JP2008531528A - パクリタキセルの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】10−デアセチルバッカチンからパクリタキセルを製造する。
【解決手段】パクリタキセルの製造方法は、10−デアセチルバッカチンから開始して、以下の3つの工程:a)シリル化基による10−デアセチルバッカチンの7位のヒドロキシ基の保護、次いでb)10位のヒドロキシ基のアセチル化、c)必要に応じて、得られたバッカチンIII誘導体の結晶化を含む「ワンポット」反応により、バッカチンIIIの10−アセチル化誘導体を得る工程と、それに続いて、先に得られた10−アセチル化バッカチンIII誘導体の13位で、(4S,5R)−3−N−ベンゾイル−2RS−メトキシ−4−フェニル−1,3−オキサゾリジン−5−カルボン酸とのエステル化による縮合工程と、次いで環状側鎖のオキサゾリジンの開環、およびそれと同時の7位のヒドロキシ基の遊離工程を含む。
【選択図】なし

Description

本発明は、10−デアセチルバッカチン(10−DAB)からパクリタキセルを製造するための方法に関する。
国際公開第94/07878号には、保護された10−DABまたはバッカチンIIIから、オキサゾリジン環状鎖を含むバッカチンIII誘導体を中間体を得て、次いでこの環状鎖の開環を行うタキサン誘導体、具体的にはパクリタキセルの製造方法が記載されている。しかしながら、種々の工程、特に保護された10−DABまたはバッカチンIIIの調製の前の工程は、具体的に記載されていなかったため、有効な産業上の実施の目的のために最適化されてはおらず、そのために大規模な産業上の用途のために望まれる程十分な結果を達成することはできなかった。
国際公開第2006/004708号には、式:
Figure 2008531528
(式中Zは−OHまたは保護された−OHであり、GおよびGは同一であるか、または異なり、独立にヒドロキシル保護基を表す)
で表されたタキサンを保護するための方法が記載されており、
この方法は、タキサンの7位および/または10位の遊離ヒドロキシル基の保護、ならびにタキサンの13位のヒドロキシル基の側鎖を縮合して13位が保護されたタキサン中間体を調製する方法であって、
前記保護および縮合工程は「ワンポット」反応であり、タキサンは塩基、適切なヒドロキシル保護剤、および側鎖前駆体と結合し、前記側鎖前駆体はβ−ラクタム、オキサゾリジンまたはオキサゾリンである。
国際公開第94/07878号パンフレット 国際公開第2006/004708号パンフレット
本発明によると、10−デアセチルバッカチンを原料物質として、
以下の3つの連続工程:
a)シリル化基による、10−DABの7位のヒドロキシル基の保護、次いで
b)10位のヒドロキシル基のアセチル化、
c)必要に応じて行われる、得られたバッカチンIII誘導体の結晶化
で構成される「ワンポット」反応により、バッカチンIIIの10−アセチル化誘導体を得る工程と;
それに続く、式:
Figure 2008531528
で表される(4S,5R)−3−N−ベンゾイル−2RS−メトキシ−4−フェニル−1,3−オキサゾリジン−5−カルボン酸と、
一般式:
Figure 2008531528
(式中Zはシリル化保護基である)
で表される、前記10−アセチル化バッカチンIII誘導体とを、その13位でエステル化によって縮合し、
一般式:
Figure 2008531528
(式中Zはシリル化保護基である)
で表される誘導体を得る工程と;
次いで環状側鎖であるオキサゾリジンを開環させ、それと同時に、前記誘導体の7位のヒドロキシル基をその保護基からの脱保護させて、パクリタキセルを得る工程と;ならびに
必要に応じて行われる、得られたパクリタキセルの精製工程と;
を含む製造工程によって、パクリタキセルを有利に調製できることが現在わかっている。
保護基Zは、タキサンの化学反応系で通常使用されるシリル化保護基(またはシリル化基)から選択され、このシリル化保護基の誘導および脱離によって、分子の他の部分の構造は損なわれない。特に、7位のヒドロキシル基の保護基は、トリアルキルシリル基、ジアルキルアリールシリル基、アルキルジアリールシリル基またはトリアリールシリル基から選択することができ、ここで、アルキル基は1〜4個の炭素原子を含む直鎖または分枝鎖であってもよく、アリール基は、好ましくはフェニルである。シリル化保護基としては、例えばトリエチルシリル基またはトリメチルシリル基が例示でき、好ましくはトリエチルシリル基である。
シリル化基による、10−DABの7位のヒドロキシル基の保護は、欧州特許第336840号に記載される方法にしたがって、ピリジン(無水ピリジン)の存在下で、または国際公開第94/14787号に記載される方法にしたがって、ジメチルアミノ−4−ピリジン(溶媒:ジクロロメタン等)の存在下で、塩化トリエチルシリル基の作用によって有利に行われる。前記反応は、0〜10℃の間の温度、好ましくは5〜10℃の間の温度で行われる。
工程b)でのシリル化された10−DABのアセチル化は、欧州特許第336840号に記載される条件下で、塩化アセチルまたは無水酢酸の作用によって行われる。好ましくは、この方法は、0〜25℃の間の温度、好ましくは20℃近辺の温度で、ピリジン中に無水酢酸を加えることによって行われる。
得られたアセチル化誘導体を精製することが所望される場合、7位が保護されたバッカチンIII誘導体は、体積比50/50のメタノール/水混合物(または混合溶媒)から、有利に結晶化される。好ましくは、7−トリエチルシリルオキシバッカチンIIIが使用され、0〜30℃の間の温度で行われた後、温度はおよそ10℃に維持される。
7位のヒドロキシル基の保護、10位でのアセチル化、および、必要に応じて行われる7位が保護されたバッカチンIII誘導体の結晶化の3つの工程は、形成された中間体生成物を単離せずに行われる。
一般式:
Figure 2008531528
(式中Zはシリル化保護基である)
で表されるバッカチンIIIの10−アセチル化誘導体と、(4S,5R)−3−N−ベンゾイル−2RS−メトキシ−4−フェニル−1,3−オキサゾリジン−5−カルボン酸とのエステル化は、例えばカルボジイミド類(例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミド)等の縮合剤、およびアミノピリジン類(例えば、4−ジメチルアミノピリジン、4−ピロリジノピリジン)等の窒素含有塩基の存在下で行われる。反応は、エーテル類、エステル類(例えば、酢酸エチル)、ニトリル類、または脂肪族もしくは芳香族炭化水素等の有機溶媒中で、−10〜90℃の間の温度、好ましくは10〜30℃の間の温度、より好ましくは20〜25℃の間の温度で行われる。好ましくは、このようにして得られたエステルは、メタノールの存在下で結晶化される。
環状側鎖であるオキサゾリジンの開環、およびそれと同時に行われる7位のヒドロキシル基の脱保護は、エステル類(例えば、酢酸エチル)もしくはアルコール類(例えば、エタノールまたはメタノール)等の有機溶媒中またはこれらの溶媒の混合物(または混合溶媒)中で、例えば酢酸エチル/エタノール混合溶媒中で、35〜55℃の間の温度、好ましくは40〜50℃の間の温度で、例えばハロゲン化酸(例えば塩酸等)などの酸が添加され、次いで水が添加されることによって、行われる。好ましくは、この方法は、不活性な雰囲気下で行われる。このようにして得られた粗パクリタキセルは、クロマトグラフィーおよび結晶化によって精製される。
操作条件はまた、国際公開第94/07878号にも記載されている。
以下の実施例によって、本発明を説明する。
実施例1:
7−O−トリエチルシリルバッカチンIII
Figure 2008531528
0.42g(2.79mmol)のクロロトリエチルシランを、30分のうちに、不活性な雰囲気下、5℃で、撹拌している1g(1.84mmol)の10−デアセチルバッカチンIII溶液(溶媒:2ml無水ピリジン)に加える。5℃で24時間の反応の後、0.37g(3.62mmol)の無水酢酸を30分のうちに加え、次いで反応混合物を周囲温度に戻し、22時間反応させる。その後、5mlのメタノール/水(50/50)の混合物を30分のうちに加える。懸濁液を30分間撹拌し続け、次いで、焼結ガラスを通してろ過する。
乾燥後、1.09gの表題の化合物を、白色固体の形態で得る(収率=85%)。
得られた化合物は、以下の特性を有する。
H NMR 400MHz(CDCl)(δ ppm):8.11(2H,d,J=7.1Hz);7.6(III,t,J=7.4Hz);7.48(2H,t,J=7.7Hz);6.46(1H,s);5.63(1H,d,J=7Hz);4.96(1H,d,J=8.1Hz);4.83(1H,m);4,49(1H,dd,J=10.4 および 6.7Hz);4.31 および 4.15(2H,2d,J=8.3Hz);3.38(1H,d,J=7Hz);2.53(1H,m);2.29(3H,s);2.27(2H,m);2.19(3H,d,J=0.8Hz);2.18(3H,s);2.12(1H,d);1.88(1H,m);1.68(3H,s);1.65(1H,s);1.2(3H,s);1.04(3H,s);0.92(9H,t);0.59(5H,m)。
実施例2:
13−O−[[(4S,5R)−3−N−ベンゾイル−4−フェニルオキサゾリジン−2RS−メトキシ−5−イル]カルボニル]−7−O−トリエチルシリル−バッカチンIII
Figure 2008531528
1g(1.43mmol)の7−O−トリエチルシリルバッカチンIIIを、不活性な雰囲気下、周囲温度で撹拌している0.58g(1.77mmol)の(4S,5R)−3−N−ベンゾイル−4−フェニルオキサゾリジン−2RS−メトキシ−5−カルボン酸溶液(溶媒:6.5ml酢酸エチル)に加える。0.73g(3.54mmol)のジシクロヘキシルカルボジイミド溶液(溶媒:1ml酢酸エチル)および0.02g(0.16mmol)の4−ジメチルアミノピリジンを加える。1時間の反応の後、ろ過によって不溶性物質を除去し、有機相を減圧下で濃縮する。
1.36gの表題の化合物を、帯黄色の残渣の形態で得る(収率=95%)。
得られた化合物は、以下の特性を有する。
H NMR 400MHz(CDCl)(δ ppm):8.13(2H,d,J=7.3Hz);7.75(2H,d,J=7.3Hz);7.61(1H,t,J=7.4Hz);7.50(5H,m);7.41(5H,m);7.05(1H,d,J=9.0);6.43(1H,s);6.19(1H,t,J=8.6Hz);5.80(1H,dd,J=8.9 および 2.4Hz);5.69(1H,d,J=7Hz);4.92(1H,d,J=8.1Hz);4.80(1H,d,J=2.4Hz);4.44(1H,dd,J=10.4 および 6.7Hz);4.30 および 4.19(2H,2d,J=8.4Hz);3.80(1H,d,J=7Hz);3.63(1H,s);2.52(1H,m);2.38(3H,s);2.31(2H,m);2.18(3H,s);1.91(3H,d,J=0.6Hz);1.88(1H,m);1.70(3H,s);1.23(3H,s);1.18(3H,s);0.97(6H,t,J=8.0Hz);0.92(3H,t,J=8.0Hz);0.59(6H,m)。
実施例3:
パクリタキセル
Figure 2008531528
2ml(3mmol)の、1.5N塩酸水溶液を、不活性な雰囲気下で、45℃に加熱した撹拌している1g(1mmol)の13−O−[[(4S,5R)−3−N−ベンゾイル−4−フェニルオキサゾリジン−2RS−メトキシ−5−イル]カルボニル]−7−O−トリエチルシリルバッカチンIII溶液(溶媒:8mlの酢酸エチルおよび4mlのエタノール)中に加える。1時間の反応の後、2mlの水を加え、反応混合物をさらに3時間、45℃で撹拌する。16mlの酢酸エチルの添加の後、有機相を11mlの炭酸水素ナトリウムの飽和水溶液で洗浄し、次いで11mlの塩化ナトリウムの飽和水溶液で洗浄し、減圧下で濃縮する。
シリカゲル(10μm)での粗生成物のクロマトグラフィー(溶離剤:クロロへキサン/酢酸エチル、5/5)、ならびにエタノールおよび水(25/75)の混合物からの結晶化の後、0.65gのパクリタキセルが、結晶状態で単離される(収率=80%)。

Claims (5)

  1. 10−デアセチルバッカチン(10−DAB)を原料物質として、
    以下の3つの連続工程:
    a)シリル化基による、10−DABの7位のヒドロキシル基の保護、次いで
    b)10位のヒドロキシル基のアセチル化、
    c)必要に応じて行われる、得られたバッカチンIII誘導体の結晶化、
    で構成されるワンポット反応により、バッカチンIIIの10−アセチル化誘導体を得る工程と;
    それに続いて、式:
    Figure 2008531528

    で表される(4S,5R)−3−N−ベンゾイル−2RS−メトキシ−4−フェニル−1,3−オキサゾリジン−5−カルボン酸と、
    一般式:
    Figure 2008531528

    (式中Zはシリル化保護基である)
    で表される、前記10−アセチル化バッカチンIII誘導体とを、その13位でエステル化によって縮合し、
    一般式:
    Figure 2008531528

    (式中Zはシリル化保護基である)
    で表される誘導体を得る工程と;
    次いで環状側鎖であるオキサゾリジンを開環させ、それと同時に、前記誘導体の7位のヒドロキシル基をその保護基から脱保護させて、パクリタキセルを得る工程と;ならびに、
    必要に応じて行われる、得られたパクリタキセルの精製工程と;
    を含むパクリタキセルの製造方法。
  2. 請求項1において、シリル化保護基がトリアルキルシリル基、ジアルキルアリールシリル基、アルキルジアリールシリル基またはトリアリールシリル基から選択され、ここでアルキル基が、直鎖または分枝鎖中に1〜4個の炭素原子を含み、アリール基がフェニル基であることを特徴とする、方法。
  3. 請求項2において、シリル化保護基がトリエチルシリル基またはトリメチルシリル基から選択されることを特徴とする、方法。
  4. 請求項1から3のいずれか1項において、7位が保護されたバッカチンIII誘導体が、メタノール/水混合物から結晶化されることを特徴とする、方法。
  5. 請求項4において、7位が保護されたバッカチンIII誘導体が、7−トリエチルシリルオキシバッカチンIIIであることを特徴とする、方法。
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