JP2009015049A - 液晶表示装置 - Google Patents

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【課題】液晶表示装置において十分な補助容量を確保しつつ画素の開口率を向上させる。
【解決手段】画素において第1補助容量Cs1と第2補助容量Cs2を並列に接続し、第1補助容量線5と第2補助容量線6とを重ねて形成する。これにより、所定の容量値を確保することができると共に、補助容量の面積を削減して効率的な配置が可能となるので、画素の開口部となる画素電極8の面積を大きくすることができる。
【選択図】図3

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に各画素にスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。
液晶表示装置は、薄型、軽量且つ低消費電力であることから、各種機器の表示装置として用いられている。近年、従来の液晶表示装置に用いられてきたアモルファスシリコンを材料とする薄膜トランジスタに比べ、電子移動度が高いポリシリコンによる薄膜トランジスタを比較的低温のプロセスで形成する技術が確立され、トランジスタの小型化が可能となった。これにより、高精細化が可能となると共に、ガラス基板上に画素とその周辺の駆動回路とを一体的に形成することができるようになった。また、最近では、狭額縁化の要求に伴って駆動回路の面積を削減するために、駆動回路の電源ラインなどのバス配線を多層化する技術が開発されている。
一般に、液晶表示装置は、対向して配置されたアレイ基板及び対向基板と、両基板の間隙に挟持された液晶層とを備える。更に、交差して配線された複数の信号線及び複数の走査線の各交差部に配置された画素と、信号線及び走査線を駆動する駆動回路をアレイ基板上に備える。
図9に示すように、各画素は、映像信号の電圧を表示材料である液晶に印加する画素電極と、この電位を保持する補助容量と、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ(以下、TFTと称する)を備える。表示の際には、順次走査のために走査線から供給されるゲート信号により、TFTは一定期間オンする。このとき映像信号が信号線を通じて画素電極と補助容量に書き込まれる。
カラー表示の際にはR,G,B毎に映像信号のガンマ特性を調整する必要がある。予め各色毎に補助容量の大きさを適宜調整しておき、画素電極へ同じ信号レベルの映像信号を書き込んだ後、補助容量線を通じて補助容量の電位を変化させる。これにより、画素電極の電位を変動させ液晶に印加される実効的な電圧を制御して映像信号を補償することができる(例えば、特許文献1参照)。その他、各色毎に補助容量を同じ容量値とし、補助容量線の電位の変化量を調整することで液晶に所定の電位変化を与える方法がある。このように、液晶表示装置では補助容量において所定の容量値を維持する必要があるため、画素毎に一定の面積を確保する必要がある。
特開2007−47615号公報
しかしながら、近年、画素の更なる微細化の要求に伴って、画素電極の面積を小さくした場合には、画素の開口率が低下してしまうという問題がある。これに対し、画素電極の面積を例えば従来と同様な大きさとした場合には、補助容量の面積が小さくなってしまうため、十分な容量値を確保できなくなるという問題がある。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その課題とするところは、液晶表示装置において十分な補助容量を確保しつつ画素の開口率を向上させることにある。
本発明に係る液晶表示装置は、対向配置されているアレイ基板及び対向基板と、前記アレイ基板及び前記対向基板の間隙に挟持された液晶層と、前記アレイ基板上に交差して配線された複数の信号線及び複数の走査線と、前記アレイ基板上に配線された複数の補助容量線と、前記各交差部において信号線と走査線に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と接続された画素電極及び第1補助容量と、前記第1補助容量と並列に接続された第2補助容量とを備え、前記第1補助容量及び前記第2補助容量のそれぞれの補助容量線が重なって形成されることを特徴とする。
本発明にあっては、第1補助容量と第2補助容量を並列に接続しそれぞれの補助容量線を重ねて形成することで、所定の容量値を確保することができると共に補助容量の面積を削減して効率的な配置が可能となるので、画素の開口部となる画素電極の面積を大きくすることができる。
また、上記液晶表示装置は、前記アレイ基板上に設けられた表示領域の周囲に配置され、多層化して形成された配線層を有する駆動回路を更に備え、前記第2補助容量の補助容量線は、前記配線層と同層で形成されたものであることを特徴とする。
本発明にあっては、アレイ基板上に設けられた表示領域の周囲において、多層化して形成された配線層を有する駆動回路を配置すると共に、第2補助容量の補助容量線を、上記配線層と同層で形成するようにしたことで、液晶表示装置において狭額縁化が可能となると共に、製造時において第2補助容量の形成にあたって製造工程数を増加させることはないので製造コストを抑制することができる。
また、上記液晶表示装置における駆動回路は、前記信号線を通じて前記画素電極に映像信号を書き込んだ後、前記補助容量の電位を変化させて前記画素電極の電位のシフト量を制御する容量結合駆動を行うものであって、前記画素電極毎に前記第1補助容量と前記第2補助容量のそれぞれの補助容量線に順次駆動パルスを印加することを特徴とする。
本発明にあっては、駆動回路により容量結合駆動を行う際に、画素電極毎に第1補助容量と第2補助容量のそれぞれの補助容量線に順次駆動パルスを印加するようにしたことで、駆動パルスによりシフト変動した画素電極の電位に含まれるノイズ成分が分散されるので、周辺回路の動作への影響を軽減することができる。
また、上記液晶表示装置における第2補助容量は、赤・緑・青のそれぞれの色毎に異なる容量値を有することを特徴とする。
本発明にあっては、第2補助容量の容量値を赤・緑・青のそれぞれの色毎に異なるようにすることで、駆動回路により容量結合駆動を行う際に、第2補助容量の電位を変動させて、画素電極に印加された映像信号のガンマ特性を色毎に調整することが可能となる。また、第2補助容量に印加する電圧の変動量を色毎に一定とした場合には、駆動回路の出力レベルが抑制されるので消費電力を削減することができる。
本発明の液晶表示装置によれば、十分な補助容量を確保しつつ画素の開口率を向上させることが可能となる。
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
[第1の実施の形態]
液晶表示装置は、アレイ基板100と、アレイ基板100に対向配置された対向基板と、両基板の間隙に挟持された液晶層とを備えた構成である。
図1の平面図に示すように、アレイ基板100上には、中央に設けられた表示エリア20と、表示エリア20の周辺に配置された信号線駆動回路30、走査線駆動回路40、及びデータ処理回路50を備える。表示エリア20において画素2がマトリクス状に配列される。尚、本実施の形態では、ポリシリコンによる薄膜トランジスタを形成することにより、ガラス製のアレイ基板上に画素とその周辺回路とを一体的に形成する。また、ここでは図示しないが、駆動回路などの周辺回路では、回路面積を削減するために信号配線や電源ラインを形成するための金属配線層を多層化している。これにより、液晶表示装置において狭額縁化が可能となる。
図2は、画素2の構成を等価回路で概略的に示している。同図に示すように、複数の走査線3及び複数の信号線4が交差して配線される。各交差部において信号線と走査線に接続されたスイッチング素子としての薄膜トランジスタ7(以下、TFTと称する)及び画素電極8が配置される。
具体的には、TFT7のゲート端子が走査線3に接続され、ドレイン端子が信号線4に接続され、ソース端子が画素電極8、第1補助容量Cs1、及び第1補助容量Cs2に接続される。画素電極8は、液晶層300を介して対向基板上に形成された対向電極200との間で液晶容量を形成する。ここで対向電極200は共通電位Vcomに設定される。第1補助容量Cs1および第2補助容量Cs2は互いに並列に接続され、第1補助容量Cs1を形成する第1補助容量線5、及び第2補助容量Cs2を形成する第2補助容量線6がそれぞれ走査線3と平行して配線される。
図3は、図2の画素2のレイアウト図である。同図に示すように、第1補助容量線5と、破線で示した第2補助容量線6が重なって形成される。このように、第1補助容量Cs1の投影面積上に、第2補助容量Cs2を形成することで、所定の容量値を確保しつつ補助容量の面積を大幅に削減することができる。一方、開口部となる画素電極8の面積を十分に確保することができる。これにより、画素の開口率を向上させることが可能となる。
図4は、図3のA−A’部の概略的な断面図である。第1補助容量Cs1は、スイッチング素子引き出し配線9と第1補助容量線5との間で形成される。スイッチング素子引き出し配線9はコンタクトホール12を通じてゲート接続配線10及び画素電極8と接続されスイッチング素子引き出し配線9と画素電極8は同電位に設定される。ここで画素電極8には透明性のITO膜が使用される。スイッチング素子引き出し配線9にはポリシリコン半導体層が使用される。第1補助容量線5には導電性のアルミ薄膜で形成された配線が使用される。
トランジスタが、トップゲート構造であれば、第1補助容量線5は、ゲート配線にも使用される。加工プロセスの選択比向上のために、アルミ薄膜材料でも、合金化された材料やアルミ以外の金属材料、たとえば、モリブテン系合金材料、タングステン系合金材料、タンタル系合金材料を採用することで、加工性能の向上が見込める。
第2補助容量Cs2は、画素電極8と第2補助容量線6との間で形成される。ここでも第2補助容量線6には導電性のアルミ薄膜で形成された配線が使用される。第2補助容量線6は、多層化された駆動回路の信号配線や電源配線を形成するための配線層と同層で形成する。これにより、製造時において第2補助容量Cs2の形成にあたって製造工程数を増加させることはないので製造コストを抑制することができる。
更に、第2補助容量線6の上に絶縁膜11が形成される。ここでは第2補助容量線6としてのアルミ薄膜の表面を強制的に酸化させることで表面にアルミの酸化膜を形成する。このようにして絶縁膜11として形成されたアルミの酸化膜の上に画素電極8を形成する。第2補助容量Cs2の容量値は、絶縁膜11の誘電率と膜厚に依存するので、形成時の条件によりアルミ酸化膜の膜厚を調整して容量値を増加させることができると共に、容量素子としての安定性・信頼性を向上させることができる。また、第1補助容量線5と第2補助容量線6との間には結合容量Cs3が形成される。
次に、駆動回路による駆動方法について説明する。図5のブロック図は、走査線駆動回路40の構成を概略的に示している。走査線駆動回路40は、縦列に接続された複数段のシフトレジスタ41と、各シフトレジスタの出力段に設けられたバッファ回路42とを備える。
シフトレジスタ41は、1段目のシフトレジスタに入力されたパルス信号の位相を順次シフトさせて出力する。バッファ回路42は、走査線3、第1補助容量線5、第2補助容量線6それぞれに接続された出力端子を備え、出力電圧のタイミング、振幅を調整しつつ各配線に出力する。ここでは説明の便宜上、N段目〜N+3段目のシフトレジスタを示し、N段目のバッファ回路に接続された走査線、N+1段目のバッファ回路に接続された第1補助容量線5、N+2段目のバッファ回路に接続された第2補助容量線6を示した。
走査線駆動回路40は、表示の際に順次走査のために走査線3を通じてゲート信号を供給しTFT7は一定期間オンする。このとき信号線駆動回路30により映像信号が信号線4を通じて画素電極と補助容量に書き込まれる。その後、第1補助容量線5、第2補助容量線6の電位を変化させて画素電極の電位のシフト量を制御する容量結合駆動を行う。
図6は、上記駆動回路の動作を説明するための電圧波形図である。Vcs1は第1補助容量線5の電位、Vcs2は第2補助容量線6の電位、Vgは走査線3に印加されるゲート信号、Vsは信号線4に印加される映像信号をそれぞれ示している。同図に示すように、容量結合駆動を行う際に、第2補助容量線6と第1補助容量線5に順次駆動パルスを印加して、第2補助容量線6の電位Vcs2を変動させた後、第1補助容量線5の電位Vcs1を変動させる。このとき第2補助容量線6へのバッファ出力は固定しておく。これにより、従来の画素電極毎に補助容量が一つの場合に印加される駆動パルスに比べて、2つの補助容量Cs1,Cs2それぞれに振幅がより小さな駆動パルスを書き込むことができるので、シフト変動した後の画素電極の電位に含まれるノイズ成分が分散される。よって、周辺回路の動作への影響を軽減することができる。
一方、第1補助容量線5の電位を変動させる際に、電位変動後の第2補助容量線6をフローティング状態にすることで、結合容量Cs3により第2補助容量Cs2を介して画素電極の電位を更に上昇させることができる。
したがって、本実施の形態によれば、画素2において第1補助容量Cs1と第2補助容量Cs2を並列に接続し、第1補助容量線5と第2補助容量線6とを重ねて形成する。これにより、所定の容量値を確保することができると共に、補助容量の面積を削減して効率的な配置が可能となるので、画素の開口部となる画素電極8の面積を大きくすることができる。よって、十分な補助容量を確保しつつ画素の開口率を向上させることが可能となる。
また、本実施の形態によれば、表示エリアの周囲において、多層化して形成された配線層を有する駆動回路を配置すると共に、第2補助容量線6を、上記配線層と同層で形成するようにしたことで、液晶表示装置において狭額縁化が可能となると共に、製造時において第2補助容量Cs2の形成にあたって製造工程数を増加させることはないので製造コストを抑制することができる。
更に、本実施の形態によれば、容量結合駆動を行う際に、画素電極毎に第1補助容量と第2補助容量のそれぞれの補助容量線に順次駆動パルスを印加するようにしたことで、駆動パルスによりシフト変動した画素電極の電位に含まれるノイズ成分が分散されるので、周辺回路の動作への影響を軽減することができる。
[第2の実施の形態]
次に、第2の実施の形態に係る液晶表示装置について説明する。この液晶表示装置の基本的な構成は、第1の実施の形態で説明したものと同様である。以下では、第1の実施の形態と異なる点を中心に説明する。尚、第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して、その説明は省略する。
図7は、本実施の形態に係る液晶表示装置の画素の構成を概略的に示した等価回路である。同図に示すように、カラー表示を行うために、表示エリアにおいて赤(R)・緑(G)・青(B)それぞれの映像信号が供給される3つの画素毎に配列される。
ここで第1の実施の形態と異なる点は、第2補助容量の容量値が赤・緑・青のそれぞれの色毎に異なる点である。具体的には、赤色の画素の第2補助容量Cs2r、緑色の画素の第2補助容量Cs2gを有し、青色の画素の第2補助容量Cs2bについて、色毎に第2補助容量線6が第1補助容量線5と重なる面積を変える。ここでは例えば、赤、緑、青色の順番に、第2補助容量線6が第1補助容量線5と重なる面積を大きくなるようにして、以下の関係式(1)が成立するように第2補助容量の容量値を設定する。
Cs2r < Cs2g < Cs2b ・・・(1)
更に、容量結合駆動を行う際に第2補助容量の電位を変化させ、画素電極の電位のシフト量を制御する。その結果、画素電極に印加される映像信号のガンマ特性を色毎に調整することが可能となる。この場合には、液晶に加わる実効電圧Vlcも以下の関係式(2)に示すように、赤、緑、青の順番に大きくなる。
Vlcr < Vlcg < Vlcb ・・・(2)
一方、駆動回路の出力レベルを過度に上昇させてしまうと消費電力が増大してしまう。本実施の形態では第2補助容量に印加する電圧の変動量を色毎に一定とする。これにより、駆動回路の出力レベルが抑制されるので消費電力を削減することができる。
したがって、本実施の形態によれば、第2補助容量の容量値を赤・緑・青のそれぞれの色毎に異なるようにすることで、駆動回路により容量結合駆動を行う際に、第2補助容量の電位を変動させて、画素電極に印加された映像信号のガンマ特性を調整することが可能となる。また、第2補助容量に印加する電圧の変動量を色毎に一定とした場合には、駆動回路の出力レベルが抑制されるので消費電力を削減することができる。
[変形例]
次に、上記各実施の形態に係る液晶表示装置の変形例について説明する。この液晶表示装置の基本的な構成は、第1の実施の形態で説明したものと同様である。以下では、第1の実施の形態と異なる点を中心に説明する。尚、第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して、その説明は省略する。
第1の実施の形態と異なる点は、図8のレイアウト図に示すように、画素電極8を信号線4付近まで拡大し、第2補助容量線6の一部を拡大した画素電極8に重なるような構成とした点である。このような構成としたことで、画素電極8と第2補助容量線6が重なる面積が大きくなるので、第2補助容量Cs2の容量値を大きくすることができる。
その他、上記各実施の形態における液晶表示装置は、画素電極に透明性のITOを使用した透過型の液晶表示装置としたが、これに限られるものではない、例えば第2補助容量線は、導電性のアルミ薄膜としたが、その良好な反射特性から反射電極として使用することが可能である。これにより、反射型、若しくは半透過型の液晶表示装置として利用することができる。
第1の実施の形態に係る液晶表示装置のアレイ基板の概略的な構成を示す平面図である。 上記液晶表示装置の一画素の構成を概略的に示した等価回路である。 図2の画素のレイアウト図である。 図3のA−A’部の断面を概略的に示した断面図である。 上記液晶表示装置における走査線駆動回路の構成を概略的に示したブロック図である。 上記走査線駆動回路の動作を説明するための電圧波形図である。 第2の実施の形態に係る液晶表示装置の画素の構成を概略的に示した等価回路である。 上記実施の形態の変形例として液晶表示装置の一画素の構成を示したレイアウト図である。 従来の液晶表示装置の一画素の構成を概略的に示した等価回路である。
符号の説明
2…画素
3…走査線
4…信号線
5…第1補助容量線
6…第2補助容量線
7…TFT(薄膜トランジスタ)
8…画素電極
9…スイッチング素子引き出し配線
10…ゲート接続配線
11…絶縁膜
12…コンタクトホール
20…表示エリア
30…信号線駆動回路
40…走査線駆動回路
41…シフトレジスタ
42…バッファ回路
50…データ処理回路
100…アレイ基板
200…対向電極(対向基板)
300…液晶層
Cs1…第1補助容量
Cs2…第2補助容量
Cs2r,Cs2g,Cs2b…第2補助容量(赤,緑,青)

Claims (4)

  1. 対向配置されているアレイ基板及び対向基板と、
    前記アレイ基板及び前記対向基板の間隙に挟持された液晶層と、
    前記アレイ基板上に交差して配線された複数の信号線及び複数の走査線と、
    前記アレイ基板上に配線された複数の補助容量線と、
    前記各交差部において信号線と走査線に接続されたスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子と接続された画素電極及び第1補助容量と、
    前記第1補助容量と並列に接続された第2補助容量と
    を備え、
    前記第1補助容量及び前記第2補助容量のそれぞれの補助容量線が重なって形成されることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記アレイ基板上に設けられた表示領域の周囲に配置され、多層化して形成された配線層を有する駆動回路を更に備え、
    前記第2補助容量の補助容量線は、前記配線層と同層で形成されたものであることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 前記駆動回路は、前記信号線を通じて前記画素電極に映像信号を書き込んだ後、前記補助容量の電位を変化させて前記画素電極の電位のシフト量を制御する容量結合駆動を行うものであって、前記画素電極毎に前記第1補助容量と前記第2補助容量のそれぞれの補助容量線に順次駆動パルスを印加することを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
  4. 前記第2補助容量は、赤・緑・青のそれぞれの色毎に異なる容量値を有することを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011030590A1 (ja) * 2009-09-11 2011-03-17 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス型表示装置
WO2011135873A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 シャープ株式会社 シフトレジスタおよび表示装置
JP2014071135A (ja) * 2012-09-27 2014-04-21 Lapis Semiconductor Co Ltd 映像表示装置
US9030616B2 (en) 2011-08-17 2015-05-12 Seiko Epson Corporation Electro-optic apparatus and electronic apparatus
US10199000B2 (en) 2012-09-27 2019-02-05 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Source driver IC chip

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011030590A1 (ja) * 2009-09-11 2011-03-17 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス型表示装置
JP5236812B2 (ja) * 2009-09-11 2013-07-17 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス型表示装置
US8586987B2 (en) 2009-09-11 2013-11-19 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and active matrix display device
WO2011135873A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 シャープ株式会社 シフトレジスタおよび表示装置
US9030616B2 (en) 2011-08-17 2015-05-12 Seiko Epson Corporation Electro-optic apparatus and electronic apparatus
JP2014071135A (ja) * 2012-09-27 2014-04-21 Lapis Semiconductor Co Ltd 映像表示装置
US10199000B2 (en) 2012-09-27 2019-02-05 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Source driver IC chip

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