 (en) | Method for pre-heating high power devices to enable low temperature start-up and operation | |
TWI498484B (zh) | 風扇控制系統、電腦系統及其風扇控制之方法 | |
JP6630557B2 (ja) | ボルテージレギュレータ | |
US7734440B2 (en) | On-chip over-temperature detection | |
US9148910B1 (en) | Method and apparatus for heating up integrated circuits | |
US9035689B2 (en) | Thermal controller for semiconductor switching power devices | |
US11224098B2 (en) | Systems and methods for passive heating of temperature-sensitive electronic components | |
JP2015069652A (ja) | 拡大周囲温度範囲内で最大性能動作を可能にするためのシステムおよび方法 | |
US20080154536A1 (en) | Detecting faulty cpu heat sink coupling during system power-up | |
US8640968B2 (en) | Temperature gain control device and method thereof | |
JP6765527B2 (ja) | 半導体素子の温度保護装置 | |
EP3478025A1 (en) | Self-regulating heater compensation | |
JP6624303B2 (ja) | 温度測定器、温度調節計及び短絡判別プログラム | |
JP6549450B2 (ja) | 熱感知器、及び熱感知器の制御方法 | |
KR101223938B1 (ko) | 고속응답형 바이메탈 온도 퓨즈 | |
JP2008304848A (ja) | 画像形成装置 | |
JP2008216376A (ja) | 定着部の温度制御装置及び画像形成装置 | |
JP3945462B2 (ja) | 加熱機器 | |
CN104038221A (zh) | 一种电加热器及对其的ad输入装置进行故障识别的方法 | |
JP6492284B2 (ja) | 面状採暖具 | |
JP2005140397A (ja) | 温度検知機能付き加熱調理装置とそのプログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110608 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120918 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121211 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130606 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130828 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20131101 |