JP2008512730A - 薄膜干渉フィルタ及び干渉フィルタの堆積工程制御のためのブートストラップ法 - Google Patents
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Abstract
Description
(関連出願に対する相互参照)
本明細書は、2004年9月13日に出願された「Bootstrap Method for Interference Filter Thin Film Deposition Process Control」という名称の米国仮特許出願連続番号第60/609,406号に基づく利益を主張するものである。
(連邦政府後援による研究又は開発に関する陳述)
本明細書に説明される研究は、米国空軍研究実験室認可番号F22615−00−2−6059により後援されたものである。
ステップを含むことができる。
標準的な計算においては、膜スタックの複素反射率は、入射媒体(多くの場合、空気)のアドミタンス及びスタックの第1のインターフェースを用いて算定される。s及びpの極性化においては、この反射率は、
6.
により与えられる。二行目の
11.
により与えられ、ここでdfilmは物理厚さであり、λ0は入射光の自由空間波長である。
12.
が用いられる
13.
ここで、図2に示される問題を参照すると、膜スタック115A−Xの下にあるインターフェース160(数値的にはk’)における反射率が仮定される。先の層114A−Xは、その層114A−Xが何であるかの漠然とした理念を示すように、「グレイアウト」されて、対角線により示されている。「既知の」層114A−Xの反射率は、上述の反射率からの値と異なっている(すなわち、インターフェース116におけるkの「主要な」記号が異なる値を示している)。しかし、依然として、「既知の」層114Aの上部に重ねられた膜スタック115A−Xの反射スペクトルを算定することが望ましい。
14.
15.
16.
rk'
と呼ばれる複合的な量を特徴とし、これは上述のように、rkとは別のものであり、最上部層が加えられる前の膜スタックの上部の振幅反射率である。以下の説明により明らかであるように、この2つは互いに関連されている。
上述のように、空気中のインターフェース116(数値的にはk)の反射率のマグニチュードは、複素平面における反射率の位相ではなく、強度反射率を測定することにより学習することができる。図3を参照すると、インターフェース116(k)が別の材料5により覆われたときには、既知の反射率が変化する。単純な方法で反射率の変化を算定できない場合には、その反射率について学習したことはすべて無駄になる。幸運にも、これを空気中のインターフェースの振幅反射率に関連させる簡単な方法がある。
18.
ここで、δは膜の物理厚さに正比例する光位相変化
19.
上記の導入を考慮して、膜の堆積及び改良のためのブートストラップ法が以下のセクションで説明され、より具体的には、薄膜スタックの光学的モデルのブートストラップ改良を実行するステップが以下のように与えられる。
ステップ1.
新らしい層の堆積前に、既存の膜スタックの反射率を求める。
1.
振幅反射率のマグニチュードの標準偏差は、方程式3により与えられる。
3.
最悪の場合のシナリオにおいては、Rkは最小値である(振幅反射は起点に最も近い実軸上にある)。このことは、マグニチュードの誤差を相対的に大きくする。さらに、次の層は、πにより進められたこのベクトルにおいてもたらされて、起点から最も遠い点の実軸を交差して、反射率の最大値を生成することができる。ここでも、最悪の場合のシナリオにおいては、観測されたRkの結果として生成されることができる最大反射率は、以下のようになる。
4.
5.
1σという因数に対して方程式5を解くことは容易なことではなく、その結果は非常に複雑である。しかし、数値解は簡単なものである、シリカ(r2=−0.2)に対しては、この値は約Rk=0.19すなわち19%の反射率である。ニオビアに対しては、値は9%の反射率である。換言すると、シリカ層を堆積しようとするとき、
ステップ2.
9%より大きい強度反射率をもつ完成したばかりのシリカ膜又は高指数材料の制限値より大きい強度反射率をもつ低指数膜を測定するときにはいつでも各々の波長における振幅反射率のマグニチュードを
ほとんどの場合において、ニオビア層の基部におけるrkのマグニチュードは、新規のシリカ層において終端する測定された膜スタックの反射率から取得することができる。振幅反射率の位相は確認するのがより困難であるが、2つの一般的な手法がある。第1の手法は、どの位相値が、次の層が加えられた後の最終反射値と一致しているかを考えることである。この情報を用いるためには、次の層の光学的厚さを知らなければならない。光学的厚さの推定値は、通常、初期反射率の理解に基づくものであるため、このことは、時には、冗長な計算になる。これは実際、計算が幾分冗長であるという、通常のマトリックスモデリング手法の弱さである。
ステップ3.
ニオビア(高指数)層の各々の波長に対するモデル化された監視曲線を考慮する。ニオビア層の堆積中にその反射率に最大値をもたないあらゆる監視曲線を廃棄する。どれもこの基準も満たさない場合には、純粋なモデル手法を用いて層を堆積する。
21.
22.
23.
換言すると、誤差は、主要反射率が少なくなると上昇する。最小値は、定義によって、最大値より小さいため、
監視波長における位相角φkは
25.
これはもちろん、2つの解を与える。位相角φkが方程式25から求められると、
は方程式20を用いて算定することができ、監視曲線は、どちらの解がより良いかを判断するのを助けるために、実際のものとの比較に望まれる場合に生成することができる。その後、監視波長におけるできるだけ正しい位相の値が取得されるべきである。もちろんこれは、最大反射率値及びRkを正確に測定することに依存する。したがって、すべての波長が潜在的な監視波長と等しく生成されるわけではない。全スペクトルモニタ(多数の監視波長を獲得する)が最小の解決法であるが、単一の波長だけが利用可能である場合には、最良のものを選択するための系統的な手法がある。
ステップ4.
ニオビア層堆積における残りの可能性のある監視波長において、φkの予期される標準偏差を求める。0.9度より大きいσ(0.016ラジアン)をもついずれをも廃棄する。残っているものがない場合には、純粋なモデル堆積で進行する。
26.
ステップ5.
ニオビア層の目標厚さにおける残りの波長に対するδの予想される誤差を算定する。0.9度より小さい誤差を有する波長がない場合には、層の完全モデル堆積で進行する。幾つかがこの基準を満たす場合には、このカテゴリ内で最低の誤差を選択する。
わざわざ、できるだけ精密にφk及びδを監視曲線から求めるのはなぜであろうか。第一に、ブートストラップ法に対する監視波長が首尾よく選択された場合には、監視波長のマトリックス計算に対する以前の依存への関係を無効にすることができる。すべての他の波長においては、少なくともrkのマグニチュードを求める機会はあるが、元のモデル化された位相の推定のみである。すべての他の波長の位相を「修理」するにはどうすればよいかという疑問が生じる。単チャネルモニタにおいては、それらの波長に監視曲線がないため、各々の波長における位相を直接取得することはできない。(FTIRシステムによるように、常にすべての波長を記録する分光器がある場合には、以下に与えられるステップは不要である)。しかし、ブートストラップ法においてこの点に到達するためには、監視波長に対するδの良好な値と、Rmax及びRkの良好な値がなければならない。これにより、他の測定値の少なくとも幾つかを既に取られた測定値と一致するように「固定する」ことができる。このことは、最悪の場合でも、以下の計算が可能である波長に対する単層の誤差を制限する。
ステップ6.
監視波長に対して計算された値に基づいて、すべての波長に対するδの値を算定する。
30.
ここで、使用はインターフェースkに対する真空において測定された強度反射率で作られて、真空におけるインターフェースkの振幅反射率ベクトルのマグニチュードを表わす。結果としてもたらされる式は方程式31のように単純化することができる。
31.
ステップ7.
監視波長以外の各々の波長に対する位相角の2つの可能性のある値を算定する。
位相角は、3つの反射率測定値(Rmax、Rf、及びRk)に依存し、これらは方程式32において互いに混ぜられる。これはノイズのない仮定的なシステムにおいては良好に作用するが、現実の分光計は強度透過率の測定値において誤差を示す。
34.
ステップ8.
各々の波長におけるrkのモデルから抽出された情報、及び、算定されたδの最良の値を用いて、モニタ以外のすべての波長における位相の推定標準偏差を算定する。
ステップ9.
各々の波長におけるrkのモデル位相に最も近い算定された位相、測定されたRf及びRkの値及び算定されたδの最良の値を用いて、rkのマグニチュードが推定された(ステップ2)モニタ以外のすべての波長における位相の推定標準偏差を算定する。
ステップ10.
位相誤差推定値が1.3度より小さく、ステップ2の基準が満たされている場合には、計算されモデル化された反射率値及び位相値を平均化して、その波長におけるすべての将来のモデリングに用いられる新しい値を取得する。
Claims (22)
- 任意の薄膜スタックの反射率位相及び複素反射率を求めるために実験的測定値を用いる方法であって、
最上部層を堆積する前に、複数の膜スタックの反射率を求め、
高指数層の波長に対するモデル化された監視曲線を考慮し、
前記最上部層の堆積中に、その反射率に最大値をもたない複数の監視曲線を廃棄する、
ステップを含むことを特徴とする方法。 - 前記最上部層がニオビア層であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ニオビア層における複数の監視波長に対するφkの予期される標準偏差を求め、0.9度より大きいσをもついずれをも廃棄する、ステップをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記ニオビア層の目標厚さにおいて0.9より小さいσをもつ波長に対するδの予想される誤差を算定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 0.9度より小さい誤差を有する波長がないときには、前記ニオビア層の完全モデル堆積で進行するステップをさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記複数の監視曲線の各々の反射率に最大値がないときには、前記最上部層の堆積中に、前記モデル化された監視曲線のみを用いるステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記監視波長に対して計算された値に基づいて、すべての波長に対するδの値を算定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記監視波長以外の各々の波長に対する位相角の2つの可能性のある値を算定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 各々の波長におけるrkの前記モデルから抽出された情報及び前記算定されたδの最良の値を用い、前記モニタ以外のすべての波長における位相の推定標準偏差を算定する、ステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 各々の波長におけるrkの前記モデル位相に最も近い算定された位相、測定されたRf及びRkの値及び前記算定されたδの最良の値を用い、rkのマグニチュードが推定された前記モニタ以外のすべての波長における位相の前記推定標準偏差を算定する、ステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 位相誤差推定値が約1.3度より小さいかどうかを判断し、計算されモデル化された反射率値及び位相値を平均化して、その波長における後に続くモデリングに用いられる新しい値を取得する、ステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記最上部層がシリカ膜であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 堆積システムの工程制御が、前記堆積システムを前記最上部インターフェース以外のすべてものから切り離すことによりブートストラップされることを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 計算されモデル化された反射率値と位相値とを平均化して、与えられた波長におけるすべての将来のモデリングに用いられる新しい値を取得するステップをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 所定の反射率を有する複数のスタックされた膜と、
モデル化された監視曲線と、
前記所定の反射率及び前記モデル化された監視曲線の一方に対応する波長を示すように構成された最上部層と、
を含み、前記最上部層が、前記複数のスタックされた膜の上に配置されることを特徴とする薄膜干渉フィルタシステム。 - 前記最上部層がシリカ膜であることを特徴とする請求項20に記載の薄膜干渉フィルタシステム。
- 前記最上部層がニオビア膜であることを特徴とする請求項20に記載の薄膜干渉フィルタシステム。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114217373A (zh) * | 2017-10-20 | 2022-03-22 | 3M创新有限公司 | 光学膜和偏振分束器 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1699422A4 (en) | 2003-12-31 | 2009-04-29 | Univ South Carolina | THIN-FILED POROUS OPTICAL SENSORS FOR GASES AND OTHER LIQUIDS |
US20070201136A1 (en) | 2004-09-13 | 2007-08-30 | University Of South Carolina | Thin Film Interference Filter and Bootstrap Method for Interference Filter Thin Film Deposition Process Control |
US20070166245A1 (en) | 2005-11-28 | 2007-07-19 | Leonard Mackles | Propellant free foamable toothpaste composition |
US8345234B2 (en) | 2005-11-28 | 2013-01-01 | Halliburton Energy Services, Inc. | Self calibration methods for optical analysis system |
EP1974201A1 (en) | 2005-11-28 | 2008-10-01 | University of South Carolina | Optical analysis system for dynamic, real-time detection and measurement |
EP1969326B1 (en) | 2005-11-28 | 2020-06-10 | Ometric Corporation | Optical analysis system and method for real time multivariate optical computing |
US9170154B2 (en) | 2006-06-26 | 2015-10-27 | Halliburton Energy Services, Inc. | Data validation and classification in optical analysis systems |
WO2008057912A2 (en) | 2006-11-02 | 2008-05-15 | University Of South Carolina | Multi-analyte optical computing system |
US8184295B2 (en) | 2007-03-30 | 2012-05-22 | Halliburton Energy Services, Inc. | Tablet analysis and measurement system |
EP2140238B1 (en) | 2007-03-30 | 2020-11-11 | Ometric Corporation | In-line process measurement systems and methods |
US8213006B2 (en) | 2007-03-30 | 2012-07-03 | Halliburton Energy Services, Inc. | Multi-analyte optical computing system |
US8283633B2 (en) | 2007-11-30 | 2012-10-09 | Halliburton Energy Services, Inc. | Tuning D* with modified thermal detectors |
US8212213B2 (en) | 2008-04-07 | 2012-07-03 | Halliburton Energy Services, Inc. | Chemically-selective detector and methods relating thereto |
US10718881B2 (en) | 2013-07-09 | 2020-07-21 | Halliburton Energy Services, Inc. | Integrated computational elements with laterally-distributed spectral filters |
MX364526B (es) | 2013-07-09 | 2019-04-30 | Halliburton Energy Services Inc | Elementos informáticos integrados con una superficie selectiva en frecuencia. |
EP2901135B1 (en) | 2013-12-24 | 2016-08-24 | Halliburton Energy Services, Inc. | Real-time monitoring of fabrication of integrated computational elements |
BR112016011057A8 (pt) | 2013-12-24 | 2020-04-22 | Halliburton Energy Services Inc | método e sistema |
MX359927B (es) | 2013-12-24 | 2018-10-16 | Halliburton Energy Services Inc | Fabricacion de capas criticas de elementos computacionales integrados. |
MX362272B (es) | 2013-12-24 | 2019-01-10 | Halliburton Energy Services Inc | Ajuste de la fabricacion de elementos computacionales integrados. |
US11274365B2 (en) | 2013-12-30 | 2022-03-15 | Halliburton Energy Services, Inc. | Determining temperature dependence of complex refractive indices of layer materials during fabrication of integrated computational elements |
EP2929319A4 (en) | 2013-12-31 | 2016-12-21 | Halliburton Energy Services Inc | FABRICATION OF INTEGRATED COMPUTER PROCESSING ELEMENTS USING A SHAPED SUBSTRATE CARRIER TO COINCIDE WITH THE SPATIAL PROFILE OF A DEPOSIT PANACHE |
MX359196B (es) | 2014-02-14 | 2018-09-19 | Halliburton Energy Services Inc | Espectroscopía in situ para el monitoreo de la fabricación de elementos computacionales integrados. |
BR112016016251B1 (pt) | 2014-03-21 | 2020-11-17 | Halliburton Energy Services, Inc | ferramenta de análise óptica e sistema de perfilagem do poço |
EP3129592A4 (en) | 2014-06-13 | 2017-11-29 | Halliburton Energy Services, Inc. | Integrated computational element with multiple frequency selective surfaces |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6573999B1 (en) * | 2000-07-14 | 2003-06-03 | Nanometrics Incorporated | Film thickness measurements using light absorption |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3892490A (en) * | 1974-03-06 | 1975-07-01 | Minolta Camera Kk | Monitoring system for coating a substrate |
JP3624476B2 (ja) * | 1995-07-17 | 2005-03-02 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
DE10227376B4 (de) * | 2002-06-20 | 2005-03-31 | Leica Microsystems Jena Gmbh | Verfahren zur Bestimmung von Schichtdickenbereichen |
-
2005
- 2005-09-13 WO PCT/US2005/032420 patent/WO2006031733A2/en active Application Filing
- 2005-09-13 EP EP05816196A patent/EP1789752A4/en not_active Withdrawn
- 2005-09-13 JP JP2007531424A patent/JP2008512730A/ja not_active Ceased
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6573999B1 (en) * | 2000-07-14 | 2003-06-03 | Nanometrics Incorporated | Film thickness measurements using light absorption |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114217373A (zh) * | 2017-10-20 | 2022-03-22 | 3M创新有限公司 | 光学膜和偏振分束器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006031733A2 (en) | 2006-03-23 |
EP1789752A2 (en) | 2007-05-30 |
WO2006031733A3 (en) | 2007-02-22 |
EP1789752A4 (en) | 2009-11-04 |
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