JP2009004417A - 固体電解コンデンサ、固体電解コンデンサ内蔵基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】固体電解コンデンサの大容量化と配線の自由度を増大することで、高速ＩＣ・ＬＳＩを用いた機器の高機能化・小型化を目的とする。
【解決手段】誘電体被膜の一部に形成された少なくとも一つ以上の浮島状の第３の絶縁層と、この第３の絶縁層外側部分における誘電体被膜上に形成された固体電解質層と、この固体電解質層上面に形成された陰極となる集電体層とを備え、第１の絶縁層が形成されていない一部の前記第３の絶縁層部分に、この第３の絶縁層とその下側の前記誘電体被膜、陽極となる弁金属箔１とを貫通する第２の貫通孔が設けられ、前記第１の絶縁層が形成された前記第１の貫通孔内に、前記第１の絶縁層を貫通する第３の貫通孔が設けられ、前記第２および第３の貫通孔にスルーホール電極を設けることで少なくとも一つ以上の前記浮島状の第３の絶縁層部分に貫通配線を形成したことを特徴とする固体電解コンデンサである。
【選択図】図１

Description

本発明は、固体電解コンデンサ、固体電解コンデンサを内蔵する基板およびその製造方法に関するものである。

近年、テレビのデジタル化、高精細化にともない、画像信号を高速に処理するＬＳＩが求められている。このＬＳＩは、ＣＰＵ、ランバス、インターフェースなどとともにパッケージングされており、システムＬＳＩとして各種電子機器に搭載されている。

ＣＰＵは、外部の交流電源からＡＣ−ＤＣコンバータ、ＤＣ−ＤＣコンバータを介し電源ラインから電源を供給されている。そして、ＯＦＦからＯＮへスイッチングする際に、ＣＰＵは瞬間的に上記電源ラインからの電流だけでは十分に電圧が復帰することができず、ＣＰＵの実質の処理スピードが低下してしまう。そのために、一般的には、ＣＰＵの瞬間的な電流不足を補い、速やかな電圧復帰を促すために電源ラインに並列にコンデンサを接続している。

このコンデンサに要求される特性としては、主として、大容量、低ＥＳＬである。

従来、このような固体電解コンデンサは、陽極箔と陰極箔とが水平方向に離間して配置して、貫通孔に通された導電性ペーストなどにより、陽極箔と三端子コンデンサ陽極、陰極箔と三端子コンデンサ陰極とが電気的に接合されている（特許文献１）。

また、コンデンサを実装した実装基板としても薄型化が求められている。この要求を満たすために、表面実装部品としてコンデンサを実装基板中に埋設する方法も考えられている（特許文献２）。
特開２００３−１５８０４２号公報 特開２００３−１９７８４９号公報

しかしながら、このような従来の低ＥＳＬの固体電解コンデンサは大容量に適さないことが問題となっていた。

すなわち、上記従来の構成においては、低ＥＳＬの実現のために陰極のリード線の長さを短くすることを目的とし、陽極箔と陰極箔とを離間して配置していた。そのために三端子コンデンサ陽極と三端子コンデンサ陰極とを対向位置に存在させることができず、大容量化に適さない構造となっていた。

また、薄型化を図ることにより、取り出し電極部も確保しなければならないので、コンデンサとしての体積も減少することで、コンデンサとしての容量も確保できない構造となっていた。

上記課題を解決するために、本発明は、少なくとも表面に誘電体被膜が形成された多孔質部を有する弁金属箔の一部において、この弁金属箔の一部に第１の貫通孔が形成され、この第１の貫通孔の内壁に第１の絶縁層を形成し、かつ、第２の絶縁層からなる陽陰極分離部を有し、陽極部となる弁金属箔と陰極部となる集電体層とが電気的に絶縁されている固体電解コンデンサであって、前記誘電体被膜の一部に形成された少なくとも一つ以上の浮島状の第３の絶縁層と、この第３の絶縁層外側部分における誘電体被膜上に形成された固体電解質層と、この固体電解質層上面に形成された集電体層とを備え、前記第１の絶縁層が形成されていない一部の前記第３の絶縁層部分に、この第３の絶縁層とその下側の前記誘電体被膜、前記陽極とを貫通する第２の貫通孔が設けられ、前記第１の絶縁層が形成された前記第１の貫通孔内に、前記第１の絶縁層を貫通する第３の貫通孔が設けられ、前記第２および第３の貫通孔にスルーホール電極が設けられることで少なくとも一つ以上の前記浮島状の第３の絶縁層部分に貫通配線が形成されたことを特徴とする固体電解コンデンサである。

本発明の固体電解コンデンサは、少なくとも一つ以上の浮島状の第３の絶縁層の外部に固体電解質層を形成することができ、かつ少なくとも一つ以上の浮島状の第３の絶縁層の内部に貫通配線を形成できることにより、配線の自由度を増加させることができ、また、配線以外のところに自由にコンデンサを形成できるため容量の増大をさせることができるので、高速ＩＣ・ＬＳＩを用いた機器の高機能化、小型化に寄与するものである。

（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における固体電解コンデンサについて図面を参照しながら説明する。

図１は本発明における固体電解コンデンサの断面図、図２は本発明における固体電解コンデンサの図１のＡ−Ａ’方向の平面図であり、図３は本発明における固体電解コンデンサの図１のＢ−Ｂ’方向の平面図である。

図１に示す陽極部となる弁金属箔１はＡｌやＴａ、Ｎｂおよびその合金などの材料であり、薬液処理等の手法によって表面が多孔質化した誘電体被膜２を形成している。弁金属箔１を用いることで、容易に誘電体被膜を形成できる。また、誘電体被膜２を形成することで、容量を増加することができる。

ここで、第１の絶縁層３は、弁金属箔１と、第１のスルーホール電極８とを電気的に絶縁する機能を有する。この第１の絶縁層３としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂等を用いることができる。

ここで、第２の絶縁層４および第３の絶縁層１４は、誘電体被膜２の表面および多孔質部の内部に充填され、固体電解質層５の広がりを防止するとともに、第１のスルーホール電極８、第２のスルーホール電極９形成時のめっき薬液等の流入を防止する作用も有する。

ここで、誘電体被膜２上に固体電解質層５が形成されている。この固体電解質層５は、ピロールやチオフェン等からなる機能性高分子を化学重合や電解重合によって形成することができる。界面抵抗が低いので、低ＥＳＲ化が可能となる。

ここで、陰極部となる集電体層６は、固体電解質層５上に形成され、たとえば、Ａｇペーストを塗布して硬化することで形成される。

ここで、第１のスルーホール電極８は、第１の絶縁層３が形成されていない第２の貫通孔７の内部に形成され、弁金属箔１と電気的に接続されるように形成されていて、表層へ取り出しが可能となる。

ここで、第２のスルーホール電極９は、第１の絶縁層３が形成されている第３の貫通孔１５を形成した部分に形成され、弁金属箔１とは電気的に絶縁されて形成されている。

また、第２のスルーホール電極９は、配線１０を通じて、集電体層６と電気的に接続していても構わなく、電気的に接続されている場合は、第２のスルーホール電極９は、陰極として機能する。また、第２のスルーホール電極９は、集電体層６と電気的に接続していない場合は、上下貫通配線の一部として機能し、配線の自由度を上げることができる。

ここで、スルーホール電極の構成としては、Ｎｉ−Ｃｕめっき、Ｃｕめっきなどがふさわしい。

ここで、配線１０は、めっきなどで形成した金属層であり、エッチングなどで、パターニングされている。パターニングすることで、高密度な配線を実現できる。配線１０の金属としては、パターニング性、導電率から見て、Ｃｕがふさわしい。

ここで、図２のＡ−Ａ’部分（つまり、固体電解質層５形成部）の上面図において、浮島状の第３の絶縁層１４の周辺の部分に固体電解質層５を形成することができる。これによって、浮島状の第３の絶縁層１４の内部に貫通配線を形成することができるので、配線の自由度が増加させることができ、また、配線以外のところに自由にコンデンサを形成できるので容量の増大をさせることができる。また、第１の絶縁層３が形成されている部分に貫通配線が形成しているところは、陽極とは電気的には絶縁されている。

ここで、図３のＢ−Ｂ’部分（つまり、弁金属箔１部）において、貫通孔を形成した後に、第１の絶縁層３を形成することで、第２のスルーホール電極９は、弁金属箔１と電気的に絶縁されており、陽陰極分離が実現できている。

なお、固体電解質層５と集電体層６の間にたとえば、カーボンなどを塗布しても構わない。

なお、たとえば、第１の貫通孔１２、第２の貫通孔７、第３の貫通孔１５を形成した後に、コンデンサの特性改善のために修復化成を行い、貫通孔形成部における漏れ電流を低減してもよい。

なお、第１のスルーホール電極８、第２のスルーホール電極９はフィルドめっきされていてもよく、また、樹脂を充填していてもよい。

（実施の形態２）
以下は本発明の実施の形態２における固体電解コンデンサ内蔵基板について図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付してその説明を省略する。

図４は本発明における固体電解コンデンサ内蔵基板の断面図、図５は本発明における固体電解コンデンサ内蔵基板の図４のＣ−Ｃ’方向の平面図であり、図６は本発明における固体電解コンデンサ内蔵基板の図４のＤ−Ｄ’方向の平面図である。

図４において、第１の絶縁層３の内壁に第２のスルーホール電極９を形成し、配線１０によって、陰極となる集電体層６と電気的に接続されているが、陽極となる弁金属箔１とは電気的に接続していない構成を取ることで陰極配線層を形成することができる。

第１のスルーホール電極８を形成し、配線１０によって、陽極となる弁金属箔１と電気的に接続しているが、集電体層６とは電気的に接続していない構成をとることで、陽極配線層を形成することができる。

コンデンサとは陽極および陰極とも電気的に接続しないように、第１の絶縁層３上に第３のスルーホール電極１１を形成し、配線１０は弁金属箔１、集電体層６とも電気的に接続していない構成をとることで、貫通配線層を形成することができる。そうすることで、配線の自由度が向上することができる。

ここで、図５のＣ−Ｃ’部分（つまり、固体電解質層５部）において、たとえば、陽極配線層と陰極配線層の外部の自由なスペースにコンデンサを形成することで、大容量を実現することができる。

ここで、図６のＤ−Ｄ’部分（つまり、弁金属箔１部）において、貫通配線と陰極配線部に関しては、第１の絶縁層３を形成することで、弁金属箔１と電気的に絶縁することが可能である。

なお、固体電解質層５と集電体層６の間にたとえば、カーボンなどを塗布しても構わない。

なお、たとえば、第２の貫通孔７を形成した後に、コンデンサの特性改善のために修復化成を行い、貫通孔形成部における漏れ電流を低減してもよい。

なお、第１のスルーホール電極８、第２のスルーホール電極９、第３のスルーホール電極１１はフィルドめっきされていてもよく、また、樹脂を充填していてもよい。

なお、この固体電解コンデンサ内蔵基板にさらにビルドアップ化して配線の高密度化を実現してもよい。

なお、この固体電解コンデンサ内蔵基板の少なくとも一面に高密度の配線基板と未硬化の樹脂を介して合体し、貫通スルーホールめっきなどで電気的に接続し、配線の高密度化を実現してもよい。

（実施の形態３）
以下、本発明の固体電解コンデンサの製造方法について図面を参照しながら説明する。

図７（ａ）〜（ｃ）、図８（ａ）（ｂ）、図９（ａ）（ｂ）、図１０（ａ）（ｂ）、図１１（ａ）は本発明の実施の形態３に記載の固体電解コンデンサの製造方法を示す断面工程図である。実施の形態１の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付してその説明を省略する。

図７（ａ）まず、誘電体被膜２が形成された弁金属箔１を用意する。なお、誘電体被膜２の形成は弁金属箔１の片面であっても両面であってもよい。

図７（ｂ）次に、弁金属箔１上の固体電解質層を形成しない部位に未硬化状態の第２の絶縁層４と少なくとも一つ以上の浮島状の第３の絶縁層１４を形成し、硬化させる。手法としては、インクジェット印刷・スクリーン印刷といった手法を用いることができる。

図７（ｃ）次に、弁金属箔１に第１の貫通孔１２を形成する。手法としては、ドリル加工、レーザ加工、パンチ加工、金型によるくり抜きといった手法を用いることができる。このとき、第１の貫通孔１２に修復化成を行ってもよい。

図８（ａ）次に、第１の貫通孔１２の内壁にエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂等からなる第１の絶縁層３を形成し、硬化させる。

図８（ｂ）次に、誘電体被膜２の第２の絶縁層４を形成していない部分に固体電解質層５を形成する。固体電解質層５は重合法を用いることで形成することができる。重合法の一例としては、たとえば、チオフェンを含有する薬液を塗布して硬化させる化学重合をさせる方法がある。化学重合後、さらに電解重合をして固体電解質層５を成長させても構わない。

図９（ａ）次に、固体電解質層５上にＡｇペースト等を塗布した後、硬化して集電体層６を形成する。手法としては、転写法やスクリーン印刷法などが用いられる。

図９（ｂ）次に、めっき法によって、表層に金属層１３を形成する。金属としては、パターニング性、導電率から見て、Ｃｕがふさわしい。めっき法の一例としては、ドライデスミア処理やウエットでのデスミア処理を行い、第２の絶縁層４に凹凸をつけた後、Ｐｄなどで核付けした後、無電解めっき、電解めっきの順で形成することができる。

図１０（ａ）次に、ドリル加工等によって、(1)金属層１３、第３の絶縁層１４、誘電体被膜２、弁金属箔１、誘電体被膜２、第２の絶縁層４、金属層１３を貫通させる第２の貫通孔７を形成する。また、(2)金属層１３、第１の絶縁層３、金属層１３を貫通させる第３の貫通孔１５を同時に形成する。なお、第２の貫通孔７と第３の貫通孔１５は別々に形成してもよい。

図１０（ｂ）次に、めっき法によって、第２の貫通孔７と第３の貫通孔１５にめっきを行い、(1)第２のスルーホール電極９、(2)第１のスルーホール電極８を形成する。めっき法の一例としては、たとえば、弁金属箔１がアルミニウムの場合では、ジンケート処理を行い、ＡｌをＺｎに置換した後、Ｎｉめっき、Ｃｕめっきといった手法が用いられる。また、第２の貫通孔７と第３の貫通孔１５の内壁は、ジンケート処理前に、ドライデスミア処理などを行うことで、接続信頼性が向上する。

図１１（ａ）その後、金属層１３を形成後、レジスト形成−露光−現像−エッチングといった通常の配線パターン形成の工程を行うことで、配線１０を形成する。そうすることで、第１のスルーホール電極８と第２のスルーホール電極９は、電気的に絶縁される。第１のスルーホール電極８は、陽極として取り出し電極を形成でき、第２のスルーホール電極９を集電体層６と電気的に接続した場合は、陰極として機能させることができ、第２のスルーホール電極９を集電体層６と電気的に絶縁した場合は、貫通配線層として機能でき、配線の自由度を向上させることができる。

この製造方法により、本発明の固体電解コンデンサを容易に製造することができる。

（実施の形態４）
以下、本発明の固体電解コンデンサ内蔵基板の製造方法について図面を参照しながら説明する。

図１２（ａ）〜（ｃ）、図１３（ａ）（ｂ）、図１４（ａ）（ｂ）、図１５（ａ）（ｂ）、図１６（ａ）は本発明の実施の形態４に記載の固体電解コンデンサの製造方法を示す断面工程図である。実施の形態２の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付してその説明を省略する。

図１２（ａ）まず、誘電体被膜２が形成された弁金属箔１を用意する。なお、誘電体被膜２の形成は弁金属箔１の片面であっても両面であってもよい。

図１２（ｂ）次に、弁金属箔１上の固体電解質層を形成しない部位に未硬化状態の第２の絶縁層４と少なくとも一つ以上の浮島状の第３の絶縁層１４を形成し、硬化させる。手法としては、インクジェット印刷・スクリーン印刷といった手法を用いることができる。

図１２（ｃ）次に、弁金属箔１に第１の貫通孔１２を形成する。手法としては、ドリル加工、レーザ加工、パンチ加工、金型によるくり抜きといった手法を用いることができる。このとき、第１の貫通孔１２に修復化成を行ってもよい。

図１３（ａ）次に、第１の貫通孔１２にエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂等からなる第１の絶縁層３を形成し、硬化させる。

図１３（ｂ）次に、誘電体被膜２の第２の絶縁層４を形成していない部分に固体電解質層５を形成する。固体電解質層５は重合法を用いることで形成することができる。重合法の一例としては、たとえば、チオフェンを含有する薬液を塗布して硬化させる化学重合をさせる方法がある。化学重合後、さらに電解重合をして固体電解質層５を成長させても構わない。

図１４（ａ）次に、固体電解質層５上にＡｇペースト等を塗布した後、硬化して集電体層６を形成する。手法としては、転写法やスクリーン印刷法などが用いられる。

図１４（ｂ）次に、めっき法によって、表層に金属層１３を形成する。金属としては、パターニング性、導電率から見て、Ｃｕがふさわしい。めっき法の一例としては、ドライデスミア処理やウエットでのデスミア処理を行い、第２の絶縁層４に凹凸をつけた後、Ｐｄなどで核付けした後、無電解めっき、電解めっきの順で形成することができる。

図１５（ａ）次に、ドリル加工等によって、(1)金属層１３、第３の絶縁層１４、誘電体被膜２、弁金属箔１、誘電体被膜２、第３の絶縁層１４、金属層１３を貫通させる第２の貫通孔７を形成する。また、(2)金属層１３、第１の絶縁層３、金属層１３を貫通させる第３の貫通孔１５を形成する。

図１５（ｂ）次に、めっき法によって、第２の貫通孔７、第３の貫通孔１５にめっきを行い、(1)第２のスルーホール電極９、(2)第１のスルーホール電極８を形成する。めっき法の一例としては、たとえば、弁金属箔１がアルミニウムの場合では、ジンケート処理を行い、ＡｌをＺｎに置換した後、Ｎｉめっき、Ｃｕめっきといった手法が用いられる。また、第２の貫通孔７、第３の貫通孔１５の内壁は、ジンケート処理前に、ドライデスミア処理などを行うことで、接続信頼性が向上する。

図１６（ａ）その後、金属層１３を形成後、レジスト形成−露光−現像−エッチングといった通常の配線パターン形成の工程を行うことで、配線１０を形成する。そうすることで、第１のスルーホール電極８と第２のスルーホール電極９は、電気的に絶縁される。第２のスルーホール電極９は、陽極として取り出し電極を形成でき、第１のスルーホール電極８を集電体層６と電気的に接続した場合は、陰極として機能させることができる。第３のスルーホール電極１１を集電体層６と電気的に絶縁した場合は、貫通配線層として機能でき、配線の自由度を向上させることができる。

この製造方法により、本発明の固体電解コンデンサ内蔵基板を容易に製造することができる。

以上のように本発明の固体電解コンデンサは、少なくとも一つ以上の浮島状の第３の絶縁層の外部に固体電解質層を形成することができる。これによって、少なくとも一つ以上の浮島状の第３の絶縁層の内部に貫通配線が形成できることにより、配線の自由度を増加させることができ、また、配線以外のところに自由にコンデンサを形成できるので容量の増大をさせることができるので、高速ＩＣ・ＬＳＩを用いた機器の高機能化、小型化に寄与する。

本発明の実施の形態１における固体電解コンデンサの断面図 本発明の実施の形態１における固体電解コンデンサの平面図 本発明の実施の形態１における固体電解コンデンサの平面図 本発明の実施の形態２における固体電解コンデンサ内蔵基板の断面図 本発明の実施の形態２における固体電解コンデンサ内蔵基板の平面図 本発明の実施の形態２における固体電解コンデンサ内蔵基板の平面図 （ａ）〜（ｃ）は本発明の実施の形態３における固体電解コンデンサの製造方法を示す工程断面図 （ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態３における固体電解コンデンサの製造方法を示す工程断面図 （ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態３における固体電解コンデンサの製造方法を示す工程断面図 （ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態３における固体電解コンデンサの製造方法を示す工程断面図 （ａ）は本発明の実施の形態３における固体電解コンデンサの製造方法を示す工程断面図 （ａ）〜（ｃ）は本発明の実施の形態４における固体電解コンデンサ内蔵基板の製造方法を示す工程断面図 （ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態４における固体電解コンデンサ内蔵基板の製造方法を示す工程断面図 （ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態４における固体電解コンデンサ内蔵基板の製造方法を示す工程断面図 （ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態４における固体電解コンデンサ内蔵基板の製造方法を示す工程断面図 （ａ）は本発明の実施の形態４における固体電解コンデンサ内蔵基板の製造方法を示す工程断面図

符号の説明

１ 弁金属箔
２ 誘電体被膜
３ 第１の絶縁層
４ 第２の絶縁層
５ 固体電解質層
６ 集電体層
７ 第２の貫通孔
８ 第１のスルーホール電極
９ 第２のスルーホール電極
１０ 配線
１２ 第１の貫通孔
１３ 金属層
１４ 第３の絶縁層
１５ 第３の貫通孔

Claims (6)

1. 少なくとも表面に誘電体被膜が形成された多孔質部を有する弁金属箔の一部において、この弁金属箔の一部に第１の貫通孔が形成され、この第１の貫通孔の内壁に第１の絶縁層を形成し、かつ、第２の絶縁層からなる陽陰極分離部を有し、陽極部となる弁金属箔と陰極部となる集電体層とが電気的に絶縁されている固体電解コンデンサであって、
   前記誘電体被膜の一部に形成された少なくとも一つ以上の浮島状の第３の絶縁層と、この第３の絶縁層外側部分における誘電体被膜上に形成された固体電解質層と、この固体電解質層上面に形成された集電体層とを備え、
   前記第１の絶縁層が形成されていない一部の前記第３の絶縁層部分に、この第３の絶縁層とその下側の前記誘電体被膜、前記陽極とを貫通する第２の貫通孔が設けられ、
   前記第１の絶縁層が形成された前記第１の貫通孔内に、前記第１の絶縁層を貫通する第３の貫通孔が設けられ、
   前記第２および第３の貫通孔にスルーホール電極が設けられることで少なくとも一つ以上の前記浮島状の第３の絶縁層部分に貫通配線が形成されたことを特徴とする固体電解コンデンサ。
2. 第２の貫通孔と第３の貫通孔とが電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
3. 弁金属箔は、アルミニウム、タンタル、ニオブ、または、それらの合金等からなる請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
4. 請求項１に記載の固体電解コンデンサが内蔵され、陽極配線・陰極配線および貫通配線が形成されることを特徴とする固体電解コンデンサ内蔵基板。
5. 陽極部となる弁金属箔の陰極部を形成しない部位に第２の絶縁層と少なくとも１つ以上の浮島状の第３の絶縁層とを形成する第１工程と、
   この第１工程で得た弁金属箔に第１の貫通孔を形成する第２工程と、
   この第２工程で得た第１の貫通孔内に第１の絶縁層を形成する第３工程と、
   この第３工程で得た弁金属箔の陰極部を形成する部位に重合法によって固体電解質層を形成する第４工程と、
   この第４工程で得た固体電解質層の表面を覆う形で導電性ペーストを形成し、硬化させて陰極部となる集電体層を形成する第５工程と、
   第５工程で得た第２の絶縁層および導電性ペーストが形成されている弁金属箔上にめっきを行い、金属層を形成する第６工程と、
   第６工程で得た弁金属箔に第１の絶縁層が形成されていない一部の前記第３の絶縁層部分に、この第３の絶縁層とその下側の前記誘電体被膜、前記陽極となる弁金属箔とを貫通する第２の貫通孔を設け、かつ、前記第１の貫通孔内の前記第１の絶縁層を貫通する第３の貫通孔を形成する第７工程と、
   第７工程で得た前記第２および第３の貫通孔にスルーホールめっきを行い、金属層と電気的に接続する第８工程と、
   前記金属層をパターニングすることで、前記第２の貫通孔と前記第３の貫通孔とを電気的に絶縁する第９工程とを少なくとも有する固体電解コンデンサの製造方法。
6. 陽極となる弁金属箔の陰極部を形成しない部位に第２の絶縁層と少なくとも１つ以上の浮島状の第３の絶縁層を形成する第１工程と、
   この第１工程で得た弁金属箔に第１の貫通孔を形成する第２工程と、
   この第２工程で得た前記第１の貫通孔に第１の絶縁層を形成する第３工程と、
   この第３工程で得た前記弁金属箔の陰極部を形成する部位に重合法によって固体電解質層を形成する第４工程と、
   この第４工程で得た固体電解質層の表面を覆う形で導電性ペーストを形成し、硬化させて陰極部となる集電体層を形成する第５工程と、
   第５工程で得た前記第２の絶縁層と前記第３の絶縁層および導電性ペーストが形成されている前記弁金属箔上にめっきを行い、金属層を形成する第６工程と、
   第６工程で得た前記弁金属箔に第１の絶縁層が形成されていない一部の前記第２の絶縁層部分または前記第３の絶縁層部分には、この第３の絶縁層とその下側の前記誘電体被膜、前記陽極となる弁金属箔とを貫通する第２の貫通孔を設け、かつ、前記第１の貫通孔内の前記第１の絶縁層を貫通する第３の貫通孔を形成する第７工程と、
   第７工程で得た第２および第３の貫通孔にスルーホールめっきを行い、金属層と電気的に接続する第８工程と、
   金属層をパターニングすることで、第２の貫通孔と第３の貫通孔を電気的に絶縁する第９工程とを少なくとも有する固体電解コンデンサ内蔵基板の製造方法。