JP2008524655A - 光信号送信器のバイアス及び整合制御のための方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (42)
- 周期的強度変調及びDPSKデータ変調を有する変調形式を用いてデータを光信号上に変調する変調器であって、RZバイアス信号に応答して前記周期的強度変調を与えるマッハ・ツェンダー型RZ変調器及びNRZバイアス信号に応答して前記DPSKデータ変調を与えるマッハ・ツェンダー型NRZ変調器から成る前記変調器と、
位相バイアス信号に応答して前記周期的強度変調と前記データ変調とを選択的に整合させる移相器と、
前記データのデータ速度より大きさが少なくとも1桁小さい帯域幅を有する低速光検出器であって、前記NRZ変調器の出力において散乱した光のパワーを表す出力を供給するよう構成された前記低速光検出器と、
前記低速光検出器の前記出力に応答して、前記RZバイアス信号、前記NRZバイアス信号又は前記位相バイアス信号の少なくとも1つを供給するコントローラと
を備えることを特徴とする光信号を伝送するための装置。 - 前記コントローラが、前記低速光検出器の前記出力に応答して、前記位相バイアス信号を供給するよう構成されることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記コントローラが、前記低速光検出器の前記出力に応答して、前記RZバイアス信号を供給するよう構成されることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記コントローラが、前記低速光検出器の前記出力に応答して、前記RZバイアス信号及び前記NRZバイアス信号を供給するよう構成されることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記コントローラが、前記低速光検出器の前記出力に応答して、前記RZバイアス信号、前記NRZバイアス信号及び前記位相バイアス信号をそれぞれ供給するよう構成されることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記周期的強度変調がRZ強度変調であることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記マッハ・ツェンダー型NRZ変調器の入力が前記マッハ・ツェンダー型RZ変調器の出力に結合され、該マッハ・ツェンダー型NRZ変調器の出力が前記変調器の前記出力として供給されることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記周期的強度変調を前記データ変調と選択的に整合させるために、前記移相器が前記マッハ・ツェンダー型RZ変調器に結合されることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記移相器が電気的可変遅延回路から成ることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記コントローラが前記低速光検出器の前記出力に応答して前記位相バイアス信号を供給するよう構成され、該位相バイアス信号が低周波位相バイアスディザを含み、該低周波位相バイアスディザが前記データ速度より大きさが少なくとも1桁小さい周波数を有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記コントローラが、前記光検出器の前記出力を表す信号を、前記位相バイアスディザを表す信号と混合することによって取得された位相バイアス誤り値に応答して、前記位相バイアス信号を供給することを特徴とする請求項10記載の装置。
- 前記コントローラが、前記位相バイアス誤り値が最小になるように前記位相バイアス信号を調節するよう構成されることを特徴とする請求項11記載の装置。
- 前記コントローラが、前記低速光検出器の前記出力に応答して前記RZバイアス信号を供給するよう構成され、該RZバイアス信号が低周波RZバイアスディザを含み、該低周波RZバイアスディザが、前記データ速度より大きさが少なくとも1桁小さい周波数を有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記コントローラが、前記光検出器の前記出力を表す信号を、前記RZバイアスディザを表す信号と混合することによって取得されたRZバイアス誤り値に応答して、前記RZバイアス信号を供給することを特徴とする請求項13記載の装置。
- 前記コントローラが、前記RZバイアス誤り値が最小になるように前記RZバイアス信号を調節するよう構成されることを特徴とする請求項14記載の装置。
- 前記コントローラが、前記低速光検出器の前記出力に応答して前記NRZバイアス信号を供給するよう構成され、該NRZバイアス信号が低周波NRZバイアスディザを含み、該低周波NRZバイアスディザが、前記データ速度より大きさが少なくとも1桁小さい周波数を有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記コントローラが、前記光検出器の前記出力を表す信号を、前記NRZバイアスディザを表す信号と混合することによって取得されたNRZバイアス誤り値に応答して、前記NRZバイアス信号を供給することを特徴とする請求項16記載の装置。
- 前記コントローラが、前記NRZバイアス誤り値が最小になるように前記NRZバイアス信号を調節するよう構成されることを特徴とする請求項17記載の装置。
- 光信号を伝送するための装置であって、
周期的強度変調及びDPSKデータ変調を有する変調形式を用いてデータを光信号上に変調する変調器であって、RZバイアス信号に応答して前記周期的強度変調を与えるマッハ・ツェンダー型RZ変調器及びNRZバイアス信号に応答して前記DPSKデータ変調を与えるマッハ・ツェンダー型NRZ変調器を含む前記変調器と、
位相バイアス信号に応答して前記周期的強度変調と前記データ変調とを選択的に整合させる移相器と、
前記データのデータ速度より大きさが少なくとも1桁小さい帯域幅を有する低速光検出器であって、前記NRZ変調器の出力において散乱した光のパワーを表す出力を供給するよう構成された前記低速光検出器と、
前記低速光検出器の前記出力に応答して、前記RZバイアス信号、前記NRZバイアス信号及び前記位相バイアス信号を供給するコントローラと
を備え、
前記RZバイアス信号が低周波RZバイアスディザを含み、前記NRZバイアス信号が低周波NRZバイアスディザを含み、前記位相バイアス信号が低周波位相バイアスディザを含み、前記RZバイアスディザ、前記NRZバイアスディザ及び前記位相バイアスディザがそれぞれ前記データ速度より大きさが少なくとも1桁小さい関連付けられた周波数を有し、
前記コントローラが、前記光検出器の前記出力を表す信号を、前記RZバイアスディザを表す信号と混合することによって取得されたRZバイアス誤り値に応答して、前記RZバイアス信号を供給するよう構成され、
前記コントローラが、前記光検出器の前記出力を表す前記信号を、前記NRZバイアスディザを表す信号と混合することによって取得されたNRZバイアス誤り値に応答して、前記NRZバイアス信号を供給するよう構成され、
前記コントローラが、前記光検出器の前記出力を表す前記信号を、前記位相バイアスディザを表す信号と混合することによって取得された位相バイアス誤り値に応答して、前記位相バイアス信号を供給するよう構成される
ことを特徴とする光信号を伝送するための装置。 - 前記周期的強度変調がRZ強度変調であることを特徴とする請求項19記載の装置。
- 前記マッハ・ツェンダー型NRZ変調器の入力が前記マッハ・ツェンダー型RZ変調器の出力に結合され、該マッハ・ツェンダー型NRZ変調器の出力が前記変調器の前記出力として供給されることを特徴とする請求項19記載の装置。
- 前記周期的強度変調を前記データ変調と選択的に整合させるために、前記移相器が前記マッハ・ツェンダー型RZ変調器に結合されることを特徴とする請求項19記載の装置。
- 前記移相器が電気的可変遅延回路から成ることを特徴とする請求項19記載の装置。
- 前記コントローラが、前記位相バイアス誤り値が最小になるように前記位相バイアス信号を調節するよう構成されることを特徴とする請求項19記載の装置。
- 前記コントローラが、前記RZバイアス誤り値が最小になるように前記RZバイアス信号を調節するよう構成されることを特徴とする請求項19記載の装置。
- 前記コントローラが、前記NRZバイアス誤り値が最小になるように前記NRZバイアス信号を調節するよう構成されることを特徴とする請求項19記載の装置。
- 前記RZバイアスディザ、前記NRZバイアスディザ及び前記位相バイアスディザの前記関連付けられた周波数が互いに異なることを特徴とする請求項19記載の装置。
- 前記関連付けられた周波数が互いの整数倍ではないことを特徴とする請求項27記載の装置。
- 周期的強度変調及びDPSKデータ変調を有する変調形式を用いてデータを光信号上に変調する変調器を動作させる方法であって、前記変調器が、RZバイアス信号に応答して前記周期的強度変調を与えるマッハ・ツェンダー型RZ変調器及びNRZバイアス信号に応答して前記DPSKデータ変調を与えるマッハ・ツェンダー型NRZ変調器から成り、前記変調器には、位相バイアス信号に応答して前記周期的強度変調と前記データ変調とを選択的に整合させる移相器が結合され、前記方法が、
前記データのデータ速度より大きさが少なくとも1桁小さい帯域幅を有し、前記変調器の前記出力におけるパワーを表す出力を供給するよう構成された低速光検出器を用いて、前記変調器の出力において散乱した光のパワーを検出する工程と、
前記低速光検出器の前記出力に応答して、前記位相バイアス信号、前記RZバイアス信号又は前記NRZバイアス信号の少なくとも1つを供給する工程と
を備えることを特徴とする方法。 - 前記低速光検出器の前記出力に応答して、前記位相バイアス信号が供給されることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記低速光検出器の前記出力に応答して、前記RZバイアス信号が供給されることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記低速光検出器の前記出力に応答して、前記RZバイアス信号及び前記NRZバイアス信号が供給されることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記低速光検出器の前記出力に応答して、前記RZバイアス信号、前記NRZバイアス信号及び前記位相バイアス信号がそれぞれを供給されることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記低速光検出器の前記出力に応答して前記位相バイアス信号が供給され、該位相バイアス信号が低周波位相バイアスディザを含み、該低周波位相バイアスディザが前記データ速度より大きさが少なくとも1桁小さい周波数を有することを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記光検出器の前記出力を表す信号を、前記位相バイアスディザを表す信号と混合することによって取得された位相バイアス誤り値に応答して、前記位相バイアス信号が供給されることを特徴とする請求項34記載の方法。
- 前記位相バイアス誤り値が最小になるように前記位相バイアス信号を調節する工程を更に備えることを特徴とする請求項35記載の方法。
- 前記低速光検出器の前記出力に応答して前記RZバイアス信号が供給され、該RZバイアス信号が低周波RZバイアスディザを含み、該低周波RZバイアスディザが前記データ速度より大きさが少なくとも1桁小さい周波数を有することを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記光検出器の前記出力を表す信号を、前記RZバイアスディザを表す信号と混合することによって取得されたRZバイアス誤り値に応答して、前記RZバイアス信号が供給されることを特徴とする請求項37記載の方法。
- 前記RZバイアス誤り値が最小になるように前記RZバイアス信号を調節する工程を更に備えることを特徴とする請求項38記載の方法。
- 前記低速光検出器の前記出力に応答して前記NRZバイアス信号が供給され、該NRZバイアス信号が低周波NRZバイアスディザを含み、該低周波NRZバイアスディザが前記データ速度より大きさが少なくとも1桁小さい周波数を有することを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記光検出器の前記出力を表す信号を、前記NRZバイアスディザを表す信号と混合することによって取得されたNRZバイアス誤り値に応答して、前記NRZバイアス信号が供給されることを特徴とする請求項40記載の方法。
- 前記NRZバイアス誤り値が最小になるように前記NRZバイアス信号を調節する工程を更に備えることを特徴とする請求項41記載の方法。
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