JP2009008879A - 電気光学装置、その駆動方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】サブフィールド駆動により画素を階調表示させる場合に、光学応答性が変化して
も適切な階調表現を可能とするとともに、フリッカも目立たなくする。
【解決手段】１または隣接するフィールドでみたときにオンおよびオフ電圧を印加するサ
ブフィールドを連続させるとともに、１フィールドにわたってオン電圧を印加するサブフ
ィールドの合計期間長を前記画素に対して指定される階調レベルに応じて設定し、複数の
走査線を奇数行および偶数行に分けたときに、奇数行の走査線に対応する画素と偶数行の
走査線に対応する画素とのフィールド開始タイミングを、位相にして１８０度シフトさせ
た関係とする。
【選択図】図３

Description

本発明は、１フィールドを複数のサブフィールドに分割するとともに、各サブフィール
ドにおいて画素をオンオフすることにより階調を表現する技術に関する。

液晶素子のような表示素子を画素に用いた電気光学装置において階調表示を行う場合、
電圧変調方式に代わるものとして次のような技術が提案されている。すなわち、１フィー
ルドを複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドにおいて画素（液晶素子）をオ
ンオフさせ、１フィールドにおいて画素がオンまたはオフする時間の割合を変化させるこ
とによって階調表示を行う技術が提案されている（特許文献１参照）。
さらに上記技術では、液晶素子における応答速度が比較的遅いことを利用して、詳細に
は、１つのサブフィールドにおいてのみ液晶素子をオンさせても、反射率（または透過率
）がオンに相当する数値に直ちには達しない（飽和しない）点を利用して、液晶素子の透
過率または反射率を細かく制御している。
特開２００３−１１４６６１号公報

ところで、液晶の応答速度は、一般には温度が高くなるにつれて高速化する。このため
、温度が高く、液晶の応答速度が高速化した状態になると、オンさせたときの反射率がオ
ンに相当する数値に直ちには達しない、という前提が崩れるので、適切な階調表現ができ
なくなる、という不都合が考えられた。
さらに、広範囲な画素にわたって同一階調を表現させる場合に、これらの画素が同じよ
うにオンオフするために、フリッカとして視認されやすい、という問題も指摘された。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、温度などによっ
て応答速度が変化しても、適切な階調表現が可能であって、フリッカを目立たなくした電
気光学装置、その駆動方法および電子機器を提供することにある。

上記不都合は、画素をオンまたはオフさせるサブフィールドが不連続であることに起因
する。そこで、本発明に係る電気光学装置の駆動方法にあっては、複数の走査線と複数の
データ線との交差に対応した画素を複数有し、１フィールドを複数に分割したサブフィー
ルド毎に前記画素に少なくともオンまたはオフ電圧を印加することによって階調表示を行
う電気光学装置の駆動方法であって、前記１フィールドをｐ（ｐは２以上の整数）個のグ
ループに分割するとともに、分割したグループを２個のサブフィールドに分割し、前記ｐ
個のグループを互いに等しい期間長に設定し、１フィールドを構成するサブフィールドの
期間長をそれぞれ異なる長さに設定し、１または隣接するフィールドでみたときにオンお
よびオフ電圧を印加するサブフィールドを連続させるとともに、１フィールドにわたって
オン電圧を印加するサブフィールドの合計期間長を前記画素に対して指定される階調レベ
ルに応じて設定し、前記複数の走査線を少なくとも第１および第２群に分けるとともに、
前記第１群の走査線に対応する画素と前記第２群の走査線に対応する画素とのフィールド
開始タイミングを、少なくとも前記グループの期間長以上異ならせたことを特徴とする。
本発明によれば、オンおよびオフとなるサブフィールドが不連続になったときに、画素が
目的とする明るさとならなくなる、という不具合が解消されるとともに、同じ階調を表現
する場合であっても、第１および第２群の走査線に対応する画素同士でフィールド開始タ
イミングが異なるので、フリッカが目立たない。

本発明において、第１群の走査線を奇数行の走査線とし、第２群の走査線を偶数行の走
査線とするとともに、奇数行の走査線およびこれに隣接する偶数行の走査線とのフィール
ド開始タイミングを位相にして１８０度異ならせるのが好ましい。
また、本発明において、奇数行の走査線と偶数行の走査線とを交互に選択するとともに
、一行の走査線における選択の間隔をサブフィールドに対応する期間長とさせても良い。
本発明において、前記画素は、液晶素子を含み、前記サブフィールドのうち、最も短い
サブフィールドの期間長を、前記オン電圧を前記液晶素子に印加した場合に当該液晶素子
の反射率または透過率が飽和するまでの飽和応答時間よりも短く設定することが好ましい
。このような設定によれば、最も短いサブフィールドの期間長は、液晶素子の飽和応答時
間よりも短いので、表現可能な階調数を液晶素子の飽和応答時間に依存させずに増加させ
ることが可能となる。
また、本発明において、１または隣接するフィールドでみたときにオンおよびオフ電圧
を印加するサブフィールドを連続させた階調レベルは、前記画素における表現可能な階調
数のうち半数以上であり、画素の階調レベルを指定する表示データは、サブフィールド毎
に設定されたオンまたはオフ電圧の印加を指定するデータに変換され、当該変換されたデ
ータに基づき前記画素にオンまたはオフ電圧を印加しても良い。ここで、上記変換につい
ては変換テーブルを用いても良い。
なお、本発明において、前記サブフィールドにおいてオンまたはオフ電圧のほかに、こ
の中間電圧を印加しても良い。このようにオンオフの２電圧にくわえて、さらに中間電圧
を加えると、サブフィールドの配列を変更せずに、表現可能な階調数を増加させることが
可能となる。この際、中間電圧としては、２以上の複数（やや明るい、やや暗い等）とし
ても良い。
本発明は、電気光学装置の駆動方法のみならず、電気光学装置それ自体、さらには、当
該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る電気光学
装置１の全体構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１は、制御回路１０、メモリ２０、変換テーブ
ル３０、表示回路１００、走査線駆動回路１３０およびデータ線駆動回路１４０に大別さ
れる。このうち、制御回路１０は、後述するように各部を制御するものである。
表示回路１００には、画素がマトリクス状に配列している。詳細には、表示回路１００
には、１０８０行の走査線１１２が図において水平のＸ方向に延在し、１９２０列のデー
タ線１１４が走査線１１２と電気的な絶縁を保ちつつ、図において垂直のＹ方向に延在し
ている。そして、これらの走査線１１２とデータ線１１４との交差に対応するように画素
１１０がそれぞれ設けられている。したがって、本実施形態において、画素１１０は、縦
１０８０行×横１９２０列のマトリクス状に配列することになるが、本発明をこの配列に
限定する趣旨ではない。

メモリ２０は、縦１０８０行×横１９２０列で配列する画素に対応した記憶領域を有し
、各記憶領域は、それぞれに対応する画素１１０の表示データＤaを記憶する。表示デー
タＤaは、画素１１０の明るさ（階調レベル）を指定するものであり、本実施形態では、
「０」から「４５」まで、「１」刻みの４６段階で指定する。ここで、階調レベル「０」
が最低階調の黒色を指定し、階調レベルが上がるにつれて徐々に明るさが増し、階調レベ
ル「４５」が最高階調の白色を指定するものとする。

なお、この表示データＤaは、図示しない上位装置から供給されて、制御回路１０によ
り画素に対応する記憶領域に記憶される一方で、表示回路１００で走査される画素に対応
したものがメモリ２０から読み出される構成となっている。
また、メモリ２０は、表示データＤaを、少なくとも連続する２フィールド分記憶する
。これは、後述するように、ある１フィールドにおいて奇数行の画素に対して電圧書き込
みをしたときに、当該奇数行に隣接する偶数行では、１フィールド前の表示データにした
がって電圧書き込みをする場合があるからである。

変換テーブル３０は、メモリ２０から読み出された表示データＤaを、当該表示データ
Ｄaで指定される階調レベル、および、サブフィールドにしたがって、画素１１０（液晶
素子）にオンまたはオフ電圧のどちらを印加するのかを示すデータＤbに変換するもので
ある。なお、この変換内容については後述する。

＜画素の構成＞
説明の便宜上、画素１１０の構成について図２を参照して説明する。図２は、画素１１
０の詳細な構成を示す図であり、ｉ行およびこれに隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列および
これに隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成を示している
。ここで、ｉとは、画素１１０が配列する１〜１０８０行目のうち、奇数（１、３、５、
９、…、１０７９）の行を一般的に示す場合の記号であり、（ｉ＋１）は、奇数ｉに続く
偶数（２、４、６、８、…、１０８０）の行を一般的に示す場合の記号である。また、ｊ
、（ｊ＋１）とは、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上
１９２０以下の整数である。

図２に示されるように、各画素１１０は、ｎチャネル型のトランジスタ（ＭＯＳ型ＦＥ
Ｔ）１１６と液晶素子１２０とを含む。
ここで、各画素１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代
表させて説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０におけるトランジスタのゲート電極はｉ
行目の走査線１１２に接続される一方、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に接続
され、そのドレイン電極は液晶素子１２０の一端たる画素電極１１８に接続されている。
また、液晶素子１２０の他端は、対向電極１０８である。この対向電極１０８は、全ての
画素１１０にわたって共通であって、本実施形態では電圧ＬＣcomに保たれている。

表示回路１００は、走査線１１２や、データ線１１４、トランジスタ１１６、画素電極
１１８などが形成された素子基板と、対向電極１０８が形成された対向基板とが一定の間
隙を保って、電極形成面が互いに対向するように貼り合わせられるとともに、この間隙に
液晶１０５が封止された構成となっている（図示省略）。このため、本実施形態において
液晶素子１２０は、画素電極１１８と対向電極１０８とによって液晶１０５を挟持した構
成となる。
なお、本実施形態では、素子基板に半導体基板を用い、対向基板にガラス等の透明基板
を用いて、液晶素子１２０を反射型としたＬＣＯＳ（Liquid Crystal on Silicon）型と
している。このため、素子基板には、走査線駆動回路１３０、データ線駆動回路１４０の
ほかに、制御回路１０や、メモリ２０、変換テーブル３０をすべて形成した構成としても
良い。

この構成において、走査線１１２にＨレベルに相当する選択電圧Ｖddを印加して、トラ
ンジスタ１１６をオン（導通）させるとともに、画素電極１１８に、データ線１１４およ
びオン状態のトランジスタ１１６を介して、データ信号を供給すると、選択電圧を印加し
た走査線１１２とデータ信号を供給したデータ線１１４との交差に対応する液晶素子１２
０には、当該データ信号の電圧と対向電極１０８に印加された電圧ＬＣcomとの差電圧が
書き込まれる。なお、走査線１１２をＬレベルに相当する非選択電圧（接地電位Ｇnd）に
させると、トランジスタ１１６がオフ（非導通）状態となるが、液晶素子１２０では、ト
ランジスタ１１６が導通状態となったときに書き込まれた差電圧が、その容量性により保
持される。

本実施形態において、液晶素子１２０はノーマリーブラックモードに設定されている。
このため、液晶素子１２０の反射率（透過型とした場合には透過率）は、画素電極１１８
および対向電極１０８とによる差電圧の実効値が小さくなるにつれて暗くなり、電圧無印
加状態においてほぼ黒色となる。
ただし、本実施形態において、画素電極１１８には、上記差電圧を飽和電圧以上のオン
電圧とさせる電圧、または、しきい値電圧以下のオフ電圧とさせる電圧のいずれか一方の
みが印加される。

ノーマリーブラックモードにおいて、最も暗い状態の反射率を相対反射率０％とし、最
も明るい状態の反射率を相対反射率１００％としたとき、液晶素子１２０に印加される電
圧のうち、相対反射率が１０％となる電圧を光学的しきい値電圧といい、相対反射率が９
０％となる電圧を光学的飽和電圧という。電圧変調方式（アナログ駆動）において、液晶
素子１２０を中間調（灰色）とさせる場合には、液晶１０５に光学的飽和電圧以下の電圧
が印加されるように設計される。このため、液晶１０５の反射率は、液晶１０５の印加電
圧にほぼ比例した値となる。
これに対して、本実施形態では、液晶素子１２０にオン電圧またはオフ電圧のいずれか
のみを印加して次のようにして階調表示を行う。詳細には、本実施形態において階調表示
は、１フィールドを複数のサブフィールドに分割するとともに、液晶素子１２０にオン電
圧を印加する期間、および、オフ電圧を印加する期間を、サブフィールドを単位として配
分して制御することによって実行される。
本実施形態において、オン電圧としては、飽和電圧の１〜１．５倍程度とさせる差電圧
が用いられる。これは液晶の応答特性における立ち上がりが液晶素子に印加される電圧レ
ベルとほぼ比例関係にあるから、液晶の応答特性を改善するために好ましいからである。
また、オフ電圧としては、光学的しきい値電圧以下とさせる差電圧が用いられる。
なお、液晶素子の実際の反射率は、液晶の応答ゆえにオン電圧が印加される期間の積分
値におおよそ比例するが、説明を簡略化するために、オン電圧が印加される期間に比例す
るものとして説明する場合がある。

＜フィールド構成＞
このように本実施形態では、液晶素子１２０にオンまたはオフ電圧を印加して保持させ
る期間を、サブフィールドを単位として配分して制御することによって実行される。そこ
で次に、本実施形態におけるフィールドの構成について説明する。

図３（ａ）は、フィールドの構成を示す図である。
この図に示されるように、本実施形態では、奇数行および偶数行のフィールド構成は時
間的なサブフィールド番号の順序について互いに同一であるが、奇数ｉ行目のフィールド
に対して偶数（ｉ＋１）行目のフィールドは、１／２フィールド、すなわち位相でいえば
１８０度遅延した関係にある。
なお、１フィールドとは、１枚分の画像を形成するのに要する期間に相当し、１６．７
ミリ秒（周波数６０Ｈｚの１周期に相当）で一定であって、ノンインターレース方式にお
けるフレームと同義である。

本実施形態において、１フィールドは、奇数行および偶数行のいずれにおいても、５つ
のグループに等分割されている。このうち、第３番目のグループを除いた第１、第２、第
４、第５番目のグループが２つに分割されて、これらを９つのサブフィールドとしている
。便宜的に、奇数行を基準として１フィールドを分割したサブフィールドを順番にｓｆ１
、ｓｆ２、ｓｆ３、…、ｓｆ９と呼ぶことにすると、サブフィールドｓｆ１とｓｆ２とで
１つのグループをなす。同様に、ｓｆ３およびｓｆ４、ｓｆ６およびｓｆ７、ｓｆ８およ
びｓｆ９でそれぞれグループをなす。なお、サブフィールドｓｆ５については単独で１つ
のグループをなす。
ここで、最も短いサブフィールドｓｆ１の期間長を比で「１」とした場合、グループの
期間の比は「９」であり、１フィールドの期間長の比は、その５倍の「４５」となる。ま
た、サブフィールドｓｆ２、ｓｆ３、ｓｆ４、ｓｆ５、ｓｆ６、ｓｆ７、ｓｆ８、ｓｆ９
の期間長の比は、それぞれ「８」、「３」、「６」、「９」、「２」、「７」、「４」、
「５」となる。

なお、このフィールドは、時間的にみれば連続するので、あるフィールドのサブフィー
ルドｓｆ９は、次のフィールドのサブフィールドｓｆ１に隣接することになる。
また、奇数ｉ行目のフィールドに対して偶数（ｉ＋１）行目のフィールドは１／２フィ
ールドだけシフトした関係にあるので、例えば、奇数ｉ行目が、あるフィールドにおける
サブフィールドｓｆ１の開始タイミングにあるとき、偶数（ｉ＋１）行目では、１フィー
ルド前におけるサブフィールドｓｆ５の途中タイミングにある、という関係になる。

＜階調表示＞
次に、フィールドを構成するサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ９に対し、どのようにオンオ
フ電圧を印加して、階調表示を行うかについて説明する。図４は、「０」から「４５」ま
での各階調レベルについて、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ９へのオンオフ電圧の印加の割
り当てを示す図である。なお、本実施形態において、階調レベル「０」が最低階調の黒色
に相当し、階調レベルが上がるにつれて徐々に明るさが増加し、階調レベル「４５」が最
高階調に白色を指定するものとする。
各サブフィールドに対応した□および■の横方向は、それぞれ対応するサブフィールド
の期間長に相当し、このうち、□が液晶素子１２０にオン電圧を、■が液晶素子１２０に
オフ電圧を、それぞれ印加することを示している。

本実施形態では、上述したように液晶素子１２０がノーマリーブラックモードに設定さ
れているので、階調レベルが最低の「０」であれば、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ９の全
域にわたって液晶素子１２０にオフ電圧を印加させると、１フィールドを単位時間として
みたときに、最低階調の黒色表示となる。

次に、階調レベルが「１」から「８」までは、順にサブフィールドｓｆ１、ｓｆ６、ｓ
ｆ３、ｓｆ８、ｓｆ９、ｓｆ４、ｓｆ７、ｓｆ２のそれぞれにおいてのみ、液晶素子１２
０にオン電圧を印加させる。
ここで、分子をオン電圧が印加される期間の比とし、分母を１フィールドの期間の比「
４５」とした分数によって、１フィールドにおいて液晶素子１２０にオン電圧が印加され
る期間の割合を表したときに、階調レベル「１」〜「８」においてオン電圧が印加される
期間の割合は、それぞれ１／４５、２／４５、３／４５、４／４５、５／４５、６／４５
、７／４５、８／４５となる。

ここで、階調レベルが例えば「１３」である場合、単純には、液晶素子１２０に対する
オン電圧の印加期間の割合を１３／４５とすれば良いはずなので、例えば期間長の比が「
６」のサブフィールドｓｆ４、および、「７」のサブフィールドｓｆ７にわたって液晶素
子１２０にそれぞれオン電圧を印加し、他のサブフィールドではオフ電圧を印加する構成
が考えられる。
しかし、この構成では、液晶素子１２０にオン電圧（またはオフ電圧）を印加した瞬間
に当該液晶素子１２０が黒色（または白色）表示となるような理想的に近い電気−光学応
答の特性を有することが必要となる。液晶素子１２０は、電気−光学応答の特性が比較的
悪く、オン電圧（またはオフ電圧）を印加しても、直ちに反射率が飽和せず、徐々に黒色
（または白色）に近づくような特性を有する。
このため、オン電圧が印加されるサブフィールドが不連続であると、液晶素子１２０は
、オン電圧が印加されるサブフィールドにおいて十分な黒色に達する前に、オフ電圧が印
加されるサブフィールドに移行し、この後、再びオン電圧が印加されるサブフィールドに
移行するので、各サブフィールドにおいて、期待されるような黒色または白色表示となら
ず、１フィールドでみたときに適切な階調表示が得られない可能性が高い。特に、液晶素
子１２０においては、電気−光学応答の特性が環境温度への依存して大きく変化するので
、温度変化に対して、目的とする階調から外れやくなる、と考えられる。
そこで、本実施形態では、各階調レベルにおいてオンおよびオフ電圧が印加されるサブ
フィールドを連続させる構成としている。

本実施形態では、上述したように各グループの期間長の比を、いずれも「９」としてい
る。このことは、あるサブフィールドに着目したときに、当該着目サブフィールドに対し
て時間的に前方側または後方側のいずれかには、必ず期間長の比が「９」であるグループ
が存在していることを意味する。
そこで、階調レベル「１０」〜「１７」については、「端数サブフィールド」と、この
端数サブフィールドに対して時間的に前方側または後方側に位置するグループとにわたっ
て液晶素子にオン電圧を印加する構成としている。

ここで、１０以上１７以下の整数をＰとしたときに、階調レベルＰについての「端数サ
ブフィールド」とは、期間長の比が（Ｐ−９）となるサブフィールドを指す。
例えば、階調レベルが「１０」について、「端数サブフィールド」は、期間長の比が「
１」であるサブフィールドｓｆ１となる。このため、階調レベル「１０」では、「端数サ
ブフィールド」であるサブフィールドｓｆ１と、このサブフィールドｓｆ１に対して時間
的に前方側に位置するグループ（１つ前のフィールドにおけるサブフィールドｓｆ８・９
のグループ）とにわたって液晶素子１２０にオン電圧を印加させる。
これにより、階調レベル「１０」の液晶素子１２０にオン電圧が印加されるサブフィー
ルドは、ｓｆ１、ｓｆ８、ｓｆ９となり、この期間長の和の割合が１０／４５となる。ま
た、サブフィールドｓｆ１、ｓｆ８、ｓｆ９は、隣接するフィールド同士でみたときに連
続しており、また、オフするサブフィールドについても、ｓｆ２からｓｆ７まで連続する
ことになる。

同様に、階調レベルが「１１（１２、１３）」については、期間長の比が「２」（「３
」、「４」）であるサブフィールドｓｆ６（ｓｆ３、ｓｆ８）と、このサブフィールドに
対して時間的に前方側に位置するサブフィールドｓｆ５（ｓｆ１・２、ｓｆ６・７）のグ
ループとにわたって液晶素子１２０にオン電圧を印加させる。
次に階調レベルが「１４」については、期間長の比が「５」であるサブフィールドｓｆ
９と、このサブフィールドに対して時間的に後方側に位置するサブフィールドｓｆ１・２
のグループとにわたって液晶素子１２０にオン電圧を印加させる。
同様に、階調レベルが「１５（１６、１７）」については、期間長の比が「６」（「７
」、「８」）であるサブフィールドｓｆ４（ｓｆ７、ｓｆ２）と、このサブフィールドに
対して時間的に後方側に位置するサブフィールドｓｆ５（ｓｆ８・９、ｓｆ３・４）のグ
ループとにわたって液晶素子１２０にオン電圧を印加させる。

次に、階調レベル「１９」〜「２６」については、「端数サブフィールド」と、このサ
ブフィールドに対して時間的に前方側または後方側で連続する２つのグループとにわたっ
て液晶素子にオン電圧を印加する。ここで、１９以上２６以下の整数をＱとしたときに、
階調レベルＱについての「端数サブフィールド」とは、期間長の比が（Ｑ−１８）となる
サブフィールドを指す。
例えば、階調レベルが「１９」について、「端数サブフィールド」は、期間長の比が「
１」であるサブフィールドｓｆ１となる。このため、階調レベル「１９」では、「端数サ
ブフィールド」であるサブフィールドｓｆ１と、このサブフィールドｓｆ１に対して時間
的に前方側で連続する２グループ（１つ前のフィールドにおけるサブフィールドｓｆ６・
７のグループ、および、サブフィールドｓｆ８・９のグループ）とにわたって液晶素子１
２０にオン電圧を印加させる。
これにより、階調レベル「１９」の液晶素子１２０にオン電圧が印加されるサブフィー
ルドは、ｓｆ１、ｓｆ６、ｓｆ７、ｓｆ８、ｓｆ９となり、この期間長の和の割合が１９
／４５となる。また、サブフィールドｓｆ１、ｓｆ６、ｓｆ７、ｓｆ８、ｓｆ９は、隣接
するフィールド同士でみたときに連続しており、また、オフするサブフィールドについて
も、ｓｆ２からｓｆ５まで連続することになる。

同様に、階調レベルが「２０（２１、２２）」については、期間長の比が「２」（「３
」、「４」）であるサブフィールドｓｆ６（ｓｆ３、ｓｆ８）と、このサブフィールドに
対して時間的に前方側で連続するサブフィールドｓｆ３・４およびｓｆ５の２グループ（
ｓｆ８・９およびｓｆ１・２の２グループ、ｓｆ５およびｓｆ６・７の２グループ）とに
わたって液晶素子１２０にオン電圧を印加させる。
次に階調レベルが「２３」については、期間長の比が「５」であるサブフィールドｓｆ
９と、このサブフィールドに対して時間的に後方側で連続するサブフィールドｓｆ１・２
およびｓｆ３・４の２グループとにわたって液晶素子１２０にオン電圧を印加させる。
同様に、階調レベルが「２４（２５、２６）」については、期間長の比が「６」（「７
」、「８」）であるサブフィールドｓｆ４（ｓｆ７、ｓｆ２）と、このサブフィールドに
対して時間的に後方側で連続するサブフィールドｓｆ５およびｓｆ６・７の２グループ（
ｓｆ８・９およびｓｆ１・２の２グループ、ｓｆ３・４およびｓｆ５の２グループ）とに
わたって液晶素子１２０にオン電圧を印加させる。

次に、階調レベル「２８」〜「３５」については、「端数サブフィールド」と、このサ
ブフィールドに対して時間的に前方側または後方側で連続する３つのグループとにわたっ
て液晶素子にオン電圧を印加する。ここで、２８以上３５以下の整数をＲとしたときに、
階調レベルＲについての「端数サブフィールド」とは、期間長の比が（Ｒ−２７）となる
サブフィールドを指す。
例えば、階調レベルが「２８」について、「端数サブフィールド」は、期間長の比が「
１」であるサブフィールドｓｆ１となる。このため、階調レベル「２８」では、「端数サ
ブフィールド」であるサブフィールドｓｆ１と、このサブフィールドｓｆ１に対して時間
的に前方側で連続する３グループ（１つ前のフィールドにおけるサブフィールドｓｆ５の
グループ、ｓｆ６・７のグループ、および、サブフィールドｓｆ８・９のグループ）とに
わたって液晶素子１２０にオン電圧を印加させる。
これにより、階調レベル「２８」の液晶素子１２０にオン電圧が印加されるサブフィー
ルドは、ｓｆ１、ｓｆ５、ｓｆ６、ｓｆ７、ｓｆ８、ｓｆ９となり、この期間長の和の割
合が２８／４５となる。また、サブフィールドｓｆ１、ｓｆ５、ｓｆ６、ｓｆ７、ｓｆ８
、ｓｆ９は、隣接するフィールド同士でみたときに連続しており、また、オフするサブフ
ィールドについても、ｓｆ２からｓｆ４まで連続することになる。

同様に、階調レベルが「２９（３０、３１）」については、期間長の比が「２」（「３
」、「４」）であるサブフィールドｓｆ６（ｓｆ３、ｓｆ８）と、このサブフィールドに
対して時間的に前方側で連続するサブフィールドｓｆ１・２、ｓｆ３・４およびｓｆ５の
３グループ（ｓｆ６・７、ｓｆ８・９およびｓｆ１・２の３グループ、ｓｆ３・４、ｓｆ
５およびｓｆ６・７の３グループ）とにわたって液晶素子１２０にオン電圧を印加させる
。
次に階調レベルが「３２」については、期間長の比が「５」であるサブフィールドｓｆ
９と、このサブフィールドに対して時間的に後方側で連続するサブフィールドｓｆ１・２
、ｓｆ３・４およびｓｆ５の３グループとにわたって液晶素子１２０にオン電圧を印加さ
せる。
同様に、階調レベルが「３３（３４、３５）」については、期間長の比が「６」（「７
」、「８」）であるサブフィールドｓｆ４（ｓｆ７、ｓｆ２）と、このサブフィールドに
対して時間的に後方側で連続するサブフィールドｓｆ５、ｓｆ６・７およびｓｆ８・９の
３グループ（ｓｆ８・９、ｓｆ１・２およびｓｆ３・４の３グループ、ｓｆ３・４、ｓｆ
５およびｓｆ６・７の３グループ）とにわたって液晶素子１２０にオン電圧を印加させる
。

なお、階調レベルが「３７」から「４４」までは、順にサブフィールドｓｆ２、ｓｆ７
、ｓｆ４、ｓｆ９、ｓｆ８、ｓｆ３、ｓｆ６、ｓｆ１のそれぞれにおいてのみ、液晶素子
１２０にオフ電圧を印加させる。そして、階調レベルが最大の「４５」であれば、サブフ
ィールドｓｆ１〜ｓｆ９の全域にわたって液晶素子１２０にオン電圧を印加させる。
また、階調レベルが「９」である場合、いずれか１つグループを構成するサブフィール
ドにわたって液晶素子１２０にオン電圧を印加させれば良い。このため、本実施形態では
、階調レベル「９」については、サブフィールドｓｆ５にわたってオン電圧を印加させて
いる。同様に、階調レベルが「１８（２７、３６）」である場合、連続する２グループ（
３グループ、４グループ）のサブフィールドにわたって液晶素子１２０にオン電圧を印加
させれば良い。このため、階調レベル「１８（２７、３６）」については、例えばサブフ
ィールドｓｆ５、ｓｆ６・７の２グループ（サブフィールドｓｆ３・４、ｓｆ５およびｓ
ｆ６・７の３グループ、サブフィールドｓｆ６・７、ｓｆ８・９、ｓｆ１・２およびｓｆ
３・４の４グループ）にわたって液晶素子１２０にオン電圧を印加させている。

このように本実施形態では、階調レベル「０」から「４５」までの「１」刻みで、計４
６段階の階調表現が可能であり、このうち、階調レベル「１０」から「３５」までの２６
段階にあっては、１つまたは隣接するフィールドでみたときにオンおよびオフするサブフ
ィールドの双方が連続することになる。
これ以外の階調レベル「０」から「８」まで、および、「３６」から「４５」までにつ
いては、オンまたはオフのいずれか一方のサブフィールドが「０」または「１」個となる
ので、オンまたはオフのいずれか他方となるサブフィールドだけが連続することになる。
なお、階調レベル「９」については、サブフィールドｓｆ５の１つのみにおいてオン電
圧を印加することにしているが、例えばサブフィールドｓｆ６・７にわたって連続してオ
ン電圧を印加しても良いのは、上述した通りである。
このように、本実施形態では、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ９の期間長を互いに異なら
せた上で、オン電圧およびオフ電圧を印加するサブフィールドを連続させつつ、上述した
ような手順でオンまたはオフ電圧を印加するサブフィールドを規定しているので、オンオ
フさせるサブフィールドの組み合わせに困難性を伴うことがない。

＜変換テーブルの変換内容＞
次に、このような階調表示を実行するための変換テーブル３０の変換内容について図５
を参照して説明する。
この図に示されるように、変換テーブル３０では、メモリ２０から読み出された表示デ
ータＤaで指定される階調レベルが、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ９毎に、液晶素子１２
０にオンまたはオフ電圧の印加を指定するデータＤbに変換される。なお、この図におい
て「１」が液晶素子１２０にオン電圧を、「０」が液晶素子１２０にオフ電圧の印加を、
それぞれ指定する。例えば、階調レベルが「１３」である場合、液晶素子１２０に、サブ
フィールドｓｆ５〜ｓｆ７ではオン電圧を印加させ、他のサブフィールドではオフ電圧を
印加させることが指定される。この変換テーブルによるデータＤbにしたがって液晶素子
にオンまたはオフ電圧を印加するかを規定することによって、図４で示した階調表示が実
現されることになる。
なお、図５において、階調レベル「１０」〜「１７」、「１９」〜「２６｝、「２８」
〜「３５」にハッチングが施された「１」が、上述した「端数サブフィールド」である。

＜走査線駆動回路＞
図６は、本実施形態における走査線駆動回路１３０の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、走査線駆動回路１３０は、２つのシフトレジスタ１３１、１
３２を有する。このうち、シフトレジスタ１３１は、奇数行の走査線１１２を駆動するも
のであり、１０８０行の半分に相当する５４０段の単位回路を有する。一方、シフトレジ
スタ１３２は、偶数行の走査線１１２を駆動するものであり、同じく５４０段の単位回路
を有する。
シフトレジスタ１３１、１３２における各段の単位回路は、それぞれ入力信号をクロッ
ク信号Ｃlyの１周期分だけ順次遅延させて走査信号として出力するとともに、次段の単位
回路に入力信号として供給するものである。
ここで、シフトレジスタ１３１における第１、２、３、４、…、５３９、５４０段目の
単位回路から出力される走査信号は、奇数行である１、３、５、７、…、１０７７、１０
７９行目の走査線１１２に、それぞれＧ１、Ｇ３、Ｇ５、Ｇ７、…、Ｇ１０７７、Ｇ１０
７９として供給される。同様に、シフトレジスタ１３２における第１、２、３、４、…、
５３９、５４０段目の単位回路から出力される走査信号は、偶数行である２、４、６、８
、…、１０７８、１０８０行目の走査線１１２に、それぞれＧ２、Ｇ４、Ｇ６、Ｇ８、…
、Ｇ１０７８、Ｇ１０８０として供給される。
なお、シフトレジスタ１３１における第１段の単位回路の入力信号は、スタートパルス
Ｄyoであり、シフトレジスタ１３２における第１段の単位回路の入力信号は、スタートパ
ルスＤyeである。

クロック信号Ｃly、スタートパルスＤyo、Ｄyeは、それぞれ制御回路１０から供給され
る。このうち、クロック信号Ｃlyのデューティ比は５０％である。クロック信号Ｃlyの１
周期をＨと表記し、このＨの倍数で期間長を示すとき、本実施形態において１グループの
期間長は、クロック信号Ｃlyの１０８０倍である１０８０Ｈに設定され、１フィールドの
期間長は、さらにその５倍である５４００Ｈに設定される。

スタートパルスＤyo、Ｄyeの各々は、それぞれクロック信号Ｃlyの半周期に相当する幅
でＨレベルとなるパルス信号であり、それぞれ図３（ｂ）に示されるように出力される。
詳細には、スタートパルスＤyoは、１フィールドの期間を５分割した期間Ａ、Ｂ、Ｃ、
Ｄ、Ｅの開始タイミングであって、クロック信号Ｃlyの１０８０Ｈ毎に等間隔で出力され
るパルス（便宜的に第１パルスと称する）と、この等間隔で出力される第１パルスのうち
、期間Ｃを除いた期間Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅの開始タイミングで出力される第１パルスに対して
、それぞれ１２０．５Ｈ、３６０．５Ｈ、２４０．５Ｈ、４８０．５Ｈだけ遅延したパル
ス（同様に第２パルスと称する場合がある）とを含む。
なお、本実施形態において、スタートパルスＤyoのうち、期間Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの開
始タイミングの第１パルスは、クロック信号ＣlyがＨレベルであるときに出力される。そ
れ以外の第２パルスは、期間Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅの開始タイミングから、それぞれ１２０．５
Ｈ、３６０．５Ｈ、２４０．５Ｈ、４８０．５Ｈだけ遅延したものであるから、クロック
信号ＣlyがＬレベルであるときに出力される。

一方、スタートパルスＤyeは、スタートパルスＤyoに対して１／２フィールドに相当す
る２７００Ｈだけ遅延して出力される。
したがって、スタートパルスＤyeは、期間Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの開始タイミングにおい
て出力されるスタートパルスＤyoの第１パルスから、それぞれ５４０Ｈだけ遅延すること
により等間隔で出力される第３パルスと、この第３パルスのうち、期間Ｅを除いた期間Ａ
、Ｂ、Ｃ、Ｄで出力される第３パルスに対して、それぞれ２４０．５Ｈ、４８０．５Ｈ、
１２０．５Ｈ、３６０．５Ｈだけ遅延した第４パルスとを含む。
なお、本実施形態において、スタートパルスＤyeのうち、等間隔で出力される第３パル
スは、それぞれ第１パルスから５４０Ｈだけ遅延したものであるから、クロック信号Ｃly
がＨレベルであるときに出力される。それ以外の第４パルスは、期間Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで出
力される第３パルスに対して、それぞれ２４０．５Ｈ、４８０．５Ｈ、１２０．５Ｈ、３
６０．５Ｈだけ遅延したものであるから、クロック信号ＣlyがＬレベルであるときに出力
される。

次に、走査線駆動回路１３０による走査信号について図７〜図１１を参照して説明する
。ここで、図７は、期間Ａにおける走査信号Ｇ１〜Ｇ１０８０を示すタイミングチャート
である。また、図８、図９、図１０および図１１は、それぞれ期間Ｂ、Ｃ、ＤおよびＥに
おける走査信号Ｇ１〜Ｇ１０８０を示すタイミングチャートである。
なお、図７〜図１１において時間軸を示す横軸方向は、表記された期間（例えば１２０
．５Ｈ）が正しいが、その縮尺は便宜的なものであって必ずしも正しくはない。

図７または図３（ｂ）に示されるように、制御回路１０によってスタートパルスＤyoと
しての第１パルスが期間Ａの開始タイミングにおいて出力されると、当該開始タイミング
から１２０．５Ｈが経過した後に再びスタートパルスＤyoとしての第２パルスが出力され
る。一方、スタートパルスＤyeは、スタートパルスＤyoに対して１／２フィールドに相当
する２７００Ｈだけ遅延して出力されるので、期間Ａの開始タイミングから５４０Ｈが経
過した後にスタートパルスＤyeの第３パルスが出力されるとともに、この出力から２４０
．５Ｈが経過した時点でスタートパルスＤyeの第４パルスが出力される。

スタートパルスＤyoの第１パルスは、シフトレジスタ１３１によってクロック信号Ｃly
の１周期ずつ順番に遅延させられるので、奇数行への走査信号Ｇ１、Ｇ３、Ｇ５、…、Ｇ
１０７９は、当該第１パルスを１Ｈずつシフトした信号、すなわち、クロック信号Ｃlyが
Ｈレベルとなる期間にて順番にＨレベルとなる。
期間Ａの開始タイミングから１２０．５Ｈが経過した後に再びスタートパルスＤyoの第
２パルスが出力されると、同様にシフトレジスタ１３１によってクロック信号Ｃlyの１周
期ずつ順番に遅延させられて、走査信号Ｇ１、Ｇ３、Ｇ５、…、Ｇ１０７９として出力さ
れる。ここで、第２パルスが出力されたときに、期間Ａの開始タイミングに供給された第
１パルスは、シフトレジスタ１３１において転送途中にある。
ただし、第２パルスは、期間Ａの開始タイミングから１２０．５Ｈが経過してクロック
信号ＣlyがＬレベルであるときに出力されるので、スタートパルスＤyoとしての第２パル
スの転送による走査信号は、第１パルスの転送による走査信号と重複してＨレベルになる
ことはない。

なお、第１パルスの転送による走査信号Ｇ２４１、Ｇ２４３がＨレベルとなるあいだに
おいて、第２パルスの転送による走査信号Ｇ１がＨレベルとなるように出力される。
また、第１パルスの転送は、走査信号Ｇ１０７９がＨレベルとなることにより終了する
が、第１パルスの転送によって走査信号Ｇ１０７９がＨレベルとなった直前にＨレベルと
なる走査信号は、第２パルスの転送によるＧ８３７である。
したがって、期間Ａにおいて、走査線１１２は、第１パルスのみの転送によって１、３
、５、…、２４１行目という順番で選択され、第２および第１パルスの並列転送によって
１、２４３、３、２４５、…、８３７、１０７９行目という順番で選択される。

一方、期間Ａの開始タイミングから５４０Ｈが経過すると、スタートパルスＤyeとして
の第３パルスが制御回路１０によって出力される。当該第３パルスは、シフトレジスタ１
３２によってクロック信号Ｃlyの１周期ずつ順番に遅延させられて、偶数行への走査信号
Ｇ２、Ｇ４、Ｇ６、…、Ｇ１０８０として出力される。このため走査信号Ｇ２、Ｇ４、Ｇ
６、…、Ｇ１０８０は、当該第３パルスを１Ｈずつシフトした信号、すなわち、クロック
信号ＣlyがＨレベルとなる期間にて順番にＨレベルとなる。
なお、スタートパルスＤyeの第３パルスは、スタートパルスＤyoの第１パルスから５４
０Ｈが経過したときに、すなわち、シフトレジスタ１３１が第１パルスを転送することに
よって走査信号Ｇ１０７９がＨレベルになると同時に出力される。さらに、第３パルスは
、クロック信号ＣlyがＨレベルであるときに出力される。

このため、走査信号Ｇ２は、第１パルスの転送によって走査信号Ｇ１０７９がＨレベル
となった後、第２パルスの転送によって走査信号Ｇ８３９がＨレベルとなった次に、第３
パルスの転送によってＨレベルとなるように出力される。このため、第３パルスの転送に
よる偶数行の走査信号は、第２パルスの転送による奇数行の走査信号と重複してＨレベル
になることはない。一方、第２パルスの転送は、走査信号Ｇ１０７９がＨレベルとなるこ
とにより終了するが、第２パルスの転送によって走査信号Ｇ１０７９がＨレベルとなった
直前にＨレベルとなる走査信号は、第３パルスの転送によるＧ２４０である。
したがって、期間Ａにおいて走査線は、第２および第３パルスの並列転送によって８３
９、２、８４１、４、…、（２４０）、１０７９行目という順番で選択される。
また、第２パルスの転送によって走査信号Ｇ１０７９がＨレベルとなる直後でＨレベル
となる走査信号は、第３パルスの転送によるＧ２４２であり、次の第４パルスの転送によ
って走査信号Ｇ２がＨレベルとなる直前では、第３パルスの転送による走査信号Ｇ４８０
である。したがって、第３パルスのみの転送によって走査線１１２は、２４２、２４４、
２４６、…、４８２行目という順番で選択される。

期間Ａにおいて、スタートパルスＤy eの第３パルスが出力されてから２４０．５Ｈが
経過したときに第４パルスが出力されると、同様にシフトレジスタ１３２によってクロッ
ク信号Ｃlyの１周期ずつ順番に遅延させられて、走査信号Ｇ２、Ｇ４、Ｇ６、…、Ｇ１０
８０として出力される。
ここで、第４パルスたるスタートパルスＤyeが出力されたときに、第３パルスたるスタ
ートパルスＤyeは、シフトレジスタ１３２において転送途中にあるが、第４パルスは、第
３パルスの供給タイミングから２４０．５Ｈが経過してクロック信号ＣlyがＬレベルであ
るときに出力されるので、スタートパルスＤyeとしての第４パルスの転送による走査信号
は、第３パルスの転送による走査信号と重複してＨレベルになることはない。
なお、第４パルスの転送による走査信号Ｇ２は、第３パルスの転送によって走査信号Ｇ
４８２、Ｇ４８４がＨレベルとなるあいだにおいてＨレベルとなるように出力される。
また、第３パルスの転送は、走査信号Ｇ１０８０がＨレベルとなることにより終了する
が、第３パルスの転送によって走査信号Ｇ１０８０がＨレベルとなった直前にＨレベルと
なる走査信号は、第４パルスの転送によるＧ５９８である。したがって、期間Ａでは、第
４および第３パルスの並列転送によって、２、４８４、４、４８６、…、５９８、１０８
０行目という順番で選択される。

このように期間Ａにおいて走査線は、第１パルスのみの転送によって１、３、５、…、
２４１行目という順番で選択され、第２および第１パルスの並列転送によって１、２４３
、３、２４５、…、８３７、１０７９行目という順番で選択され、第２および第３パルス
の並列転送によって８３９、２、８４１、４、…、（２４０）、１０７９行目という順番
で選択され、第３パルスのみの転送によって２４２、２４４、２４６、…、４８２行目と
いう順番で選択され、第４および第３パルスの並列転送によって、２、４８４、４、４８
６、…、５９８、１０８０行目という順番で選択される。
なお、６００行目以降の偶数行走査線は、第４パルスの転送によって次の期間Ｂにおい
て選択されることになる。

ここで、期間Ａにおいては、第１および第２パルスの転送によって、奇数行の走査線に
ついては２回選択される。この第１パルスの転送による選択から第２パルスの転送による
選択までの期間が奇数行のサブフィールドｓｆ１に相当することになる。
また、期間Ａにおいて、第３および第４パルスの転送によって、偶数行の走査線につい
ては２回選択される。この第３パルスの転送による選択から第４パルスの転送による選択
までの期間が（１フィールド前の）偶数行のサブフィールドｓｆ６に相当することになる
。

以下、第２パルスとしてのスタートパルスＤyoおよび第４パルスとしてのスタートパル
スＤyeの供給タイミングが異なる以外、同様な動作が期間Ｂでは図８に、期間Ｃでは図９
に、期間Ｄでは図１０に、期間Ｅでは図１１に、それぞれについて大略が示されるように
実行される。

詳細には、期間Ｂにおいて走査線は、期間Ａの第４パルスと期間Ｂの第１パルスの並列
転送によって６００、１、６０２、３、…、（４７９）、１０８０行目という順番で選択
され、第１パルスのみの転送によって４８１、４８３、…、７２１という順番で選択され
、第２および第１パルスの並列転送によって１、７２３、３、７２５、…、３５７、１０
７９行目という順番で選択され、第２および第３パルスの並列転送によって、３５９、２
、３６１、４、…、（７２０）、１０７９行目という順番で選択され、第３パルスのみの
転送によって７２２、７２４、７２６、…、９６２行目という順番で選択され、第４およ
び第３パルスの並列転送によって２、９６４、４、９６６、…、１１８、１０８０行目と
いう順番で選択される。
なお、１２０行目以降の偶数行走査線は、第４パルスの転送によって次の期間Ｃにおい
て選択されることになる。

ここで、期間Ａの第２パルスの転送による選択から期間Ｂの第１パルスの転送による選
択までの期間が奇数行のサブフィールドｓｆ２に相当し、期間Ｂの第１パルスの転送によ
る選択から期間Ｂの第２パルスの転送による選択までの期間が奇数行のサブフィールドｓ
ｆ３に相当することになる。
一方、期間Ａの第４パルスの転送による選択から期間Ｂの第３パルスの転送による選択
までの期間が（１フィールド前の）偶数行のサブフィールドｓｆ７に相当し、期間Ｂの第
３パルスの転送による選択から期間Ｂの第４パルスの転送による選択までの期間が（１フ
ィールド前の）偶数行のサブフィールドｓｆ８に相当することになる。

期間Ｃにおいて走査線は、期間Ｂの第４パルスと期間Ｃの第１パルスの並列転送によっ
て１２０、１、１２２、３、…、（９５９）、１０８０行目という順番で選択される。期
間ＣにおいてスタートパルスＤyoの第２パルスが出力されないので、走査線は、第１パル
スのみの転送によって９６１、９６３、…、１０７９行目という順番で選択される。この
後、第３パルスのみの転送によって２、４、６、…、２４２行目という順番で選択され、
第４および第３パルスの並列転送によって２、２４４、４、２４６、…、８３８、１０８
０行目という順番で選択される。
なお、８４０行目以降の偶数行走査線は、第４パルスの転送によって次の期間Ｄにおい
て選択されることになる。

ここで、期間Ｂの第２パルスの転送による選択から期間Ｃの第１パルスの転送による選
択までの期間が奇数行のサブフィールドｓｆ４に相当する。
一方、期間Ｂの第４パルスの転送によって選択されるから期間Ｃの第３パルスの転送に
よる選択されるまでの期間が（１フィールド前の）偶数行のサブフィールドｓｆ９に相当
し、期間Ｃの第３パルスの転送による選択から期間Ｃの第４パルスの転送による選択まで
の期間が偶数行のサブフィールドｓｆ１に相当することになる。

期間Ｄにおいて走査線は、期間Ｃの第４パルスと期間Ｄの第１パルスの並列転送によっ
て８４０、１、８４２、３、…、（２３９）、１０８０行目という順番で選択され、第１
パルスのみの転送によって２４１、２４３、…、４８１という順番で選択され、第２およ
び第１パルスの並列転送によって１、４８３、３、４８５、…、５９７、１０７９行目と
いう順番で選択され、第２および第３パルスの並列転送によって、５９９、２、６０１、
４、…、（４８０）、１０７９行目という順番で選択され、第３パルスのみの転送によっ
て４８２、４８４、４８６、…、７２２行目という順番で選択され、第４および第３パル
スの並列転送によって２、７２４、４、７２６、…、３５８、１０８０行目という順番で
選択される。
なお、３６０行目以降の偶数行走査線は、第４パルスの転送によって次の期間Ｅにおい
て選択されることになる。

ここで、期間Ｃの第１パルスの転送による選択から期間Ｄの第１パルスの転送による選
択までの期間が奇数行のサブフィールドｓｆ５に相当し、期間Ｄの第１パルスの転送によ
る選択から期間Ｄの第２パルスの転送による選択までの期間が奇数行のサブフィールドｓ
ｆ６に相当することになる。
一方、期間Ｃの第４パルスの転送による選択から期間Ｄの第３パルスの転送による選択
までの期間が偶数行のサブフィールドｓｆ２に相当し、期間Ｄの第３パルスの転送による
選択から期間Ｄの第４パルスの転送による選択までの期間が偶数行のサブフィールドｓｆ
３に相当することになる。

期間Ｅにおいて走査線は、期間Ｄの第４パルスと期間Ｅの第１パルスの並列転送によっ
て３６０、１、３６２、３、…、（７１９）、１０８０行目という順番で選択され、第１
パルスのみの転送によって７２１、７２３、…、９６１という順番で選択され、第２およ
び第１パルスの並列転送によって１、９６３、３、９６５、…、１１７、１０７９行目と
いう順番で選択され、第２および第３パルスの並列転送によって、１１９、２、１２１、
４、…、（９６０）、１０７９行目という順番で選択される。期間Ｅにおいてスタートパ
ルスＤyeとしての第４パルスが出力されないので、走査線は、第３パルスのみの転送によ
って９６２、９６４、…、１０８０行目という順番で選択される。

ここで、期間Ｄの第２パルスの転送による選択から期間Ｅの第１パルスの転送による選
択までの期間が奇数行のサブフィールドｓｆ７に相当し、期間Ｅの第１パルスの転送によ
る選択から期間Ｅの第２パルスの転送による選択までの期間が奇数行のサブフィールドｓ
ｆ８に相当し、期間Ｅの第２パルスの転送による選択から、次のフィールドにおける期間
Ａの第１パルスの転送による選択までの期間が奇数行のサブフィールドｓｆ９に相当する
。
一方、期間Ｄの第４パルスの転送による選択から期間Ｅの第３パルスの転送による選択
までの期間が偶数行のサブフィールドｓｆ４に相当し、期間Ｅの第３パルスの転送による
選択から、次のフィールドにおける期間Ａの第３パルスの転送による選択までの期間が偶
数行のサブフィールドｓｆ５に相当することになる。

なお、このように走査線駆動回路１３０が出力する走査信号によれば、図３（ａ）と比
較して、奇数および偶数行におけるサブフィールドｓｆ１、ｓｆ３、ｓｆ６、ｓｆ８は若
干長く、サブフィールドｓｆ２、ｓｆ４、ｓｆ７、ｓｆ９は若干短くなるが、実質的な影
響はほとんどない。

＜データ線駆動回路＞
続いて図１におけるデータ線駆動回路１４０について説明する。データ線駆動回路１４
０は、変換テーブル３０により変換されたデータＤbを、制御回路１０で指定された極性
の電圧に変換して、当該データＤbに対応する列のデータ線１１４にデータ信号として供
給するものである。詳細には、データ線駆動回路１４０は、変換テーブル３０により変換
されたデータＤbが液晶素子１２０のオンを示す「１」である場合であって、制御回路１
０により液晶素子１２０に対して正極性書込が指定されていれば電圧Ｖw(+)に、負極性書
込が指定されていれば電圧Ｖw(-)に、それぞれ変換する一方、液晶素子１２０のオフを示
す「０」である場合であって、正極性書込が指定されていれば電圧Ｖb(+)に、負極性書込
が指定されていれば電圧Ｖb(-)に、それぞれ変換する。
なお、１、２、３、…、１９２０列目のデータ線１１４に供給されるデータ信号を、デ
ータ信号ｄ１、ｄ２、ｄ３、…、ｄ１９２０と表記し、列を特定しないでｊ列目のデータ
信号をｄｊと表記する。

電圧Ｖw(+)およびＶw(-)は、これが画素電極１１８に印加されたときに、液晶素子１２
０の画素電極１１８および対向電極１０８の差電圧をオン電圧とさせる電圧であり、図１
３に示されるように、電圧Ｖcを基準して対称の位置関係にある。上述したように、本実
施形態では、対向電極１０８には電圧ＬＣcomが印加されているので、電圧Ｖw(+)が画素
電極１１８に印加されると液晶素子１２０には当該電圧Ｖw(+)と電圧ＬＣcomとの差電圧
が、電圧Ｖw(-)が画素電極１１８に印加されると液晶素子１２０には当該電圧Ｖw(-)と電
圧ＬＣcomとの差電圧が、オン電圧としてそれぞれ書き込まれる。
なお、オン電圧としては、上述したように飽和電圧の１〜１．５倍程度とさせる電圧が
用いられるが、画素電極１１８に電圧Ｖw(+)、Ｖw(-)が印加された場合に、液晶素子１２
０の反射率が飽和して白色となるまでの飽和応答時間は、最も短いサブフィールドｓｆ１
の期間長よりも長い。換言すれば、サブフィールドｓｆ１の期間長は、液晶素子１２０の
飽和応答時間よりも短く設定されている。

一方、電圧Ｖb(+)およびＶb(-)は、これが画素電極１１８に印加されたときに、液晶素
子１２０の差電圧をオフ電圧とさせる電圧であり、図１３に示されるように、電圧Ｖcを
基準して対称の位置関係にある。電圧Ｖb(+)が画素電極１１８に印加されると液晶素子１
２０には当該電圧Ｖb(+)と電圧ＬＣcomとの差電圧が、電圧Ｖb(-)が画素電極１１８に印
加されると液晶素子１２０には当該電圧Ｖb(-)と電圧ＬＣcomとの差電圧が、オフ電圧と
してそれぞれ書き込まれる。
ここで、液晶素子１２０に直流成分が印加されると、液晶１０５が劣化するので、画素
電極１１８には基準電圧Ｖcに対して高位側および低位側の電圧が交互に印加される（交
流駆動）。この交流駆動において、画素電極１１８に印加する電圧、すなわち、データ信
号の電圧を、基準電圧Ｖcに対して高位側とするか、低位側とするかが書込極性であって
、高位側とする場合を正極性とし、低位側とする場合を負極性としている。
したがって、電圧Ｖw(+)、Ｖb(+)が正極性電圧であり、電圧Ｖw(-)、Ｖb(-)が負極性電
圧である。
なお、本実施形態において書込極性については、電圧Ｖcを基準とするが、電圧につい
ては、特に説明のない限り、論理レベルのＬレベルに相当する接地電位Ｇndを電圧ゼロの
基準としている。

ところで、対向電極１０８への印加電圧ＬＣcomは、基準電圧Ｖcよりも若干低位側に設
定される。これは、ｎチャネル型のトランジスタ１１６では、ゲート・ドレイン電極間の
寄生容量に起因して、オンからオフに状態変化するときにドレイン（画素電極１１８）の
電位が低下する、というプッシュダウンが発生するためである。仮に電圧ＬＣcomを基準
電圧Ｖcと一致させた場合、負極性書込による液晶素子１２０の電圧実効値が、プッシュ
ダウンのために、正極性書込による電圧実効値よりも若干大きくなってしまう（トランジ
スタ１１６がｎチャネルの場合）。このため、プッシュダウンの影響が相殺されるような
適正値に、電圧ＬＣcomを基準電圧Ｖcよりも低位側にオフセットして設定される。ただし
、プッシュダウンの影響が無視できるならば、電圧ＬＣcomと基準電圧Ｖcとは一致するよ
うに設定される。
また、上述したように液晶素子１２０を交流駆動するので、本実施形態では、制御回路
１０が、データ線駆動回路１４０に対して１フィールドの期間毎に書込極性を正極性およ
び負極性に交互に切り替える構成としている。

＜書込動作＞
次に、電気光学装置１の表示動作について説明する。
制御回路１０は、上述したようにスタートパルスＤyo、Ｄyeおよびクロック信号Ｃlyを
走査線駆動回路１３０に供給し、走査線駆動回路１３０は、これらの信号にしたがって走
査信号を生成して走査線１１２に供給する。このため、制御回路１０が、間接的に走査線
の選択を制御することになる。

上述したように期間Ａにおいて、走査線１１２は、第１に、１、３、５、…、２４１行
目という順番で選択され、第２に、１、２４３、３、２４５、…、８３７、１０７９行目
という順番で選択され、第３に、８３９、２、８４１、４、…、２４０、１０７９行目と
いう順番で選択され、第４に、２４２、２４４、２４６、…、４８２行目という順番で選
択され、第５に、２、４８４、４、４８６、…、５９８、１０８０行目という順番で選択
される。このため、期間Ａにおいて、走査線１１２は、偶数行の６００行目以降を除き２
回選択される。
そして、奇数行における第１回目の選択の際に奇数行のサブフィールドｓｆ１に対応し
た電圧の書き込みが実行され、奇数行における第２回目の選択の際に奇数行のサブフィー
ルドｓｆ２に対応した電圧の書き込みが実行され、偶数行における第１回目の選択の際に
（１フィールド前の）偶数行のサブフィールドｓｆ６に対応した電圧の書き込みが実行さ
れ、偶数行における第２回目の選択の際に（１フィールド前の）偶数行のサブフィールド
ｓｆ７に対応した電圧の書き込みが実行される。

期間Ａでは、最初に１行目の走査線１１２において第１回目の選択が実行されるが、そ
の選択の前に、制御回路１０は、１行目に位置する１〜１９２０列の画素１行分の表示デ
ータＤaをメモリ２０から読み出して変換テーブル３０に供給させる。これにより、変換
テーブル３０では、表示データＤaが、当該表示データＤaで指定される階調レベル、およ
び、サブフィールドｓｆ１に対応して、液晶素子１２０にオンおまたはオフ電圧を印加す
るためのデータＤbに順次変換される。例えば、読み出された表示データＤaが階調レベル
「１３」を指定するものであれば、サブフィールドｓｆ１に対応して、液晶素子１２０に
オフ電圧を印加させるための「０」に変換される（図５参照）。
なお、上述したように本実施形態では、１フィールドの期間毎に書込極性を正極性およ
び負極性に交互に切り替えるが、この１フィールドにおいて、正極性書込が指定されるも
のとする。

データ線駆動回路１４０は、変換された１行１列〜１行１９２０列に対応したデータＤ
bを１行分蓄積した後、１行目の走査信号Ｇ１がＨレベルとなったときに、データＤbが「
１」であれば電圧Ｖw(+)に、「０」であれば電圧Ｖb(+)に、それぞれ変換して、データ信
号ｄ１〜ｄ１９２０として、１〜１９２０列目のデータ線１１４にそれぞれ供給する。例
えば、１行ｊ列のデータＤbが「０」であれば、走査信号Ｇ１がＨレベルとなったときに
、データ信号ｄｊを電圧Ｖb(+)とする。

１行目の走査線１１２の選択により走査信号Ｇ１がＨレベルになると、１行目に位置す
る画素１１０のトランジスタ１１６がすべてオンするので、データ線１１４に供給された
データ信号の電圧が画素電極１１８に印加される。このため、１行目であって１、２、３
、４、…、１９２０列の画素における液晶素子１２０には、それぞれデータＤbで指定さ
れたオンに相当する正極性電圧Ｖw(+)またはオフに相当する正極性電圧Ｖb(+)が画素電極
に印加されて、対向電極１０８に印加された電圧ＬＣcomとの差電圧に保持される。これ
により、１行目の液晶素子１２０は、指定された階調レベルであって、サブフィールドｓ
ｆ１に応じてオンまたはオフ電圧が印加されることになる。
なお、この差電圧は、トランジスタ１１６がオフしても、その容量性によって維持され
る。

次に、クロック信号Ｃlyの半周期の期間をあいだにおいて３行目の走査線１１２が第１
回目として選択されるが、このときにも同様な動作が実行される。すなわち、３行目の走
査線１１２が選択される前に、３行目に位置する１〜１９２０列の画素１行分の表示デー
タＤaがメモリ２０から読み出されるとともに、変換テーブル３０によって、階調レベル
、および、サブフィールドｓｆ１に対応してデータＤbに順次変換される。変換された３
行１列〜３行１９２０列に対応したデータＤbがデータ線駆動回路１４０に１行分蓄積さ
れた後、３行目の走査信号Ｇ３がＨレベルとなったときに、正極性の電圧Ｖw(+)またはＶ
b(+)に変換されて、データ信号ｄ１〜ｄ１９２０として、１〜１９２０列目のデータ線１
１４にそれぞれ供給される。走査信号Ｇ３がＨレベルになると、３行目に位置するトラン
ジスタ１１６がすべてオンするので、３行目であって１、２、３、４、…、１９２０列の
画素における液晶素子１２０には、それぞれデータＤbに対応した電圧Ｖw(+)または電圧
Ｖb(+)が画素電極に印加されることにより、電圧ＬＣcomとの差電圧に保持される。
このような走査線１１２の選択は、奇数２４１行目まで繰り返される。

２４１行目の走査線１１２において第１回目の選択が終了すると、１行目の走査線１１
２において第２回目の選択が実行される。１行目の走査線１１２における第２回目の選択
は、サブフィールドｓｆ２に対応した電圧の書き込みであるので、１行目の液晶素子１２
０は、指定された階調レベルであって、サブフィールドｓｆ２に応じてオンまたはオフ電
圧が印加されることになる。
１行目の走査線１１２における第２回目の選択が終了すると、２４３行目の走査線１１
２において第１回目の選択が実行され、これにより、２４３行目の液晶素子１２０は、指
定された階調レベルであって、サブフィールドｓｆ１に応じてオンまたはオフ電圧が印加
されることになる。走査線１１２は、以降、３、２４５、５、２４７、…、８３７、１０
７９行目という順番で選択される。このうち、３、５、…、８３７行目の選択は第２回目
であるから、サブフィールドｓｆ２に応じた電圧の書き込みが実行される一方、２４５、
２４７、…、１０７９行目の選択は第１回目であるから、サブフィールドｓｆ１に応じた
電圧の書き込みが実行されることになる。

１０７９行目の走査線１１２における第２回目の選択が終了すると、走査線１１２は、
８３９、２、８４１、４、…、２４０、１０７９行目という順番で選択される。このうち
、奇数行である８３９、８４１、…、１０７９行目の選択は第２回目であるから、サブフ
ィールドｓｆ２に応じた電圧の書き込みが実行され、偶数行である２、４、…、２４０行
目の選択は第１回目であるから、１フィールド前のサブフィールドｓｆ６に応じた電圧の
書き込みが実行されることになる。
２４０行目の走査線１１２における第１回目の選択が終了すると、走査線１１２は、２
４２、２４４、２４６、…、４８２行目という順番で、クロック信号Ｃlyの半周期の期間
をあいだにおいて選択される。いずれの選択も第１回目であるから、１フィールド前のサ
ブフィールドｓｆ６に応じた電圧の書き込みが実行されることになる。
４８２行目の走査線１１２における第１回目の選択が終了すると、走査線１１２は、２
、４８４、４、４８６、…、５９８、１０８０行目という順番で選択される。このうち、
２、４、…、５９８行目の選択は第２回目であるから、１フィールド前のサブフィールド
ｓｆ７に応じた電圧の書き込みが実行され、４８４、４８６、…、１０８０行目の選択は
第１回目であるから、１フィールド前のサブフィールドｓｆ６に応じた電圧の書き込みが
実行される。
なお、偶数行においてサブフィールドｓｆ６およびｓｆ７に応じて書き込まれる電圧は
、奇数行に対して１フィールド前のものであるから負極性である。

期間Ｂにおいて、期間Ａで供給された第４パルスが期間Ｂで引き続き転送されることに
よって偶数行の走査線が選択されるとき、選択走査線に位置する画素に対して、サブフィ
ールドｓｆ７に応じた電圧の書き込みが実行される。
期間Ｂにおいて、期間Ｂで供給される第１、第２パルスの転送によって奇数行の走査線
が選択されるとき、選択走査線に位置する画素に対して、サブフィールドｓｆ３、ｓｆ４
に応じた電圧の書き込みが実行される一方、期間Ｂで供給された第３、第４パルスの転送
によって偶数行の走査線が選択されるとき、選択走査線に位置する画素に対して、サブフ
ィールドｓｆ８、ｓｆ９に応じた電圧の書き込みが実行される。
期間Ｃにおいて、期間Ｂで供給された第４パルスが期間Ｃで引き続き転送されることに
よって偶数行の走査線が選択されるとき、選択走査線に位置する画素に対して、サブフィ
ールドｓｆ９に応じた電圧の書き込みが実行される。
期間Ｃにおいて、期間Ｃで供給される第１パルスの転送によって奇数行の走査線が選択
されるとき、選択走査線に位置する画素に対して、サブフィールドｓｆ５に応じた電圧の
書き込みが実行される一方、期間Ｃで供給された第３、第４パルスの転送によって偶数行
の走査線が選択されるとき、選択走査線に位置する画素に対して、サブフィールドｓｆ１
、ｓｆ２に応じた電圧の書き込みが実行される。
なお、偶数行においてサブフィールドｓｆ１およびｓｆ２に応じた書き込まれる電圧は
、奇数行と同じ１フィールドになるから正極性である。

期間Ｄにおいて、期間Ｃで供給された第４パルスが期間Ｄで引き続き転送されることに
よって偶数行の走査線が選択されるとき、選択走査線に位置する画素に対して、サブフィ
ールドｓｆ２に応じた電圧の書き込みが実行される。
期間Ｄにおいて、期間Ｄで供給される第１、第２パルスの転送によって奇数行の走査線
が選択されるとき、選択走査線に位置する画素に対して、サブフィールドｓｆ６、ｓｆ７
に応じた電圧の書き込みが実行される一方、期間Ｄで供給された第３、第４パルスの転送
によって偶数行の走査線が選択されるとき、選択走査線に位置する画素に対して、サブフ
ィールドｓｆ３、ｓｆ４に応じた電圧の書き込みが実行される。
期間Ｅにおいて、期間Ｄで供給された第４パルスが期間Ｅで引き続き転送されることに
よって偶数行の走査線が選択されるとき、選択走査線に位置する画素に対して、サブフィ
ールドｓｆ４に応じた電圧の書き込みが実行される。
期間Ｅにおいて、期間Ｅで供給される第１、第２パルスの転送によって奇数行の走査線
が選択されるとき、選択走査線に位置する画素に対して、サブフィールドｓｆ８、ｓｆ９
に応じた電圧の書き込みが実行される一方、期間Ｅで供給された第３パルスの転送によっ
て偶数行の走査線が選択されるとき、選択走査線に位置する画素に対して、サブフィール
ドｓｆ５に応じた電圧の書き込みが実行される。
なお、期間Ｅから期間Ａに戻ったとき、奇数行では、次フィールドとなるので、負極性
書込が指定される。このため、奇数行の液晶素子１２０には、変換されたデータＤbが「
１」であれば電圧Ｖw(-)が、「０」であれば電圧Ｖb(-)が、それぞれが書き込まれて、保
持されることになる。
一方、偶数行では、期間Ａに戻っても、サブフィールドｓｆ６であるので、期間Ｃの途
中のサブフィールドｓｆ９まで正極性書込が指定される。

図１３は、ｉ行ｊ列の液晶素子１２０における画素電極１１８の電圧Ｐ（ｉ、ｊ）を示
す図である。
電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、正極性書込が指定されていれば、走査信号ＧｉがＨレベルとなっ
たときに、データＤbにしたがって液晶素子１２０にオン電圧を印加させるための電圧Ｖw
(+)、または、オフ電圧を印加させるための電圧Ｖb(+)のいずれかとなり、サブフィール
ドの各期間にわたって維持される。一方、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、負極性書込が指定されて
いれば、走査信号ＧｉがＨレベルとなったときに、データＤbにしたがって液晶素子１２
０にオン電圧を印加させるための電圧Ｖw(-)、または、オン電圧を印加させるための電圧
Ｖb(-)のいずれかとなり、サブフィールドの各期間にわたって維持される。

なお、図１３では、階調レベルとして「２４」が指定された場合を示している。階調レ
ベルが「２４」であれば、液晶素子１２０には、サブフィールドｓｆ４〜ｓｆ７にわたっ
てオン電圧が印加され、他のサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ３、ｓｆ８、ｓｆ９にわたって
オフ電圧を印加される。
このため、図１３において電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、正極性書込が指定されていれば、サブ
フィールドｓｆ４〜ｓｆ７にわたって電圧Ｖw(+)となり、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ３
、ｓｆ８、ｓｆ９にわたって電圧Ｖb(+)となる一方、負極性書込が指定されていれば、サ
ブフィールドｓｆ４〜ｓｆ７にわたって電圧Ｖw(-)となり、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ
３、ｓｆ８、ｓｆ９にわたって電圧Ｖb(-)となる。

次に、本実施形態において、奇数１、３、５、…、１０７９行および偶数２、４、６…
、１０８０行目の走査線に対してサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ９に応じたオンまたはオフ
電圧を書き込むための選択がどのように進行するか、について図１２を参照して説明する
。
なお、この図においては、期間Ａ〜Ｅにわたって、奇数行および偶数目の走査線につい
てオンオフ電圧の書き込みをするための走査線選択の進行を示す図である。この図におい
ては、走査線の選択を微小点で表しているが、走査線が時間経過とともに下方向に向かっ
て選択されるので、当該微小点が右下斜め方向に連続した実線として示されている。

本実施形態では、期間Ａにおいて第１パルスが供給されると、当該第１パルスの転送に
よって走査線が１、３、５、…、１０７９行目という順番で選択され、これにより、奇数
行においてサブフィールドｓｆ１に応じたオンまたはオフ電圧が書き込まれる。この奇数
行の選択が完了するタイミングに第３パルスが供給されると、当該第３パルスの転送によ
って走査線が２、４、６、…、１０８０行目という順番で選択され、これにより、偶数行
においてサブフィールドｓｆ６に応じたオンオフ電圧が書き込まれる。
一方、第１パルスの供給からサブフィールドｓｆ１に相当する期間が経過したときに第
２パルスが供給されると、当該第２パルスの転送によって奇数行の走査線が再び選択され
、これにより、奇数行においてサブフィールドｓｆ２に応じたオンオフ電圧が書き込まれ
る。第２パルスの転送によって奇数行の選択が完了するタイミングから比「１」に相当す
る期間１２０Ｈが経過したときに第４パルスが供給されると、当該第４パルスの転送によ
って偶数行の走査線が選択され、これにより、偶数行においてサブフィールドｓｆ７に応
じたオンオフ電圧が書き込まれる。したがって、偶数行のサブフィールドｓｆ６の期間は
、奇数行のサブフィールドｓｆ１の比である「１」に、奇数行の走査線の選択が完了して
から第３パルスを供給するまでの比「１」に相当する遅延時間を加えた、比「２」に相当
する期間となって所定値となる。

期間Ｂ（Ｄ）においても同様に第１パルスが供給されると、当該第１パルスの転送によ
って奇数行目の走査線が順番で選択され、これにより、奇数行においてサブフィールドｓ
ｆ３（ｓｆ６）に応じたオンオフ電圧が書き込まれる。この奇数行の選択が完了するタイ
ミングに第３パルスが供給されると、当該第３パルスの転送によって偶数行目の走査線が
順番で選択され、これにより、偶数行においてサブフィールドｓｆ８（ｓｆ３）に応じた
オンオフ電圧が書き込まれる。一方、第１パルスの供給からサブフィールドｓｆ３（ｓｆ
６）に相当する期間が経過したときに第２パルスが供給されると、当該第２パルスの転送
によって奇数行の走査線が順番で選択され、これにより、奇数行においてサブフィールド
ｓｆ４（ｓｆ７）に応じたオンオフ電圧が書き込まれる。第２パルスの転送によって奇数
行の選択が完了するタイミングから比「１」に相当する期間１２０Ｈが経過したときに第
４パルスが供給されると、当該第４パルスの転送によって偶数行の走査線が順番で選択さ
れ、これにより、偶数行においてサブフィールドｓｆ９（ｓｆ４）に応じたオンオフ電圧
が書き込まれる。したがって、偶数行のサブフィールドｓｆ８（ｓｆ３）の期間は、奇数
行のサブフィールドｓｆ３（ｓｆ６）の比である「３」（「２」）に、奇数行の走査線の
選択が完了してから第３パルスを供給するまでの比「１」に相当する遅延時間を加えた、
比「４」（「３」）に相当する期間となって所定値となる。

期間Ｃにおいて第１パルスが供給されると、当該第１パルスの転送によって奇数行の走
査線が順番で選択され、これにより、奇数行においてサブフィールドｓｆ５に応じたオン
オフ電圧が書き込まれる。この奇数行の選択が完了するタイミングに第３パルスが供給さ
れると、当該第３パルスの転送によって偶数行目の走査線が順番で選択され、これにより
、偶数行においてサブフィールドｓｆ１に応じたオンオフ電圧が書き込まれる。
ここで、期間Ｃにおいては第２パルスが供給されないので、第１パルスの転送による奇
数行走査線の選択が完了するタイミング、すなわち第３パルスの供給タイミングから比「
１」に相当する期間１２０Ｈが経過したときに、第４パルスが供給される。この当該第４
パルスの転送によって偶数行の走査線が順番で選択されて、偶数行のサブフィールドｓｆ
２に応じたオンオフ電圧が書き込まれる。
また、期間Ｅにおいて第１パルスが供給されると、当該第１パルスの転送によって奇数
行の走査線が順番で選択され、これにより、奇数行においてサブフィールドｓｆ８に応じ
たオンオフ電圧が書き込まれる。この奇数行の選択が完了するタイミングに第３パルスが
供給されると、当該第３パルスの転送によって偶数行目の走査線が順番で選択され、これ
により、偶数行においてサブフィールドｓｆ５に応じたオンオフ電圧が書き込まれる。一
方、第１パルスの供給からサブフィールドｓｆ８に相当する期間が経過したときに第２パ
ルスが供給されると、当該第２パルスの転送によって奇数行の走査線が順番で選択され、
これにより、奇数行においてサブフィールドｓｆ９に応じたオンオフ電圧が書き込まれる
。なお、期間Ｅにおいて第４パルスは供給されない。

本実施形態では、このように期間Ａ〜Ｅにおいて走査線を選択する順序が異なるが、各
行の走査線を駆動する走査線駆動回路１３０は、図６に示したように２つのシフトレジス
タ１３１、１３２で済むので、構成の簡略化を図ることができる。

また、本実施形態によれば、液晶素子にオンまたはオフ電圧を印加するサブフィールド
が連続しているので、温度変化等によって応答速度が高くなっても、液晶素子の反射率に
ついて、階調レベルにしたがった段階的変化が確保される。したがって、１フィールドを
単位期間としてみたときにおける画素の実際の明るさ、すなわち、液晶素子の反射率を、
温度変化等が発生しても、階調レベルの増加に応じて明るくなる方向に段階的に変化させ
ることが可能となる。

本実施形態では、このようにオンまたはオフ電圧を印加するサブフィールドが連続して
いるが、奇数行と偶数行とでサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ９の１群を互いにシフトさせて
いるので、フリッカの発生を抑えられる。
この点について詳述すると、本実施形態では、まず、オンまたはオフ電圧を印加するサ
ブフィールドが連続するので、階調レベル「０」および「４５」を除き、１フィールドの
期間毎にオン（オフ）が繰り返される。
ここで、奇数行・複数行で分けないで走査線を各サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ９にて１
、２、３、４、…、１０７９、１０８０行目という順番で選択する駆動方式では、階調レ
ベルを同一とさせる行が連続すると、これら連続行の画素がまとまって、ある連続したサ
ブフィールドでオンとなり、他のサブフィールドでオフになるので、フリッカとして視認
されやすくなる。
これに対して本実施形態のように、奇数行と偶数行とでサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ９
の１群を互いにシフトさせると、階調レベルを同一とさせる行が連続しても、当該連続行
における奇数行と偶数行とでオン電圧が印加される期間が異なることになる。このため、
階調レベルが同一である画素がまとまっても、フリッカとして視認されにくくすることが
可能なのである。
例えば、階調レベルが「２４」とさせる場合、サブフィールドｓｆ４〜ｓｆ７でオン電
圧を印加させるが、図１４に示されるように、奇数行と偶数行とでオン電圧が印加される
期間が異なるので、階調レベルが同一である画素がまとまっても、フリッカとして視認さ
れにくいのである。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
第１実施形態では、奇数行の走査線を１、３、５、…、１０７９行目という順番で選択
し、偶数行の走査線を２、４、６、…、１０８０行目という順番で選択したが、この第２
実施形態では、特開２００４−１７７９３０号公報に記載された技術を用いて、奇数行の
走査線を飛び越して選択するとともに、偶数行についても飛び越して選択する構成とした
ものである。
この第２実施形態に係る電気光学装置は、図１に示した第１実施形態と、変換テーブル
３０の変換内容や、走査線駆動回路１３０の構成等が相違する以外、ほぼ同一である。そ
こで、第２実施形態においては、第１実施形態との相違点を中心に説明することにする。

図１５（ａ）は、第２実施形態に係る電気光学装置におけるフィールドの構成を示す図
である。
本実施形態において、１フィールドは、奇数行および偶数行のいずれも５つのグループ
に等分割されて、９つのサブフィールドに分割されている点においては第１実施形態（図
３（ａ）参照）と共通であるが、便宜的に奇数行を基準として、１フィールドを分割した
サブフィールドを順番にｓｆ１〜ｓｆ９と呼ぶことにすると、サブフィールドｓｆ１〜ｓ
ｆ９の期間長の比が、ｓｆ１から順番に、それぞれ「１」、「８」、「２」、「７」、「
３」、「６」、「４」、「５」、「９」となるように設定されている。
なお、奇数ｉ行目のフィールドに対して偶数（ｉ＋１）行目のフィールドは、３／５フ
ィールドだけ、すなわち３グルーブの期間長、位相でいえば２１６度、それぞれ遅延した
関係にある。このため、例えば、奇数ｉ行目が、あるフィールドにおけるサブフィールド
ｓｆ１の開始タイミングにあるとき、偶数（ｉ＋１）行目では、１フィールド前における
サブフィールドｓｆ５の開始タイミングにある、という関係になる。

図１６は、第２実施形態に係る電気光学装置において、階調レベル「０」から「４５」
までのそれぞれつき、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ９へのオンオフ電圧の印加の割り当て
を示す図であり、図１７は、第２実施形態における変換テーブル３０の変換内容を示す図
である。
第２実施形態においてサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ９は、各期間の比が第１実施形態（
図４参照）と相違するものの、各階調レベルについてオン電圧をどのように割り当てるか
については、全く共通である。このため、オンおよびオフ電圧が印加されるサブフィール
ドを連続させる点についても共通である。
図１７は、第２実施形態における変換テーブル３０の変換内容を示し、この変換内容に
よるデータＤbにしたがって液晶素子にオンまたはオフ電圧を印加するかを規定すること
によって、図１６で示した階調表示が実現されることになる。

図１８は、第２実施形態における走査線駆動回路１３０の構成を示すブロック図である
。この図に示される走査線駆動回路１３０は、奇数行および偶数行に対応する５４０段の
シフトレジスタ１３１、１３２に加えて、行毎にＡＮＤ回路１３４をそれぞれ有する構成
となっている。
ここで、奇数行のシフトレジスタ１３１の各段から出力されるシフト信号をＹ１、Ｙ３
、Ｙ５、…、Ｙ１０７９と表記し、偶数行のシフトレジスタ１３２の各段から出力される
シフト信号をＹ２、Ｙ４、Ｙ６、…、Ｙ１０８０と表記すると、各行のＡＮＤ回路１３４
は、それぞれ次のようなイネーブル信号と、対応する行のシフト信号との論理積信号を求
め走査信号として出力する。

詳細には、奇数行のうち、１、５、９、…、１０７７行目のＡＮＤ回路１３４は、イネ
ーブル信号Ｅno1とシフト信号との論理積信号を走査信号として出力し、３、７、１１、
…、１０７９行目のＡＮＤ回路１３４は、シフト信号とイネーブル信号Ｅno2との論理積
信号を走査信号として出力する。ここで、イネーブル信号Ｅno1が供給されるＡＮＤ回路
１３４の行である１、５、９、…、１０７７行目を便宜的にａ系列と呼び、イネーブル信
号Ｅno2が供給されるＡＮＤ回路１３４の行である３、７、１１、…、１０７９行目を便
宜的にｂ系列と呼ぶことにする。

また、偶数行のうち、２、６、１０、…、１０７８行目のＡＮＤ回路１３４は、イネー
ブル信号Ｅne1とシフト信号との論理積信号を走査信号として出力し、４、８、１２、…
、１０８０行目のＡＮＤ回路１３４は、シフト信号とイネーブル信号Ｅne2との論理積信
号を走査信号として出力する。ここで、イネーブル信号Ｅne1が供給されるＡＮＤ回路１
３４の行である２、６、１０、…、１０７８行目を便宜的にｃ系列と呼び、イネーブル信
号Ｅne2が供給されるＡＮＤ回路１３４の行である４、８、１２、…、１０８０行目を便
宜的にｄ系列と呼ぶことにする。
なお、イネーブル信号Ｅno1、Ｅno2、Ｅne1、Ｅne2は、それぞれ制御回路１０から供給
されるが、詳細については後述する。

第２実施形態において、クロック信号Ｃlyは、第１実施形態と比較して周波数が１／２
となり、また、スタートパルスＤyoおよびＤyeは、それぞれ図１５（ｂ）に示されるよう
に供給される。
第２実施形態においても１フィールド期間長自体は、第１実施形態と同様に１６．７ミ
リ秒であるから、１グループの期間長は、クロック信号Ｃlyの５４０倍である５４０Ｈと
なる。
次に、スタートパルスＤyoは、１フィールドの期間を５分割した期間Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、
Ｅの開始タイミングであって、クロック信号Ｃlyの５４０Ｈ毎に等間隔で出力されるパル
ス（第１パルス）と、この等間隔で出力される第１パルスのうち、期間Ｅを除いた期間Ａ
、Ｂ、Ｃ、Ｄの開始タイミングで出力される第１パルスに対して、それぞれ６１Ｈ、１２
１Ｈ、１８１Ｈ、２４１Ｈだけ遅延したパルス（第２パルス）とを含む。
ここで、第２実施形態では、スタートパルスＤyoのうち、第１パルスは、クロック信号
ＣlyがＨレベルであるときに出力されるものとすると、第２パルスについても、クロック
信号ＣlyがＨレベルであるときにＨレベルとして出力される。
スタートパルスＤyeは、スタートパルスＤyoの第１パルスから０．５Ｈだけ遅延したタ
イミングで出力されるパルス（第３パルス）と、この第３パルスのうち、期間Ｃを除いた
期間Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅにおける出力タイミングに対して、それぞれ１８１Ｈ、２４１Ｈ、６
１、１２１Ｈだけ遅延したパルス（第４パルス）とを含む。スタートパルスＤyeの第３パ
ルスは、スタートパルスＤyoの第１パルスから０．５Ｈだけ遅延したタイミングで出力さ
れるので、第３パルスのみならず、第４パルスについても、クロック信号ＣlyがＬレベル
であるときにＨレベルとして出力されることになる。
なお、第２実施形態における第１〜第４パルスは、第１実施形態とは異なり、期間Ａ、
Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅにおける出力順序を示すものではない。

イネーブル信号Ｅno1、Ｅno2、Ｅne1、Ｅne2は、図１９または図２０に示されるように
、いずれもスタートパルスＤyo、Ｄyeにおける各パルスの半分のパルス幅、すなわち、ク
ロック信号Ｃlyの１／４周期に相当するパルス幅を有し、これらのパルスが互いに排他的
に出力されるとともに、それぞれの１周期がクロック信号Ｃlyの２周期分に相当する関係
にある。
詳細には、イネーブル信号Ｅno1、Ｅno2、Ｅne1、Ｅne2は、期間Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの
開始タイミングでスタートパルスＤyoの第１パルス、および、この第１パルスに続くスタ
ートパルスＤyeの第３パルスが供給された後におけるクロック信号Ｃlyの２周期でみたと
き、次のような順でＨレベルとなる。すなわち、第１に、クロック信号ＣlyがＨレベルと
なる期間においてイネーブル信号Ｅno1、Ｅno2の順でＨレベルとなるパルスが出力され、
第２に、クロック信号ＣlyがＬレベルとなる期間においてイネーブル信号Ｅne1、Ｅne2の
順でＨレベルとなるパルスが出力され、第３に、クロック信号Ｃlyが再びＨレベルとなる
期間においてイネーブル信号Ｅno2、Ｅno1の順でＨレベルとなるパルスが出力され、第４
に、クロック信号Ｃlyが再びＬレベルとなる期間においてイネーブル信号Ｅne2、Ｅne1の
順でＨレベルとなるパルスが出力される。
換言すれば、クロック信号Ｃlyの１／４周期を単位としてみたときに、イネーブル信号
Ｅno1の論理レベルは、Ｈ→Ｌ→Ｌ→Ｌ→Ｌ→Ｈ→Ｌ→Ｌ→（Ｈ）という順番であり、こ
のようなイネーブル信号Ｅno1に対して、イネーブル信号Ｅno2、Ｅne1、Ｅne2は、それぞ
れ位相が１８０度進相（遅相）、９０度遅相、９０度進相の関係にある。

次に、第２実施形態に係る走査線駆動回路１３０による走査信号について図１９および
図２０を参照して説明する。ここで、図１９は期間Ａにおけるシフト信号を、図２０は期
間Ａにおける走査信号を、それぞれ示すタイミングチャートである。
図１９に示されるように、期間Ａの開始タイミングにおいてスタートパルスＤyoの第１
パルスが供給されると、当該第１パルスがシフトレジスタ１３１によって順番にシフトさ
れるので、シフト信号Ｙ１、Ｙ３、Ｙ５、…、Ｙ１０７９は、当該第１パルスを１Ｈずつ
シフトした信号、すなわち、クロック信号ＣlyがＨレベルとなる期間にて順番にＨレベル
となる。なお、第１パルスが第１段から５４０段まで転送されるのに要する期間は５４０
Ｈであるから、期間Ａの終了タイミングにて、第１パルスの転送によりシフト信号Ｙ１０
７９がＨレベルとなる。
一方、スタートパルスＤyoの第１パルスの供給から０．５Ｈ遅延してスタートパルスＤ
yeの第３パルスが供給されると、当該第３パルスがシフトレジスタ１３２によって順番に
シフトされるので、シフト信号Ｙ２、Ｙ４、Ｙ６、…、Ｙ１０８０は、当該第３パルスを
１Ｈずつシフトした信号、すなわち、クロック信号ＣlyがＬレベルとなる期間にて順番に
Ｈレベルとなる。なお、第３パルスが第１段から５４０段まで転送されるのに要する期間
は５４０Ｈであるから、第３パルスの転送によりシフト信号Ｙ１０８０がＨレベルとなる
のは、期間Ａの終了タイミングであって、厳密にいえば、第１パルスの転送によりシフト
信号Ｙ１０７９がＨレベルとなってから０．５Ｈ経過した時点である。
また、奇数行のシフト信号Ｙ１、Ｙ３、Ｙ５、…、Ｙ１０７９はクロック信号ＣlyがＨ
レベルである期間にＨレベルとなり、偶数行のシフト信号Ｙ２、Ｙ４、Ｙ６、…、Ｙ１０
８０はクロック信号ＣlyがＬレベルである期間にＨレベルとなるので、奇数行シフト信号
と偶数行のシフト信号とが互いに重複してＨレベルになることはない。

期間ＡにおいてスタートパルスＤyoの第１パルスが供給されてから６１Ｈが経過すると
、スタートパルスＤyoの第２パルスが供給される。当該第２パルスはシフトレジスタ１３
１によって順番にシフトされるので、シフト信号Ｙ１、Ｙ３、Ｙ５、…、Ｙ１０７９は、
当該第２パルスを１Ｈずつシフトした信号となる。ここで、第１パルスが転送途中にある
ので、期間Ａにおいては第１パルスの転送によってシフト信号Ｙ６３がＨレベルとなった
ときに、第２パルスの転送によってシフト信号Ｙ１がＨレベルとなり、以下同様に期間Ａ
においては、第１パルスの転送によってシフト信号Ｙ６５、Ｙ６７、Ｙ６９、…、Ｙ１０
７９がＨレベルとなったときに、第２パルスの転送によってシフト信号Ｙ３、Ｙ５、Ｙ７
、…、Ｙ１０１７がＨレベルとなる。このため、奇数行では、ａ系列の行とｂ系列の行と
に対応したシフト信号が２つ同時にＨレベルとなる。
なお、期間Ａにおける第２パルスの転送によってシフト信号Ｙ１０１９、Ｙ１０２１、
…、Ｙ１０７９がＨレベルとなるのは、次の期間Ｂにおける第１パルスの転送によってＹ
１、Ｙ３、Ｙ５、…、Ｙ６１がＨレベルとなる期間であるが、ａ系列の行とｂ系列の行と
に対応したシフト信号が２つ同時にＨレベルとなる点に変わりはない。

一方、期間ＡにおいてスタートパルスＤyeの第３パルスが供給されてから１８１Ｈが経
過すると、スタートパルスＤyeの第４パルスが供給される。当該第４パルスは、シフトレ
ジスタ１３２によって順番にシフトされるので、シフト信号Ｙ２、Ｙ４、Ｙ６、…、Ｙ１
０８０は、当該第４パルスを１Ｈずつシフトした信号となる。ここで、第３パルスが転送
途中にあるので、期間Ａにおいては第３パルスの転送によってシフト信号Ｙ１８４がＨレ
ベルとなったときに、第４パルスの転送によってシフト信号Ｙ２がＨレベルとなり、以下
同様に、期間Ａにおいては第３パルスの転送によってシフト信号Ｙ１８６、Ｙ１８８、Ｙ
１９０、…、Ｙ１０８０がＨレベルとなったときに、第４パルスの転送によってシフト信
号Ｙ４、Ｙ６、Ｙ８、…、Ｙ８９８がＨレベルとなる。このため、偶数行では、ｃ系列の
行とｄ系列の行とに対応したシフト信号が２つ同時にＨレベルとなる。
なお、期間Ａにおける第４パルスの転送によってシフト信号Ｙ９００、Ｙ９０２、…、
Ｙ１０８０がＨレベルとなるのは、次の期間Ｂにおける第３パルスの転送によってＹ２、
Ｙ４、Ｙ６、…、Ｙ１８２がＨレベルとなる期間であるが、ｃ系列の行とｄ系列の行とに
対応したシフト信号が２つ同時にＨレベルとなる点に変わりはない。

このように出力されるシフト信号と、イネーブル信号Ｅno1、Ｅno2、Ｅne1、Ｅne2のい
ずれかとの論理積信号がＡＮＤ回路１３４により求められ、走査信号として図２１に示さ
れるように出力される。
詳細には、奇数行のａ系列のシフト信号はイネーブル信号Ｅno1との論理積によりパル
ス幅が狭められて走査信号として出力される。同様に、シフト信号のうち、奇数行のｂ系
列のシフト信号はイネーブル信号Ｅno2との論理積が求められて、偶数行のｃ系列のシフ
ト信号はイネーブル信号Ｅne1との論理積が求められて、偶数行のｄ系列のシフト信号は
イネーブル信号Ｅne1との論理積が求められて、それぞれ走査信号として出力される。
奇数行においてａ系列の行とｂ系列の行とのシフト信号が同時にＨレベルとなる場合が
あるが、ａ系列の行のシフト信号をイネーブル信号Ｅno1のパルス幅に狭めた走査信号と
、ｂ系列の行のシフト信号をイネーブル信号Ｅno2のパルス幅に狭めた走査信号とが同時
にＨレベルになることはない。同様に、偶数行においてｃ系列の行とｄ系列の行とのシフ
ト信号が同時にＨレベルとなる場合があるが、ｃ系列の行のシフト信号をイネーブル信号
Ｅne1のパルス幅に狭めた走査信号と、ｄ系列の行のシフト信号をイネーブル信号Ｅne2の
パルス幅に狭めた走査信号とが同時にＨレベルになることはない。

なお、期間Ａにおいて、第１パルスの転送により奇数行の走査信号がＨレベルとなった
ときに、走査信号がＨレベルとなった奇数行の画素に対してサブフィールドｓｆ１に応じ
たオンまたはオフ電圧の書き込みが実行され、第３パルスの転送により偶数行の走査信号
がＨレベルとなったときに、走査信号がＨレベルとなった偶数行の画素に対して（１フィ
ールド前の）サブフィールドｓｆ５に応じたオンオフ電圧の書き込みが実行され、第２パ
ルスの転送により奇数行の走査信号が再びＨレベルとなったときに、走査信号がＨレベル
となった奇数行の画素に対してサブフィールドｓｆ２に応じたオンオフ電圧の書き込みが
実行され、第４パルスの転送により偶数行の走査信号が再びＨレベルとなったときに、走
査信号がＨレベルとなった偶数行の画素に対して（１フィールド前の）サブフィールドｓ
ｆ６に応じたオンオフ電圧の書き込みが実行される。

また、ここでは、シフト信号および走査信号について期間Ａを中心にして説明したが、
期間Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅについても、第２および第４パルスの供給タイミングが異なる以外同
様である。
例えば、期間Ｂにおいて、第１パルスの転送により奇数行の走査信号がＨレベルとなっ
たときに、当該奇数行の画素に対してサブフィールドｓｆ３に応じたオンまたはオフ電圧
の書き込みが実行され、第３パルスの転送により偶数行の走査信号がＨレベルとなったと
きに、当該偶数行の画素に対して（１フィールド前の）サブフィールドｓｆ７に応じたオ
ンオフ電圧の書き込みが実行され、第２パルスの転送により奇数行の走査信号が再びＨレ
ベルとなったときに、当該奇数行の画素に対してサブフィールドｓｆ４に応じたオンオフ
電圧の書き込みが実行され、第４パルスの転送により偶数行の走査信号がＨレベルとなっ
たときに、当該偶数行の画素に対して（１フィールド前の）サブフィールドｓｆ８に応じ
たオンオフ電圧の書き込みが実行される。
期間Ｃにおいて、第１パルスの転送により奇数行の走査信号がＨレベルとなったときに
、当該奇数行の画素に対してサブフィールドｓｆ５に応じたオンまたはオフ電圧の書き込
みが実行され、第３パルスの転送により偶数行の走査信号がＨレベルとなったときに、当
該偶数行の画素に対してサブフィールドｓｆ９に応じたオンオフ電圧の書き込みが実行さ
れ、第２パルスの転送により奇数行の走査信号が再びＨレベルとなったときに、当該奇数
行の画素に対してサブフィールドｓｆ６に応じたオンオフ電圧の書き込みが実行される。
なお、第２実施形態では期間Ｃにおいて第４パルスは供給されない。

期間Ｄにおいて、第１パルスの転送により奇数行の走査信号がＨレベルとなったときに
、当該奇数行の画素に対してサブフィールドｓｆ７に応じたオンオフ電圧の書き込みが実
行され、第３パルスの転送により偶数行の走査信号がＨレベルとなったときに、当該偶数
行の画素に対してサブフィールドｓｆ１に応じたオンオフ電圧の書き込みが実行され、第
４パルスの転送により偶数行の走査信号が再びＨレベルとなったときに、当該偶数行の画
素に対してサブフィールドｓｆ２に応じたオンオフ電圧の書き込みが実行され、第２パル
スの転送により奇数行の走査信号がＨレベルとなったときに、当該奇数行の画素に対して
サブフィールドｓｆ８に応じたオンオフ電圧の書き込みが実行される。なお、期間Ｄにお
いては、第４、第２パルスの順で供給され、期間Ａ、Ｂと比較して逆転する。
期間Ｅにおいて、第１パルスの転送により奇数行の走査信号がＨレベルとなったときに
、当該奇数行の画素に対してサブフィールドｓｆ９に応じたオンオフ電圧の書き込みが実
行され、第３パルスの転送により偶数行の走査信号がＨレベルとなったときに、当該偶数
行の画素に対してサブフィールドｓｆ３に応じたオンオフ電圧の書き込みが実行され、第
４パルスの転送により偶数行の走査信号が再びＨレベルとなったときに、当該偶数行の画
素に対してサブフィールドｓｆ４に応じたオンオフ電圧の書き込みが実行される。なお、
第２実施形態では期間Ｅにおいて第２パルスは供給されない。

図２１は、第２実施形態において、奇数１、３、５、…、１０７９行および偶数２、４
、６…、１０８０行目の走査線に対してサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ９に応じたオンまた
はオフ電圧を書き込むための選択の進行を示す図である。なお、この図は、図１２と同様
に、期間Ａ〜Ｅにわたって奇数行および偶数目の走査線についてオンオフ電圧の書き込み
をするための走査線の選択を微小点で表しているが、走査線が時間経過とともに下方向に
向かって選択されるので、当該微小点が右下斜め方向に連続した実線として示されている
。

このような第２実施形態によれば、第１実施形態と比較して、クロック信号Ｃlyの周波
数を１／２とすることができるので、シフトレジスタ１３１、１３２の動作速度を半減さ
せることが可能となる。

＜応用・変形例＞
上述した実施形態では、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ９にわたって液晶素子１２０をオ
ンまたはオフ電圧のいずれかを印加させた状態としたが、このオンおよびオフ電圧のほか
に、さらに中間（ハーフ）電圧を加えることによって、サブフィールドの構成を変更せず
に多階調化を図っても良い。
例えば、図４または図５において、階調レベル「３」では、サブフィールドｓｆ６のみ
においてオン電圧を印加しているが、このオン電圧の代わりに、オンおよびオフ電圧の中
間電圧を印加させると、液晶素子の実際の反射率（明るさ）を階調レベル「３」よりも暗
くさせることができる。さらに、サブフィールドｓｆ６のみに中間電圧が印加させたとき
の液晶素子の明るさが、階調レベル「２」と「３」との中間値となるように、中間電圧を
設定すれば、例えば階調レベル「２．５」に相当する明るさを表現することも可能となる
。このようにオンおよびオフ電圧のほかに中間電圧を加えることによって、さらに細かい
階調レベルを表現することが可能となって、多階調化を図ることが可能となる。
なお、中間電圧については、オンおよびオン電圧の間で、１種類のみならず、２種類以
上で規定しても良い。

上述した実施形態では、ｐを「５」として、１フィールドを５つのグループに等分割し
、さらに５グループのうち４つのフィールドを分割し、１フィールドを計９つのサブフィ
ードで構成して、４６段階の階調レベルを表現可能としたが、１フィールドを６つ以上の
グループに分割しても良いし、２以上４以下のグループに分割しても良い。すなわち、ｐ
は、２以上の整数であれば良い。

また、実施形態では、液晶素子１２０について、ノーマリーブラックモードとして説明
したが、電圧無印加状態で白色表示となるノーマリーホワイトモードとしても良い。
さらに、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を
行うとしても良い。また、反射型に限られず、透過型や、両者の中間的な半透過半反射型
であっても良い。
くわえて、表示素子としては、液晶素子に限られず、例えばＥＬ（Electronic Lumines
cence）素子、電子放出素子、電気泳動素子、ディジタルミラー素子などを用いた装置や
、プラズマディスプレイなどにも適用可能である。

＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置を用いた電子機器の一例として、上述した
電気光学装置１をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図２２は、
このプロジェクタの構成を示す平面図である。
この図に示されるように、プロジェクタ１１００は、実施形態に係る反射型の電気光学
装置１を、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に１つずつ用いた３板式である。プロジェクタ
１１００内部には、偏光照明装置１１１０がシステム光軸ＰＬに沿って配置している。こ
の偏光照明装置１１１０において、ランプ１１１２からの出射光は、リフレクタ１１１４
による反射で略平行な光束となって、第１のインテグレータレンズ１１２０に入射する。
この第１のインテグレータレンズ１１２０により、ランプ１１１２からの出射光は、複数
の中間光束に分割される。この分割された中間光束は、第２のインテグレータレンズを光
入射側に有する偏光変換素子１１３０によって、偏光方向がほぼ揃った一種類の偏光光束
（ｓ偏光光束）に変換されて、偏光照明装置１１１０から出射されることとなる。

さて、偏光照明装置１１１０から出射されたｓ偏光光束は、偏光ビームスプリッタ１１
４０のｓ偏光光束反射面１１４１によって反射される。この反射光束のうち、青色光（Ｂ
）の光束がダイクロイックミラー１１５１の青色光反射層にて反射され、反射型のライト
バルブ１００Ｂによって変調される。また、ダイクロイックミラー１１５１の青色光反射
層を透過した光束のうち、赤色光（Ｒ）の光束は、ダイクロイックミラー１１５２の赤色
光反射層にて反射され、反射型のライトバルブ１００Ｒによって変調される。一方、ダイ
クロイックミラー１１５１の青色光反射層を透過した光束のうち、緑色光（Ｇ）の光束は
、ダイクロイックミラー１１５２の赤色光反射層を透過して、反射型のライトバルブ１０
０Ｇによって変調される。
ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂは、上述した実施形態におけ
る表示回路１００と同様であり、供給されるＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応するデータ信号でそ
れぞれ駆動されるものである。すなわち、このプロジェクタ１１００では、表示回路１０
０を含む電気光学装置１が、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応して３組設けられて、Ｒ、Ｇ、Ｂの
各色に対応する表示データに応じてサブフィールドで駆動する構成となっている。

ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された赤色、緑色、
青色の光は、ダイクロイックミラー１１５２、１１５１、偏光ビームスプリッタ１１４０
によって順次合成された後、投射光学系１１６０によって、スクリーン１１７０に投射さ
れることとなる。なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂおよび１００Ｇには、ダイクロ
イックミラー１１５１、１１５２によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光束が入射す
るので、カラーフィルタは必要ない。

電子機器としては、図２２を参照して説明した他にも、テレビジョンや、ビューファイ
ンダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電
子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディ
ジタルスチルカメラ、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そし
て、これらの各種の電子機器に対して、本発明に係る電気光学装置が適用可能なのは言う
までもない。

本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す図である。 同電気光学装置における画素の構成を示す図である。 同電気光学装置におけるフィールドの構成等を示す図である。 同電気光学装置による階調表示を示す図である。 同電気光学装置における各サブフィールドのオンオフの変換を示す図である。 同電気光学装置における走査線駆動回路の構成を示す図である。 同走査線駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。 同走査線駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。 同走査線駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。 同走査線駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。 同走査線駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。 同電気光学装置の各サブフィールドにおける書き込みの進行を示す図である。 同電気光学装置の各サブフィールドでのオンオフの書き込みを示す図である。 同電気光学装置の奇数および偶数行における書き込みの相違を示す図である。 第２実施形態に係る電気光学装装置のフィールドの構成等を示す図である。 同電気光学装置による階調表示を示す図である。 同電気光学装置における各サブフィールドのオンオフの変換を示す図である。 同電気光学装装置の走査線駆動回路の構成を示す図である。 同走査線駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。 同走査線駆動回路による走査信号を示すタイミングチャートである。 同電気光学装置における書き込みの進行を示す図である。 実施形態に係る電気光学装置を用いたプロジェクタの構成を示す図である。

符号の説明

１…電気光学装置、１０…制御回路、２０…メモリ、３０…変換テーブル、１００…表示
回路、１０５…液晶、１０８…対向電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…デー
タ線、１１６…トランジスタ、１１８…画素電極、１２０…液晶容量、１３０…走査線駆
動回路、１４０…データ線駆動回路

Claims (7)

1. 複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応した画素を複数有し、
   １フィールドを複数に分割したサブフィールド毎に前記画素に少なくともオンまたはオ
   フ電圧を印加することによって階調表示を行う電気光学装置の駆動方法であって、
   前記１フィールドをｐ（ｐは２以上の整数）個のグループに分割するとともに、分割し
   たグループを２個のサブフィールドに分割し、
   前記ｐ個のグループを互いに等しい期間長に設定し、
   １フィールドを構成するサブフィールドの期間長をそれぞれ異なる長さに設定し、
   １または隣接するフィールドでみたときにオンおよびオフ電圧を印加するサブフィール
   ドを連続させるとともに、１フィールドにわたってオン電圧を印加するサブフィールドの
   合計期間長を前記画素に対して指定される階調レベルに応じて設定し、
   前記複数の走査線を少なくとも第１および第２群に分けるとともに、前記第１群の走査
   線に対応する画素と前記第２群の走査線に対応する画素とのフィールド開始タイミングを
   、少なくとも前記グループの期間長以上異ならせた
   ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
2. 第１群の走査線を奇数行の走査線とし、
   第２群の走査線を偶数行の走査線とするとともに、
   奇数行の走査線およびこれに隣接する偶数行の走査線とのフィールド開始タイミングを
   位相にして１８０度異ならせた
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法。
3. 第１群の走査線を奇数行の走査線とし、
   第２群の走査線を偶数行の走査線とし、
   前記奇数行の走査線と前記偶数行の走査線とを交互に選択するとともに、一行の走査線
   における選択の間隔をサブフィールドに対応する期間長とさせた
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法。
4. 前記画素は、液晶素子を含み、
   前記サブフィールドのうち、最も短いサブフィールドの期間長を、前記オン電圧を前記
   液晶素子に印加した場合に当該液晶素子の反射率または透過率が飽和するまでの飽和応答
   時間よりも短く設定した
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法。
5. １または隣接するフィールドでみたときにオンおよびオフ電圧を印加するサブフィール
   ドを連続させた階調レベルは、前記画素における表現可能な階調数のうち半数以上であり
   、
   画素の階調レベルを指定する表示データは、サブフィールド毎に設定されたオンまたは
   オフ電圧の印加を指定するデータに変換され、当該変換されたデータに基づき前記画素に
   オンまたはオフ電圧を印加する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法。
6. 複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応した画素を複数有し、
   １フィールドを複数に分割したサブフィールド毎に前記画素に少なくともオンまたはオ
   フ電圧を印加することによって階調表示を行う電気光学装置であって、
   前記１フィールドをｐ（ｐは２以上の整数）個のグループに分割するとともに、分割し
   たグループを２個のサブフィールドに分割し、
   前記ｐ個のグループを互いに等しい期間長に設定し、
   １フィールドを構成するサブフィールドの期間長をそれぞれ異なる長さに設定し、
   １または隣接するフィールドでみたときにオンおよびオフ電圧を印加するサブフィール
   ドを連続させるとともに、１フィールドにわたってオン電圧を印加するサブフィールドの
   合計期間長を前記画素に対して指定される階調レベルに応じて設定し、
   前記複数の走査線を少なくとも第１および第２群に分けるとともに、前記第１群の走査
   線に対応する画素と前記第２群の走査線に対応する画素とのフィールド開始タイミングを
   、少なくとも前記グループの期間長以上異ならせた
   ことを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項６に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。

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