JP2008510251A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. その長さに沿って実質的に一定の幅を有し、かつ容量性検出基準面の第１の軸に沿った前記容量性検出基準面に近接する物体に対して変化する容量性結合を有するように構成された第１の検出素子であって、前記第１の検出素子の長さが、前記第１の軸に沿って向けられている、第１の検出素子と、
   その長さに沿って実質的に一定の幅を有し、かつ前記第１の軸に沿った前記容量性検出基準面に近接する前記物体に対して変化する容量性結合を有するように構成された第２の検出素子であって、前記第２の検出素子の長さが、前記第１の軸に沿って向けられている、第２の検出素子と、からなり、前記第１の検出素子及び前記第２の検出素子が、導電性であり、そして、前記容量性検出基準面の前記第１の軸に対する前記物体の空間位置に対応する情報を提供するように構成されている、
   容量性センサ装置。
2. 前記第１の検出素子に関連する前記容量性結合が、前記容量性検出基準面に対する前記第１の検出素子の部分の変化する距離に伴って変化し、
   前記第２の検出素子に関連する前記容量性結合が、前記容量性検出基準面に対する前記第２の検出素子の部分の変化する距離に伴って変化し、前記第１の検出素子の前記部分の前記変化する距離が、前記第２の検出素子の前記部分の前記変化する距離と異なり、
   前記第１の検出素子及び第２の検出素子が、それぞれ、導電性材料からなるストリップを備える、請求項１に記載の容量性センサ装置。
3. 前記第１の検出素子の導電性材料からなるストリップが、実質的に直線状であり、かつ前記第１の軸に沿った前記容量性検出基準面に対する距離で減少し、前記第２の検出素子の導電性材料からなるストリップが、実質的に直線状であり、かつ前記第１の軸に沿った前記容量性検出基準面に対する距離で増加する；
   前記第１の検出素子の導電性材料からなるストリップと、前記第２の検出素子の導電性材料からなるストリップとが、共通の軸を中心として撚られている；
   のいずれかの構成を備えた請求項２に記載の容量性センサ装置。
4. 以下の構成（１）〜（５）の少なくとも１つを備えている請求項１に記載の容量性センサ装置。
   （１）前記第１の検出素子の前記容量性結合が第１の波形を備え、
   前記第２の検出素子の前記容量性結合が第２の波形を備え、
   前記第１の検出素子の前記容量性結合が第１の位相を備え、
   前記第２の検出素子の前記容量性結合が、前記第１の位相とは異なる第２の位相を備える；
   （２）前記第１の検出素子の前記容量性結合、および前記第２の検出素子の前記容量性結合が、それぞれサイン波形を備える；
   （３）前記第１の検出素子の前記容量性結合が、前記容量性検出基準面と、前記第１の検出素子の部分との間の誘電定数の変化に伴って変化し、
   前記第２の検出素子の前記容量性結合が、前記容量性検出基準面と、前記第２の検出素子の部分との間の誘電定数の変動に伴って変化し、前記第１の検出素子における誘電定数の変動が、前記第２の検出素子における誘電定数の変動とは異なる；
   （４）前記第１の検出素子及び前記第２の検出素子が、前記物体の前記空間位置に対応する前記情報を別々に提供する；
   （５）前記第１の軸に沿うように向けられた長さを有し、かつ前記容量性検出基準面の第２の軸に対する前記物体の空間位置に対応する情報を提供するように構成された第３の検出素子をさらに備える。
5. 容量性検出基準面に対して変化する深さを有する第１の検出素子と、
   前記第１の検出素子と実質的に平行であり、かつ前記容量性検出基準面に対して変化する深さを有する第２の検出素子と、
   前記第１の検出素子と実質的に平行であり、かつ前記容量性検出基準面に対して変化する深さを有する第３の検出素子と、からなり、前記第１の検出素子、第２の検出素子及び第３の検出素子が、前記容量性検出基準面の第１の軸に沿った前記容量性検出基準面に近接する物体の位置に対応する情報を提供するように構成されている、
   容量性検出装置。
6. 以下の構成（１）〜（８）の少なくとも１つを備えている請求項５に記載の容量性検出装置。
   （１）前記第１の検出素子の部分が、前記物体に対して容量性結合を有するように構成されており、前記容量性結合が、前記第１の軸に沿って変化し、
   前記第２の検出素子の部分が、前記物体に対して容量性結合を有するように構成されており、前記容量性結合が、前記第１の軸に沿って変化し、
   前記第３の検出素子の部分が、前記物体に対して容量性結合を有するように構成されており、前記容量性結合が、前記第１の軸に沿って変化する；
   （２）前記第１の検出素子が、波形を備える変化する深さを有し、
   前記第２の検出素子が、前記第１の検出素子の前記波形と、１周期の３分の１だけずれている波形を備える変化する深さを有し、
   前記第３の検出素子が、前記第１の検出素子の前記波形と、１周期の３分の２だけずれている波形を備える変化する深さを有し、
   前記位置が、前記第１の検出素子に対応する信号と、前記第２の検出素子に対応する信号と、前記第３の検出素子に対応する信号とを用いて決められ、前記位置が、三角関数を用いて決められる；
   （３）前記第１の検出素子、前記第２の検出素子及び前記第３の検出素子が、それぞれ、導電性トレースを備え、
   各前記導電性トレースが、基板上に配置されており、前記基板の面が、変化する深さからなるチャネルを備え、前記変化する深さが、前記第１、第２及び第３の検出素子の固有深さプロファイルを定義する；
   （４）前記第１の検出素子、第２の検出素子及び第３の検出素子のうちの少なくとも１つが、前記第１の軸に対して実質的に直角な第２の軸に沿った第２の位置を決めるために用いられる；
   （５）前記第１の検出素子が、第１のサイン波形を備える変化する深さを有し、
   前記第２の検出素子が、前記第１のサイン波形とずれている第２のサイン波形を備える変化する深さを有し、
   前記第３の検出素子が、前記第１のサイン波形及び前記第２のサイン波形とずれている第３のサイン波形を備える変化する深さを有する；
   （６）前記第１の軸と非平行である第２の軸に沿った第２の位置を決めるのに用いられる第４の検出素子をさらに備える；
   （７）変化する深さを有する第４の検出素子と、
   変化する深さを有する第５の検出素子と、
   変化する深さを有する第６の検出素子と、をさらに備え、
   前記第４、第５及び第６の検出素子が、前記第１の検出素子と実質的に平行であり、かつ前記第１の軸に沿った前記位置を決めるように構成されており、
   前記第１、第２、第３、第４、第５及び第６の検出素子が、第２の軸に沿った第２の位置を決めるために構成されており、前記第２の軸が、前記第１の軸と平行ではない；
   （８）前記第１、第２及び第３の検出素子が、容量性タッチパッド装置の一部として用いられる。
7. 容量性センサと結合されたプロセッサを備える携帯電子装置であって、
   前記容量性センサが、
   ｓｉｎ（θ）波形を備える変化する深さを有する第１の検出素子と、
   前記第１の検出素子の前記ｓｉｎ（θ）波形と２π／３ラジアンずれているｓｉｎ（θ）波形を備える変化する深さを有する第２の検出素子と、
   前記第１の検出素子の前記ｓｉｎ（θ）波形と４π／３ラジアンずれているｓｉｎ（θ）波形を備える変化する深さを有する第３の検出素子と、からなり、前記第１の検出素子、第２の検出素子及び第３の検出素子が、それぞれ導電性であり、かつ第１の軸と実質的に平行であり、前記第１の検出素子、第２の検出素子及び第３の検出素子が、前記第１の軸に沿った第１の位置に対応する情報を提供するように構成されている、携帯電子装置。
8. 以下の構成（１）〜（４）の少なくとも１つを備えている請求項７に記載の携帯電子装置。
   （１）前記第１の検出素子、第２の検出素子及び第３の検出素子のうちの少なくとも１つが、前記第１の軸と平行ではない第２の軸に沿った第２の位置を決めるために用いられる；
   （２）前記第１の軸に沿った前記第１の位置が、前記第１の検出素子、前記第２の検出素子及び前記第３の検出素子からの信号を用いて決められる；
   （３）前記第１の軸に沿った前記第１の位置が、三角関数を用いて決められる；
   （４）前記第１の軸に実質的に直角である第２の軸に沿った第２の位置を決めるために用いられる第４の検出素子をさらに備える。
9. 容量性検出基準面に近接する物体に対して変化する容量性結合を有するように構成された第１の検出素子と、
   前記容量性検出基準面に近接する前記物体に対して変化する容量性結合を有するように構成された第２の検出素子と、からなり、前記第１の検出素子及び前記第２の検出素子が、導電性であり、かつ前記容量性検出基準面上の曲線に近接する前記物体の空間位置に対応する情報を提供するように構成されている、容量性センサ装置。
10. 以下の構成（１）〜（４）の少なくとも１つを備えている請求項９に記載の容量性センサ装置。
    （１）前記第１の検出素子及び前記第２の検出素子が、実質的に直線状に向けられている；
    （２）前記第１の検出素子及び前記第２の検出素子が、非直線状に向けられており、前記非直線状は曲線あるいはループである；
    （３）前記第１の検出素子に関連する前記容量性結合が、前記容量性検出基準面に対する前記第１の検出素子の部分の変化する距離に伴って変化し、
    前記第２の検出素子に関連する前記容量性結合が、前記容量性検出基準面に対する前記第２の検出素子の部分の変化する距離に伴って変化し、前記第１の検出素子の前記部分の前記変化する距離が、前記第２の検出素子の前記部分の前記変化する距離と異なる；
    （４）前記第１の検出素子及び前記第２の検出素子がそれぞれ、導電性材料からなるストリップを備える。
11. 容量性検出基準面に近接する導電性物体と導電性トレースとの間の位置−変化する容量性結合を確立する方法であって、
    複数のチャネルパターンを基板に設けるステップであって、前記チャネルパターンは、深さが変化する、ステップと、
    導電性材料を前記チャネルパターン上に堆積させて、第１の検出素子及び第２の検出素子を形成するステップであって、前記第１の検出素子及び第２の検出素子が、導電性であり、かつ実質的に第１の方向に沿って位置し、前記第１の検出素子及び第２の検出素子の各々が、前記第１の方向に沿った第１の位置に対応する情報を提供するように構成されている、ステップと、
    を備える、方法。
12. 以下の構成（１）〜（４）の少なくとも１つを備えている請求項１１に記載の方法。
    （１）前記第１の方向が実質的に直線状あるいは非直線状である；
    （２）前記第１の検出素子が第１の波形を備え、
    前記第２の検出素子が第２の波形を備える；
    （３）前記第１の検出素子を、ある材料で埋め戻すことをさらに含む；
    （４）前記第１の検出素子及び前記第２の検出素子が各々、ループの少なくとも一部を形成する。