JP2011060888A - 研磨液 - Google Patents
研磨液 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011060888A JP2011060888A JP2009206930A JP2009206930A JP2011060888A JP 2011060888 A JP2011060888 A JP 2011060888A JP 2009206930 A JP2009206930 A JP 2009206930A JP 2009206930 A JP2009206930 A JP 2009206930A JP 2011060888 A JP2011060888 A JP 2011060888A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing liquid
- film
- ether
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 103
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 24
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 abstract description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 description 30
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 16
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 4
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QMGJMGFZLXYHCR-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxypropoxy)butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCCCC QMGJMGFZLXYHCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 2
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxypropane Chemical compound CCOCC(C)OCC VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVMMVWNXKOSPRB-UHFFFAOYSA-N 1,2-dipropoxypropane Chemical compound CCCOCC(C)OCCC PVMMVWNXKOSPRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 1-(1-butoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)O CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCCCC GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)propan-2-ol Chemical compound CCOC(C)COCC(C)O QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQSLKNLISLWZQH-UHFFFAOYSA-N 1-(2-propoxyethoxy)propane Chemical compound CCCOCCOCCC HQSLKNLISLWZQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKEHLQXXZMANPK-UHFFFAOYSA-N 1-[1-(1-propoxypropan-2-yloxy)propan-2-yloxy]propan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)OCC(C)OCC(C)O JKEHLQXXZMANPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOWSVNMPHMJCBZ-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OCCCC UOWSVNMPHMJCBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOGFHOWTVGAYFK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-propoxyethoxy)ethoxy]propane Chemical compound CCCOCCOCCOCCC BOGFHOWTVGAYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSVVTQTKRGWGU-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOCCCC KTSVVTQTKRGWGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSPIZZQMSHIZLS-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-propoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]propane Chemical compound CCCOCCOCCOCCOCCC DSPIZZQMSHIZLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxypropoxy)propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OCC ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIAMPLQEZAMORJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethane Chemical compound CCOCCOCCOCCOCC KIAMPLQEZAMORJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORRRIJVZQZKAKQ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-[2-(2-ethoxypropoxy)propoxy]propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC ORRRIJVZQZKAKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RERATEUBWLKDFE-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propane Chemical compound COCC(C)OCC(C)OCC(C)OC RERATEUBWLKDFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOERQAIRIDZWHX-UHFFFAOYSA-N 1-propoxy-2-(2-propoxypropoxy)propane Chemical compound CCCOCC(C)OCC(C)OCCC JOERQAIRIDZWHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZUIVEXNWZABBK-UHFFFAOYSA-N 1-propoxy-2-[2-(2-propoxypropoxy)propoxy]propane Chemical compound CCCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OCCC BZUIVEXNWZABBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCOCCOCCO DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COC(C)CO JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMVOPJLFZGSYOS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)CO FMVOPJLFZGSYOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCBPVRDDYVJQHA-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-propoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCOCCOCCOCCO KCBPVRDDYVJQHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N dimethyl carbonate Chemical compound COC(=O)OC IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- DRIIOWCRDBYORK-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diol;methyl acetate Chemical compound OCCO.COC(C)=O DRIIOWCRDBYORK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCIYAEYRVFUFAP-UHFFFAOYSA-N hexane-2,3-diol Chemical compound CCCC(O)C(C)O QCIYAEYRVFUFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【解決手段】有機膜を研磨する研磨液であって、この研磨液は、pHが5.0以下であり、研磨液全体に対して2.0〜15.0質量%の有機溶媒と、砥粒と、水とを含有してなり、前記砥粒は、二次粒子径/一次粒子径で求められる会合度が、2.7以下である、研磨液。また、砥粒の二次粒子径が、70nm以下である研磨液。更に、pH調整剤を含有する研磨液。
【選択図】図1
Description
(1)有機膜を研磨する研磨液であって、この研磨液は、pHが5.0以下であり、研磨液全体に対して2.0〜15.0質量%の有機溶媒と、砥粒と、水とを含有してなり、前記砥粒は、二次粒子径/一次粒子径で求められる会合度が、2.7以下である、研磨液。
(2)項(1)において、砥粒の二次粒子径が、70nm以下である研磨液。
(3)項(1)又は(2)において、さらにpH調整剤を含有する研磨液。
また、砥粒の二次粒子径は、70nm以下とすることで、層間絶縁膜の研磨速度が加速しすぎず(例えば、層間絶縁膜の研磨速度が5nm/min以下)、埋め込み材を選択的に研磨することができる。
さらに、pH調整剤を含有させた場合は、研磨特性をより向上させることができる。
本発明に用いる有機溶媒としては、水に溶けやすく、室温(25℃)で揮発しにくいものを好適に使用することができる。このような有機溶媒としては例えば、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、メチルエチルカーボネート等の炭酸エステル類;ブチロラクトン、プロピロラクトン等のラクトン類;エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のグリコール類;グリコール類の誘導体として、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールモノエーテル類;エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジプロピルエーテル、トリエチレングリコールジプロピルエーテル、トリプロピレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、トリプロピレングリコールジブチルエーテル等のグリコールジエーテル類;テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、ポリエチレンオキサイド、エチレングリコールモノメチルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエーテル類;メタノール、エタノール、プロパノール、n−ブタノール、n−ペンタノール、n−ヘキサノール、イソプロパノール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類;その他フェノール、ジメチルホルムアミド、n−メチルピロリドン、酢酸エチル、乳酸エチル、スルホラン等を挙げることができる。
前記有機溶媒としては、有機膜の反応性を効率的に向上させるために、研磨液全体に対して3.0質量%以上とするのが好ましく、より効果的に研磨するためには、4.0質量%以上とすることがより好ましく、6.0質量%以上とすることが特に好ましい。
本発明に用いる砥粒としては、例えば、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア、ジルコニア及びゲルマニア等が挙げられるが、有機膜に対する研磨速度を得る点及び砥粒の粒径の選択が容易である点等から、シリカを使用することが好ましい。
<二次粒子径の測定>
[サンプルの調整]
サンプル2mlに、0.3質量%クエン酸50mlを加え、軽く浸透したものを検液とし、動的光散乱方式の粒度分布系を用いて測定する。
[測定装置:大塚電子株式会社製(商品名:ELS−8000)]
<一次粒子径の測定>
[サンプルの調整]
試料を50ml坩堝に約1/4取り、ウォーターバス上で蒸留乾固させた後、800℃に昇温した電気炉に移し入れ、1時間経過後に坩堝をデシケータに移して放冷して、乳鉢で細かく砕き、比表面積の測定を行う。更に得られた比表面積から、以下の数式により、一次粒子径を算出した。
1次粒子径(nm)=2727/(測定結果から得られた比表面積)
[測定装置:株式会社島津製作所製(商品名:FLOWSORB2300)]
また、有機膜に対する良好な研磨速度が得られる点で、砥粒の一次粒子径が、10nm以上であることが好ましく、15nm以上であることがより好ましい。
但し、添加量が多すぎると、TEOS(テトラエトキシシラン)膜やSiO2膜等の層間絶縁膜等の研磨速度も向上する傾向がある。従って、層間絶縁膜は研磨せず有機膜のみを選択的に研磨することが好ましいデュエルダマシンプロセス等に適用するためには、前記添加量は、研磨液全体に対して8.0質量%以下であることが好ましく、5.0質量%以下であることがより好ましく、3.0質量%以下であることがさらに好ましい。
本発明の研磨液のpHは、高すぎると、砥粒の表面状態が悪くなり、凝集を起こしてしまう恐れがあるため、pHを5.0以下とするが、pHを4.0以下とすることが好ましく、3.0以下とすることがより好ましい。
研磨剤のpHは、一般的なガラス電極を用いたpHメータによって測定できる。具体的には、例えば、株式会社堀場製作所の商品名:Model(F−51)を使用することができる。フタル酸塩pH標準液(4.01)と、中性リン酸塩pH標準液(pH6.86)と、ホウ酸塩pH標準液(pH9.18)をpH標準液として用い、pHメータを3点校正した後、pHメータの電極を研磨剤に入れて、2分以上経過して安定した後の値を測定することで得られる。このとき、標準緩衝液と研磨剤の液温は、例えば、共に25℃とすることができる。
本発明の研磨液には、更に、研磨特性を向上させるために、前記以外の成分を添加することができる。このような成分としては、例えば、埋め込み材の表面に寄与して表面を保護するような一般的な界面活性剤、pHを調整するための、酸、塩基等pH調整剤等を挙げることができる。
本発明の研磨液は、前述したように、有機膜を研磨する用途に適しており、具体的にはデュエルダマシンプロセスにおいて、図1(c)に示されるビアホールを埋め込む埋め込み材4を研磨して、図1(d)に示す状態にする工程に好適に使用することができる。ここで、前記埋め込み材としては、反射防止膜(ARC:Anti Refrection Coat)用の材料として使用されているもののうち、有機化合物であるもの(有機ARC)が好適に使用される。
前述してきた研磨液を用いた研磨方法は、研磨定盤の研磨布上に研磨液を供給し、基板の被研磨膜を研磨布に押圧した状態で、研磨定盤と基板とを、相対的に動かして、被研磨膜を研磨する。
(実施例1〜3、比較例1)
超純水50質量%に、pH調整剤A:0.5質量%、有機溶媒A:8.0質量%を加えて攪拌した。両者が溶解したら、下記表1に記載の砥粒:1.0質量%を加え、さらに超純水を加えて、全体が100質量%になるようにした。作製した研磨液のpHは、いずれも2.5であった。
有機溶媒Aの添加量を変更させた以外は、実施例1と同様にして、研磨液を作製した。作製した研磨液のpHはいずれも2.5であった。
砥粒を加える前に、表1記載の最終pHになるまで、pH調整剤Bを加える以外は、実施例1と同様にして、研磨液を作製した。
超純水:50質量%に、pH調整剤A:0.5質量%、有機溶媒B:0.5質量%、更に、防食剤としてベンゾトリアゾールを0.2質量%加えて攪拌する。全てが溶解したら、下記表1に記載の砥粒を1.0質量%加え、超純水を加えて100質量%になるように調整した。作製した研磨剤のpHは2.6であった。
実施例1〜6、比較例1〜6にて作製した研磨液を用いて、以下の条件により研磨を行った。
ブランケット基板:厚さ300nmのレジスト膜を形成したシリコン基板
研磨パッド:IC1010(ロデ−ル株式会社製、商品名)
研磨圧力:2psi(13.7MPa)
実施例1〜6、比較例1〜6にて作製した研磨液を用いて、30秒間の研磨を行い、単位時間当たりの研磨速度(nm/min)を求めた。研磨速度を、以下の表1に示す。
ブランケット基板として、1μmの酸化珪素膜をプラズマ−CVDで形成したシリコン基板を用いた以外は、レジスト研磨速度の測定と同様にして研磨速度を求めた。結果を下記表1に示す。
実施例1〜6、比較例1〜6にて作製した研磨液を、100ccのサンプル管に入れて密閉し、60℃の乾燥機に3日間入れて、砥粒の凝集の有無を目視で観察した。結果を表1に示す。
(*2)pH調整剤B:25質量%アンモニア
(*3)有機溶媒A:プロピルプロピレングリコール
(*4)有機溶媒B:メタノール
(*5)砥粒の凝集により、研磨できなかった
(*6)5nm/min以下を「○」、5nm/min以上を「×」とした。
(*7)凝集なしを「○」、凝集ありを「×」とした。
Claims (3)
- 有機膜を研磨する研磨液であって、この研磨液は、pHが5.0以下であり、研磨液全体に対して2〜15.0質量%の有機溶媒と、砥粒と、水とを含有してなり、前記砥粒は、二次粒子径/一次粒子径で求められる会合度が、2.7以下である研磨液。
- 請求項1において、砥粒の二次粒子径が、70nm以下である研磨液。
- 請求項1又は2において、さらにpH調整剤を含有する研磨液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009206930A JP5515535B2 (ja) | 2009-09-08 | 2009-09-08 | 研磨液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009206930A JP5515535B2 (ja) | 2009-09-08 | 2009-09-08 | 研磨液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011060888A true JP2011060888A (ja) | 2011-03-24 |
JP5515535B2 JP5515535B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=43948214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009206930A Active JP5515535B2 (ja) | 2009-09-08 | 2009-09-08 | 研磨液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5515535B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014171766A1 (ko) * | 2013-04-17 | 2014-10-23 | 제일모직 주식회사 | 유기막 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법 |
JP2015189784A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 |
WO2016143797A1 (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 |
WO2016203586A1 (ja) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 |
JP2018503698A (ja) * | 2014-11-19 | 2018-02-08 | サムスン エスディアイ カンパニー, リミテッドSamsung Sdi Co., Ltd. | 有機膜用cmpスラリー組成物およびそれを用いた研磨方法 |
US10723916B2 (en) | 2013-04-17 | 2020-07-28 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic film CMP slurry composition and polishing method using same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187307A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-30 | Sony Corp | レジストの除去方法及びその除去装置 |
JP2008541158A (ja) * | 2005-05-13 | 2008-11-20 | アンジ マイクロエレクトロニクス(シャンハイ)カンパニー, リミテッド | フォトレジスト層除去用組成物及びその使用方法 |
-
2009
- 2009-09-08 JP JP2009206930A patent/JP5515535B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187307A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-30 | Sony Corp | レジストの除去方法及びその除去装置 |
JP2008541158A (ja) * | 2005-05-13 | 2008-11-20 | アンジ マイクロエレクトロニクス(シャンハイ)カンパニー, リミテッド | フォトレジスト層除去用組成物及びその使用方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014171766A1 (ko) * | 2013-04-17 | 2014-10-23 | 제일모직 주식회사 | 유기막 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법 |
US10723916B2 (en) | 2013-04-17 | 2020-07-28 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic film CMP slurry composition and polishing method using same |
JP2015189784A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 |
JP2018503698A (ja) * | 2014-11-19 | 2018-02-08 | サムスン エスディアイ カンパニー, リミテッドSamsung Sdi Co., Ltd. | 有機膜用cmpスラリー組成物およびそれを用いた研磨方法 |
WO2016143797A1 (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 |
KR20170126870A (ko) | 2015-03-10 | 2017-11-20 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 연마제, 연마제용 저장액 및 연마 방법 |
JPWO2016143797A1 (ja) * | 2015-03-10 | 2017-12-21 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 |
US10946494B2 (en) | 2015-03-10 | 2021-03-16 | Showa Denko Materials Co., Ltd. | Polishing agent, stock solution for polishing agent, and polishing method |
JP2021066888A (ja) * | 2015-03-10 | 2021-04-30 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 |
WO2016203586A1 (ja) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 |
US10119049B2 (en) | 2015-06-17 | 2018-11-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polishing agent, storage solution for polishing agent and polishing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5515535B2 (ja) | 2014-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8084362B2 (en) | Polishing slurry and polishing method | |
JP5533951B2 (ja) | 金属用研磨液及び研磨方法 | |
JP5329786B2 (ja) | 研磨液および半導体装置の製造方法 | |
JP5515535B2 (ja) | 研磨液 | |
TWI286157B (en) | Bicine/tricine containing composition and method for chemical-mechanical planarization | |
TWI478227B (zh) | 用於基板之化學機械研磨之方法 | |
JP4130614B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TW201116614A (en) | Abrasive agent, condensed one-liquid type abrasive agent, two-liquid type abrasive agent and polishing method of substrate | |
TWI381456B (zh) | 研磨用組成物及研磨方法 | |
JP2007266500A (ja) | タッチアップcmp用スラリーおよび半導体装置の製造方法 | |
SG182993A1 (en) | Polishing slurry for metal films and polishing method | |
KR20160001684A (ko) | 화학적 기계 연마 조성물 및 텅스텐의 연마 방법 | |
JP2013074036A (ja) | Cmp用スラリーおよび半導体装置の製造方法 | |
JPWO2008132983A1 (ja) | 研磨剤組成物および半導体集積回路装置の製造方法 | |
WO2011069343A1 (zh) | 一种用于钽阻挡抛光的化学机械抛光液 | |
JP2007073548A (ja) | 研磨方法 | |
JP2015063687A (ja) | 低欠陥化学機械研磨組成物 | |
JP2008124377A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット | |
JP5585220B2 (ja) | Cmp研磨液及びこのcmp研磨液を用いた研磨方法 | |
JP2008112969A (ja) | 研磨液及びこの研磨液を用いた研磨方法 | |
WO2007026862A1 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP2009272418A (ja) | 研磨剤組成物および半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP6236990B2 (ja) | 金属用研磨液及び研磨方法 | |
JP2009206148A (ja) | 研磨用組成物 | |
JP2005109257A (ja) | 研磨用組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120824 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140317 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5515535 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |