JP2008517989A - 触媒組成物および鏡像異性体富化基質の脱富化におけるそれらの使用 - Google Patents

Abstract

鏡像異性体富化組成物に脱富化を受けさせる方法を提供し、この方法は、炭素−ヘテロ原子結合を含有していて前記炭素がキラル中心でありかつ前記ヘテロ原子がＶ族のヘテロ原子である基質の少なくとも１番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーを含んで成る鏡像異性体富化組成物を触媒系および場合により反応促進剤の存在下で反応させることで、炭素−ヘテロ原子結合を有する前記基質の１番目および２番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーを含んで成っていて前記１番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーに対する２番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーの比率が前記鏡像異性体富化組成物中に存在していた前記１番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーに対する２番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーの比率よりも高い生成物組成物を得ることを含んで成る。好適な触媒系には、式Ｍ_ｎＸ_ｐＹ_ｒ［式中、Ｍは遷移金属であり、Ｘはハロゲン化物であり、Ｙは、場合により置換されていてもよいヒドロカルビルである中性の錯化基、場合により置換されていてもよい過ハロゲン化ヒドロカルビルである中性の錯化基、または場合により置換されていてもよいシクロペンタジエニルである錯化基であり、そしてｎ、ｐおよびｒは整数である］で表される遷移金属ハロゲン化物錯体が含まれる。前記反応促進剤は好適にはハロゲン化物塩である。

Description

本発明は、鏡像異性体富化基質（ｅｎａｎｔｉｏｍｅｒｉｃａｌｌｙ ｅｎｒｉｃｈｅｄ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ）、特にアミンに脱富化（ｄｅ−ｅｎｒｉｃｈｍｅｎｔ）を受けさせる方法に関する。

本発明の１番目の面に従い、鏡像異性体富化組成物に脱富化を受けさせる方法を提供し、この方法は、炭素−ヘテロ原子結合を含有していて前記炭素がキラル中心でありかつ前記ヘテロ原子がＶ族のヘテロ原子である基質の少なくとも１番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーを含んで成る鏡像異性体富化組成物を触媒系および場合により反応促進剤の存在下で反応させることで、炭素−ヘテロ原子結合を有する前記基質の１番目および２番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーを含んで成っていて１番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーに対する２番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーの比率が前記鏡像異性体富化組成物中に存在していた１番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーに対する２番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーの比率よりも高い生成物組成物を得ることを含んで成る。

前記生成物組成物は、好適には、炭素−ヘテロ原子結合を含有していて前記炭素がキラル中心である基質の１番目と２番目の鏡像異性体のラセミ混合物である。

本発明の方法を用いて鏡像異性的脱富化を受けさせることができる基質には、キラリティーを持つ第二級炭素原子の所のアミンおよび第二級炭素原子の所にキラリティーを持つアンモニウム塩が含まれる。

本発明の方法において、好適には、炭素−ヘテロ原子結合を含有していて前記炭素原子がキラル中心である基質は、式（１）：

［式中、
Ｘは、ＮＨＲ^３、ＮＲ^３Ｒ^４、（ＮＨＲ^３Ｒ^４）^＋Ｑ⁻を表し、
Ｑ⁻は、アニオンを表し、
Ｒ^１、Ｒ^２は、各々独立して、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、場合により置換されていてもよい複素環基または置換基を表し、
Ｒ^３は、水素原子、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、場合により置換されていてもよい複素環基または除去可能基を表し、
Ｒ^４は、水素原子、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、または場合により置換されていてもよい複素環基を表すか、或は場合により、Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^１とＲ^３、Ｒ^２とＲ^４およびＲ^３とＲ^４の中の１つ以上が場合により置換されていてもよい環１個または２個以上を形成するように連結していてもよいが、但しＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４が＊がキラル中心であるように選択されることを条件とする］
で表される化合物である。

Ｒ^１−４が独立して表し得るヒドロカルビル基には、アルキル、アルケニルおよびアリール基およびこれらの任意組み合わせ、例えばアラルキルおよびアルカリール、例えばベンジル基などが含まれる。

Ｒ^１−４が表し得るアルキル基には、炭素原子数が２０以下、特に炭素原子数が１から７、好適には炭素原子数が１から５の直鎖および分枝アルキル基が含まれる。アルキル基が分枝している場合、そのような基が含有する分枝鎖の炭素原子数はしばしば１０以下、好適には分枝鎖の原子数は４以下である。特定の態様におけるアルキル基は環式であってもよく、それは一般に最も大きな環の中に炭素原子を３から１０個含有し、そして場合により、橋渡しされている環を１個以上含有することを特徴としてもよい。Ｒ^１−４が表し得るアルキル基の例には、メチル、エチル、プロピル、２−プロピル、ブチル、２−ブチル、ｔ−ブチルおよびシクロヘキシル基が含まれる。

Ｒ^１−４が表し得るアルケニル基には、Ｃ_２−２０、好適にはＣ_２−６のアルケニル基が含まれる。存在する炭素−炭素二重結合の数は１以上であってもよい。アルケニル基は置換基、特にフェニル置換基を１個以上持っていてもよい。アルケニル基の例には、ビニル、スチリルおよびインデニル基が含まれる。Ｒ^１またはＲ^２のいずれかがアルケニル基を表す場合、炭素−炭素二重結合が存在する位置は好適にはＣ−ヘテロ原子部分に対してβ位である。

Ｒ^１−４が表し得るアリール基は環を１個または縮合環を２個以上含有していてもよく、そのような環もしくは縮合環にはシクロアルキル、アリールまたは複素環式環が含まれ得る。Ｒ^１−４が表し得るアリール基の例には、フェニル、トリル、フルオロフェニル、クロロフェニル、ブロモフェニル、トリフルオロメチルフェニル、アニシル、ナフチルおよびフェロセニル基が含まれる。

Ｒ^１−４が独立して表し得る過ハロゲン化ヒドロカルビル基には、過ハロゲン化アルキルおよびアリール基およびこれらの任意組み合わせ、例えばアラルキルおよびアルカリール基などが含まれる。Ｒ^１−４が表し得る過ハロゲン化アルキル基の例には−ＣＦ_３および−Ｃ_２Ｆ_５が含まれる。

Ｒ^１−４が独立して表し得る複素環式基には、芳香、飽和および部分不飽和環系が含まれ、これらは環を１個または縮合環を２個以上から成っていてもよく、そのような環もしくは縮合環にはシクロアルキル、アリールまたは複素環式環が含まれ得る。複素環式基は複素環式環を少なくとも１個含有し、それらの中で最も大きな環は環原子を通常は３から７個含有し、それらの中の少なくとも１個の原子は炭素でありそして少なくとも１個の原子はＮ、Ｏ、ＳまたはＰの中のいずれかである。Ｒ^１またはＲ^２のいずれかが複素環式基を表すか或は含んで成る場合、Ｃ−ヘテロ原子基と結合しているＲ^１またはＲ^２の中の原子は好適には炭素原子である。Ｒ^１−４が表し得る複素環式基の例には、ピリジル、ピリミジル、ピロリル、チオフェニル、フラニル、インドリル、キノリル、イソキノリル、イミダゾリルおよびトリアゾリル基が含まれる。

Ｒ^３が表し得る除去可能基には、−Ｐ(Ｏ)Ｒ^５Ｒ^６，−Ｐ(Ｏ)ＯＲ^７ＯＲ^８，−Ｐ(Ｏ)ＯＲ^７ＯＨ，−Ｐ(Ｏ)(ＯＨ)_２，−Ｐ(Ｏ)ＳＲ^９ＳＲ^１０，−Ｐ(Ｏ)ＳＲ^９ＳＨ，−Ｐ(Ｏ)(ＳＨ)_２，−Ｐ(Ｏ)ＮＲ^１１Ｒ^１２ＮＲ^１３Ｒ^１４，−Ｐ(Ｏ)ＮＲ^１１Ｒ^１２ＮＨＲ^１３，−Ｐ(Ｏ)ＮＨＲ^１１ＮＨＲ^１３，−Ｐ(Ｏ)ＮＲ^１１Ｒ^１２ＮＨ_２，−Ｐ(Ｏ)ＮＨＲ^１１ＮＨ_２，−Ｐ(Ｏ)(ＮＨ_２)_２，−Ｐ(Ｏ)Ｒ^５ＯＲ^７，−Ｐ(Ｏ)Ｒ^５ＯＨ，−Ｐ(Ｏ)Ｒ^５ＳＲ^９，−Ｐ(Ｏ)Ｒ^５ＳＨ，−Ｐ(Ｏ)Ｒ^５ＮＲ^１１Ｒ^１２，−Ｐ(Ｏ)Ｒ^５ＮＨＲ^１１，−Ｐ(Ｏ)Ｒ^５ＮＨ_２，−Ｐ(Ｏ)ＯＲ^７ＳＲ^９，−Ｐ(Ｏ)ＯＲ^７ＳＨ，−Ｐ(Ｏ)ＯＨＳＲ^９，−Ｐ(Ｏ)ＯＨＳＨ，−Ｐ(Ｏ)ＯＲ^７ＮＲ^１１Ｒ^１２，−Ｐ(Ｏ)ＯＲ^７ＮＨＲ^１１，−Ｐ(Ｏ)ＯＲ^７ＮＨ_２，−Ｐ(Ｏ)ＯＨＮＲ^１１Ｒ^１２，−Ｐ(Ｏ)ＯＨＮＨＲ^１１，−Ｐ(Ｏ)ＯＨＮＨ_２，−Ｐ(Ｏ)ＳＲ^９ＮＲ^１１Ｒ^１２，−Ｐ(Ｏ)ＳＲ^９ＮＨＲ^１１，−Ｐ(Ｏ)ＳＲ^９ＮＨ_２，−Ｐ(Ｏ)ＳＨＮＲ^１１Ｒ^１２，−Ｐ(Ｏ)ＳＨＮＨＲ^１１，−Ｐ(Ｏ)ＳＨＮＨ_２，−Ｐ(Ｓ)Ｒ^５Ｒ^６，−Ｐ(Ｓ)ＯＲ^７ＯＲ^８，−Ｐ(Ｓ)ＯＲ^７ＯＨ，−Ｐ(Ｓ)(ＯＨ)_２，−Ｐ(Ｓ)ＳＲ^９ＳＲ^１０，−Ｐ(Ｓ)ＳＲ^９ＳＨ，−Ｐ(Ｓ)(ＳＨ)_２，−Ｐ(Ｓ)ＮＲ^１１Ｒ^１２ＮＲ^１３Ｒ^１４，−Ｐ(Ｓ)ＮＲ^１１Ｒ^１２ＮＨＲ^１３，−Ｐ(Ｓ)ＮＨＲ^１１ＮＨＲ^１３，−Ｐ(Ｓ)ＮＲ^１１Ｒ^１２ＮＨ_２，−Ｐ(Ｓ)ＮＨＲ^１１ＮＨ_２，−Ｐ(Ｓ)(ＮＨ_２)_２，−Ｐ(Ｓ)Ｒ^５ＯＲ^７，−Ｐ(Ｓ)Ｒ^５ＯＨ，−Ｐ(Ｓ)Ｒ^５ＳＲ^９，−Ｐ(Ｓ)Ｒ^５ＳＨ，−Ｐ(Ｓ)Ｒ^５ＮＲ^１１Ｒ^１２，−Ｐ(Ｓ)Ｒ^５ＮＨＲ^１１，−Ｐ(Ｓ)Ｒ^５ＮＨ_２，−Ｐ(Ｓ)ＯＲ^７ＳＲ^９，−Ｐ(Ｓ)ＯＨＳＲ^９，−Ｐ(Ｓ)ＯＲ^７ＳＨ，−Ｐ(Ｓ)ＯＨＳＨ，−Ｐ(Ｓ)ＯＲ^７ＮＲ^１１Ｒ^１２，−Ｐ(Ｓ)ＯＲ^７ＮＨＲ^１１，−Ｐ(Ｓ)ＯＲ^７ＮＨ_２，−Ｐ(Ｓ)ＯＨＮＲ^１１Ｒ^１２，−Ｐ(Ｓ)ＯＨＮＨＲ^１１，−Ｐ(Ｓ)ＯＨＮＨ_２，−Ｐ(Ｓ)ＳＲ^９ＮＲ^１１Ｒ^１２，−Ｐ(Ｓ)ＳＲ^９ＮＨＲ^１１，−Ｐ(Ｓ)ＳＲ^９ＮＨ_２，−Ｐ(Ｓ)ＳＨＮＲ^１１Ｒ^１２，−Ｐ(Ｓ)ＳＨＮＨＲ^１１，−Ｐ(Ｓ)ＳＨＮＨ_２，−ＰＲ^５Ｒ^６，−ＰＯＲ^７ＯＲ^８，−ＰＳＲ^９ＳＲ^１０，−ＰＮＲ^１１Ｒ^１２ＮＲ^１３Ｒ^１４，−ＰＲ^５ＯＲ^７，−ＰＲ^５ＳＲ^９，−ＰＲ^６ＮＲ^１１Ｒ^１２，−ＰＯＲ^７ＳＲ^９，−ＰＯＲ^７ＮＲ^１１Ｒ^１２，−ＰＳＲ^９ＮＲ^１１Ｒ^１２，−Ｓ(Ｏ)Ｒ^１５，−Ｓ(Ｏ)_２Ｒ^１６，−ＣＯＲ^１７，−ＣＯ_２Ｒ^１８，−ＳｉＲ^１９Ｒ^２０Ｒ^２１，−ＯＨ，−ＯＲ^２２，−ＯＣ(Ｏ)Ｒ^２３，−ＮＲ^２６Ｒ^２７またはＮ＝ＣＲ^２８Ｒ^２９［ここで、Ｒ^５およびＲ^６は、独立して、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、場合により置換されていてもよい複素環基、または−Ｎ＝ＣＲ^２４Ｒ^２５ここで、Ｒ^２４およびＲ^２５はＲ^１で定義した通りである、を表し、Ｒ^７からＲ^２３は、各々独立して、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、または場合により置換されていてもよい複素環基を表し、そしてＲ^２６からＲ^２９は、各々独立して、水素、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、または場合により置換されていてもよい複素環基を表す］が含まれる。

Ｒ^１−２９のいずれかが置換されているヒドロカルビルもしくは複素環式基である場合、そのような置換基１個または２個以上は反応の速度にも立体選択率にも悪影響を与えないような置換基であるべきである。任意の置換基には、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ヒドロキシ、アミノ、チオール、アシル、ヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、複素環、ヒドロカルビルオキシ、モノ−もしくはジ−ヒドロカルビルアミノ、ヒドロカルビルチオ、エステル、カーボネート、アミド、スルホニルおよびスルホンアミド基、ここで、ヒドロカルビル基は、この上でＲ^１に関して定義した通りである、が含まれる。存在する置換基は１個以上であってもよい。

Ｒ^１またはＲ^２が表し得る置換基には、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ヒドロキシ、アミノ、チオール、アシル、カルボキシル、ヒドロカルビルオキシ、モノ−もしくはジ−ヒドロカルビルアミノ、ヒドロカルビルチオ、エステル、カーボネートおよびアミド基が含まれる。

Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^１とＲ^３、Ｒ^２とＲ^４およびＲ^３とＲ^４の中のいずれかが式（１）で表される化合物の炭素原子および／またはＸ原子のいずれかと一緒になって環を形成するように連結している場合、それらは場合により環ヘテロ原子、好適にはＯ、ＳまたはＮ環原子を１個以上含有していてもよい５、６もしくは７員の環であるのが好適である。そのような式（１）で表される化合物の例には、１−メチル−１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリン、１−フェニル−１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリンおよび１−メチル−６，７，−ジメトキシ−１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリンが含まれる。

ＸがＮＨＲ^３、ＮＲ^３Ｒ^４、（ＮＨＲ^３Ｒ^４）^＋Ｑ⁻で表される式（１）で表される化合物には、アミンまたはアンモニウム塩が含まれる。式（１）で表される化合物がアミンの場合、それを場合によりアンモニウム塩に変化させてもよい。好適なアンモニウム塩の代表例は、Ｘが（ＮＨＲ^３Ｒ^４）^＋Ｑ⁻、ここで、Ｒ^３またはＲ^４は同じまたは異なる、である式（１）で表される化合物である。式（１）で表される化合物がアンモニウム塩の場合、Ｑ⁻で表されるアニオンが存在する。存在させてもよいアニオンの例は、ハロゲン化物、水素硫酸塩、炭酸塩、水素炭酸塩、トシル酸塩、蟻酸塩、酢酸塩、テトラフルオロホウ酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩およびトリフルオロ酢酸塩である。

好適な特定態様では、Ｒ^１とＲ^２の両方を異ならせ、そして両方が異なるＣ_１−６アルキル基であるか、両方が異なるアリール基、特に一方がフェニル基であるように選択するか、或は一方がアリール、特にフェニルでありそしてもう一方がＣ_１−６アルキルであるように選択する。Ｒ^１およびＲ^２の中の一方または両方が置換フェニル基の場合、置換基が存在していてもよく、特にＣ−Ｘ基に対してパラ位に置換基が存在していてもよい。

式（１）で表される化合物の例には、Ｎ−メチル−１−フェニルエチルアミン、Ｎ−ベンジル−１−フェニルエチルアミン、１−（２−ナフチル）エチルアミン、１−（１−ナフチル）エチルアミンおよび１−フェニルエチルアミンが含まれる。

前記触媒系は、好適には、遷移金属触媒および場合により配位子を含んで成る。

場合により存在させてもよい配位子には、アルコール、スルフィドおよび好適にはアミン、特に式（１）で表されるアミンである基質が含まれる。式（１）で表される好適なアミンである基質は、Ｒ^１−４の中の少なくとも１個が場合により置換されていてもよいα−メチル基含有ヒドロカルビルである式（１）で表される置換アミンである。

配位子を用いる場合、場合により、その配位子と前記遷移金属触媒を前記基質と反応させる前に前以て混合または前以て配位させておいてもよい。そのような前以て配位させておいてもよい配位子および遷移金属触媒の例には、公開番号がＷＯ９７／２０７８９、ＷＯ９８／４２６４３およびＷＯ０２／４４１１１の国際特許出願（これらは各々引用することによって本明細書に組み入れられる）に開示されている触媒、またはＴｅｔ．Ｌｅｔｔ．２００２、４３、４６９９に記述されている触媒、例えば水素化ビス−ジカルボニル［１−ヒドロキシル−２，３，４，５−テトラフェニルシクロペンタジエニルルテニウム（ＩＩ）など、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００３、１２５、１１４９４に記述されているクロロジカルボニル［１−（ｉ−プロピルアミノ）−２，３，４，５−テトラフェニルシクロペンタジエニルルテニウム（ＩＩ）、およびＪ．Ｍｏｌ．Ｃａｔａｌ．Ａ．Ｃｈｅｍｉｃａｌ １８９、２００２、１１９に記述されている挟み錯体（ｐｉｎｃｅｒ ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ）、例えばビス−１，３−ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル−ジヒドロイリジウム−２−ベンゼンなどが含まれる。

遷移金属触媒には、遷移金属のハロゲン化物、遷移金属ハロゲン化物錯体および遷移金属の錯体が含まれるが、そのような遷移金属は場合により置き換え可能（ｄｉｓｐｌａｃｅａｂｌｅ）配位子と錯体を形成していてもよい。

置き換え可能配位子には、ホスフィン、例えばトリ−ヒドロカルビルホスフィン、例えばＰｈ_３Ｐなど、カルベン、例えばイミダゾールカルベンなど、ニトリル、例えばアセトニトリルなど、一酸化炭素、トリフレート、アルケンおよびジエンが含まれる。遷移金属が場合により置き換え可能配位子と錯体を形成していてもよい遷移金属錯体の例には、式Ｍ_ｎＬ_ｏＸ_ｐＹ_ｒ
［式中、
Ｍは、遷移金属であり、
Ｌは、置き換え可能配位子であり、
Ｘは、ハロゲン化物であり、
Ｙは、場合により置換されていてもよいヒドロカルビルである中性の錯化基、場合により置換されていてもよい過ハロゲン化ヒドロカルビルである中性の錯化基、または場合により置換されていてもよいシクロペンタジエニルである錯化基であり、そして
ｎは、整数であり、そして
ｏ、ｐおよびｒは、各々、０または整数であるが、但しｏ＋ｐ＋ｒが整数であることを条件とする］
で表される錯体が含まれる。

そのような遷移金属触媒は、好適には、周期律表のＶＩＩＩ族の遷移金属、特にルテニウム、ロジウムまたはイリジウムなどが基になった遷移金属ハロゲン化物または遷移金属ハロゲン化物錯体である。

そのような遷移金属触媒は、より好適には、式Ｍ_ｎＸ_ｐＹ_ｒ
［式中、
Ｍは、遷移金属であり、
Ｘは、ハロゲン化物であり、
Ｙは、場合により置換されていてもよいヒドロカルビルである中性の錯化基、場合により置換されていてもよい過ハロゲン化ヒドロカルビルである中性の錯化基、または場合により置換されていてもよいシクロペンタジエニルである錯化基であり、そして
ｎ、ｐおよびｒは、整数である］
で表される遷移金属ハロゲン化物錯体である。

遷移金属触媒は実質的にこの上に示した式で表される通りであると考えているが、ある場合には、また、そのような遷移金属触媒は二量体、三量体または他のある種の高分子（ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ）種として存在する可能性もある。

Ｘが表し得るハロゲン化物には、塩化物、臭化物およびヨウ化物が含まれる。Ｘは好適にはヨウ化物である。

Ｍが表し得る金属には、移動水素化（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｉｏｎ）に触媒採用を及ぼし得る金属が含まれる。好適な金属には遷移金属、より好適には周期律表のＶＩＩＩ族の金属（鉄、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムおよび白金）、より好適にはルテニウム、ロジウムまたはイリジウム、最も好適にはイリジウムが含まれる。

整数ｎ、ｐ、ｒを典型的には遷移金属ハロゲン化物錯体が全体として中性種であるように選択する。従って、ｎ、ｐ、ｒの選択は当該金属の原子価状態および存在するハロゲン化物の数および錯化基Ｙの性質に直接関係する。例えば、Ｙが負に帯電しているシクロペンタジエニルである錯化基の場合、当該金属の原子価状態と均衡を取るに必要な負帯電ハロゲン化物の数はＹが中性のヒドロカルビルである錯化基の時の数よりも少ないであろう。

当該金属がルテニウムの場合、それは好適にはＩＩの原子価状態で存在する。当該金属がロジウムまたはイリジウムの場合、それは、Ｙが場合により置換されていてもよい中性のヒドロカルビルまたは場合により置換されていてもよい中性の過ハロゲン化ヒドロカルビル配位子の時には好適にはＩの原子価状態で存在し、そしてＹが場合により置換されていてもよいシクロペンタジエニル配位子の時には好適にはＩＩＩの原子価状態で存在する。特に好適な金属はイリジウムである。

Ｙが表し得る場合により置換されていてもよいヒドロカルビルまたは過ハロゲン化ヒドロカルビルである中性の錯化基には、場合により置換されていてもよいアリールおよびアルケニルである錯化基が含まれる。

Ｙが表し得る場合により置換されていてもよいアリールである錯化基は、環を１個または縮合環を２個以上含有していてもよく、そのような環もしくは縮合環にはシクロアルキル、アリールまたは複素環式環が含まれ得る。そのような錯化基が含有する環は好適には６員の芳香環である。アリールである錯化基が有する環１個または２個以上はしばしばヒドロカルビル基で置換されている。そのような置換の様式および置換基の数は多様であり、存在する環の数の影響を受け得るが、存在する置換基の数はしばしば１から６である。置換基には、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ヒドロキシ、アミノ、チオール、アシル、ヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、複素環、ヒドロカルビルオキシ、モノ−もしくはジ−ヒドロカルビルアミノ、ヒドロカルビルチオ、エステル、カーボネート、アミド、スルホニルおよびスルホンアミド基、ここで、ヒドロカルビル基は、この上でＲ^１に関して定義した通りである、が含まれ得る。そのような１から６個の置換基は、典型的に、各々独立して、ヒドロカルビル基、好適には２、３または６個のヒドロカルビル基、より好適には６個のヒドロカルビル基である。好適なヒドロカルビル置換基には、メチル、エチル、イソプロピル、メンチル、ネオメンチルおよびフェニルが含まれる。特にアリールである錯化基が単一の環の場合、そのような錯化基は好適にはベンゼンまたは置換ベンゼンである。錯化基が過ハロゲン化ヒドロカルビルの場合、それは好適には多ハロゲン置換（ｐｏｌｙｈａｌｏｇｅｎａｔｅｄ）ベンゼン、例えばヘキサクロロベンゼンまたはヘキサフルオロベンゼンなどである。ヒドロカルビル置換基が鏡像異性および／またはジアステレオマー中心を含有する場合、それらの鏡像異性および／またはジアステレオマー的に高純度の形態を用いるのが好適である。特にベンゼン、ｐ−シミル（ｃｙｍｙｌ）、メシチレンおよびヘキサメチルベンゼンが好適な錯化基である。

Ｙが表し得る場合により置換されていてもよいアルケニルである錯化基には、Ｃ_２−３０、好適にはＣ_６−１２アルケンまたはシクロアルケンが含まれるが、それらが有する炭素−炭素二重結合は好適には２個以上、好ましくは、炭素−炭素二重結合は２個のみである。そのような炭素−炭素二重結合は、場合により、存在し得る他の不飽和系と共役していてもよく、好適には互いに共役している。そのようなアルケンもしくはシクロアルケンは好適にはヒドロカルビル置換基で置換されていてもよい。そのアルケンが有する二重結合が１個のみの場合、そのような場合により置換されていてもよいアルケニルである錯化基は個別のアルケンを２個含有し得る。好適なヒドロカルビル置換基にはメチル、エチル、イソプロピルおよびフェニルが含まれる。場合により置換されていてもよいアルケニルである錯化基の例には、シクロ−オクタ−１，５−ジエンおよび２，５−ノルボルナジエンが含まれる。特にシクロ−オクタ−１，５−ジエンが好適である。

Ｙが表し得る場合により置換されていてもよいシクロペンタジエニルである錯化基には、エータ−５結合を形成し得るシクロペンタジエニル基が含まれる。そのようなシクロペンタジエニル基はしばしば１から５個の置換基で置換されている。置換基には、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ヒドロキシ、アミノ、チオール、アシル、ヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、複素環、ヒドロカルビルオキシ、モノ−もしくはジ−ヒドロカルビルアミノ、ヒドロカルビルチオ、エステル、カーボネート、アミド、スルホニルおよびスルホンアミド基、ここで、ヒドロカルビル基は、この上でＲ^１に関して定義した通りである、が含まれ得る。シクロペンタジエニル基は好適には１から５個のヒドロカルビル基、より好適には３から５個のヒドロカルビル基、最も好適には５個のヒドロカルビル基で置換されている。好適なヒドロカルビル置換基にはメチル、エチルおよびフェニルが含まれる。ヒドロカルビル置換基が鏡像異性および／またはジアステレオマー中心を含有する場合、それらの鏡像異性および／またはジアステレオマー的に高純度の形態を用いるのが有利であり得る。場合により置換されていてもよいシクロペンタジエニルである錯化基の例には、シクロペンタジエニル、ペンタメチル−シクロペンタジエニル、ペンタフェニルシクロペンタジエニル、テトラフェニルシクロペンタジエニル、エチルテトラメチルペンタジエニル、メンチルテトラフェニルシクロペンタジエニル、ネオメンチルテトラフェニルシクロペンタジエニル、メンチルシクロペンタジエニル、ネオメンチルシクロペンタジエニル、テトラヒドロインデニル、メンチルテトラヒドロインデニルおよびネオメンチルテトラヒドロインデニル基が含まれる。特にペンタメチルシクロペンタジエニルが好適である。

式Ｍ_ｎＸ_ｐＹ_ｒ［式中、Ｍは、ＲｈまたはＩｒであり、そしてＹは、場合により置換されていてもよいシクロペンタジエニル基である］で表される遷移金属ハロゲン化物錯体が好適である。式Ｍ_ｎＸ_ｐＹ_ｒ［式中、Ｍは、Ｉｒであり、そしてＹは、場合により置換されていてもよいシクロペンタジエニル基である］で表される遷移金属ハロゲン化物錯体が最も好適である。非常に好適な錯体は、式Ｍ_ｎＩ_ｐＹ_ｒで表される遷移金属ヨウ化物錯体であり、より好適には、ＭがＩｒでありそしてＹが場合により置換されていてもよいシクロペンタジエニル基である錯体である。

遷移金属ハロゲン化物錯体の例にはＲｕ_２Ｃｌ_４(シミル)_２，Ｒｈ_２Ｃｌ_４(Ｃｐ^＊)_２，Ｒｈ_２Ｂｒ_４(Ｃｐ^＊)_２，Ｒｈ_２ｌ_４(Ｃｐ^＊)_２，Ｉｒ_２Ｃｌ_４(Ｃｐ^＊)_２，Ｒｕ_２ｌ_４(シミル)_２，ＲｈＣｌ_２Ｃｐ^＊，ＲｈＢｒ_２Ｃｐ^＊，Ｒｈｌ_２Ｃｐ^＊およびＩｒ_２Ｉ_４（Ｃｐ^＊）_２、ここで、Ｃｐ^＊はペンタメチルシクロペンタジエニル基である、が含まれる。

好適な特定態様における触媒系は、好適には、式Ｍ_ｎＸ_ｐＹ_ｒ［式中、Ｍは遷移金属であり、Ｘはハロゲン化物であり、Ｙは、場合により置換されていてもよいヒドロカルビルである中性の錯化基、場合により置換されていてもよい過ハロゲン化ヒドロカルビルである中性の錯化基、または場合により置換されていてもよいシクロペンタジエニルである錯化基であり、そしてｎ、ｐおよびｒは整数である］で表される遷移金属ハロゲン化物錯体と式（１）で表されるアミン配位子を接触させることで得ることができる組成物である。

有利には、そのような触媒系の少なくとも一部を固体状担体に担持されている状態または封じ込められている（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ）系として導入してもよい。当該触媒系を固体状担体に担持されている状態または封じ込められている系として存在させる場合、そのような担持触媒系は、特に繰り返しが想定される場合必要であり得る分離作業の実施に役立ちかつ段階と段階の間の材料の循環を容易にする可能性がある。当該触媒系の担持または封じ込めで使用可能な固体状担体または封じ込め技術の例がＷＯ０３／００６１５１およびＷＯ０５／０１６５１０に記述されている。

場合により存在させてもよい反応促進剤には、ハロゲン化物塩、例えば金属のハロゲン化物などが含まれる。好適な反応促進剤には臭化物、特にヨウ化物塩が含まれる。ヨウ化カリウムおよびヨウ化セシウムが非常に好適である。

本発明のさらなる面では、式（１）で表される出発アミンの脱水素で生じる式（２）：

［式中、
Ｘは、ＮＲ^３、ＮＲ^４、（ＮＲ^３Ｒ^４）^＋Ｑ⁻を表し、
Ｑ⁻は、アニオンを表し、
Ｒ^１、Ｒ^２は、各々独立して、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、場合により置換されていてもよい複素環基または置換基を表し、
Ｒ^３は、水素原子、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、場合により置換されていてもよい複素環基または除去可能基を表し、
Ｒ^４は、水素原子、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、または場合により置換されていてもよい複素環基を表すか、或は場合により、Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^１とＲ^３、Ｒ^２とＲ^４およびＲ^３とＲ^４の中の１つ以上が場合により置換されていてもよい環１個または２個以上を形成するように連結していてもよい］
で表される相当するイミンを製造することができる。

有利には、強酸化剤を化学量論的量で用いる必要のない穏やかな条件下でイミンを得ることができる。

式（１）で表される出発アミンの脱水素で生じる相当するイミンの生成を抑制または助長する必要がある場合、有利には、水素受容体および／または水素供与体を用いてもよい。

本発明の方法に存在させてもよい水素受容体には、酸、酸素、アルデヒドおよびケトン、イミンおよびイミニウム塩、易水素化可能炭化水素、染料、クリーンな酸化剤、炭酸塩、重炭酸塩およびこれらの任意組み合わせに由来するプロトンが含まれる。

便利な適合性酸のいずれか、例えば蟻酸、酢酸、水素炭酸塩、水素硫酸塩、アンモニウム塩またはアルキルアンモニウム塩などからプロトンを生じさせることができる。便利には、当該基質自身からプロトンを生じさせてもよい。

水素受容体として使用可能なアルデヒドおよびケトンは炭素原子を一般に１から２０個、好適には炭素原子を２から１５個、より好適には炭素原子を３から５個含有する。アルデヒドおよびケトンには、アルキル、アリール、ヘテロアリールアルデヒドおよびケトン、およびアルキル、アリールまたはヘテロアリール基を混ぜて有するケトンが含まれる。水素受容体の代表例であり得るアルデヒドおよびケトンの例には、ホルムアルデヒド、アセトン、メチルエチルケトンおよびベンゾフェノンが含まれる。水素受容体がアルデヒドまたはケトンの場合、アセトンが特に好適である。

水素受容体として使用可能な易水素化可能炭化水素には、水素を受け取る性質を有する炭化水素または還元系を生じる性質を有する炭化水素が含まれる。水素受容体として使用可能な易水素化可能炭化水素の例には、キノン、ジヒドロアレーン（ｄｉｈｙｄｒｏａｒｅｎｅｓ）およびテトラヒドロアレン（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏａｒｅｎｅｓ）が含まれる。

水素受容体の代表例であり得るクリーンな酸化剤には、高い酸化電位を有する酸化剤、特に標準的な水素電極を基準にして約０．１ｅＶより大、しばしば約０．５ｅＶより大、好適には約１ｅＶより大の酸化電位を有する酸化剤が含まれる。水素受容体の代表例であり得るクリーンな酸化剤の例には、酸化性金属および酸素が含まれる。

染料には、ローズベンガル、プロフラビン、臭化エチジウム（ｅｔｈｉｄｉｕｍ）、エオシンおよびフェノールフタレインが含まれる。

炭酸塩および重炭酸塩には、炭酸および重炭酸のアルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウムおよび第四級アミン塩が含まれる。

最も好適な水素受容体は、酸、アセトン、酸素、基質アミンおよび炭酸塩および重炭酸塩のプロトンである。

水素供与体には、水素、第一級および第二級アルコール、第一級、第二級および第三級アミン、カルボン酸およびこれらのエステルおよびアミン塩、易脱水素可能炭化水素、クリーンな還元剤およびこれらの任意組み合わせが含まれる。

水素供与体として使用可能な第一級および第二級アルコールは、炭素原子を一般に１から１０個、好適には炭素原子を２から７個、より好適には炭素原子を３または４個含有する。水素供与体の代表例であり得る第一級および第二級アルコールの例には、メタノール、エタノール、プロパン−１−オール、プロパン−２−オール、ブタン−１−オール、ブタン−２−オール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコールおよびメントールが含まれる。水素供与体がアルコールの場合、第二級アルコールが好適であり、特にプロパン−２−オールおよびブタン−２−オールが好適である。

水素供与体として使用可能な第一級、第二級および第三級アミンは、炭素原子を一般に１から２０個、好適には炭素原子を２から１４個、より好適には炭素原子を３から８個含有する。水素供与体の代表例であり得る第一級、第二級および第三級アミンの例には、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、イソブチルアミン、ヘキシルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジ−イソプロピルアミン、ジブチルアミン、ジ−イソブチルアミン、ジヘキシルアミン、ベンジルアミン、ジベンジルアミン、ピペリジン、（Ｒ）または（Ｓ）６，７−ジメトキシ−１−メチルジヒドロイソキノリン、トリエチルアミンが含まれる。水素供与体がアミンの場合、第一級アミンが好適であり、特に第二アルキル基を含有する第一級アミン、特にイソプロピルアミンおよびイソブチルアミンが好適である。

水素供与体として使用可能なカルボン酸またはこれらのエステルまたは塩は、炭素原子を一般に１から１０個、好適には炭素原子を１から３個含有する。特定態様におけるカルボン酸は有利にベータ−ヒドロキシ−カルボン酸である。そのようなカルボン酸とＣ_１−１０アルコールからエステルを生じさせることができる。水素供与体として使用可能なカルボン酸の例には、蟻酸、乳酸、アスコルビン酸およびマンデル酸が含まれる。カルボン酸を水素供与体として用いる場合、そのようなカルボン酸の少なくともいくらかを好適には塩として存在させる。アミン塩を生じさせてもよい。そのような塩を生じさせる時に使用可能なアミンには、芳香および非芳香両方のアミンが含まれるが、これらもまた第一級、第二級および第三級アミンであり、炭素原子を典型的に１から２０個含有する。第三級アミン、特にトリアルキルアミンが好適である。塩を生じさせる時に使用可能なアミンの例には、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジ−イソプロピルエチルアミンおよびピリジンが含まれる。最も好適なアミンはトリエチルアミンである。カルボン酸の少なくともいくらかをアミン塩として存在させる場合、特に蟻酸とトリエチルアミンの混合物を用いる場合、酸とアミンのモル比を一般に約５：２にする。反応過程中にいずれかの成分を添加、通常はカルボン酸を添加することで、そのような比率を維持してもよい。他の好適な塩にはナトリウム、カリウム、マグネシウムが含まれる。

水素供与体として使用可能な易脱水素可能炭化水素には、芳香化を起こす性質を有する炭化水素または高共役系を生じる性質を有する炭化水素が含まれる。水素供与体として使用可能な易脱水素可能炭化水素の例には、シクロヘキサジエン、シクロヘキセン、テトラリン、ジヒドロフランおよびテルペンが含まれる。

水素供与体の代表例であり得るクリーンな還元剤には、高い還元電位を有する還元剤、特に標準的な水素電極を基準にして約−０．１ｅＶ以上、しばしば約−０．５ｅＶ以上、好適には約−１ｅＶ以上の還元電位を有する還元剤が含まれる。水素供与体の代表例であり得る奇麗な還元剤の例には、ヒドラジンおよびヒドロキシルアミンが含まれる。

最も好適な水素供与体は、（Ｒ）または（Ｓ）６，７−ジメトキシ−１−メチルジヒドロイソキノリン、プロパン−２−オール、ブタン−２−オール、蟻酸トリエチルアンモニウム、蟻酸ナトリウム、蟻酸カリウム、および蟻酸トリエチルアンモニウムと蟻酸の混合物である。

気体状水素を存在させてもよいが、本方法を通常は気体状水素の存在無しに実施する、と言うのは、それは不必要であると思われるからである。

典型的には、不活性なパージ用ガスを用いてもよい。

本方法を適切には−７８から＋１８０℃、好適には−２０から＋１１０℃、より好適には＋４０から＋８０℃の範囲内の温度で実施する。

基質である式（１）で表される化合物の初期濃度を適切には０．０５から１．０の範囲内にするが、大規模な操作を便利に実施しようとする場合には、モルを基準にして例えば６．０以下、より特別には０．７５から２．０にしてもよい。基質と触媒系のモル比を適切には５０：１以上にするが、この比率は５００００：１以下、好適には２５０：１から５０００：１、より好適には５００：１から２５００：１であってもよい。

反応促進剤を存在させる場合、そのような反応促進剤を好適には当該基質を基準にしてモル過剰量、特に１から５倍、または便利であるならば、例えば２０倍に及ぶモル過剰量で用いる。

水素供与体および／または受容体を存在させる場合、そのような水素供与体および／または受容体を好適には当該基質を基準にしてモル過剰量、特に５から２０倍、または便利であるならば、例えば５００倍に及ぶモル過剰量で用いる。

反応時間は典型的に１．０分から２４時間の範囲、特に８時間以内、便利には約３時間である。反応後の混合物を標準的手順で処理する。

反応用溶媒、例えばジメチルホルムアミド、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、トルエン、クロロホルム、ジクロロメタン、または便利には、基質であるアミンが反応温度で液状の時には基質であるアミンを存在させてもよい。好適な溶媒には、非極性芳香溶媒、例えばトルエン、メシチレン、ｐ−シメンおよびクメンなど、および極性非プロトン性溶媒、例えばジオキサン、エーテル、例えばジエチルエーテルまたはテトラヒドロフランなど、および酢酸エステル、例えばｔ−ＢｕＯＡｃなどが含まれる。通常は、水を実質的に存在させないで実施するのが好適であるが、水が反応を過度に抑制することはないと思われる。水を溶媒として用いる場合、好適にはｐＨ緩衝剤を用いる。基質であるアミンまたは反応用溶媒が水と混和せずかつ所望生成物が水溶性の場合には、水を２番目の相として存在させる方が望ましい可能性がある。当該基質の濃度を反応時間、収率および鏡像異性体過剰度の脱富化が最適になるように選択してもよい。

本発明の方法は有利にキラル工程、例えばキラル分離、化学的および酵素的キラル分割などで得られた望まれない異性体を再利用しようとする時に使用可能である。キラル分離または分割を実施する時、典型的には、ラセミ混合物に結果として所望の鏡像異性体もしくは鏡像異性副生成物の分離がもたらされるような物理的、化学的または生化学的処理を受けさせるが、しばしば、未反応または望まれない鏡像異性体もしくは鏡像異性副生成物が残存する。本発明の方法は、未反応の鏡像異性体を所望の鏡像異性体を含有する使用可能な原料に変化させる方法を提供するものである。

本発明を以下の実施例で例示する。
［実施例１］

４０℃のクロロホルム／テトラヒドロフラン中で（Ｓ）６，７−ジメトキシ−１−メチル−１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリンのラセミ化および脱水素
５ｍｌの丸底フラスコに塩化ペンタメチルシクロペンタジエニルイリジウム（ＩＩＩ）二量体（８．３０ｍｇ、９６％、７．９７ｍｇ＝０．０１ミリモル）を加えた。クロロホルム（２５０μｌ）を加えた後、その触媒溶液を磁気撹拌子で触媒の全部が溶解する結果としてオレンジ色の溶液が生じるまで撹拌した。（Ｓ）−６，７−ジメトキシ−１−メチル−１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリン（２１８．２ｍｇ、９５％、２０７．２５ｍｇ＝１．００ミリモル）およびヨウ化カリウム（１６７．７ｍｇ、９９％、１６６．０１ｍｇ＝１．００ミリモル）を加えた後、テトラヒドロフラン（７５０μｌ）を用いた洗浄を実施した。そのフラスコに水冷却器を取り付けた後、４０℃のオイルバスの中に置いて、タイマーを開始させた。

主にヨウ化カリウムが溶液の状態でないままであり、４０℃で約５分後に反応溶液が褐色になりそして全体に渡ってその色のままであった。

規則的な間隔でサンプルを採取して、その反応溶液（４０μｌ）をジクロロメタン（２ｍｌ）と２．５Ｍの水酸化ナトリウム溶液（２ｍｌ）に添加した。有機層を分離した後、硫酸ナトリウムで乾燥させた。その結果として得た溶液をキラルＧＣおよびアキラルＧＣで分析した。
分析
ガスクロ（変換用）
Ｖａｒｉａｎ ＣＰ−ＳＩＬ ８ＣＢカラム（２５ｍ、３２０μｍ、０．１２μｍ）、１５０℃の等温（１２．０ｐｓｉ、１０分間）、２５℃／分（４分間）の後、２５０℃（４分間）。
アミン＝４．８−５．０分
イミン＝５．１９−５．２１分
ガスクロ（ｅｅ用）
Ｖａｒｉａｎ Ｃｈｉｒａｓｉｌ−Ｄｅｘ−ＣＢカラム（２５ｍ、２５０μｍ、０．２５μｍ）、１６５℃の等温（６０分間）。
Ｎ．Ｂ． 注入前に各サンプル瓶に無水トリフルオロ酢酸を１滴添加した。
鏡像異性体１の滞留時間＝４６．３−４６．５分
鏡像異性体２の滞留時間＝４７．２−４７．４分

［実施例２］

塩化ペンタメチルシクロペンタジエニルイリジウム（ＩＩＩ）二量体（１６．６ｍｇ、９６％、１５．９ｍｇ、０．０２０ミリモル）をクロロホルム（０．５ｍｌ）に溶解させることで前記二量体の溶液を調製した結果、暗オレンジ色の溶液（イリジウム触媒溶液）が生じた。

ヨウ素の固体（１７．１ｍｇ、９９％、１６．９ｍｇ、０．０６７ミリモル）をテトラヒドロフラン（０．５ｍｌ）に溶解させることでヨウ素の溶液を調製した結果、暗褐色の溶液（ヨウ素溶液）が生じた（この溶液の７５μｌは０．０１ミリモルのヨウ素に相当する）。

これらの反応で用いる少量のヨウ化カリウムを１７０℃のオーブンに入れて一定重量になるまで乾燥させた。ヨウ化カリウムの２番目のサンプルを粉砕して微粉末にした後、オーブンに入れて一定重量（重量損失が〜１％）になるまで乾燥させた。

下記の材料を各瓶に加えることで磁気撹拌子と（Ｒ）−Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン（１３．８ｍｇ、９８％、１３．５ｍｇ、０．１０ミリモル）が入っている７個のＧＣ瓶を組み立てた：
１． ヨウ化セシウム（２６．０ｍｇ、９９．９％、２６．０ｍｇ、０．１０ミリモル）、テトラヒドロフラン（７５μｌ）およびイリジウム触媒溶液（２５μｌ）。
２． ヨウ化カリウム（１５．１ｍｇ、９９％、１４．９ｍｇ、０．１０ミリモル）、ヨウ素溶液（７５μｌ）およびイリジウム触媒溶液（２５μｌ）。
３． ヨウ素溶液（７５μｌ）およびイリジウム触媒溶液（２５μｌ）。
４． 臭化カリウム（１２．０ｍｇ、９９％、１１．９ｍｇ、０．０９ミリモル）、ヨウ素溶液（７５μｌ）およびイリジウム触媒溶液（２５μｌ）。
５． ヨウ化カリウム乾燥粉末（１６．８ｍｇ、９９％、１６．６ｍｇ、０．１０ミリモル）、ヨウ素溶液（７５μｌ）およびイリジウム触媒溶液（２５μｌ）。
６． ヨウ化カリウム（１６．８ｍｇ、９９％、１６．６ｍｇ、０．１０ミリモル）、ヨウ素溶液（７５μｌ）およびイリジウム触媒溶液（２５μｌ）。
７． 乾燥させたヨウ化カリウム（１６．８ｍｇ、９９％、１６．６ｍｇ、０．１０ミリモル）、ヨウ素溶液（７５μｌ）およびイリジウム触媒溶液（２５μｌ）。

各瓶を密封して４０℃のステムブロック（ｓｔｅｍ ｂｌｏｃｋ）に入れ、一晩撹拌した後、サンプルを採取して反応溶液（２０μｌ）をジクロロメタン（２ｍｌ）と２．５Ｍの水酸化ナトリウム（２ｍｌ）に入れて反応を消滅させ、有機層を分離し、硫酸ナトリウムで乾燥させた後、キラルＧＣおよびアキラルＧＣで分析した。
分析
ガスクロ（変換用）
ＨＰ−５ ５％メチルフェニルシロキサン毛細管カラム（３０ｍ、３２０μｍ、０．２５μｍ）、７０℃の等温（３０分間、１５．０ｐｓｉ）。
Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン＝６．８分
ガスクロ（ｅｅ用）
Ｖａｒｉａｎ Ｃｈｉｒａｓｉｌ−Ｄｅｘ−ＣＢカラム（２５ｍ、２５０μｍ、０．２５μｍ）、１００℃の等温（６０分間）。
Ｎ．Ｂ． 注入前に各サンプル瓶に無水トリフルオロ酢酸を１滴添加した。
Ｒ鏡像異性体Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン＝５８．４分
Ｓ鏡像異性体Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン＝５４．８分

［実施例３］

ガスパージ
実施例３．１：空気パージ
５ｍｌの丸底フラスコに塩化ペンタメチルシクロペンタジエニルイリジウム（ＩＩＩ）二量体（１６．６ｍｇ、９６％、１５．９ｍｇ、０．０２ミリモル）、（Ｒ）−Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン（２７５．９ｍｇ、９８％、２７０．４ｍｇ、２．００ミリモル）およびヨウ化カリウム（３３５．４ｍｇ、９９％、３３２．０ｍｇ、２．００ミリモル）を仕込んだ。トルエン（４ｍｌ）を加えた後のフラスコに水冷却器を取り付けた後、８０℃のオイルバスの中に置いた。空気パージを反応溶液の中に通し（１０ｍｌ／分）そしてタイマーを開始させた。反応溶液が直ちに暗赤／褐色に変わり、それが６０分かけて色あせて暗オレンジ色の溶液になった。溶液の色が徐々に色あせて、撹拌を一晩行うと透明なオレンジ色の溶液になった。

パージによって損失した溶媒を補充する目的で５時間後にトルエン（２ｍｌ）を加えた。

規則的な間隔で１００−２００μｌを取り出すことでサンプルを採取し、それをジクロロメタン（２ｍｌ）と２．５Ｍの水酸化ナトリウム（２ｍｌ）に入れて反応を消滅させ、有機層を分離した後、硫酸ナトリウムで乾燥させた。その結果として生じた有機層をキラルＧＣおよびアキラルＧＣで分析した。
実施例３．２：パージ無し
５ｍｌの丸底フラスコに塩化ペンタメチルシクロペンタジエニルイリジウム（ＩＩＩ）二量体（１６．６ｍｇ、９６％、１５．９ｍｇ、０．０２ミリモル）、（Ｒ）−Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン（２７５．９ｍｇ、９８％、２７０．４ｍｇ、２．００ミリモル）、ヨウ化カリウム（３３５．４ｍｇ、９９％、３３２．０ｍｇ、２．００ミリモル）およびビフェニル（１５５．０ｍｇ、９９．５％、１５４．２ｍｇ、１．００ミリモル）を仕込んだ。トルエン（４ｍｌ）を加えた後のフラスコに水冷却器を取り付けた後、そのフラスコを８０℃のオイルバスの中に置いて、タイマーを開始させた。反応溶液が直ちに暗赤／褐色に変わり、それが６０分かけて色あせて暗オレンジ色の溶液になった。溶液の色が徐々に色あせて、撹拌を一晩行うと透明なオレンジ色の溶液になった。

規則的な間隔で１００−２００μｌを取り出すことでサンプルを採取し、それをジクロロメタン（２ｍｌ）と２．５Ｍの水酸化ナトリウム（２ｍｌ）に入れて反応を消滅させ、有機層を分離した後、硫酸ナトリウムで乾燥させた。その結果として生じた有機層をキラルＧＣおよびアキラルＧＣで分析した。
実施例３．３：窒素パージ
５ｍｌの丸底フラスコに塩化ペンタメチルシクロペンタジエニルイリジウム（ＩＩＩ）二量体（１６．６ｍｇ、９６％、１５．９ｍｇ、０．０２ミリモル）、（Ｒ）−Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン（２７５．９ｍｇ、９８％、２７０．４ｍｇ、２．００ミリモル）、ヨウ化カリウム（３３５．４ｍｇ、９９％、３３２．０ｍｇ、２．００ミリモル）およびｎ−デカン（１４３．４ｍｇ、９９％、１４２．０ｍｇ、１．００ミリモル）を仕込んだ。トルエンの中に窒素を３０分間吹き込むことで、この溶媒に脱気を受けさせた後、それを４ｍｌ加え、そのフラスコに水冷却器を取り付けた後、８０℃のオイルバスの中に入れ、そしてタイマーを開始させた。窒素パージを反応溶液の中に通した（１０ｍｌ／分）。反応溶液が直ちに暗赤／褐色に変わり、それが６０分かけて色あせて暗オレンジ色の溶液になった。溶液の色が徐々に色あせて、撹拌を一晩行うと透明なオレンジ色の溶液になった。パージによって損失した溶媒を補充する目的で３２５分後にトルエン（２ｍｌ）を加えた。

規則的な間隔で１００−２００μｌを取り出すことでサンプルを採取し、それをジクロロメタン（２ｍｌ）と２．５Ｍの水酸化ナトリウム（２ｍｌ）に入れて反応を消滅させ、有機層を分離した後、硫酸ナトリウムで乾燥させた。その結果として生じた有機層をキラルＧＣおよびアキラルＧＣで分析した。
分析
ガスクロ（変換用）
ＨＰ−５ ５％メチルフェニルシロキサン毛細管カラム（３０ｍ、３２０μｍ、０．２５μｍ）、７０℃の等温（３０分間、１５．０ｐｓｉ）。
Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン＝６．８分
ガスクロ（ｅｅ用）
Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン
Ｖａｒｉａｎ Ｃｈｉｒａｓｉｌ−Ｄｅｘ−ＣＢカラム（２５ｍ、２５０μｍ、０．２５μｍ）、１００℃の等温（６０分間）。
Ｎ．Ｂ． 注入前に各サンプル瓶に無水トリフルオロ酢酸を１滴添加した。
Ｒ鏡像異性体Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン＝５８．４分
Ｓ鏡像異性体Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン＝５４．８分

［実施例４］

５ｍｌの丸底フラスコに塩化ペンタメチルシクロペンタジエニルイリジウム（ＩＩＩ）二量体（１６．６ｍｇ、９６％、１５．９ｍｇ、０．０２ミリモル）、（Ｒ）−Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン（２７５．９ｍｇ、９８％、２７０．４ｍｇ、２．００ミリモル）、ヨウ化カリウム（３３５．４ｍｇ、９９％、３３２．０ｍｇ、２．００ミリモル）およびトリデカン（１８６．２ｍｇ、９９％、１８４．４ｍｇ、１．００ミリモル）を仕込んだ。トルエン（４ｍｌ）を加えた後のフラスコに水冷却器を取り付けた後、そのフラスコを８０℃のオイルバスの中に置いて、タイマーを開始させた。反応溶液が直ちに暗赤／褐色に変わり、それが６０分かけて色あせて暗オレンジ色の溶液になった。溶液の色が徐々に色あせて、撹拌を一晩行うと透明なオレンジ色の溶液になった。

規則的な間隔で１００−２００μｌを取り出すことでサンプルを採取し、それをジクロロメタン（２ｍｌ）と２．５Ｍの水酸化ナトリウム（２ｍｌ）に入れて反応を消滅させ、有機層を分離した後、硫酸ナトリウムで乾燥させた。その結果として生じた有機層をキラルＧＣおよびアキラルＧＣで分析した。
分析
ガスクロ（変換用）
ＨＰ−５ ５％メチルフェニルシロキサン毛細管カラム（３０ｍ、３２０μｍ、０．２５μｍ）、７０℃の等温（３０分間、１５．０ｐｓｉ）。
Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン＝６．８分
ガスクロ（ｅｅ用）
Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン
Ｖａｒｉａｎ Ｃｈｉｒａｓｉｌ−Ｄｅｘ−ＣＢカラム（２５ｍ、２５０μｍ、０．２５μｍ）、１００℃の等温（６０分間）。
Ｎ．Ｂ． 注入前に各サンプル瓶に無水トリフルオロ酢酸を１滴添加した。
Ｒ鏡像異性体Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン＝５８．４分
Ｓ鏡像異性体Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン＝５４．８分

［実施例５］

５ｍｌの丸底フラスコにヨウ化ペンタメチルシクロペンタジエニルイリジウム（ＩＩＩ）二量体（２４．２ｍｇ、９６％、２３．２５ｍｇ、０．０２ミリモル）、（Ｓ）−Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン（２７５．９ｍｇ、９８％、２７０．４ｍｇ、２．００ミリモル）およびトリデカン（１８６．２ｍｇ、９９％、１８４．４ｍｇ、１．００ミリモル）を仕込んだ。トルエン（４ｍｌ）を加えた後のフラスコに水冷却器を取り付けた後、そのフラスコを８０℃のオイルバスの中に置いて、タイマーを開始させた。反応溶液が直ちに暗赤／褐色に変わり、それが６０分かけて色あせて暗オレンジ色の溶液になった。溶液の色が徐々に色あせて、撹拌を一晩行うと透明なオレンジ色の溶液になった。

規則的な間隔で１００−２００μｌを取り出すことでサンプルを採取し、それをジクロロメタン（２ｍｌ）と２．５Ｍの水酸化ナトリウム（２ｍｌ）に入れて反応を消滅させ、有機層を分離した後、硫酸ナトリウムで乾燥させた。その結果として生じた有機層をキラルＧＣおよびアキラルＧＣで分析した。
分析
ガスクロ（変換用）
ＨＰ−５ ５％メチルフェニルシロキサン毛細管カラム（３０ｍ、３２０μｍ、０．２５μｍ）、７０℃の等温（３０分間、１５．０ｐｓｉ）。
Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン＝６．８分
ガスクロ（ｅｅ用）
Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン
Ｖａｒｉａｎ Ｃｈｉｒａｓｉｌ−Ｄｅｘ−ＣＢカラム（２５ｍ、２５０μｍ、０．２５μｍ）、１００℃の等温（６０分間）。
Ｎ．Ｂ． 注入前に各サンプル瓶に無水トリフルオロ酢酸を１滴添加した。
Ｒ鏡像異性体Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン＝５８．４分
Ｓ鏡像異性体Ｎ−メチル−α−メチルベンジルアミン＝５４．８分

ヨウ化ペンタメチルシクロペンタジエニルイリジウム（ＩＩＩ）二量体の製造
５０ｍｌの３つ口丸底フラスコに塩化ペンタメチルシクロペンタジエニルイリジウム（ＩＩＩ）二量体（２６５．５ｍｇ、９６％、２５４．９ｍｇ、０．３２ミリモル）およびヨウ化ナトリウム（４９９．６ｍｇ、９９％、４９４．６ｍｇ、３．３０ミリモル）を加えた。そのフラスコに水冷却器を取り付け、残りの口にストッパーを付けた後、その容器の中にアルゴンを５０ｍｌ／分で３０分間流し込んだ。次に、そのアルゴンのパージ量を低くして５ｍｌ／分にし、無水アセトン（３０ｍｌ）を加えた後、その反応フラスコを６０℃のオイルバスの中に置いて、磁気撹拌子を用いた撹拌を実施すると、不溶なイリジウム二量体がいくらか入っている暗オレンジ色の溶液が生じた。その反応物をアルゴン下で３時間還流させた後、室温になるまで冷却した。その反応溶液のＴ．Ｌ．Ｃ．（ジクロロメタンが９０％でメタノールが１０％）により、反応が完全に進行して新しい化合物が１種のみ生じたことが分かった。その反応物に濃縮乾固を真空下で受けさせることで褐色／赤色固体を得、それをジクロロメタン（５０ｍｌ）に溶解させ、超純水（２ｘ２５ｍｌ）で洗浄し、有機層を分離し、硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過した後、濃縮乾固を真空下で実施することで褐色の固体（３７０．９ｍｇ）を得た。その固体をクロロホルム／メタノールから再結晶化させることで褐色の針様結晶を１８３．９ｍｇ（４９．４％の収率）得た。

前記結晶を炭素およびプロトンＮＭＲで炭素／水素比に関して分析した。
分析
元素分析
計算値：Ｃ＝２０．６６％、Ｈ＝２．６０％、Ｎ＝０．００％
測定値：１回目：Ｃ＝２０．９０％、Ｈ＝２．５１％、Ｎ＝０．１３％
２回目：Ｃ＝２０．８６％、Ｈ＝２．４４％、Ｎ＝０．００％
ＮＭＲ
Ｃｐ＊プロトン＝１．８３ｐｐｍ一重線
Ｃｐ＊第四炭素＝８９．３ｐｐｍ
Ｃｐ＊メチル炭素＝１１．１３ｐｐｍ
規模をより大きくした繰り返し製造
１０００ｍｌの１口丸底フラスコに塩化ペンタメチルシクロペンタジエニルイリジウム（ＩＩＩ）二量体（４．５７、９６％、４．３８ｇ、５．５０７ミリモル）およびヨウ化ナトリウム（８．５５ｇ、９９％、８．４６ｇ、５６．７ミリモル）を加えた。そのフラスコに水冷却器を取り付け、残りの口にストッパーを付けた後、その容器の中にアルゴンを５００ｍｌ／分で３０分間流し込んだ。次に、そのアルゴンのパージ量を低くして２０ｍｌ／分にし、無水アセトン（５２５ｍｌ）を加えた後、その反応フラスコを６０℃のオイルバスの中に置いて、磁気撹拌子を用いた撹拌を実施すると、不溶なイリジウム二量体がいくらか入っている暗オレンジ色の溶液が生じた。その反応物をアルゴン下で３時間還流させた後、室温になるまで冷却した。その反応物に濃縮乾固を真空下で受けさせることで褐色／赤色固体を得、それをジクロロメタン（５００ｍｌ）に溶解させ、超純水（３ｘ２５０ｍｌ）で洗浄し、有機層を分離し、硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過した後、濃縮乾固を真空下で実施することで褐色の固体を得た。その固体をクロロホルム／メタノールから再結晶化させることで褐色の針様結晶を得、濾液に濃縮乾固を受けさせそしてその結果として得た残留物をクロロホルム／メタノールから再結晶化させ、この操作を３回目として繰り返し、その３回の触媒収穫物を一緒にすることで５．１０２ｇ（７８．２％の収率）を得た。
アミンラセミ化の一般的手順（２ミリモルの規模）
５ｍｌの１口丸底フラスコにキラルアミン（２ミリモル）、ヨウ化ペンタメチルシクロペンタジエニルイリジウム（ＩＩＩ）二量体＊（０．０２ミリモル）およびトルエン（４ｍｌ）を加える。そのフラスコに冷却器を取り付け、それを８０℃のオイルバスの中に置いた後、磁気撹拌子で撹拌する。

サンプルを規則的間隔で取り出して、変換率および鏡像異性体過剰度に関して分析する。
＊ 代替手順は、塩化ペンタメチルシクロペンタジエニルイリジウム（ＩＩＩ）二量体（０．０２ミリモル）およびヨウ化カリウム（２ミリモル）を添加することを伴う。

［実施例１９］

いろいろな溶媒中で第三級アミンのラセミ化
５個の小瓶に（Ｓ）−（−）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−フェネチルアミン（１００ｍｇ、０．６７ミリモル）、ヨウ化ペンタメチルシクロペンタジエニルイリジウム（ＩＩＩ）二量体（７．８ｍｇ、０．００６７ミリモル）を下記の溶媒に入れて加えた：トルエン、酢酸ｔ−ブチル、シクロペンチルメチルエーテルおよびジイソプロピルアルコール（３ｍｌ）。水冷却器を取り付けた後の反応容器を９０℃に加熱した。サンプルを規則的間隔で採取（約１００μｌ）し、ＤＣＭ（３ｍｌ）に入れて反応を消滅させた後、キラルＧＣで分析した。
分析方法
キラルＧＣ
方法−ｓｔｅｖｅ５５
ＣＰ ｃｈｉｒａｓｉｌ ｄｅｘ ＣＢ ＤＦ＝０．２５ ２５ｍｘ０．２５ｍｍ
膜厚＝０．２５μｍ
圧力＝２５．０ｐｓｉ
流量＝３．２ｍｌ／分
温度＝５５℃の等温（８０分間）
（Ｓ）−（−）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−フェネチルアミン＝７３分
（Ｒ）−（＋）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−フェネチルアミン＝７１分

［実施例２０］

２相系中で第三級アミンのラセミ化
４個の個別の１０ｍｌ丸底フラスコに（Ｓ）−（−）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−フェネチルアミン（１００ｍｇ、０．６７ミリモル）、ヨウ化ペンタメチルシクロペンタジエニルイリジウム（ＩＩＩ）二量体（７．８ｍｇ、０．００６７ミリモル）をａ）１／１のトルエン／水（３ｍｌ）およびｂ）１／１のトルエン／ｐＨ７の緩衝液（３ｍｌ）に入れて加えた。水冷却器を取り付けた後の反応容器を９０℃に加熱した。サンプルを規則的間隔で採取（約１００μｌ）し、ＤＣＭ／２ＭのＮａＯＨ（３ｍｌ）に入れて反応を消滅させ、抽出し、乾燥（ＭｇＳＯ_２）させた後、キラルＧＣで分析した。
分析方法
キラルＧＣ
方法−ｓｔｅｖｅ５５
ＣＰ ｃｈｉｒａｓｉｌ ｄｅｘ ＣＢ ＤＦ＝０．２５ ２５ｍｘ０．２５ｍｍ
膜厚＝０．２５μｍ
圧力＝２５．０ｐｓｉ
流量＝３．２ｍｌ／分
温度＝５５℃の等温（８０分間）
（Ｓ）−（−）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−フェネチルアミン＝７３分
（Ｒ）−（＋）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−フェネチルアミン＝７１分

Claims (16)

1. 鏡像異性体富化組成物に脱富化を受けさせる方法であって、炭素−ヘテロ原子結合を含有していて前記炭素がキラル中心でありかつ前記ヘテロ原子が周期律表Ｖ族のヘテロ原子である基質の少なくとも１番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーを含んで成る鏡像異性体富化組成物を触媒系および場合により反応促進剤の存在下で反応させることで、炭素−ヘテロ原子結合を有する前記基質の１番目および２番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーを含んで成っていて１番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーに対する２番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーの比率が前記鏡像異性体富化組成物中に存在していた１番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーに対する２番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーの比率よりも高い生成物組成物を得ることを含んで成る方法。
2. 炭素−ヘテロ原子結合を含有していて前記炭素原子がキラル中心である前記基質が式（１）：
   

   

   ［式中、
   Ｘは、ＮＨＲ^３、ＮＲ^３Ｒ^４、（ＮＨＲ^３Ｒ^４）^＋Ｑ⁻を表し、
   Ｑ⁻は、アニオンを表し、
   Ｒ^１、Ｒ^２は、各々独立して、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、場合により置換されていてもよい複素環基または置換基を表し、
   Ｒ^３は、水素原子、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、場合により置換されていてもよい複素環基または除去可能基を表し、
   Ｒ^４は、水素原子、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、または場合により置換されていてもよい複素環基を表すか、或は場合により、Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^１とＲ^３、Ｒ^２とＲ^４およびＲ^３とＲ^４の中の１つ以上が、場合により置換されていてもよい環１個または２個以上を形成するように連結していてもよいが、但しＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４が＊がキラル中心であるように選択されることを条件とする］
   で表される化合物である請求項１記載の方法。
3. 前記触媒系が遷移金属触媒および場合により配位子を含んで成る請求項１または２記載の方法。
4. 前記遷移金属触媒が式Ｍ_ｎＸ_ｐＹ_ｒ
   ［式中、
   Ｍは、遷移金属であり、
   Ｘは、ハロゲン化物であり、
   Ｙは、場合により置換されていてもよいヒドロカルビルである中性の錯化基、場合により置換されていてもよい過ハロゲン化ヒドロカルビルである中性の錯化基、または場合により置換されていてもよいシクロペンタジエニルである錯化基であり、そして
   ｎ、ｐおよびｒは、整数である］
   で表される遷移金属ハロゲン化物錯体である請求項３記載の方法。
5. ＸがＩである請求項４記載の方法。
6. ＭがＲｈまたはＩｒでありそしてＹが場合により置換されていてもよいシクロペンタジエニル基である請求項４または５記載の方法。
7. ＭがＩｒであり、ＸがＩでありそしてＹが場合により置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、好適にはペンタメチルシクロペンタジエニル基である請求項６記載の方法。
8. 前記遷移金属触媒が式Ｍ_２Ｘ_４Ｙ_２［式中、ＭはＩｒであり、ＸはＩであり、そしてＹは場合により置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、好適にはペンタメチルシクロペンタジエニル基である］で表される遷移金属ハロゲン化物錯体である請求項６記載の方法。
9. 反応促進剤を存在させる請求項１から８のいずれか１項記載の方法。
10. 前記反応促進剤がハロゲン化物塩である請求項９記載の方法。
11. 前記ハロゲン化物塩が金属のハロゲン化物である請求項１０記載の方法。
12. 前記金属のハロゲン化物がカリウムもしくはセシウムのヨウ化物である請求項１１記載の方法。
13. 式（２）：
    

    

    ［式中、
    Ｘは、ＮＲ^３、ＮＲ^４、（ＮＲ^３Ｒ^４）^＋Ｑ⁻を表し、
    Ｑ⁻は、アニオンを表し、
    Ｒ^１、Ｒ^２は、各々独立して、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、場合により置換されていてもよい複素環基または置換基を表し、
    Ｒ^３は、水素原子、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、場合により置換されていてもよい複素環基または除去可能基を表し、
    Ｒ^４は、水素原子、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、または場合により置換されていてもよい複素環基を表すか、或は場合により、Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^１とＲ^３、Ｒ^２とＲ^４およびＲ^３とＲ^４の中の１つ以上が場合により置換されていてもよい環１個または２個以上を形成するように連結していてもよい］
    で表される化合物を得る請求項１から１２のいずれか１項記載の方法。
14. 水素供与体または水素受容体を存在させる請求項１から１３のいずれか１項記載の方法。
15. 炭素−ヘテロ原子結合を含有する基質の少なくとも１番目の鏡像異性体もしくはジアステレオマーを含んで成る前記鏡像異性体富化組成物が、キラル分離または化学的もしくは酵素的キラル分割で得られた未反応の鏡像異性体もしくは副生成物である請求項１から１４のいずれか１項記載の方法。
16. 式Ｍ_ｎＸ_ｐＹ_ｒ［式中、Ｍは遷移金属であり、Ｘはハロゲン化物であり、Ｙは、場合により置換されていてもよいヒドロカルビルである中性の錯化基、場合により置換されていてもよい過ハロゲン化ヒドロカルビルである中性の錯化基、または場合により置換されていてもよいシクロペンタジエニルである錯化基であり、そしてｎ、ｐおよびｒは整数である］で表される遷移金属ハロゲン化物錯体と式（１）：
    

    

    ［式中、
    Ｘは、ＮＨＲ^３、ＮＲ^３Ｒ^４、（ＮＨＲ^３Ｒ^４）^＋Ｑ⁻を表し、
    Ｑ⁻は、アニオンを表し、
    Ｒ^１、Ｒ^２は、各々独立して、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、場合により置換されていてもよい複素環基または置換基を表し、
    Ｒ^３は、水素原子、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、場合により置換されていてもよい複素環基または除去可能基を表し、
    Ｒ^４は、水素原子、場合により置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、または場合により置換されていてもよい複素環基を表すか、或は場合により、Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^１とＲ^３、Ｒ^２とＲ^４およびＲ^３とＲ^４の中の１つ以上が、場合により置換されていてもよい環１個または２個以上を形成するように連結していてもよいが、但しＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４が＊がキラル中心であるように選択されることを条件とする］
    で表されるアミン配位子を接触させることで得ることができる組成物。