JP2008516083A - 電解研磨電解質および前記電解質を使用して金属層を平坦化する方法 - Google Patents
電解研磨電解質および前記電解質を使用して金属層を平坦化する方法 Download PDFInfo
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- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 90
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 82
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 56
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 35
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 claims abstract description 26
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 28
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 claims description 17
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 33
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 31
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000007521 mechanical polishing technique Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 2
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AEJIMXVJZFYIHN-UHFFFAOYSA-N copper;dihydrate Chemical compound O.O.[Cu] AEJIMXVJZFYIHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23H—WORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
- B23H5/00—Combined machining
- B23H5/06—Electrochemical machining combined with mechanical working, e.g. grinding or honing
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23H5/00—Combined machining
- B23H5/12—Working media
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/32—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers using masks
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- Weting (AREA)
- Fuel Cell (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
本発明の電解研磨電解質は酸溶液および少なくとも1個のヒドロキシル基を有するアルコール添加剤を含有し、その際アルコール添加剤の接触角が電解研磨下の金属層上の酸溶液にお接触角より小さい。アルコール添加剤はメタノール、エタノールおよびグリセリンから選択され、酸溶液が燐酸を含有する。グリセリンと燐酸の体積比は1:50〜1:200であり、有利に1:100である。メタノールと燐酸の体積比は1:100〜1:150であり、エタノールと燐酸の体積比は1:100〜1:150である。酸溶液は更に酢酸およびクエン酸からなる群から選択される有機酸を含有する。酢酸の濃度は10000〜12000ppmであり、クエン酸の濃度は500〜1000ppmである。
Description
発明の背景
(A)発明の分野
本発明は電解研磨電解質および前記電解質を使用して金属層を平坦化する方法、より詳しくはアルコール添加剤を含む電解研磨電解質および前記電解質を使用して金属層を平坦化する方法に関する。
(B)関連技術の説明
半導体製造技術において、高度の相違がない理想的な平坦な表面が、集積回路の正確なパターン転写を実現するように、暴露の散乱を避けるために、高密度フォトリソグラフィー工程に必要である。化学的機械的研磨技術は現在の半導体製造工程で広く使用される表面平坦化技術である。しかし化学的機械的研磨技術は該当する用途で一部の重要な理論、例えばパターン効果、除去選択比、皿状のくぼみ、引っかきおよび研磨後の絶縁層の摩耗および浄化に直面する。更に12″ウェーハおよび低い誘電定数の材料に関する低い応力の要求を満たすために、化学的機械的研磨技術は多くの攻撃に直面する。
(A)発明の分野
本発明は電解研磨電解質および前記電解質を使用して金属層を平坦化する方法、より詳しくはアルコール添加剤を含む電解研磨電解質および前記電解質を使用して金属層を平坦化する方法に関する。
(B)関連技術の説明
半導体製造技術において、高度の相違がない理想的な平坦な表面が、集積回路の正確なパターン転写を実現するように、暴露の散乱を避けるために、高密度フォトリソグラフィー工程に必要である。化学的機械的研磨技術は現在の半導体製造工程で広く使用される表面平坦化技術である。しかし化学的機械的研磨技術は該当する用途で一部の重要な理論、例えばパターン効果、除去選択比、皿状のくぼみ、引っかきおよび研磨後の絶縁層の摩耗および浄化に直面する。更に12″ウェーハおよび低い誘電定数の材料に関する低い応力の要求を満たすために、化学的機械的研磨技術は多くの攻撃に直面する。
化学的機械的研磨技術に比べて電解研磨技術は引っかきの減少、粒子吸収の減少および廃棄溶液の減少、高い研磨速度、およびウェーハに圧力がかからないことのようないくつかの利点のために化学的機械的研磨技術の代用的解決手段になった。半導体製造の最終工程での銅導電体法において、銅導電層を形成するために、電気めっき技術が一般に使用される。しかし銅導電層はウェーハ表面上のトレンチによる工程高さを生じ、これが更に引き続く電解研磨工程の平坦化効率に影響する。
発明の要約
本発明の目的はアルコール添加剤を含む電解研磨電解質および前記電解質を使用して金属層を平坦化する方法を提供することである。
本発明の目的はアルコール添加剤を含む電解研磨電解質および前記電解質を使用して金属層を平坦化する方法を提供することである。
前記課題を解決し、技術水準の問題を回避するために、本発明はアルコール添加剤を含む電解研磨電解質および前記電解質を使用して金属層を平坦化する方法を提供する。本発明の電解研磨電解質は酸性溶液および少なくとも1個のヒドロキシル基を有するアルコール添加剤を含有し、アルコール添加剤の接触角が電解研磨下の金属層上の酸性溶液の接触角より小さい。アルコール添加剤はメタノール、エタノールおよびグリセリンから選択され、酸性溶液は燐酸を含有する。グリセリンと燐酸の体積比は1:50〜1:200、有利に1〜100である。メタノールと燐酸では体積比は1:100〜1:150であり、エタノールと燐酸では1:100〜1:150である。更に酸性溶液は酢酸およびクエン酸からなる群から選択される有機酸を含有する。濃度は酢酸では10000〜12000ppmであり、クエン酸では500〜1000ppmである。
本発明は少なくとも1個の凹面および凸面を有する金属層を平坦化する方法を開示する。前記方法は金属層上に抑制層を形成して金属層の表面上の研磨族度を減少するためにアルコール添加剤を使用することによりおよび金属層を研磨するために酸性溶液を使用することにより特徴付けられ、酸性溶液が凸面上の研磨速度が凹面上の研磨速度より速くなるように、凹面と凸面の間に濃度勾配を形成する。
図面の簡単な説明
本発明のほかの目的および利点は以下の説明および図面により明らかにされる。
図1はウェーハの横断面図であり、
図2は電解研磨電解質での平坦化効率(PE)の測定値の図であり、
図3は本発明による異なるライン幅に関する電解研磨電解質の平坦化効率を示し、
図4は本発明による電解研磨電解質の研磨速度を示し、
図5は本発明による電解研磨電解質の作業の図であり、
図6は1μm、5μmおよび50μmの幅を有するトレンチの電子走査顕微鏡写真を示し、
図7(a)および図7(b)は銅表面上の研磨後の原子間力顕微鏡(AFM)写真を示す。
本発明のほかの目的および利点は以下の説明および図面により明らかにされる。
図1はウェーハの横断面図であり、
図2は電解研磨電解質での平坦化効率(PE)の測定値の図であり、
図3は本発明による異なるライン幅に関する電解研磨電解質の平坦化効率を示し、
図4は本発明による電解研磨電解質の研磨速度を示し、
図5は本発明による電解研磨電解質の作業の図であり、
図6は1μm、5μmおよび50μmの幅を有するトレンチの電子走査顕微鏡写真を示し、
図7(a)および図7(b)は銅表面上の研磨後の原子間力顕微鏡(AFM)写真を示す。
発明の詳細な説明
図1はウェーハ10の横断面図である。ウェーハ10は基板12、誘電層14、バリア層16および金属層20を有する。金属層20は凸面22および凹面24を有する銅層であってもよい。本発明はアルコール添加剤および酸性溶液を含む電解研磨電解質により金属層20を平坦化する。有利にアルコール添加剤はグリセリン、メタノールまたはエタノールから選択され、酸性溶液は燐酸および有機酸からなってもよい。電解研磨電解質の製造方法はまず燐酸およびアルコール添加剤を予め決められた体積比により混合し、引き続き有機酸を添加する。有機酸は酢酸またはクエン酸であってもよく、濃度は酢酸では10000〜12000ppmであり、クエン酸では500〜1000ppmである。
図1はウェーハ10の横断面図である。ウェーハ10は基板12、誘電層14、バリア層16および金属層20を有する。金属層20は凸面22および凹面24を有する銅層であってもよい。本発明はアルコール添加剤および酸性溶液を含む電解研磨電解質により金属層20を平坦化する。有利にアルコール添加剤はグリセリン、メタノールまたはエタノールから選択され、酸性溶液は燐酸および有機酸からなってもよい。電解研磨電解質の製造方法はまず燐酸およびアルコール添加剤を予め決められた体積比により混合し、引き続き有機酸を添加する。有機酸は酢酸またはクエン酸であってもよく、濃度は酢酸では10000〜12000ppmであり、クエン酸では500〜1000ppmである。
酸性溶液が燐酸であり、アルコール添加剤がグリセリンである場合は、グリセリンと燐酸の体積比は有利に1:50〜1:200であり、すなわちグリセリンの濃度は25℃で有利に2.73×10−1モル〜6.85×10−1モルである。有利にグリセリンと燐酸の体積比は1:100であり、すなわちグリセリンの濃度は1.36×10−1モルである。更にアルコール添加剤がメタノールまたはエタノールである場合は,アルコールと燐酸の体積比は1:100〜1:150であり、すなわちメタノールの濃度は25℃で2.50×10−1モル〜1.67×10−1モルであり、エタノールの濃度は25℃で1.76×10−1モル〜1.17×10−1モルである。有利にメタノールまたはエタノールと燐酸の体積比は1:100である。
図2は電解研磨電解質の平坦化効率(PE)の測定値を示すグラフである。平坦化効率は以下の式により計算する。
PE=[1−(ΔD/ΔU)]×100%
式中、ΔDは電解研磨工程前と電解研磨工程後の金属層20の表面上の凹面24の工程高さの差であり、ΔUは電解研磨工程前と電解研磨工程後の金属層20の表面上の凸面22の工程高さの差である。
式中、ΔDは電解研磨工程前と電解研磨工程後の金属層20の表面上の凹面24の工程高さの差であり、ΔUは電解研磨工程前と電解研磨工程後の金属層20の表面上の凸面22の工程高さの差である。
図3は本発明による異なるライン幅での電解研磨電解質の平坦化効率を示し、その際電解研磨工程での印加電圧は1.75Vであり、電解研磨時間は180秒である。横軸4−1、4−2、4−3、4−4および4−5は5つの異なる電解研磨電解質の組成を示し、燐酸、グリセリンおよびメタノールを以下の表に示されるように体積比により表す。
図3に示されるように、アルコール添加剤がなく、有機酸がない、電解研磨電解質4−5の平坦化効率が最も悪い。アルコール添加剤のみの平坦化能力を比較すると、アルコール添加剤としてグリセリンを使用する電解研磨電解質4−4の平坦化効率は、アルコール添加剤としてメタノールを使用する電解研磨電解質4−3の平坦化効率より優れている。更に燐酸を使用する電解研磨電解質4−1および4−2の平坦化効率は有機酸を添加しない電解研磨電解質4−3、4−4および4−5の平坦化効率より優れている。
言い換えると2つの添加剤(有機酸およびアルコール添加剤)を有する電解研磨電解質の平坦化効率は有機酸のみを添加する電解研磨電解質の平坦化効率より良好である。更に適当な量のグリセリンを混合した酢酸を使用する電解研磨電解質4−1の平坦化効率はグリセリンを混合したクエン酸を使用する電解研磨電解質4−2の平坦化効率より優れており、酢酸を使用する電解研磨電解質の平坦化能力がクエン酸を使用する電解研磨電解質の平坦化能力より大きい。従って適当な組成の2種の添加剤を有する電解研磨電解質が見出され、1〜50μmのライン幅の範囲内で最適な平坦化効率を有する。
図4は本発明による電解研磨電解質の研磨速度を示す。燐酸中の有機酸の濃度が所定の値(12000ppm)より小さい場合は、有機酸が増加すると研磨速度が増加する。相当してアルコール添加剤と燐酸の体積比が1/100より小さい場合、例えば体積比が1/500および1/1000の場合は、研磨速度は体積比1/100の研磨速度とほとんど同じである。言い換えると燐酸中の有機酸の溶解度が限界値(12000ppm)に達しない場合は、相当する銅研磨速度が影響されるが、アルコール添加剤と燐酸の体積比が1/100より低い場合は、研磨速度は影響されず、体積比が1/2000まで増加するまで研磨速度は増加しない。本発明により、アルコール添加剤の適用可能な濃度は、図4に示されるように、相当する研磨速度が影響されない、影響されない範囲で適当に選択される。
グリセリンはグリセリン、メタノールおよびエタノールのようなアルコール添加剤中で銅表面上で最小接触角(約19.35°)を有するが、銅表面上の純粋燐酸の接触角は89°である。従ってアルコール添加剤が電解研磨電解質の平坦化効率を改良できる理由はおそらく銅表面上の異なる湿潤性によるものであり、この湿潤性は従って銅に対する研磨速度を抑制する能力に影響する。図4に示されるように、グリセリンは銅電解研磨に対する最も強力な抑制能力を有する。3つのアルコール添加剤を燐酸に添加して3つの電解研磨電解質を製造し、グリセリンを有する電解質の平坦化効率がメタノールおよびエタノールを有する電解質の平坦化効率より大きい(メタノールの平坦化効率はエタノールの平坦化効率に近い)。これにより平坦化効率は銅表面上の添加されたアルコール添加剤の接触角に関係すると考えられる。
図5は本発明による電解研磨電解質の運転を示す図である。図5に示されるように、金属層20上の電解研磨電解質(図1参照)は2つの領域、バルク領域52および拡散領域54に分かれる。電解研磨電解質のそれぞれの種はバルク領域52に均一に分配され、一方で前記種は拡散領域54で金属層20の表面上の電解研磨反応により濃度勾配を示す。言い換えると、燐酸中に有機酸62およびアルコール添加剤60を有する電解質を使用して電解研磨工程を実施する場合に、アルコール添加剤60および有機酸62が電解研磨工程の間に銅金属層20上で凸面22と凹面24の間で濃度勾配分布を示し、すなわち凹面24での有機酸62の濃度は凸面22での有機酸の濃度より小さい。
アルコール添加剤60および有機酸62の濃度が銅金属層20の粗い表面で勾配分布を示すので、凸面22でのこれらの添加剤の濃度は凹面24での添加剤の濃度より高い。凹面24に拡散した添加剤がアルコール添加剤60である場合は、凹面24での銅金属層はエッチングが阻止される。添加剤が有機酸62である場合は、凹面24での電解研磨速度は凸面22での電解研磨速度よりはるかに小さく、それは凹面24での有機酸62の量が凸面22での有機酸の量より少ないからである。本発明は所定の量のアルコール添加剤および有機酸を燐酸電解質に添加して電解研磨工程を実施する。従って銅金属層20の凹面24を凸面22より遅い速度で除去し、これにより電解研磨電解質の平坦化効率を改良できる。
銅表面上で、パターンなしに、異なる量の有機酸およびアルコール添加剤を含有する、異なる電解質を使用して、いくつかの電解研磨工程が実施される。前記の説明で述べたように、燐酸中の有機酸62の濃度が所定の値(12000ppm)より小さい場合は、有機酸の添加とともに電解研磨速度が増加する。アルコール添加剤60と燐酸の体積比が1/100より低い、例えば1/500および1/1000である電解質の電解研磨速度は、体積比1/100を有するアルコール添加剤60を含有する他の電解質の電解研磨速度とほとんど同じである。言い換えると、燐酸中の有機酸62の溶解度が限界値に達しない場合は、銅電解研磨速度は影響され、アルコール添加剤60と燐酸の体積比が1/100未満である場合は電解研磨速度は影響されず、体積比が1/2000まで増加する場合は、電解研磨速度が増加する。
電解研磨工程の間に、有機酸62が電解研磨速度を増加し、アルコール添加剤60が拡散領域54中の凸面22および凹面24の電解研磨速度を同時に抑制する。凸面22中のアルコール添加剤60の(電解研磨速度を減少する)抑制作用は凹面24中のアルコール添加剤の抑制作用とほとんど同じである。有機酸62は濃度に影響され、すなわち凸面22での電解研磨速度は有機酸62の濃度が高いので速く、凹面24での電解研磨速度は有機酸62の濃度が低いので、遅い。相当してアルコール添加剤は凸面22および凹面24で類似の抑制作用を示す。
要するに、本発明の電解質は粗い表面を有する銅金属層20の電解研磨速度の差を高めることができ、銅電解研磨工程の平坦化効率を高めるために、凸面22での電解研磨速度は銅層20上の凹面24での電解研磨速度より高い。更にグリセリンの湿潤性が他のヒドロキシル含有有機添加剤の湿潤性より大きく、所定の量のグリセリンを燐酸に添加することができ、凹面24および凸面22での電解研磨種の異なる拡散能力を生じ、他のヒドロキシル含有有機添加剤より高い平坦化効率を生じる。
図6は電解研磨電解質4−1を使用する平坦化の前および後の1.5μmおよび50μmの幅を有するトレンチの電子走査顕微鏡写真を示す。トレンチ表面は図6(a)、6(d)および6(g)に示されるように、平坦化工程の前に銅層で堆積された。平坦化工程は電解研磨電解質4−1を使用して1.75Vの電圧下に180秒実施した。エネルギー分散分光分析(EDS)を使用してトレンチ内部および外部で元素分析を行い、トレンチ内部の元素は主に銅であり、トレンチ外部の元素は主に拡散層からなるタンタル(Ta)である。従って本発明の電解研磨電解質は実際にトレンチ内部(すなわち凹面内部)で銅を維持し、トレンチ外部で銅を除去し(すなわち凸面)、銅層を平坦化できる。3つの異なるライン幅は、図6(c)、6(f)および6(i)に示されるように、電解質4−1を使用する電解研磨工程の後に完全に平坦化される。図6(b)、6(e)および6(h)は有機酸のみを燐酸に添加した電解質を使用する電解研磨工程の後の画像を示し、その際所定の改良であるにもかかわらず最も高い平坦化効率が達成されず、この平坦化効率は有機酸とアルコール添加剤を含有する電解質の平坦化効率と異なる。
図7(a)および図7(b)は銅表面上で研磨後の原子間力顕微鏡(AFM)写真であり、図7(a)で使用される電解研磨電解質はアルコール添加剤を含まず、図7(b)で使用される電解研磨電解質はアルコール添加剤を有する。電解研磨工程の間に電解研磨電解質中の水分子が分解して酸素を生じ、この酸素が銅表面上に多くのピット、すなわち図7(a)に示される黒点を形成する。銅(Cu)は電解研磨工程の間に印加された電圧により銅イオン(Cu2+)に酸化され、銅イオンが電解研磨電解質中に酸化銅(CuO)または水酸化銅(Cu(OH)2)の形で存在する。アルコール添加剤化合物が反応物質を還元し、銅表面上で酸化銅を除去し、清浄な表面を形成するので、電解研磨電解質へのアルコール添加剤の添加は図7(b)に示されるように、黒点の形成を抑制できる。
本発明の前記の構成は説明するためにすぎない。以下の請求の範囲から逸脱することなく多くの変更例が当業者により考えられる。
Claims (22)
- 酸性溶液および少なくとも1個のヒドロキシル基を有するアルコール添加剤を有する電解研磨電解質において、電解研磨下での金属層上のアルコール添加剤の接触角が酸性溶液の接触角より小さいことを特徴とする電解研磨電解質。
- アルコール添加剤がメタノール、エタノールおよびグリセリンからなる群から選択される請求項1記載の電解研磨電解質。
- 酸性溶液が燐酸を含有する請求項2記載の電解研磨電解質。
- グリセリンと燐酸の体積比が1:50〜1:200である請求項3記載の電解研磨電解質。
- グリセリンと燐酸の体積比が1:100である請求項3記載の電解研磨電解質。
- メタノールと燐酸の体積比が1:100〜1:150である請求項3記載の電解研磨電解質。
- エタノールと燐酸の体積比が1:100〜1:150である請求項3記載の電解研磨電解質。
- 酸性溶液が更に有機酸を含有する請求項3記載の電解研磨電解質。
- 有機酸が酢酸およびクエン酸からなる群から選択される請求項8記載の電解研磨電解質。
- 酢酸の濃度が10000〜12000ppmである請求項9記載の電解研磨電解質。
- クエン酸の濃度が500〜1000ppmである請求項9記載の電解研磨電解質。
- 金属層が少なくとも1つの凹面および1つの凸面を有する、金属層を平坦化する方法において、アルコール添加剤を使用して金属層上に抑制層を形成して、金属層表面での研磨速度を減少し、酸性溶液を使用して金属層を研磨し、その際酸性溶液が凸面での研磨速度が凹面での研磨速度より速くなるように、凹面と凸面の間に濃度勾配を形成することを特徴とする、金属層を平坦化する方法。
- アルコール添加剤がメタノール、エタノールおよびグリセリンからなる群から選択される請求項12記載の方法。
- 酸性溶液が燐酸を含有する請求項13記載の方法。
- グリセリンと燐酸の体積比が1:50〜1:200である請求項14記載の方法。
- グリセリンと燐酸の体積比が1:100である請求項14記載の方法。
- メタノールと燐酸の体積比が1:100〜1:150である請求項14記載の方法。
- エタノールと燐酸の体積比が1:100〜1:150である請求項14記載の方法。
- 酸性溶液が更に有機酸を含有する請求項14記載の方法。
- 有機酸が酢酸とクエン酸からなる群から選択される請求項19記載の方法。
- 酢酸の濃度が10000〜12000ppmである請求項20記載の方法。
- クエン酸の濃度が500〜1000ppmである請求項20記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW093130211A TWI294923B (en) | 2004-10-06 | 2004-10-06 | Electropolishing electrolyte and method for planarizing a metal layer using the same |
PCT/EP2005/010628 WO2006037584A1 (en) | 2004-10-06 | 2005-10-01 | Electropolishing electrolyte and method for planarizing a metal layer using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008516083A true JP2008516083A (ja) | 2008-05-15 |
JP2008516083A5 JP2008516083A5 (ja) | 2008-11-20 |
Family
ID=35636650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007535073A Withdrawn JP2008516083A (ja) | 2004-10-06 | 2005-10-01 | 電解研磨電解質および前記電解質を使用して金属層を平坦化する方法 |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7501051B2 (ja) |
EP (1) | EP1935013A1 (ja) |
JP (1) | JP2008516083A (ja) |
KR (1) | KR20070061579A (ja) |
AT (1) | AT503087A2 (ja) |
CH (1) | CH698385B1 (ja) |
DE (1) | DE112005002414T5 (ja) |
GB (1) | GB2434159B (ja) |
IL (1) | IL182224A0 (ja) |
MY (1) | MY141248A (ja) |
RU (1) | RU2007116697A (ja) |
TW (1) | TWI294923B (ja) |
WO (1) | WO2006037584A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100783006B1 (ko) * | 2007-08-09 | 2007-12-07 | 신승균 | 동 도금된 마그네슘합금 및 그 형성방법 |
SI2504469T1 (sl) * | 2009-11-23 | 2018-11-30 | Metcon, Llc | Postopki elektropoliranja |
US8580103B2 (en) | 2010-11-22 | 2013-11-12 | Metcon, Llc | Electrolyte solution and electrochemical surface modification methods |
CN102337569B (zh) * | 2011-09-19 | 2014-06-11 | 华南理工大学 | 一种钴-钨纳米合金镀层及其制备方法 |
RU2471595C1 (ru) * | 2011-12-07 | 2013-01-10 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "Сатурн" | Электролит для электрохимической обработки |
KR101464860B1 (ko) * | 2013-02-06 | 2014-11-24 | 인천대학교 산학협력단 | 알릴 알콜을 포함하는 금속 씨앗층 평탄제 및 이를 이용한 씨앗층의 형성방법 |
US9648723B2 (en) | 2015-09-16 | 2017-05-09 | International Business Machines Corporation | Process of fabricating printed circuit board |
WO2020138976A1 (ko) * | 2018-12-26 | 2020-07-02 | 한양대학교에리카산학협력단 | 반도체 소자의 제조 방법 |
DE102020200815A1 (de) | 2020-01-23 | 2021-07-29 | Mahle International Gmbh | Zusammensetzung als Elektrolyt zum Auflösen und/oder Abscheiden von Metallen, Metalloxiden und/oder Metalllegierungen sowie Verwendungen dieser Zusammensetzung |
KR102258702B1 (ko) | 2020-09-07 | 2021-06-01 | 주식회사 근우 | 전기 전도율 향상을 위한 표면 구조를 가지는 버스바 |
KR102258703B1 (ko) | 2020-09-07 | 2021-06-01 | 주식회사 근우 | 전기 전도율 향상을 위한 표면구조를 가지는 버스바 제조방법 |
US20230290899A1 (en) * | 2020-11-30 | 2023-09-14 | Korea Institute Of Science And Technology | Method for planarizing cis-based thin film, cis-based thin film manufactured using the same, and solar cell comprising cis-based thin film |
US11447887B2 (en) * | 2020-12-10 | 2022-09-20 | Saudi Arabian Oil Company | Surface smoothing of copper by electropolishing |
US11512400B2 (en) | 2020-12-10 | 2022-11-29 | Saudi Arabian Oil Company | Electrochemical reduction of carbon dioxide |
CN113337877A (zh) * | 2021-05-17 | 2021-09-03 | 安徽昀水表面科技有限公司 | 一种电解抛光药水及电解抛光加工工艺 |
US11718575B2 (en) | 2021-08-12 | 2023-08-08 | Saudi Arabian Oil Company | Methanol production via dry reforming and methanol synthesis in a vessel |
US11578016B1 (en) | 2021-08-12 | 2023-02-14 | Saudi Arabian Oil Company | Olefin production via dry reforming and olefin synthesis in a vessel |
US11787759B2 (en) | 2021-08-12 | 2023-10-17 | Saudi Arabian Oil Company | Dimethyl ether production via dry reforming and dimethyl ether synthesis in a vessel |
US11617981B1 (en) | 2022-01-03 | 2023-04-04 | Saudi Arabian Oil Company | Method for capturing CO2 with assisted vapor compression |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB726133A (en) * | 1952-10-09 | 1955-03-16 | Metro Cutanit Ltd | Improvements relating to the electrolytic treatment of metal wire and the like |
JPS5242134B2 (ja) * | 1972-12-30 | 1977-10-22 | ||
SU779453A1 (ru) * | 1978-04-24 | 1980-11-15 | Ленинградский Институт Ядерной Физики Им. Б.П.Константинова Ан Ссср | Раствор дл электрохимического полировани металлической поверхности |
US4920361A (en) * | 1987-06-26 | 1990-04-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Image recording method and apparatus therefor |
US5066370A (en) * | 1990-09-07 | 1991-11-19 | International Business Machines Corporation | Apparatus, electrochemical process, and electrolyte for microfinishing stainless steel print bands |
JP2649625B2 (ja) | 1991-12-10 | 1997-09-03 | 株式会社 ケミカル山本 | 含クロム合金鋼の電解琢磨用電解液 |
FR2747399B1 (fr) | 1996-04-12 | 1998-05-07 | Commissariat Energie Atomique | Electrolyte pour l'electropolissage, procede d'electropolissage d'un acier inoxydable ou d'un alliage de nickel mettant en oeuvre cet electrolyte, et son application a la decontamination |
US6491808B2 (en) * | 1997-09-11 | 2002-12-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrolytic etching method, method for producing photovoltaic element, and method for treating defect of photovoltaic element |
AT410043B (de) * | 1997-09-30 | 2003-01-27 | Sez Ag | Verfahren zum planarisieren von halbleitersubstraten |
US6811658B2 (en) * | 2000-06-29 | 2004-11-02 | Ebara Corporation | Apparatus for forming interconnects |
US7128825B2 (en) * | 2001-03-14 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
TW567545B (en) | 2002-06-04 | 2003-12-21 | Merck Kanto Advanced Chemical | Electropolishing electrolytic solution formulation |
-
2004
- 2004-10-06 TW TW093130211A patent/TWI294923B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-02-04 US US11/051,163 patent/US7501051B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-01 JP JP2007535073A patent/JP2008516083A/ja not_active Withdrawn
- 2005-10-01 GB GB0707076A patent/GB2434159B/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-01 WO PCT/EP2005/010628 patent/WO2006037584A1/en active Application Filing
- 2005-10-01 KR KR1020077010183A patent/KR20070061579A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-10-01 DE DE112005002414T patent/DE112005002414T5/de not_active Withdrawn
- 2005-10-01 AT AT0939305A patent/AT503087A2/de not_active Application Discontinuation
- 2005-10-01 EP EP05797350A patent/EP1935013A1/en not_active Withdrawn
- 2005-10-01 CH CH00561/07A patent/CH698385B1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-10-01 RU RU2007116697/28A patent/RU2007116697A/ru not_active Application Discontinuation
- 2005-10-06 MY MYPI20054707A patent/MY141248A/en unknown
-
2007
- 2007-03-27 IL IL182224A patent/IL182224A0/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070061579A (ko) | 2007-06-13 |
US20060070888A1 (en) | 2006-04-06 |
GB2434159B (en) | 2009-05-06 |
DE112005002414T5 (de) | 2007-09-27 |
EP1935013A1 (en) | 2008-06-25 |
MY141248A (en) | 2010-03-31 |
TWI294923B (en) | 2008-03-21 |
TW200611998A (en) | 2006-04-16 |
US7501051B2 (en) | 2009-03-10 |
WO2006037584A1 (en) | 2006-04-13 |
AT503087A2 (de) | 2007-07-15 |
IL182224A0 (en) | 2007-09-20 |
CH698385B1 (de) | 2009-07-31 |
GB0707076D0 (en) | 2007-05-23 |
RU2007116697A (ru) | 2008-11-20 |
GB2434159A (en) | 2007-07-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080930 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080930 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20100218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100223 |