JP2008511648A5

JP2008511648A5 -

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Publication number: JP2008511648A5
Application number: JP2007530228A
Authority: JP
Filing date: 2005-08-29
Publication date: 2008-10-16

Claims

（ａ）分子状酸素を含む酸化剤流を気泡塔型反応器の反応ゾーン中に導入し；
（ｂ）被酸化性化合物を含む供給流を、この供給流が、反応ゾーンを１対の交差垂直面によって等容積の４つの垂直クアドラントに理論的に分割する場合に、前記被酸化性化合物の８０重量％以下がこれらの垂直クアドラントのうち共通の１つにおいて前記反応ゾーンに入るように、前記反応ゾーン中に導入し；そして
（ｃ）前記反応ゾーン中に含まれる多相反応媒体の液相中において、前記被酸化性化合物の少なくとも一部を酸化する
ことを含んでなる方法。
前記被酸化性化合物の６０重量％以下が前記垂直クアドラントの共通の１つにおいて前記反応ゾーンに入る請求項１に記載の方法。
前記反応媒体が最大幅（Ｗ）を有し、前記被酸化性化合物の少なくとも５０重量％が、前記分子状酸素の前記反応ゾーンに入る最低位置の２．５Ｗ以内において、前記反応ゾーンに入る請求項１に記載の方法。
前記被酸化性化合物の４０重量％以下が前記垂直クアドラントのうち単一のクアドラントにおいて前記反応ゾーンに入り、前記反応媒体が最大直径（Ｗ）を有し、前記被酸化性化合物の少なくとも７５重量％が、前記分子状酸素の前記反応ゾーンに入る最低位置の５Ｗ以内において前記反応ゾーンに入る請求項１に記載の方法。
前記反応媒体が最大直径（Ｗ）を有し、前記供給流が複数の供給開口部を経て前記反応ゾーンに入り、前記供給開口部の少なくとも２つを互いに垂直方向に少なくとも１．５Ｗの間隔をあけて配置する請求項１に記載の方法。
前記反応ゾーンの少なくとも一部分を前記反応器の１つ又はそれ以上の直立側壁で規定し、前記被酸化性化合物の少なくとも２５重量％が、前記直立側壁から内側に少なくとも０．０５Ｄの間隔をあけて配置された１つ又はそれ以上の位置において前記反応ゾーンに入り、前記反応ゾーンが最大直径（Ｄ）を有する請求項１に記載の方法。
前記被酸化性化合物の少なくとも５０重量％が、前記直立側壁から内側に少なくとも０．０５Ｄの間隔をあけて配置された１つ又はそれ以上の位置において前記反応ゾーンに入る請求項６に記載の方法。
前記反応媒体が最大高さ（Ｈ）、最大幅（Ｗ）及び少なくとも３：１のＨ：Ｗ比を有する請求項１に記載の方法。
前記Ｈ：Ｗ比が８：１〜２０：１の範囲である請求項８に記載の方法。
前記分子状酸素の大部分が前記反応ゾーンの底部の０．２５Ｗ以内において前記反応ゾーンに入る請求項８に記載の方法。
前記被酸化性化合物が芳香族化合物である請求項１に記載の方法。
前記被酸化性化合物がｐ−キシレンである請求項１に記載の方法。
前記酸化が前記反応媒体中で前記被酸化性化合物の少なくとも１０重量％に固体を形成させる請求項１に記載の方法。
前記酸化を、コバルトを含む触媒系の存在下で、実施する請求項１に記載の方法。
前記触媒系が臭素及びマンガンを更に含む請求項１４に記載の方法。
前記被酸化性化合物がｐ−キシレンであり、前記酸化を、前記反応ゾーンを等容積の３０個の水平スライスに理論的に分割する場合にｐＸ−ｍａｘ水平スライスが前記３０個の水平スライス全ての最大ｐ−キシレン濃度を有し且つｐＸ−ｍｉｎ水平スライスが前記ｐＸ−ｍａｘ水平スライスの上方に位置する全ての水平スライスの最小ｐ−キシレン濃度を有するように、実施し、前記ｐ−キシレン濃度を前記反応媒体の液相中で時間平均及び容量平均重量基準で測定し、（前記ｐＸ−ｍａｘ水平スライスのｐ−キシレン濃度）対（前記ｐＸ−ｍｉｎ水平スライスのｐ−キシレン濃度）の比が少なくとも５：１である請求項１に記載の方法。
（前記ｐＸ−ｍａｘ水平スライスのｐ−キシレン濃度）対（前記ｐＸ−ｍｉｎ水平スライスのｐ−キシレン濃度）の比が少なくとも２０：１である請求項１６に記載の方法。
前記気泡塔型反応器中における前記酸化が前記反応媒体中においてテレフタル酸を生成させ、前記方法が前記テレフタル酸の少なくとも一部を二次酸化反応器中における酸化に供することを更に含む請求項１に記載の方法。
前記二次酸化反応器中における前記酸化を、前記気泡塔型反応器中における前記酸化より少なくとも１０℃高い平均温度において、実施する請求項１８に記載の方法。
前記二次酸化反応器における前記酸化を、前記気泡塔型反応器の平均温度よりも２０〜８０℃高い範囲の平均温度において、実施し、前記気泡塔型反応器中における前記酸化を、１４０〜１８０℃の範囲の平均温度において、実施し、前記二次酸化反応器中における前記酸化を、１８０〜２２０℃の範囲の平均温度において、実施する請求項１８に記載の方法。
前記酸化が前記反応媒体中で粗製テレフタル酸粒子を生成させ、前記粗製テレフタル酸粒子の代表的なサンプルが以下の特性：
（ｉ）１２ｐｐｍｗ未満の４，４−ジカルボキシスチルベン（４，４−ＤＣＳ）を含み、
（ｉｉ）８００ｐｐｍｗ未満のイソフタル酸（ＩＰＡ）を含み、
（ｉｉｉ）１００ｐｐｍｗ未満の２，６−ジカルボキシフルオレノン（２，６−ＤＣＦ）を含み、
（ｉｖ）３４０ｎｍにおけるパーセント透過率（％Ｔ₃₄₀）が２５より高い
の１つ又はそれ以上を有する請求項１に記載の方法。
（ａ）分子状酸素を含む酸化剤流を気泡塔型反応器の反応ゾーン中に導入し；
（ｂ）被酸化性化合物を含む供給流を、最大直径（Ｄ）の前記反応ゾーンの少なくとも一部を前記反応器の１つ又はそれ以上の直立側壁で規定し、前記被酸化性化合物の少なくとも２５重量％が、前記直立側壁から内側に少なくとも０．０５Ｄの間隔をあけて配置された１つ又はそれ以上の位置において、前記反応ゾーンに導入し；そして
（ｃ）前記反応ゾーンに含まれる多相反応媒体の液相中において、前記被酸化性化合物の少なくとも一部を酸化する
ことを含んでなる方法。
前記被酸化性化合物の少なくとも５０重量％が、前記直立側壁から内側に少なくとも０．０５Ｄの間隔をあけて配置された１つ又はそれ以上の位置において、前記反応ゾーンに入る請求項２２に記載の方法。
前記反応媒体が最大幅（Ｗ）を有し、前記被酸化性化合物の少なくとも５０重量％が、前記分子状酸素が前記反応ゾーンに入る最低位置の２．５Ｗ以内において、前記反応ゾーンに入る請求項２２に記載の方法。
前記被酸化性化合物が芳香族化合物である請求項２２に記載の方法。
前記被酸化性化合物がｐ−キシレンである請求項２２に記載の方法。
前記酸化が前記反応媒体中で前記被酸化性化合物の少なくとも１０重量％に固体を形成させる請求項２２に記載の方法。
前記酸化を、コバルト、臭素及びマンガンを含む触媒系の存在下で実施する請求項２２に記載の方法。
（ａ）分子状酸素を含む酸化剤流を気泡塔型反応器の反応ゾーン中に導入し；
（ｂ）ｐ−キシレンを含む供給流を、複数の供給開口部を通して最大直径（Ｄ）を有し、少なくとも２つの前記供給開口部を互いに少なくとも０．５Ｄの間隔をあけて配置する、前記反応ゾーンに導入し；そして
（ｃ）前記反応ゾーンに含まれる多相反応媒体の液相中において、前記ｐ−キシレンの少なくとも一部を酸化させることによって粗製テレフタル酸粒子を生成させる
ことを含んでなる方法。
前記ｐ−キシレンの少なくとも３０重量％が、前記分子状酸素が前記反応ゾーンに入る最低位置の１．５Ｄ以内において、前記反応ゾーンに入る請求項２９に記載の方法。
少なくとも２つの前記供給開口部を互いに垂直方向に少なくとも１．５Ｄの間隔をあけて配置する請求項２９に記載の方法。
前記反応ゾーンの少なくとも一部が前記反応器の１つ又はそれ以上の直立側壁で規定し、前記ｐ−キシレンの少なくとも２５重量％が、前記直立側壁から内側に少なくとも０．０５Ｄの間隔をあけて配置された１つ又はそれ以上の位置において、前記反応ゾーンに入る請求項２９に記載の方法。
前記ｐ−キシレンの少なくとも５０重量％が、前記直立側壁から内側に少なくとも０．０５Ｄの間隔をあけて配置された１つ又はそれ以上の位置において、前記反応ゾーンに入る請求項３２に記載の方法。
前記反応媒体が最大高さ（Ｈ）、最大幅（Ｗ）及び７：１〜２５：１の範囲のＨ：Ｗ比を有する請求項２９に記載の方法。