JP2008530751A - 高輝度放電ランプを作動させるための方法及び回路装置 - Google Patents

高輝度放電ランプを作動させるための方法及び回路装置 Download PDF

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Abstract

直流(DC)供給ライン(4、6)によって給電される高輝度放電ランプ(2)の作動方法及び回路装置(1)であって、トランス(40)を備え、一次巻線(42)がインダクタ(46)及びコンデンサ(48)と直列で給電ライン(4、6)に接続され、トランスの二次巻線(44)が高強度放電ランプ(2)と直列に接続され、スイッチ(52)がコンデンサ(48)と直列に接続され、制御回路(56)がスイッチ(52)に接続され、これにより、制御装置(56)は、スイッチにおける電圧(VSW)のゼロクロス点を検出した際にスイッチを導通させるように制御し、制御回路は、スイッチを通過する、基準値より大きい電流の値を検出した際に、スイッチを導通させないように制御する。
【選択図】図1

Description

本発明は、請求項1及び7の前文にそれぞれ記載されているような、高輝度放電(HID)ランプを作動させるための方法及び回路装置に関する。
国際公開第2004/064457号は、あるタイプの高輝度放電(HID)ランプである高圧放電ランプを作動させるための回路装置について開示している。前記刊行物に開示された回路は、上述の回路と類似している。
HIDランプに給電されたときから、ランプの作動はいくつかのフェーズ、すなわちブレークダウンフェーズ、テークオーバーフェーズ、低温から高温へのカソード移行フェーズ、ランアップフェーズ及び定常状態のフェーズを経過する。1997年7月1日のジャーナルオブアプライドフィジックス第82巻において、L.C.ピッチフォールド氏外により、これらフェーズに関する詳細が開示されている。
ランプの両端には従来技術の共振点弧部のうちのコンデンサが接続されている。ランプには、この共振点弧部のトランスが直列に接続されている。このトランスは、オートトランスフォーマとすることができる。回路装置への電源をオンにスイッチングすると、制御回路は点弧部のスイッチを交互にオンオフするので、この共振点弧部の前記コンデンサ及びトランスの一次巻線を通過する交流電流を発生する。スイッチング周波数を下げると、点弧電圧も低下する。点弧電圧周波数がスイッチング周波数の倍数となるように、スイッチング周波数を定めなければならない。始動時に前記コンデンサの両端、従ってこのコンデンサに並列に接続されたランプの両端に高電圧が生じる。ある瞬間にランプはブレークダウンする。次にランプの両端の電圧は高レベルのパルス波形を示すことになる。ブレークダウン後、前記共振点弧部によって決定された周波数の交流電流が発生され、この電流が前記コンデンサ及びランプを通過するように送られるよう、点弧部は作動状態に維持される。ランプの両端電圧の比較的低い値を検出すると、ランプはランアップ作動フェーズになっていると見なされ、共振点弧部はオフにスイッチングされる。共振点弧回路によって提供されていない比較的低い周波数の電流は、ランプしか通過しない。直流供給ラインに接続されている一続きの2つのバッファコンデンサのうちの一方のコンデンサには、電源回路(APS)が並列に接続されている。APSは、点弧中にハーフブリッジ電圧を一定に維持するのに使用される。
点弧レート、またはランプが点弧するのにかかる時間は、点弧電圧の振幅と、その周波数の積に依存する。従来技術の回路は、高い点弧周波数を許容しない。従って、この回路は点弧を生じさせ且つ持続させるのに必要な前記積の値を得るために、高い点弧電圧を発生させなければならない。このような比較的低い点弧電圧及び高い点弧電圧を得るには、大きな点弧用トランスが必要であり、このことは欠点となっている。
従来の回路装置の別の欠点は、この回路装置が別の電源回路を使用しなければならず、これによって回路が全体としてより複雑かつ高価となることである。
本発明の目的は、上記従来の方法及び回路の欠点を解決することにある。
本発明の上記目的は、請求項1記載の方法を提供することによって達成される。
共振回路の電圧のゼロクロス点において、一次電流の発生を制御することによって、電流の発生によるスイッチング損失を低減する。従って、点弧部の高いスイッチング周波数及び高い共振周波数を使用できる。この結果、比較的高い共振周波数を使用すると、点弧状態に達し、この状態を持続するのに、より低い点弧電圧で済む。従って、トランスは小さくてよく、コスト的により効果的である。他方、トランスの一次電圧が高いことにより、低巻線比、低い二次インダクタンス、更により小さいサイズ及び少ないコストですむ。
上記目的は請求項7記載の回路装置を提供することによっても達成される。
一次巻線が点弧共振部の追加インダクタ及びコンデンサと直列に接続されている飽和タイプのトランスを使用することが好ましい。この結果、トランスが飽和すると、トランスの一次巻線内の電流の増加レートが制限される。従って、トランスの二次電流、またはランプの回路のショートが、一次巻線の電流及び電圧に大きな影響を与えることはない。前記電流及び電圧は、基本的には点弧共振部の追加インダクタ及びコンデンサによって決定される。従って、かかる回路装置は極めてロバストである。
添付図面を参照し、次の説明を読めば、本発明が次第により明らかとなろう。
図1は、高輝度放電(HID)ランプ2を作動させるための回路装置1の回路図を示す。この回路装置は、2本の直流DC供給ライン4及び6を備える。ライン6の電圧がゼロであるとすると、ライン4上のDC供給電圧は正となる。
この回路装置1は、更にダウンコンバータも備える。このコンバータの構成は本発明の一部を構成するものでない。従って、このコンバータの一部のみを示し、特に、供給ライン4及び6に直列に接続されている2つのスイッチ回路である。前記スイッチ回路のうちの1つは、順方向バイアスがかけられたダイオード8とMOSFETスイッチ10の直列回路と、この直列回路に並列な、逆方向バイアスがかけられたダイオード12を備える。他方のスイッチ回路は、順方向バイアスがかけられたダイオード14とMOSFETスイッチ16の直列回路と、この直列回路に並列な、逆方向バイアスがかけられたダイオード18とを備える。これらスイッチ回路は、共通接続点又はノード20を有する。
供給ライン4及び6には、共通ノード26を有し、例えば数百ナノファラッドのオーダーの2つの小型フィルタコンデンサ22と24の直列回路も接続されている。インダクタ28が、ノード20及び26に接続されている。これらコンデンサ22及び24は、インダクタ28を通過する電流の高周波の交番変化をフィルタリングするために使用されている。供給ライン4及び6には、共通ノード34を有し、例えば47μFの比較的大きい2つのバッファコンデンサ30と32の直列回路も接続されている。これらバッファコンデンサ30及び32は、ノード34における電圧(ハーフブリッジ電圧)を実質的に一定に維持するのに使用されている。ノード26及び34には、ランプ2と点弧回路36の直列回路が接続されている。
正常に作動する間、ダウンコンバータの制御回路(図示せず)は、一方のスイッチ10又は16をターンオンし、その間、それぞれ他方のスイッチ16及び10をターンオフするようなパルスシーケンスを発生する。このパルスは高周波、例えば20〜500kHzで発生される。パルスシーケンスは、可能な場合にはダイナミックに、ランプ2にDC電流が供給されるように選択され、これはスイッチ制御パルスシーケンスの前記高周波よりも低い周波数で電流の向きが変わる。比較的低周波でのかかる整流が、ランプの適正な作動を維持するために必要である。このような作動方式及びその実施は、本発明の一部を構成するものでない。
HIDランプに給電されたときから、ランプの作動はいくつかのフェーズ、すなわちブレークダウンフェーズ、テークオーバーフェーズ、低温から高温へのカソード移行フェーズ、ランアップフェーズ及び定常状態のフェーズを経過する。ランプ2がブレークダウンする直前に、ランプ2の両端に高電圧が生じる。ランプ2がブレークダウンする(ランプは導通状態となる)と、ランプのインピーダンスは極めて大幅に低下する。この結果、ランプ2の両端間電圧が低下する。この電圧は低く、ランプ2の導通状態を自ら維持する。ランプがブレークダウンする際に、ランプ2が消灯するのを防止するため、点弧回路が使用されている。図1は、本発明に係るそのような点弧回路36の一実施例を示す。
点弧回路36は一次巻線42と二次巻線44とを有するトランス40を備える。ランプ2に対して点弧回路36を直列に接続しているのは、前記二次巻線44である。一次巻線42は、供給ライン4と6との間でインダクタ46とコンデンサ48と直列に接続されており、この場合、コンデンサ48は供給ライン6に接続されている。コンデンサ48のターミナル、すなわち接続ノード50は、MOSFETスイッチ52と抵抗器54の直列回路に接続されており、この場合、抵抗器54は、供給ライン6に接続されている。MOSFET52のドレイン、ゲート及びソースは、制御回路56のZ入力端、G出力端及びP入力端にそれぞれ接続されている。この制御回路は、ST−マイクロエレクトロニクス社のL6562と表示されているような、市販されている集積回路とすることができる。この制御回路は、Z入力端における電圧VSWを測定し、この電圧のゼロクロス点を検出する。抵抗器54は小さい抵抗値を有し、この抵抗を通過する電流、従って、トランス40の一次巻線42とインダクタ46とMOSFET52とを通過する電流Iprimを測定するのに使用される。この制御回路は、P入力端における電圧を測定し、この電圧と基準値とを比較する。前記基準値は、MOSFETスイッチ52を制御する、G出力端におけるゲート電圧Vgを制御回路が変えなければならない電流Iprimの値に相当している。この基準値は電流基準値Irefとも称す。
点弧回路36は次のように作動する。
供給ライン4及び6に電源電圧が印加されると、制御回路56はスイッチ52を導通させるように制御する。トランス40の一次巻線42と、インダクタ46と、コンデンサ48と、スイッチ52を電流Iprimが通過する。この電流Iprimは増加する。測定された電流が電流基準値Irefに達すると、制御回路56はスイッチ52を導通させないように制御する。そして、一次巻線42と、インダクタ46と、コンデンサ48の直列回路に蓄積されたエネルギーは、この直列回路を共振させる。従って、この直列回路は共振回路とも称される。
図2には、共振回路を通過する電流Iprimが示されている。トランス40が飽和タイプのものである場合、このトランスは一次巻線電流Iprimのサイクル時間のうちの一部の間で、エネルギーを二次巻線44に伝えない。図2は、時間t2からトランスが飽和状態から復帰し、エネルギーの伝達が生じ得ることを示している。この結果、一次巻線電流Iprimは、図2に電圧Vsecで示されるような電圧パルスを二次巻線44の両端に誘導する。
図2における時間t1にて、Z入力端で電圧VSWのゼロクロスが検出されると、制御回路56はスイッチ52を導通させるように制御する。図2における時間t3にて、電流基準値に達すると、制御回路はスイッチ52を導通させないように制御する。時間t1とt3との間で供給ラインから共振回路へエネルギーが送られるので、共振状態が持続する。
一例として、インダクタ46が250μHの値を有し、コンデンサ48が8.2nFの値を有し、Iprimが3Aのピーク値を有する場合、二次巻線44で電圧Vsecのピーク値が得られた。Vsecのかかる電圧パルスのシーケンスが、引き続いて起こる低温から高温へのカソード移行フェーズに到達するのにかかった時間の間、200Wのランプ2をテークオーバーフェーズに維持できた。一次巻線電流Iprimは、わずか14μsのサイクル時間しか有しておらず、これにより高い二次電圧パルスを発生でき、トランスのサイズを小さくできた。スイッチ52における電圧VSWは、850Vの高いピーク値を有していた。従って、二次巻線の両端の電圧も高いピーク値を有していた。この結果、トランス40の巻線42と44の巻数比は小さくてよいので、二次巻線のインダクタンスの値を小さくでき、よってトランス40と点弧回路30を全体として小さくすることができた。
トランス40は、飽和タイプのものであるので、二次巻線44又はランプ2の短絡は、トランス40の一次巻線側における電圧VSW及び電流Iprimに大きな影響を与えない。これによって、点弧回路、よって回路装置が全体としてロバストとなる。
低温から高温へのカソード移行フェーズに到達したとき、またはその直後にランプ2の正常な作動フェーズに達したときに、点弧回路36の作動を停止できる。これを行うために、ランプ2のインピーダンスの変化を検出できる。ランプ2は点弧回路36に対する負荷であるので、ランプのインピーダンス変化により一次巻線電流Iprimが変化する。従って、制御回路56がスイッチ52を導通するよう(または導通しないよう)制御する時間も変化する。従って、スイッチ52の導通時間と基準値とを比較することにより、制御回路56はスイッチ52がそれ以上導通しないように制御することを決定できる。
ランプのインピーダンスの変化に基づき、ランプ2の作動状態を検出する代わりに、またはその検出に加え、電源電圧を印加してから特定の時間の後に、点弧回路36の作動を停止させるためにタイマーを使用することもできる。
以上で、高輝度放電ランプを作動させるための回路装置の好ましい実施例について説明した。本発明は添付した特許請求の範囲によって決定され、本発明の範囲内で、前記好ましい実施例について変形が可能であることが理解できるはずである。
本発明による高輝度放電ランプを作動させるための回路装置の一実施例を示す図である。 図1に示された回路装置が作動している間に生じる電圧と電流のタイムチャートを示す。
符号の説明
1 回路装置
2 高輝度放電ランプ
4、6 供給ライン
8 ダイオード
10 MOSFETスイッチ
14 ダイオード
20 ノード
22、24 フィルタコンデンサ
26 共通ノード
28 インダクタ
30、32 コンデンサ
36 点弧回路
40 トランス
42 一次巻線
44 二次巻線
52 MOSFETスイッチ
54 抵抗器
56 制御回路

Claims (12)

  1. 直流(DC)電源電圧をDC供給ラインに印加するステップと、
    前記電源電圧から交流(AC)電圧を発生するステップと、
    高圧放電ランプがブレークダウンし得るように、このランプに前記AC電圧を印加するステップと、
    前記ランプと直列に接続されたトランスの二次巻線にAC点弧電圧を発生させるように、共振回路の一部であるトランスの一次巻線にAC一次電流を発生させるステップと、を備え、
    前記AC点弧電圧が、前記ブレークダウンに続く前記ランプのテークオーバーフェーズ中にランプのブレークダウンを維持するのに適した周波数及び振幅を有し、前記共振回路の接続点を前記供給ラインの一方に一時的に繰り返し接続することにより、前記共振回路の共振が持続されるようになっている高圧放電ランプを作動させる方法であって、
    前記DC電源電圧を印加する前に、前記共振回路を双方の供給ラインに接続するステップと、
    前記ランプを前記トランスのみにより前記共振回路に接続するステップと、
    前記テークオーバーフェーズ中に、前記共振回路の前記接続点における電圧をモニタするステップと、前記一次電流をモニタするステップと、前記モニタした電圧のゼロクロスを検出したときに、前記共振回路の前記接続点を前記一方の供給ラインに接続し、前記一次電流の大きさが基準値よりも大きくなったとき、前記接続点と前記一方の供給ラインとの間の接続を切断するステップと、備えることを特徴とする高圧放電ランプを作動させる方法。
  2. 前記一次電流の大きさが飽和レベルを超える、前記一次電流のサイクル時間の一部の間で前記トランスが飽和するように、前記トランス及び前記一次電流が定められ、前記トランスの一次巻線と直列にインダクタが接続されていることを特徴とする、請求項1記載の方法。
  3. 前記ランプのテークオーバーフェーズの終了後、前記一次電流の発生を停止することを特徴とする、請求項1又は2記載の方法。
  4. 前記モニタ中にモニタした電圧及びモニタした一次電流から、前記ランプの作動状態を導き出し、前記ランプの作動状態としてのテークオーバーフェーズの終了の検出後、前記一次電流の発生を停止することを特徴とする、請求項3記載の方法。
  5. 前記共振回路の前記接続点が前記一方の供給ラインに接続されている時間の長さから、前記ランプの作動状態を導き出すことを特徴とする、請求項4記載の方法。
  6. 前記DC電源電圧の印加から、所定時間長さのタイムアウト後、前記一次電流の発生を停止することを特徴とする、請求項3記載の方法。
  7. トランス及びコンデンサを有する共振点弧部を備え、前記トランスの一次巻線がスイッチと直列で直流(DC)供給ラインに接続され、前記トランスの二次巻線が高輝度放電ランプと直列に接続されており、
    前記ランプの少なくともテークオーバーフェーズの間、前記共振点弧部の共振を持続するレートで前記スイッチを導通及び非導通に制御するように前記スイッチに接続された制御回路を更に備えた、直流(DC)供給ラインによって給電される高輝度放電ランプを作動させるための回路装置であって、
    前記トランスの前記一次巻線及び前記コンデンサが前記DC供給ラインと直列に接続され、前記スイッチが前記コンデンサと並列に接続されており、
    前記制御回路は、前記スイッチにおける電圧のゼロクロスを検出した際に前記スイッチを導通させるように制御し、前記制御回路は、前記スイッチを通過する、基準値より大きい電流の値を検出した際に前記スイッチを導通させないように制御することを特徴とする回路装置。
  8. 前記トランスは飽和トランスであり、
    インダクタが、前記トランスの前記一次巻線及び前記コンデンサと直列に接続されていることを特徴とする、請求項7記載の回路装置。
  9. 前記制御回路は、前記ランプのテークオーバーフェーズ後、前記スイッチを導通させないようにこのスイッチを制御し、非導通状態を維持することを特徴とする、請求項7又は8記載の回路装置。
  10. 前記制御回路は、前記ランプの作動状態をモニタし、前記制御回路は、前記ランプの作動状態としてのテークオーバーフェーズの完了の検出後、前記スイッチを導通させる前記スイッチの制御を終了することを特徴とする、請求項9記載の回路装置。
  11. 前記制御回路は、前記スイッチが導通している時間を測定し、前記制御回路は、測定した時間が基準値を経過したときに、前記スイッチを導通させる前記スイッチの制御を終了することを特徴とする、請求項10記載音回路装置。
  12. 前記制御回路は、前記スイッチの最初の制御からの所定の時間長さのタイムアウト後、前記スイッチを非導通状態となるように制御し、このスイッチの非導通状態を維持することを特徴とする、請求項9記載の回路装置。
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