JP2009010030A - 基板処理装置の管理システム - Google Patents

Abstract

【課題】複数の基板処理装置の信頼性を向上することができる基板処理装置の管理システムを提供する。
【解決手段】基板処理装置の管理システム１は、後述する基板処理装置本体１２及びその制御装置１４を含む複数の基板処理装置１０−１〜１０−ｎと、複数の基板処理装置１０−１〜１０−ｎに関するデータのバックアップを行うバックアップ装置１６とを含む。基板処理装置１０の制御装置１４は、バックアップ装置１６から送信されるバックアップ指示に基づいて、バックアップの対象となるデータをバックアップ装置１６に対して送信する。バックアップ装置１６は、複数の基板処理装置１０−１〜１０−ｎから取得したデータを保存する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体基板やガラス基板等を処理する基板処理装置の管理システムに関する。

一般に、基板処理装置は、加熱炉内に処理対象の基板を収容し、ヒータによって加熱炉内を所定の温度に加熱し、加熱炉内に所定のガスを流し、場合によっては、加熱炉内の圧力を調整し、基板を保持するボートを回転させることにより、基板の拡散、アニールあるいはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；化学気相成長）処理を行う。

この種の基板処理装置においては、コントローラに関する標準仕様が、ＳＥＭＩ（Semiconductor Equipment and Materials International）規格としてまとめられている。基板処理装置を管理する情報として、例えば、装置パラメータ、コントローラパラメータ、ジョブ・レシピがある。ここで、装置パラメータは、ハードウェアの変更に柔軟に対応するために設けられている可変パラメータであり、コントローラパラメータは、コントローラハードウェアの変更及び顧客仕様の変更に柔軟に対応するために設けられている可変パラメータであり、ジョブ・レシピは、装置の運転を柔軟に変更できるよう設けられた可変パラメータである。

また、モニタデータ、生産情報及び障害情報も存在する。モニタデータは、装置の運転状況を把握するためのデータであり、生産情報は、ウエハの成膜処理毎に管理するためのデータであり、障害情報は、障害発生を管理するためのデータである。

顧客サイトにおけるシステムには、複数の基板処理装置と、当該複数の基板処理装置の集中監視を行うエリア集中監視ＰＣと、工場あるいはエリア全体のスケジューリングを司るホストコンピュータとが含まれる。ＳＥＭＩ規格においては、バックアップに関しては、標準化されておらず、ベンダー及び顧客の判断に任されている。

このため、一般に、顧客サイトでは、装置パラメータ、コントローラパラメータ、ジョブ・レシピ、モニタデータ及び障害情報は、装置コントローラにより管理されており、ジョブ・レシピ、モニタデータ及び障害情報は、エリア集中監視ＰＣ及びホストコンピュータとにより共有で管理されている。

しかしながら、基板処理装置に関する情報は、装置コントローラ、エリア集中監視ＰＣ、ホストコンピュータの順で、詳細に管理されている。即ち、装置コントローラは、エリア集中監視ＰＣ及びホストコンピュータより詳細な情報を持つことが多い。また、装置パラメータ及びコントローラパラメータには、メーカの秘密情報が含まれており、このような秘密情報は、エリア集中監視ＰＣには公開されない。よって、ハードウェア故障、ハードウェア寿命、ソフトウェア障害等の障害が、装置コントローラに発生した場合、装置側での復旧処理が不可欠となる。

基板処理装置毎の２重化は、大幅なコストアップとなってしまう。また、故障記憶装置の交換及び復旧には特別な作業を要し、困難性が伴う。さらに、データのバックアップが、別途設けられた記憶装置へ基板処理装置１台毎に行われる場合、人手の手間を要する為、忘れがちとなり、現実には、バックアップは不十分といわざるを得ない。

本発明は、複数の基板処理装置の信頼性を向上することができる基板処理装置の管理システムを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る基板処理装置の管理システムは、基板を処理する複数の基板処理装置と、前記複数の基板処理装置に関するデータのバックアップを一括して行うバックアップ装置とを有する。本発明によれば、複数の基板処理装置の信頼性を向上することができる。

好適には、前記バックアップ装置は、複数の記憶媒体を有する。本発明によれば、いずれかの記憶媒体に障害が発生した場合においても、バックアップデータの損失を防止することができる。

また、好適には、前記バックアップ装置は、予め設定された時期にバックアップを行う。本発明によれば、作業者がバックアップ処理を開始する操作を省略することができる。

また、好適には、前記バックアップ装置は、前記複数の基板処理装置の運用のためのネットワークとは異なるネットワークを介して、前記複数の基板処理装置と接続されている。本発明によれば、バックアップの影響が基板処理装置の運用に及ぶことを防止することができる。

さらに、好適には、前記バックアップ装置は、前記基板処理装置の状態に基づいてバックアップを行う。本発明によれば、基板処理装置にかかる負荷を低減することができる。

本発明に係る基板処理装置の管理システムによれば、複数の基板処理装置の信頼性を向上することができる。又、本発明により、既存のプロセス制御システムには悪い影響を与えず、コストアップを抑え、装置データの安全性を高め、装置データを自動的に集中管理することが可能になった。

図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の管理システム１の構成を示す図である。
図１に示すように、基板処理装置の管理システム１は、後述する基板処理装置本体１２及びその制御装置１４を含む複数の基板処理装置１０−１〜１０−ｎと、複数の基板処理装置１０−１〜１０−ｎに関するデータのバックアップを行うバックアップ装置１６と、複数の基板処理装置１０−１〜１０−ｎの監視を行う監視装置（エリア集中監視ＰＣ）２０と、運用を行うホスト装置（ホストコンピュータ）１８とを有する。なお、基板処理装置１０−１〜１０−ｎなど、複数ある構成部分のいずれかを特定せずに示すときには、単に基板処理装置１０などと略記することがある。

基板処理装置の管理システム１において、複数の基板処理装置１０と、監視装置２０と、ホスト装置１８とは、例えばＬＡＮ等の基幹ネットワーク２を介して接続されている。基幹ネットワーク２は、例えば監視及びスケジューリングなどの運用のためのネットワークである。また、複数の基板処理装置１０とバックアップ装置１６とは、基幹ネットワーク２とは異なるバックアップネットワーク３を介して接続されている。バックアップネットワーク３は、バックアップのためのデータが送受信されるためのネットワークである。

基板処理装置１０は、基板処理装置本体１２において、加熱炉内の基板に対して所定の基板処理を行う。具体的には、基板処理装置１０は、加熱炉内に処理対象の基板を収納し、ヒータによって加熱炉内を所定の温度に加熱し、加熱炉内に所定のガスを流し、場合によっては、加熱炉内の圧力を調整し、基板を保持するボートを回転させることにより、基板の拡散、アニールあるいはＣＶＤ処理を行う。

基板処理装置１０の制御装置１４は、制御装置１４に設けられた入力装置又はホスト装置１８を介して入力される指示を受け付けて、基板処理装置本体１２を制御する。また、制御装置１４は、基板処理装置本体１２の状態を監視し、状態に関するデータを監視装置２０及びホスト装置１８に対して送信する。さらに、制御装置１４は、バックアップ装置１６から送信されるバックアップ指示に基づいて、バックアップの対象となるデータをバックアップ装置１６に対して送信する。

図２は、集線装置２８を中心として基板処理装置の管理システム１を模式的に示す図である。
図２に示すように、基板処理装置の管理システム１は、例えばハブなどの集線装置２８−１〜２８−３により、複数のエリアに分割される。本例では、基板処理装置の管理システム１は、装置管理エリア２２、拡散エリア２４及びＣＶＤエリア２６に分割されている。また、基幹ネットワーク２は、集線装置２８−１〜２８−３により構成されている。

装置管理エリア２２では、監視装置２０及びバックアップ装置１６は、集線装置２８−１を介して接続されている。また、装置管理エリア２２には、ＵＰＳ（Uninterruptible Power Systems；無停電電源装置）３０−１が設けられている。

拡散エリア２４では、例えば拡散装置としての基板処理装置１０−１〜１０−ｍ（ｍ＜ｎ）は、集線装置２８−２を介して接続されている。拡散エリア２４には、ＵＰＳ３０−２が設けられている。ＣＶＤエリア２６では、例えばＣＶＤ装置としての基板処理装置１０−ｍ＋１〜１０−ｎは、集線装置２８−３を介して接続されている。ＣＶＤエリア２６には、ＵＰＳ３０−３が設けられている。

なお、図２に示されるネットワーク構成はあくまで例示であり、管理システム１のネットワーク構成は、本例に限定されない。例えば、管理システム１には、図示しない集線装置２８がさらに含まれ、バックアップ装置１６は、これらの集線装置２８を介して基板処理装置１０に接続されてもよい。具体的には、基板処理装置１０が複数のネットワークインタフェースを有する場合、一方のネットワークインタフェースが基幹ネットワーク２に接続され、他方のネットワークインタフェースがバックアップネットワーク３に直接接続されてもよい。

次に、本発明の実施形態に係る基板処理装置の管理システム１の基板処理装置本体１２を説明する。
図３は、処理炉２０２を中心として基板処理装置本体１２の構成を示す縦断面図である。
図３に示すように、処理炉２０２は、加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。

ヒータ２０６の内側には、反応管としてのプロセスチューブ２０３が、ヒータ２０６と同心円状に配設されている。プロセスチューブ２０３は、内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５とから構成されている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ_２）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４の筒中空部には、処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英又は炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。

アウターチューブ２０５の下方には、マニホールド２０９が、アウターチューブ２０５と同心円状に配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５に係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は、垂直に据え付けられた状態となっている。反応容器は、プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により形成される。

後述するシールキャップ２１９には、ガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続されており、ノズル２３０にはガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２のノズル２３０との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して、図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、ガス流量制御部２３５は、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。

マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ２４５及び圧力調整装置（ＡＰＣ）２４２を介して真空ポンプ等の真空排気装置（真空ポンプ）２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。圧力調整装置２４２及び圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されており、圧力制御部２３６は、圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいて圧力調整装置２４２により処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。

マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられる。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通して、後述するボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。

基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なおボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるよう構成されている。

プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。

ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置１０全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９はコントローラ２４０として構成されている。なお、コントローラ２４０は、制御装置１４に含まれている。

次に、基板処理装置１０の動作を、図３に示される処理炉２０２を用いて半導体デバイスの製造工程の一工程としてＣＶＤ法によりウエハ２００上に薄膜を形成する工程を中心にして説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１０を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。

複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９は、Ｏリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。

処理室２０１内が、所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力に基づき、圧力調整装置２４２がフィードバック制御される。また、処理室２０１内が、所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、ヒータ２０６への通電具合が、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転される。

次いで、処理ガス供給源から供給され、ＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２を流通してノズル２３０から処理室２０１内に導入される。導入されたガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出して排気管２３１から排気される。ガスは、処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。

予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。

その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、マニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ２００が、ボート２１７に保持された状態でマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済ウエハ２００は、ボート２１７より取出される（ウエハディスチャージ）。

このような基板処理装置１０は、複数の状態になりうる。例えば、温度設定に関して、基板処理装置１０は、スタンバイ状態、アイドル状態、及び当該状態以外の状態を取る。ここで、スタンバイ状態は、成膜レシピをランする前の状態である。成膜レシピのランは、ウエハを炉に投入し、例えば処理温度６００℃で成膜し、炉から排出することである。また、アイドル状態は、スタンバイ状態に至る前の室温（例えば、２０℃）の状態である。

図４は、基板処理装置１０の状態の変化を例示する図である。
図４に例示するように、基板処理装置１０は、成膜処理を実行する場合、まず、室温からスタンバイ温度（例えば４００℃）まで温度を上昇させて、アイドル状態からスタンバイ状態に移行する。基板処理装置１０は、成膜レシピをランする場合、スタンバイ状態からさらに温度を上昇させて、スタンバイ状態から成膜処理が可能となる状態（アイドル状態及びスタンバイ状態とは異なる状態）に移行する。

アイドル状態及びスタンバイ状態では、当該状態とは異なる状態と比較して、基板処理装置１０のＣＰＵ３２の負荷は低い。バックアップ処理は、バックアップ装置１６により、基板処理装置１０の状態に基づいて行われる。このため、バックアップ処理が、より安全に実行されることができる。

図５は、バックアップ装置１６のハードウェア構成を示す図である。
図５に示すように、バックアップ装置１６は、ＣＰＵ３２及びメモリ３４などを含む制御装置本体３０と、通信装置３６と、ＵＩ（ユーザインタフェース）装置３８と、第１の記憶装置４４と、第２の記憶装置４６とを有する。

バックアップ装置１６において、第１の記憶装置４４及び第２の記憶装置４６は、例えばハードディスクドライブなどにより実現され、ＲＡＩＤ（Redundant Array of Inexpensive Disks）構成で用いられる。本例では、第１の記憶装置４４及び第２の記憶装置４６は、ＲＡＩＤ１（ミラーリング）で構成される。なお、ＲＡＩＤ構成は、ＲＡＩＤ１に限定されず、いずれかの記憶装置に障害が発生した場合においてもデータが損失しなければ、どのような構成であってもよい。

ＣＰＵ３２は、メモリ３４にロードされたプログラムに基づいて基板処理装置本体１２の制御を行う。メモリ３４は、ＣＰＵ３２により実行されるプログラム及び記憶装置４４，４６に記憶されている情報を格納する。通信装置３６は、バックアップネットワーク３を介して基板処理装置１０との間でデータの通信を行う。ＵＩ装置３８は、ディスプレイ等の表示装置及びキーボード等の入力装置を含み、ＣＰＵ３２の制御により所定の情報をディスプレイ等の表示装置に表示し、作業者による入力を受け付けてＣＰＵ３２に対して出力する。このように、バックアップ装置１６は、一般的なコンピュータとしての構成部分を含んでいる。

なお、基板処理装置１０の制御装置１４、ホスト装置１８及び監視装置２０もまた、バックアップ装置１６と同等のハードウェア構成を有する。これらの装置には、記憶装置４４，４６が、複数含まれなくてもよい。また、基板処理装置１０の制御装置１４は、前述したコントローラ２４０を介して基板処理装置本体１２を制御する。

図６は、バックアップ装置１６においてバックアップのスケジューリングを設定するためのバックアップスケジュール設定画面を例示する図である。なお、バックアップスケジュール設定画面は、ＣＰＵ３２により実行される所定のソフトウェアにより、バックアップ装置１６のＵＩ装置３８に表示される。

図６に例示するように、バックアップスケジュール設定画面には、装置ＩＰアドレス、日日スケジューリング、週間スケジューリング、月間スケジューリング、日日バックアップ対象及びそのバックアップ方法、週間バックアップ対象及びそのバックアップ方法、及び月間バックアップ対象及びそのバックアップ方法が含まれる。

バックアップスケジュール設定画面において、装置ＩＰアドレスは、バックアップ対象となる基板処理装置１０を指定するためのものである。また、装置ＩＰアドレスは、基板処理装置１０を識別するための識別番号であり、各基板処理装置１０に対して一意に割り当てられている。

日日スケジューリングは、日々のバックアップを設定するためのものである。日日スケジューリングにおいて、開始時間は、バックアップ開始時刻を表す。開始時間が設定されている場合、毎日当該時刻に、バックアップが開始される。開始時間が設定されていない場合、日々のバックアップは実行されない。

週間スケジューリングは、週間のバックアップを設定するためのものである。週間スケジューリングにおいて、曜日指定は、バックアップが実行される曜日を表す。曜日及び開始時間が設定されている場合、毎週当該曜日の当該時刻に、バックアップが開始される。曜日及び開始時間の少なくともいずれかが設定されていない場合、週間のバックアップは実行されない。

月間スケジューリングは、月間のバックアップを設定するためのものである。月間スケジューリングにおいて、日指定は、バックアップが実行される日を表す。日及び開始時間が設定されている場合、毎月当該日の当該時刻に、バックアップが開始される。日及び開始時間の少なくともいずれかが設定されていない場合、月間のバックアップは実行されない。

日日、週間及び月間のバックアップにおいて、バックアップ対象は、装置パラメータ、コントローラパラメータ、ジョブ・レシピ、モニタデータ及び障害情報から選択されたデータである。バックアップ対象は、日日、週間及び月間のバックアップにおいて独立に選択される。バックアップ対象は、複数のデータが選択されてもよい。また、バックアップ対象としていずれのデータも選択されていない場合、そのスケジュールリングにおいてバックアップは実行されない。

装置パラメータは、例えば、複数のカレントファイル、複数の履歴ファイルなど複数のファイルにより構成される。コントローラパラメータ、ジョブ・レシピ、モニタデータ及び障害情報も、同様にして構成される。

バックアップ方法は、バックアップの履歴の管理を設定するためのものである。履歴バックアップでは、過去にバックアップされたデータを保存した上で、当該回のバックアップが実行される。例えば、バックアップが実行される場合、日付毎のディレクトリが作成され、バックアップ対象のデータは、作成されたディレクトリに保存される。上書きバックアップでは、過去にバックアップされたデータは保存されずに、当該回のバックアップが実行される。例えば、バックアップが実行される場合、バックアップ対象のデータは、予め決められたディレクトリに保存される。なお、ディレクトリは、フォルダとも呼ばれる。

設定されたスケジュールは、バックアップ装置１６のメモリ３４及び記憶装置４４，４６の少なくともいずれかに格納される。したがって、設定された時期（曜日、日の開始時間等）になった場合、バックアップ装置１６は、バックアップ処理を行う。具体的には、バックアップ装置１６は、設定された装置ＩＰアドレスの基板処理装置１０に記憶されているバックアップ対象のうちバックアップスケジュール設定画面において選択されたものに関するデータを、バックアップネットワーク３を介して取得し、第１の記憶装置４４及び第２の記憶装置４６の双方に格納する。

また、複数の基板処理装置１０について、バックアップのスケジュールが設定されている場合、バックアップ装置１６は、当該複数の基板処理装置１０に関するデータのバックアップを行う。

図７は、バックアップ装置１６において即時バックアップ処理を行うための即時バックアップ設定画面を例示する図である。
図７に例示するように、即時バックアップ設定画面には、装置ＩＰアドレス、即時バックアップ対象、即時バックアップ方法及び実行ボタンが含まれる。

装置ＩＰアドレス、即時バックアップ対象及び即時バックアップ方法は、図６に示されるバックアップスケジュール設定画面のものと同様である。実行ボタンは、バックアップ処理を開始するためのボタンである。したがって、実行ボタンが押下された場合、バックアップ装置１６は、設定された装置ＩＰアドレスの基板処理装置１０について、設定されたバックアップ方法で、設定されたバックアップ対象に関するデータのバックアップ処理を行う。

次に、図８及び図９に基づいて、バックアップ装置１６によるバックアップ処理を説明する。
図８は、全体のバックアップ処理（Ｓ１０）のフローチャートを示す図である。
図８に示すように、ステップ１００（Ｓ１００）において、バックアップ装置１６は、設定された装置ＩＰアドレスの基板処理装置１０について、バックアップの開始時間であるか否かを判定する。バックアップ装置１６は、バックアップの開始時間である場合にはＳ１０２の処理に進み、そうでない場合にはＳ１００の処理に戻る。

ステップ１０２（Ｓ１０２）において、バックアップ装置１６は、基板処理装置１０にバックアップ対象が記憶されているか否かを判定する。バックアップ装置１６は、バックアップ対象が記憶されている場合にはＳ１０４の処理に進み、そうでない場合にはＳ１００の処理に戻る。

ステップ１０４（Ｓ１０４）において、バックアップ装置１６は、基板処理装置１０の状態を取得し、基板処理装置１０の状態を判定する。具体的には、バックアップ装置１６は、基板処理装置１０の状態がスタンバイ状態及びアイドル状態のいずれかであるか否かを判定する。基板処理装置１０の状態がスタンバイ状態及びアイドル状態のいずれかである場合、バックアップ装置１６は、後述する、バックアップ対象のバックアップ処理（Ｓ２０）を行って、Ｓ１０６の処理に進む。基板処理装置１０の状態がスタンバイ状態及びアイドル状態のいずれでもない場合、バックアップ装置１６は、Ｓ１００の処理に戻る。

ステップ１０６（Ｓ１０６）において、バックアップ装置１６は、全てのバックアップ対象のバックアップ処理を終了したか否かを判定する。バックアップ装置１６は、全てのバックアップ対象のバックアップ処理を終了した場合にはバックアップ処理を終了し、そうでない場合にはＳ１０２の処理に戻る。

図９は、バックアップ対象のバックアップ処理（Ｓ２０）のフローチャートを示す図である。
図９に示すように、バックアップ装置１６は、基板処理装置１０の状態を取得し、基板処理装置１０の状態がスタンバイ状態及びアイドル状態のいずれかである否かを判定する。バックアップ装置１６は、基板処理装置１０の状態がスタンバイ状態及びアイドル状態のいずれかである場合にはＳ２０４の処理に進み、そうでない場合にはＳ２０２の処理に進む。

ステップ２０２（Ｓ２０２）において、バックアップ装置１６は、バックアップ処理を中断する。具体的には、バックアップ装置１６は、データのバックアップに関して中断した箇所をメモリ３４及び記憶装置４４，４６の少なくともいずれかに格納し、Ｓ２００の処理に戻る。なお、バックアップ処理が再開される場合、バックアップ装置１６は、記憶されている中断箇所を読み出し、当該箇所からバックアップ処理を行う。

ステップ２０４（Ｓ２０４）において、バックアップ装置１６は、当該基板処理装置１０について、バックアップの開始時間であるか否かを判定する。バックアップ装置１６は、バックアップの開始時間である場合にはＳ２０６の処理に進み、そうでない場合にはＳ２０８の処理に進む。

ステップ２０６（Ｓ２０６）において、バックアップ装置１６は、異常終了処理を行って、全体のバックアップ処理（Ｓ１０；図８）のＳ１０２の処理に戻る。例えば、バックアップ処理中に次のバックアップ処理の開始時間になった場合、異常終了処理が行われる。

ステップ２０８（Ｓ２０８）において、バックアップ装置１６は、バックアップ対象に関する１ファイルのバックアップを行う。具体的には、バックアップ装置１６は、基板処理装置１０に記憶されているファイルをバックアップネットワーク３を介して取得し、第１の記憶装置４４及び第２の記憶装置４６に格納する。例えば、バックアップ装置１６は、ｆｔｐ（File Transfer Protocol）及びＳＥＭＩ標準のＨＳＭＳのいずれかを用いてファイルを取得する。

ステップ２１０（Ｓ２１０）において、バックアップ装置１６は、全てのファイルのバックアップを完了したか否かを判定する。バックアップ装置１６は、全てのファイルのバックアップを完了した場合には処理を終了し、そうでない場合にはＳ２００の処理に戻る。

以上、説明したように、本発明の実施形態に係る基板処理装置の管理システム１によれば、複数の基板処理装置の信頼性を向上することができる。特に、バックアップ装置は、生産現場近くの例えば事務所内に配置されることができるので、障害の復旧処理における作業容易性を向上することができる。また、バックアップ対象のデータの基板処理装置間の比較が可能となるので、装置立ち上げ時等における、パラメータの設定ミス、トラブル等を防止することができる。

本発明の実施形態に係る基板処理装置の管理システム１の構成を示す図である。 集線装置２８を中心として基板処理装置の管理システム１を模式的に示す図である。 処理炉２０２を中心として基板処理装置本体１２の構成を示す縦断面図である。 基板処理装置１０の状態の変化を例示する図である。 バックアップ装置１６のハードウェア構成を示す図である。 バックアップ装置１６においてバックアップのスケジューリングを設定するためのバックアップスケジュール設定画面を例示する図である。 バックアップ装置１６において即時バックアップ処理を行うための即時バックアップ設定画面を例示する図である。 全体のバックアップ処理（Ｓ１０）のフローチャートを示す図である。 バックアップ対象のバックアップ処理（Ｓ２０）のフローチャートを示す図である。

符号の説明

１ 基板処理装置の管理システム
２ 基幹ネットワーク
３ バックアップネットワーク
１０ 基板処理装置
１２ 基板処理装置本体
１４ 制御装置
１６ バックアップ装置
３２ ＣＰＵ
３４ メモリ
３６ 通信装置
３８ ＵＩ装置
４４ 第１の記憶装置
４６ 第２の記憶装置

Claims (1)

1. 基板を処理する複数の基板処理装置と、
   前記複数の基板処理装置に関するデータのバックアップを一括して行うバックアップ装置と
   を有する基板処理装置の管理システム。

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