JP2008535271A - 光学サブアセンブリ - Google Patents

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Abstract

システムが開示される。システムは、プリント回路板(PCB)(200)と、PCB上に取り付けられる基板(210)と、基板上に取り付けられる集積回路(IC)(220)と、基板上に取り付けられ且つICに結合される光電子サブアセンブリ(230)と、基板上にパターン化される導波管(245)とを含む。光学サブアセンブリ(230)は、電気インターコネクト(232)と、ガラス基板(234)と、ダイ(236)とを含む。インターコネクト(232)はIC(220)をガラス基板(234)に結合し、高速電信号をその上に取り付けられる光電子ダイに送信するために使用される。1つの実施態様において、インターコネクト(232)は、フレキシブルで高周波数のPCBである。ダイ(236)は、ガラス基板(234)上に取り付けられる。1つの実施態様において、ダイ(236)は、ガラス基板(234)上に取り付けられるフリップチップである。

Description

本発明は、光学インターコネクトに関し、より具体的には、本発明は、集積回路から導波管への結合放射エネルギーに関する。
データをシステム構成部品間で送信するために、より頻繁に、光学入力/出力(I/O)がコンピュータシステム内で使用されている。光学I/Oは、従来的なI/O方法よりも低い電磁インターフェースを用いて、より高いシステム帯域幅を得ることができる。光学I/Oを実現するために、放射エネルギーが導波管から光電子集積回路(IC)に結合される。
光学インターコネクトシステムでは、システムの総光損失を最小限化するために、光電子ICから導波管(又はファイバ)への光の結合が重要である。しかしながら、これは必ずしも常に可能ではない。何故ならば、そのような結合は、実施される具体的なアーキテクチャ並びに使用される光学素子に依存するからである。この結合損失の最小限化は、総システム電力予算の削減をもたらす。そのような総放散電力の保全は、超短距離(USR)光インターコネクト用途のために、より一層重要である。
本発明は、以下に与えられる詳細な記載並びに本発明の様々な実施態様の添付の図面からより十分に理解されるであろう。しかしながら、図面は、本発明を特定の実施態様に限定するように取り扱われるべきではなく、説明及び理解だけのために取り扱われるべきである。
1つの実施態様に従って、光学サブアセンブリが開示される。明細書中の「1つの実施態様」又は「実施態様」への言及は、実施態様に関連して記載される特徴、構造、又は、特性が、本発明の少なくとも1つの実施態様に含まれることを意味する。明細書中の様々な場所での「1つの実施態様において」の言い回しの現れは、必ずしも全て同一の実施態様に言及していない。
以下の記載において、数多くの詳細が示される。しかしながら、これらの具体的な詳細がなくとも本発明を実施し得ることが当業者に明らかであろう。他の場合には、本発明を不明瞭にすることを避けるために、周知の構造及び装置を、詳細にではなく、むしろブロック図の形態で示している。
図1は、コンピュータシステム100の1つの実施態様を示すブロック図である。コンピュータシステム100は、バス105に結合された中央処理装置(CPU)102を含む。1つの実施態様において、CPU102は、カリフォルニア州サンタクララ市のIntel Corporationから入手可能なPentium(登録商標)IIプロセッサ系、Pentium(登録商標)III、及び、Pentium(登録商標)IVプロセッサを含むPentium(登録商標)系のプロセッサ中のプロセッサである。代替的に、他のCPUも使用し得る。
1つの実施態様によれば、バス105は、チップセット107のメモリ制御ハブ(MCH)110構成部品と通信するフロントサイドバス(PSB)である。MCH110は、メインシステムメモリ115に結合されるメモリコントローラ112を含む。メインシステムメモリ115は、データ、命令の順序、及び、CPU102又はシステム100内に含まれる任意の他の装置によって実行され得るデータ信号によって表されるコードを記憶する。
1つの実施態様において、メインシステムメモリ115は、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)を含む。しかしながら、メインシステムメモリ115は、他のメモリの種類を用いて実施され得る。1つの実施態様によれば、MCH110は、ハブインターフェース106を介して、入力/出力制御ハブ(ICH)140に結合されている。ICH140は、コンピュータシステム100内の入力/出力(I/O)装置へのインターフェースを提供する。
図2は、基板パッケージの上に取り付けられる光学サブアセンブリの1つの実施態様の側面図を例証している。1つの実施態様において、光学サブアセンブリパッケージは、コンピュータシステム100内の構成部品間の光学I/Oを結合するよう実装され得る。例えば、光学サブアセンブリパッケージは、CPU102とMCH110との間で並びに/或いはMCH110とメインメモリ115との間で光学I/Oを結合し得る。他の実施態様において、光学サブアセンブリパッケージは、コンピュータシステム100内の構成部品を他のコンピュータシステムに結合し得る。
図2を参照すると、パッケージ基板210が、プリント回路板(PCB)200の上に取り付けられている。PCB200と基板210との間に伝導性をもたらすために、PCB200と基板210との間には、ボールグリッドアレイ(BGA)205がある。集積回路(IC)220が、ソルダバンプ215を介して、基板210の上に取り付けられている。1つの実施態様において、IC220は、CPU102、MCH110、ICH140等のような、コンピュータシステム100IC構成部品である。
1つの実施態様によれば、光学サブアセンブリ230は、IC220に結合される。光学サブアセンブリ230は、電気インターコネクト232と、ガラス基板234と、ダイ236とを含む。インターコネクト232は、IC220をガラス基板234に結合し、高速電気信号をその上に取り付けられた光電子ダイに送信するために使用される。1つの実施態様において、インターコネクト232は、可撓(フレキシブル)で高周波数のPCBである。ガラス基板234は、インターコネクト232の上に取り付けられる。1つの実施態様において、ガラス基板234は、電気接点として使用される電極及びバンプを用いてパターン化される。
ダイ236は、ガラス基板234の上に取り付けられている。1つの実施態様において、ダイ236は、ガラス基板234の上に取り付けられたフリップチップである。さらなる実施態様において、ガラス基板234は、ダイ236よりもサイズが大きい。1つの実施態様によれば、ダイ236は、光学I/Oを送受信する光電子ICである。さらなる実施態様において、ダイ236は、面発光レーザ(VCSEL)である。しかしながら、他の実施態様において、ダイ236は、光検出器或いは如何なる他の光電子装置としても実施され得る。
ダイ236は、基板の上に取り付けられた導波管から光学入力を受信し、入力データを電気フォーマットに変換する。加えて、ダイ236は、IC220から電気入力を受信し、導波管245を通じて同様に基板210の上に取り付けられた光学コネクタ250に送信される光学信号に変換する。
1つの実施態様によれば、導波管245は、基板210の表面の上に直接的に組み立てられる。よって、導波管245は、パッケージの組立中に基板210からパターン化される。結果的に、光学サブアセンブリ230は、ダイ236の属性の利点を享受するために、導波管245に直接的に結合可能とされる。1つの実施態様において、光学サブアセンブリ230は、ダイ236及び導波管245の光学軸の完全な整列を構築するために「電子を上」げる(turns “electrons up”)。1つの実施態様において、ソルダ自動整列技法が整列を容易化する。
図3は、基板210の上に取り付けられる光学サブアセンブリの1つの実施態様の上面図を例証している。図3に示されるように、導波管245は、鏡又は他の整列補助の回転の必要とせずに、基板210パッケージの構成部品としてパターン化されているので、ダイ236は、導波管245と直接的に整列され得る。
さらに、図3は、コネクタ250を基板210に取り付けるよう実施される機構を例証している。コネクタ250は、コネクタ250を導波管245に係止し且つ整列する係止機構310を含む。加えて、コネクタ250は、フック320を含む。
図4は、基板210の上に取り付けられる光学サブアセンブリの他の実施態様の上面図を例証している。この実施態様において、整列マーク420及びトレンチ440の組立てが示されている。整列マーク420及びトレンチ440は、光学コネクタ250を基板210の上に取り付けるよう実施される。
前記の記載を読んだ後、本発明の多くの変更及び修正が当業者に疑いなく明らかになるであろうが、例証として示され且つ記載された如何なる具体的な実施態様も、制限的であると考えられることは全く意図されていない。従って、様々な実施態様の詳細の参照は、発明と考えられる機能のみを引用する請求項の範囲を制限することは意図されていない。
コンピュータシステムの1つの実施態様を示すブロック図である。 統合された光学パッケージの1つの実施態様を示す側面図である。 統合された光学パッケージの1つの実施態様を示す上面図である。 統合された光学パッケージの他の実施態様を示す上面図である。

Claims (20)

  1. プリント回路板と、
    該プリント回路板の上に取り付けられる基板と、
    該基板の上に取り付けられる集積回路と、
    前記基板の上に取り付けられ且つ前記集積回路に結合される光電子サブアセンブリと、
    前記基板の上にパターン化される導波管とを含む、
    システム。
  2. 前記光電子サブアセンブリは、
    前記集積回路に結合されるインターコネクトと、
    該インターコネクトの上に取り付けられる金属パターン化されたガラス基板と、
    該ガラス基板の上に取り付けられる光電子集積回路とを含む、
    請求項1に記載のシステム。
  3. 前記インターコネクトは、フレキシブルプリント回路板である、請求項2に記載のシステム。
  4. 前記光電子集積回路は、前記ガラス基板の上に取り付けられるフリップチップである、請求項2に記載のシステム。
  5. 善意光電子集積回路は、面発光レーザである、請求項2に記載のシステム。
  6. 前記光電子集積回路は、光検出器である、請求項2に記載のシステム。
  7. 前記光電子集積回路は、前記導波管と直接的に整列される、請求項2に記載のシステム。
  8. 前記光学サブアセンブリは、前記光電子集積回路の光学軸と前記導波管との間の直接的な整列を構築するために、電子を上げる、請求項2に記載のシステム。
  9. 前記基板の上に取り付けられるスモールフォームファクタ(SFF)光学コネクタをさらに含む、請求項2に記載のシステム。
  10. 前記光学コネクタは、
    前記光学コネクタを前記基板に係止する係止機構と、
    フックとを含む、
    請求項2に記載のシステム。
  11. 光電子アセンブリであって、
    集積回路に結合されるフレキシブルプリント回路板と、
    前記フレキシブルプリント回路板の上に取り付けられる基板と、
    前記ガラス基板の上に取り付けられる光電子集積回路とを含み、
    当該光電子アセンブリは、前記光電子集積回路の光学軸と導波管との間の直接的な整列を構築する、
    光電子サブアセンブリ。
  12. 前記光電子集積回路は、前記ガラス基板の上に取り付けられるフリップチップである、請求項11に記載の光電子サブアセンブリ。
  13. 前記光電子集積回路は、面発光レーザである、請求項11に記載の光電子サブアセンブリ。
  14. 前記光電子集積回路は、光検出器である、請求項11に記載の光電子サブアセンブリ。
  15. 前記基板は、ガラス基板である、請求項11に記載の光電子サブアセンブリ。
  16. 導波管を基板の上にパターン化するステップと、
    前記基板の上に集積回路を取り付けるステップと、
    前記基板の上に光電子サブアセンブリを取り付けるステップとを含む、
    方法。
  17. 前記光電子サブアセンブリを取り付けるステップは、
    フレキシブルプリント回路板を前記集積回路に結合するステップと、
    前記フレキシブルプリント回路板の上にガラス基板を取り付けるステップと、
    前記ガラス基板の上に光電子集積回路を取り付けるステップとを含む、
    請求項16に記載の方法。
  18. 前記基板の上に光学コネクタを取り付けるステップをさらに含む、請求項17に記載の方法。
  19. 前記基板の上に光学コネクタを取り付けるステップは、
    前記光学コネクタを前記導波管と整列するステップと、
    前記光学コネクタを前記基板の上に係止するステップとを含む、
    請求項18に記載の方法。
  20. 前記基板をプリント回路板の上に取り付けるステップをさらに含む、請求項18に記載の方法。
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