JP2008541158A - フォトレジスト層除去用組成物及びその使用方法 - Google Patents

フォトレジスト層除去用組成物及びその使用方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008541158A
JP2008541158A JP2008510386A JP2008510386A JP2008541158A JP 2008541158 A JP2008541158 A JP 2008541158A JP 2008510386 A JP2008510386 A JP 2008510386A JP 2008510386 A JP2008510386 A JP 2008510386A JP 2008541158 A JP2008541158 A JP 2008541158A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composition
composition according
wafer
photoresist layer
polishing pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008510386A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4875698B2 (ja
Inventor
ウァン，スーミン
ユー，クリス，チャン
Original Assignee
アンジ マイクロエレクトロニクス（シャンハイ）カンパニー， リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アンジ マイクロエレクトロニクス（シャンハイ）カンパニー， リミテッド filed Critical アンジ マイクロエレクトロニクス（シャンハイ）カンパニー， リミテッド
Publication of JP2008541158A publication Critical patent/JP2008541158A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4875698B2 publication Critical patent/JP4875698B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

本発明は、フォトレジスト層を溶解又は軟化させる化学成分と水とを含有する化学的部分、砥粒である機械的部分を含むフォトレジスト層除去用組成物及びその使用方法を公開する。本発明の組成物及び本発明の使用方法を用いると、既存のフォトレジスト層クリーニングプロセスを2段階から1段階まで減少し、プロセスを簡略化させ、クリーニングプロセスの時間を短縮させ、コストを低減させることができる。本発明の組成物において、化学成分の毒性が低く、可燃性が低く、使用量が少なく、環境によりやさしく、且つ化学廃棄物の処理費用を減少する。

Description

本発明は、半導体の製造工程においてフォトレジスト層を除去するための組成物及びその使用方法に関する。
半導体素子の製造工程において、フォトレジスト層の塗布、露光及び現像は、素子のパターン形成にとって必要な工程である（図１に示す）。現像後、下地基板上にイオンを注入するフォトレジスト層を除去し、基板上にイオンを注入しないフォトレジスト層を残すことが必要である。イオンを注入した後、フォトレジスト層を除去することが必要で、そしてアニール工程を行う。今まで、半導体の製造産業において、ずっと２段階法を用いてこのフォトレジスト層膜を除去する。第１段階は、プラズマエッチングによりフォトレジスト層の大部分を除去し、そしてウエットエッチング/洗浄プロセスを利用して残ったフォトレジスト層を除去・洗浄する。エッチング工程において、非常に強いプラズマによるアッシュ化装置が必要となっている。第２段階は、化学活性の強い洗浄溶液が必要で、この洗浄溶液は通常燃えやすく且つ毒性が強く、プラズマエッチング工程において含フッ素化合物の使用が必要である。その後の洗浄/エッチングプロセスに通常使用される化学成分は、高濃度の有機溶剤とフッ素化合物である。洗浄/エッチングプロセスは加熱の雰囲気で行うことが必要であり、且つ作業時間が長い。それは、ドーピング工程において、イオンによる衝突したフォトレジスト層中の重合体が硬くなるので、その溶解性が低くなるため、処理時間が長くなる。例えば、特許ＵＳ６７７７３８０、特許ＵＳ６２７４５３７及び特許ＵＳ６６９２９０３などのいずれかが上述２段階プロセスを使用する。そして、既存の方法は、フォトレジスト層をきれいに除去することが保障できない場合がある。
つまり、このプロセスは、コストが高くて生産量が少なく、また環境及び残留に関する問題があるため、上述の問題に対して新規なフォトレジスト層のクリーニングプロセスを案出することが期待されている。
本発明は、上述の課題を解決するため、フォトレジスト層を溶解又は軟化させる化学成分と水とを含有する化学的部分及び砥粒である機械的部分を含むフォトレジスト層除去用組成物を提供することを目的としている。
その中では前記化学的部分は、さらに界面活性剤及び/又は抑制剤を含有してもいい。当該界面活性剤は、化学成分の洗浄効果の向上に寄与する。当該抑制剤は、下地基板の化学的又は機械的損耗、腐食及び点腐食を低下又は阻止することができる。イオン注入中、典型的な基板はケイ素基板で、ケイ素基板上に薄層の酸化層を成長させることもある。当該研磨パッドは平らな表面を有する任意のプラスチックシート又は異なる表面処理/溝のあるプラスチックシートで、十分のクリーニング溶液が研磨基板に分布することを確保するようにしている。下地基板には、ケイ素、二酸化ケイ素、イオンドープ二酸化ケイ素、低誘電率Kの材料及びアルミニウム又は銅のような金属などの基板が含まれる。
当該砥粒の濃度は４０％以下で、当該化学成分の濃度は１〜７０％で、当該界面活性剤の濃度は０．００１〜５％で、当該抑制剤の濃度は０．００５〜１０％で、残量は水である。上記の百分率は組成物の全体に占める重量百分率である。前記砥粒は無機及び/又は有機重合体の砥粒である。
当該無機砥粒は、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化セリウム及び酸化ジルコニウムのうちの一種又は多種であることが好ましい。
当該有機重合体の砥粒は、この組成物に溶解しない高分子重合体の砥粒である。当該砥粒の平均粒径は、０．００５〜１．０μｍであることが好ましく、０．０２〜０．５μｍであることがより好ましい。
前記化学成分は酸化剤、有機溶剤又は無機溶解促進物質である。当該酸化剤は有機又は無機過酸化物のうちの一種又は多種で、過酸化水素、過酢酸、過ホウ酸、過酸化ナトリウム、過硫酸アンモニウム、過マンガン酸カリウム、硝酸及び/又は硝酸塩であることが好ましい。当該有機溶剤は有機アミン、有機アルコール、有機アルコールアミン、有機エーテル及び/又は有機ケトンであることが好ましい。当該無機溶解促進物質はフォトレジスト層の溶解度を増加させることができる水溶性無機塩で、フォトレジスト層を転化又は溶解させることに寄与し、KOH、KNO3、K3PO4、K2SO4、NH4NO3、(NH4)2SO4、CsNO3、CsOH、KCl、CsCl、NH4Cl及び/又はしゅう酸アンモニウムなどの物質である。
当該水は、脱イオン水であることが好ましい。
当該化学的部分は、錯化剤、分散剤、触媒及びpH調整剤のうちの一種又は多種を含有してもいい。
また、本発明は、上述の組成物の使用方法を提供することを目的としている。その方法は以下の工程を含む。
１）研磨パッドを研磨テーブルの上に置き、ウェハーをウェハー固定クランプ内に設置し、適切な圧力を加える条件でウェハーを研磨パッドに接触させる。
２）研磨パッド及びそれに接触するウェハーの上に本発明の組成物を散布し、研磨パッド及び/又はウェハーを回転させ、フォトレジスト層を徹底的に除去するまで研磨パッドをウェハー表面に摩擦させる。
この方法には、さらに研磨済みのウェハーを固定クランプから取出し、そして洗浄する洗浄工程を含んでもいい。脱イオン水だけでウェハーを洗浄してもいい。脱イオン水に添加剤を含有させるのは、より優れたクリーニング効果が実現できるので、好ましい。当該洗浄工程は、ウェハーを洗浄しながら、ウェハーを磨いてもいい。ウェハーの洗浄は、相同又は相異の研磨テーブルの上で相同又は相異の研磨パッドを用いてウェハー表面を緩衝することを指してもいい。
本発明の積極的な進歩と効果は以下の通りである。
１、本発明の組成物によりフォトレジスト層を除去すると、既存のフォトレジスト層クリーニングプロセスを2段階(プラズマエッチングとウエットエッチング)から1段階(化学的機械的研磨クリーニング)まで減少し、プロセスを簡略化させ、コストを低減させることができる。
２、当該組成物は毒性が低くて可燃性が低い化学物質を使用し、且つ化学成分の使用量を減少するので、環境によりやさしく、化学廃棄物の処理費用が減少する(特に化学成分の使用量が減少する)。
３、当該組成物を使用すると、クリーニングプロセスの時間を短縮し、最終的に生産量を向上させることができる。
４、当該組成物は、残留物をより徹底的に除去し、最終的に導電性能を向上させることができる。
以下、本発明の好適な実施例を例示し、本発明の技術方案を詳細に説明する。
実施例１
組成物の組成：１５０ｇの平均粒径８０ｎｍの二酸化ケイ素、１５００ｇのエタノールアミン及び１３５０ｇの脱イオン水。
研磨パッドを研磨テーブルの上に置き、ウェハーをウェハー固定クランプ内に設置し、３Ｐｓｉの圧力を加える条件でウェハーを研磨パッドに接触させる。研磨パッド及びそれに接触するウェハーの上に上述組成物を散布し、７５ｒｐｍの回転数で研磨パッドを、５５ｒｐｍの回転数でウェハーを回転させ、フォトレジスト層を徹底的に除去するまで研磨パッドをウェハー表面に摩擦させる。
実施例２
組成物の組成：１５０ｇの平均粒径５０ｎｍの二酸化チタン、１５００ｇのエタノールアミン及び１３５０ｇの脱イオン水。
研磨パッドを研磨テーブルの上に置き、ウェハーをウェハー固定クランプ内に設置し、３Ｐｓｉの圧力を加える条件でウェハーを研磨パッドに接触させる。研磨パッド及びそれに接触するウェハーの上に上述組成物を散布し、７５ｒｐｍの回転数で研磨パッドを、５５ｒｐｍの回転数でウェハーを回転させ、フォトレジスト層を徹底的に除去するまで研磨パッドをウェハー表面に摩擦させる。
実施例３
組成物の組成：１５０ｇの平均粒径１００ｎｍの二酸化ケイ素、３０ｇの過硫酸アンモニウム、１０００ｇのエタノール、３ｇの非イオン界面活性剤及び１８１７ｇの脱イオン水。
研磨パッドを研磨テーブルの上に置き、ウェハーをウェハー固定クランプ内に設置し、２Ｐｓｉの圧力を加える条件でウェハーを研磨パッドに接触させる。研磨パッド及びそれに接触するウェハーの上に上述組成物を散布し、７５ｒｐｍの回転数で研磨パッドを、５５ｒｐｍの回転数でウェハーを回転させ、フォトレジスト層を徹底的に除去するまで研磨パッドをウェハー表面に摩擦させる。
実施例４
組成物の組成：１２００ｇの平均粒径５ｎｍの酸化アルミニウム、１５ｇの過硫酸アンモニウム、１５ｇのエチレンジアミン、０．０３ｇの非イオン界面活性剤、０．１５ｇのベンゾトリアゾール及び１７６９．８２ｇの脱イオン水。
研磨パッドを研磨テーブルの上に置き、ウェハーをウェハー固定クランプ内に設置し、１Ｐｓｉの圧力を加える条件でウェハーを研磨パッドに接触させる。研磨パッド及びそれに接触するウェハーの上に上述組成物を散布し、７５ｒｐｍの回転数で研磨パッドを、５５ｒｐｍの回転数でウェハーを回転させ、フォトレジスト層を徹底的に除去するまで研磨パッドをウェハー表面に摩擦させる。
実施例５
組成物の組成：１０ｇの平均粒径１０００ｎｍのポリウレタン砥粒、１８３０ｇのエチレンジアミン、１５０ｇの非イオン界面活性剤、２７０ｇの硝酸カリウム、３０ｇのトリアゾール及び７１０ｇの脱イオン水。
研磨パッドを研磨テーブルの上に置き、ウェハーをウェハー固定クランプ内に設置し、３Ｐｓｉの圧力を加える条件でウェハーを研磨パッドに接触させる。研磨パッド及びそれに接触するウェハーの上に上述組成物を散布し、７５ｒｐｍの回転数で研磨パッドを、５５ｒｐｍの回転数でウェハーを回転させ、フォトレジスト層を徹底的に除去するまで研磨パッドをウェハー表面に摩擦させる。
図1は、現有技術におけるフォトレジスト層の塗布、露光及び現像、プラズマエッチングのプロセスフローチャートである。

Claims (16)

  1. フォトレジスト層を溶解又は軟化させる化学成分と水とを含有する化学的部分を含むフォトレジスト層除去用組成物であり、さらに砥粒である機械的部分を含むことを特徴とするフォトレジスト層除去用組成物。
  2. 化学的部分は、さらに界面活性剤及び/又は抑制剤を含有することを特徴とする請求項１に記載の組成物。
  3. 砥粒の濃度は４０％以下で、化学成分の濃度は１〜70％で、界面活性剤の濃度は０．００１〜５％で、抑制剤の濃度は０．００５〜１０％で、残量は水であることを特徴とする請求項２に記載の組成物。上記百分率は組成物の全体に占める重量百分率である。
  4. 砥粒は、無機及び/又は有機重合体の砥粒であることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
  5. 無機砥粒は、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化セリウム及び酸化ジルコニウムのうちの一種又は多種であることを特徴とする請求項４に記載の組成物。
  6. 有機重合体砥粒は、組成物に溶解しない高分子重合体砥粒であることを特徴とする請求項４に記載の組成物。
  7. 砥粒の平均粒径は、０．００５〜１．０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
  8. 砥粒の平均粒径は、０．０２〜０．５μｍであることを特徴とする請求項７に記載の組成物。
  9. 化学成分は酸化剤、有機溶剤又は無機溶解促進物質であることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
  10. 有機溶媒は有機アミン、有機アルコール、有機アルコールアミン、有機エーテル及び/又は有機ケトンであることを特徴とする請求項９に記載の組成物。
  11. 無機溶解促進物質はフォトレジスト層の溶解度を増加させることができる水溶性無機塩であることを特徴とする請求項９に記載の組成物。
  12. 無機溶解促進物質は、KOH、KNO3、K3PO4、K2SO4、NH4NO3、(NH4)2SO4、CsNO3、CsOH、KCl、CsCl、NH4Cl及び/又はしゅう酸アンモニウムであることを特徴とする請求項９に記載の組成物。
  13. 酸化剤は、過酸化水素、過酢酸、過ホウ酸、過酸化ナトリウム、過硫酸アンモニウム、過マンガン酸カリウム、硝酸及び/又は硝酸塩であることを特徴とする請求項９に記載の組成物。
  14. 水は、脱イオン水であることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
  15. 化学的部分は、錯化剤、分散剤、触媒及びｐＨ調整剤のうちの一種又は多種を含有することを特徴とする請求項１に記載の組成物。
  16. １）研磨パッドを研磨テーブルの上に置き、ウェハーをウェハー固定クランプ内に設置し、適切な圧力を加える条件でウェハーを研磨パッドに接触させる工程と、
    ２）研磨パッド及びそれに接触するウェハーの上に請求項１〜１５のいずれかに記載の組成物を散布し、研磨パッド及び/又はウェハーを回転させ、フォトレジスト層を徹底的に除去するまで研磨パッドをウェハー表面に摩擦させる工程と、
    を含む請求項１〜１５のいずれかに記載の組成物の使用方法。
JP2008510386A 2005-05-13 2006-05-12 フォトレジスト層除去用組成物及びその使用方法 Expired - Fee Related JP4875698B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2005100258211A CN1862391B (zh) 2005-05-13 2005-05-13 除光阻层的组合物及其使用方法
CN200510025821.1 2005-05-13
PCT/CN2006/000954 WO2006119709A1 (fr) 2005-05-13 2006-05-12 Composition pour l'elimination d'une couche de resine photosensible et procede d'utilisation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008541158A true JP2008541158A (ja) 2008-11-20
JP4875698B2 JP4875698B2 (ja) 2012-02-15

Family

ID=37389847

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008510386A Expired - Fee Related JP4875698B2 (ja) 2005-05-13 2006-05-12 フォトレジスト層除去用組成物及びその使用方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8038749B2 (ja)
JP (1) JP4875698B2 (ja)
KR (1) KR20080016629A (ja)
CN (1) CN1862391B (ja)
WO (1) WO2006119709A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011060888A (ja) * 2009-09-08 2011-03-24 Hitachi Chem Co Ltd 研磨液
JP2013115404A (ja) * 2011-12-01 2013-06-10 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
WO2016143797A1 (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法
WO2016203586A1 (ja) * 2015-06-17 2016-12-22 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9103902B2 (en) * 2007-05-09 2015-08-11 Infineon Technologies Ag Packaged antenna and method for producing same
JP4843540B2 (ja) * 2007-03-26 2011-12-21 富士フイルム株式会社 粒子を含有するレジスト剥離液及びそれを用いた剥離方法
US9567493B2 (en) * 2014-04-25 2017-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. CMP slurry solution for hardened fluid material
CN110597026B (zh) * 2019-09-26 2022-11-29 上海富柏化工有限公司 一种软性电路板干膜清除工艺

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187307A (ja) * 1997-09-05 1999-03-30 Sony Corp レジストの除去方法及びその除去装置
JP2000258924A (ja) * 1999-03-08 2000-09-22 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法
JP2002341559A (ja) * 2001-05-16 2002-11-27 Toshiba Corp レジスト剥離剤、及び、それを用いた薄板のエッチング方法
JP2004004775A (ja) * 2002-04-26 2004-01-08 Kao Corp レジスト用剥離剤組成物
JP2004325918A (ja) * 2003-03-06 2004-11-18 Kao Corp 剥離剤組成物
JP2005177970A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Eternal Chemical Co Ltd カラーフォトレジスト平坦化のためのスラリー
JP2006156919A (ja) * 2004-12-01 2006-06-15 Purex:Kk 有機被膜の除去方法及び除去剤
JP2006186100A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Seiko Epson Corp レジスト膜の除去方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4401747A (en) * 1982-09-02 1983-08-30 J. T. Baker Chemical Company Stripping compositions and methods of stripping resists
US6099604A (en) * 1997-08-21 2000-08-08 Micron Technology, Inc. Slurry with chelating agent for chemical-mechanical polishing of a semiconductor wafer and methods related thereto
JP2870537B1 (ja) * 1998-02-26 1999-03-17 日本電気株式会社 研磨装置及び該装置を用いる半導体装置の製造方法
US5962197A (en) * 1998-03-27 1999-10-05 Analyze Inc. Alkaline organic photoresist stripper
US6274537B1 (en) * 1998-08-05 2001-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Use of alkoxy N-hydroxyalkyl alkanamide as resist removing agent, composition for removing resist, method for preparing the same and resist removing method using the same
US6276996B1 (en) * 1998-11-10 2001-08-21 Micron Technology, Inc. Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
US6361402B1 (en) * 1999-10-26 2002-03-26 International Business Machines Corporation Method for planarizing photoresist
CN1218222C (zh) * 2000-07-10 2005-09-07 Ekc技术公司 用于清洁半导体设备上有机残余物和等离子蚀刻残余物的组合物
US6579810B2 (en) * 2001-06-21 2003-06-17 Macronix International Co. Ltd. Method of removing a photoresist layer on a semiconductor wafer
KR20040032855A (ko) * 2001-07-13 2004-04-17 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 술폭시드 피롤리드(인)온 알칸올아민 박리 및 세정 조성물
JP4304154B2 (ja) 2002-06-07 2009-07-29 マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド 酸化剤および有機溶媒を含有するマイクロエレクトロニクス洗浄組成物
US6803353B2 (en) * 2002-11-12 2004-10-12 Atofina Chemicals, Inc. Copper chemical mechanical polishing solutions using sulfonated amphiprotic agents

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187307A (ja) * 1997-09-05 1999-03-30 Sony Corp レジストの除去方法及びその除去装置
JP2000258924A (ja) * 1999-03-08 2000-09-22 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法
JP2002341559A (ja) * 2001-05-16 2002-11-27 Toshiba Corp レジスト剥離剤、及び、それを用いた薄板のエッチング方法
JP2004004775A (ja) * 2002-04-26 2004-01-08 Kao Corp レジスト用剥離剤組成物
JP2004325918A (ja) * 2003-03-06 2004-11-18 Kao Corp 剥離剤組成物
JP2005177970A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Eternal Chemical Co Ltd カラーフォトレジスト平坦化のためのスラリー
JP2006156919A (ja) * 2004-12-01 2006-06-15 Purex:Kk 有機被膜の除去方法及び除去剤
JP2006186100A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Seiko Epson Corp レジスト膜の除去方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011060888A (ja) * 2009-09-08 2011-03-24 Hitachi Chem Co Ltd 研磨液
JP2013115404A (ja) * 2011-12-01 2013-06-10 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
WO2016143797A1 (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法
JPWO2016143797A1 (ja) * 2015-03-10 2017-12-21 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法
US10946494B2 (en) 2015-03-10 2021-03-16 Showa Denko Materials Co., Ltd. Polishing agent, stock solution for polishing agent, and polishing method
JP2021066888A (ja) * 2015-03-10 2021-04-30 昭和電工マテリアルズ株式会社 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法
WO2016203586A1 (ja) * 2015-06-17 2016-12-22 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法
US10119049B2 (en) 2015-06-17 2018-11-06 Hitachi Chemical Company, Ltd. Polishing agent, storage solution for polishing agent and polishing method

Also Published As

Publication number Publication date
CN1862391A (zh) 2006-11-15
KR20080016629A (ko) 2008-02-21
US8038749B2 (en) 2011-10-18
JP4875698B2 (ja) 2012-02-15
WO2006119709A1 (fr) 2006-11-16
US20090100764A1 (en) 2009-04-23
CN1862391B (zh) 2013-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4875698B2 (ja) フォトレジスト層除去用組成物及びその使用方法
JP3850039B2 (ja) 後清浄化処理
TWI418622B (zh) 銅鈍化之後段化學機械拋光清洗組成物及利用該組成物之方法
KR100302671B1 (ko) 화학기계적연마용조성물및화학기계적연마방법
US20040134873A1 (en) Abrasive-free chemical mechanical polishing composition and polishing process containing same
TW201336973A (zh) 金屬及介電相容□牲抗反射塗層清洗及移除組成物
KR20080059442A (ko) 금속 상용성 포토레지스트 및/또는 희생 반사방지 코팅제거 조성물
EP2812422B1 (en) A post chemical-mechanical-polishing (post-cmp) cleaning composition comprising a specific sulfur-containing compound and a sugar alcohol
TW202134421A (zh) 等離子體刻蝕殘留物清洗液
KR20160097201A (ko) 표면 잔류물 제거용 세정 제형
US20060070979A1 (en) Using ozone to process wafer like objects
US8063006B2 (en) Aqueous cleaning composition for semiconductor copper processing
US20090095320A1 (en) Composition for Removing Photresist Layer and Method for Using it
EP2687589A2 (en) Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use
US8067352B2 (en) Aqueous cleaning composition for semiconductor copper processing
TWI415914B (zh) 可去除光阻層之組合物
TWI425324B (zh) 可去除光阻層之組合物
US20240010952A1 (en) Cleaning Compositions
EP2137759B1 (en) Use of oxidants for the processing of semiconductor wafers, and composition therefore
KR20220007972A (ko) 금속막 연마 후 세정액 조성물
KR20190030458A (ko) 세정액 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080925

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101220

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110223

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110606

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110826

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111031

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111125

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141202

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees