JP2008304255A - 半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】測定に係わるノイズの影響を軽減し、制御電圧の測定精度向上させることが出来る。
【解決手段】PLL回路15と、ボルテージフォロワ19と、出力端子23と、を備え、PLL回路15中の電圧制御発振回路の制御電圧V1をボルテージフォロワ19を介して出力端子23に出力する。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体装置に関し、特にPLL(Phase Locked Loop:フェーズ・ロック・ループ)回路を内蔵する半導体装置に関する。
最近の半導体装置には、PLL回路が複数個搭載されるものも多い。このような半導体装置において、回路の高速動作を要求される場合、搭載するPLL回路の特性がチップの品質を大きく左右する。PLL回路の重要な特性のひとつであるV−F特性(VCO(電圧制御発振器)制御電圧−発振周波数特性)は、VCO制御電圧を測定することで確認することができる。このようなPLL回路の測定技術が、特許文献1において開示されている。
図16は、特許文献1に記載されている位相同期発振器の伝達特性測定装置の構成を示すブロック図である。図16において、低周波発振器(OSC)101は、測定しようとする伝達特性の周波数を出力するものであり、この出力信号を電圧制御発振器(VCO)102に出力する。電圧制御発振器102の出力は、位相同期発振器103に入力される。位相同期発振器103は、位相比較回路(COMP)104、ループフィルタ回路(FIL)105、電圧制御発振器(VCO)106を含んで同期ループを構成しており、電圧制御発振器106の出力を位相同期発振器出力として取り出す。
この位相同期発振器103の伝達特性の測定は、低周波発振器101の出力すなわち電圧制御発振器102の制御信号と、位相同期発振器103のループフィルタ回路105の出力すなわち電圧制御発振器106の制御信号とを、測定器107に入力して行う。測定器107は、電圧制御発振器102、106の制御信号の振幅と位相の比とを測定して位相同期発振器103の伝達特性を測定する。
特開昭63−210784号公報
ところで、図16において、電圧制御発振器106の制御電圧を測定する際に、ループフィルタ回路105から測定器107に至るまでの配線あるいは測定器107の接続点の近くにクロック信号やデータ信号などの交流信号の配線が存在すると、この交流信号によって制御信号にノイズがのってしまう。その結果、電圧制御発振器106の発振周波数が変動し、位相同期発振器103の出力信号が変動することでジッタが発生して測定精度を悪化させる虞がある。
本発明の1つのアスペクトに係る半導体装置は、PLL回路と、バッファ増幅器と、出力端子と、を備え、PLL回路中の電圧制御発振回路の制御電圧をバッファ増幅器を介して出力端子に出力する。
本発明によれば、電圧制御発振回路の制御電圧をバッファ増幅器を介して出力端子に出力するので、測定に係るノイズの影響を軽減し、制御電圧の測定精度を向上させることができる。
本発明の実施形態に係る半導体装置は、PLL回路と、バッファ増幅器と、出力端子と、を備える。PLL回路は、内蔵する電圧制御発振回路の制御電圧をバッファ増幅器を介して出力端子に出力する。
また、半導体装置は、入力端子を備え、バッファ増幅器と出力端子との間に比較器をさらに備え、比較器は、一方の入力端をバッファ増幅器に接続し、他方の入力端を入力端子に接続し、出力端を出力端子に接続するようにしてもよい。
さらに、半導体装置は、シリアルデータ信号の信号レベルの判定基準となる電圧を発生する電圧発生回路と、テストモードではバッファ増幅器の出力を比較器の一方の入力端に接続し、通常モードでは電圧発生回路の出力を比較器の一方の入力端に接続するように切り替え動作を行うスイッチ回路と、をさらに備え、入力端子は、シリアルデータ信号を入力する端子であってもよい。
また、半導体装置において、バッファ増幅器は、外部から利得調整可能となるように構成されてもよい。
さらに、半導体装置において、バッファ増幅器は、通常モードでは利得が一定に設定され、テストモードでは利得調整可能とされてもよい。
また、半導体装置において、バッファ増幅器は、通常モード時の利得に対しテストモード時の利得が大きくなるように設定されてもよい。
さらに、半導体装置において、バッファ増幅器は、電圧制御発振回路の制御入力端子に入力端を接続してもよい。
また、半導体装置において、PLL回路は、電圧制御発振回路の制御入力端子と接地間に、第1の容量素子と抵抗素子との直列回路に第2の容量素子を並列に接続するフィルタ回路を備え、バッファ増幅器は、電圧制御発振回路の制御入力端子の代わりに、一端が接地される第1の容量素子の他端に入力端を接続してもよい。
以上のような半導体装置によれば、PLL回路中の電圧制御発振回路の制御電圧をバッファ増幅器を介して出力端子に出力する。したがって、測定に係るノイズの影響を受けずに制御電圧を測定することができる。この場合、バッファ増幅器が存在するのでPLL回路の特性に影響を与えずに測定することができる。以下、実施例に即し、図面を参照して詳しく説明する。
図1は、本発明の第1の実施例に係る半導体装置の構成を示すブロック図である。図1において、半導体装置11は、シリアルデータ転送用の装置であって、ドライバ12、シリアライザ13、内部回路14、PLL回路15、レギュレータ16、レシーバ17、デシリアライザ18、ボルテージフォロワ19、データ出力端子21a、21b、クロック入力端子22、出力端子23、データ入力端子24a、24bを備える。
PLL回路15は、クロック入力端子22に供給されるクロック信号を入力して逓倍し、シリアルデータ変換用の基準クロック信号としてシリアライザ13およびデシリアライザ18に出力する。ボルテージフォロワ19は、PLL回路15の内部のVCO制御電圧信号V1をバファリングして出力端子23から出力する。
内部回路14から出力される送信データは、シリアライザ13によって送信シリアルデータに変換される。変換された送信シリアルデータは、ドライバ12によって差動の送信シリアルデータ信号とされ、データ出力端子21a、21bから外部に出力される。
外部からデータ入力端子24a、24bに供給される差動の受信シリアルデータ信号は、レギュレータ16の出力電圧を参照電圧としてレシーバ17によって受信シリアルデータに変換され、デシリアライザ18に出力される。デシリアライザ18は、受信シリアルデータを受信データに変換し、内部回路14に出力する。
次に、PLL回路15のV−F特性の測定方法の例を説明する。ここでは、PLL回路15の逓倍率をN、PLL回路15のVCOの最低発振周波数をFmin、最高発振周波数をFmaxとする。
(1)クロック入力端子22にFmin/N以下となるクロック信号を入力し、出力端子23におけるVCO制御信号の電圧(V)を測定する。同時にVCOの発振周波数も測定する。
(2)クロック信号の周波数を徐々に上げ、Fmax/N以上となるまでVCO制御信号の電圧(V)と発振周波数の測定を繰り返す。
以上のような測定によって図2に示すようなV−F特性を得ることができる。
以上のような構成の半導体装置11において、VCO制御信号V1は、一度ボルテージフォロワ19でバファリングされて出力端子23から出力される。したがって、出力端子23にノイズが加わった場合であってもVCO制御信号V1は、ノイズによる変動を受けず、PLL回路15の特性に影響を及ぼすことがない。
図3は、本発明の第2の実施例に係る半導体装置の構成を示すブロック図である。図3において、図1と同一の符号は同一物を示し、その説明を省略する。実施例1からの変更点は、図1におけるボルテージフォロワ19および出力端子23を削除し、PLL回路15のVCO制御信号V1(以下、単に制御信号V1という)を受信部(レシーバ)17aに出力する。以下、PLL回路15、受信部17aなどの半導体装置の主要部について説明する。
図4は、本発明の第2の実施例に係る半導体装置の主要部の回路図である。始めにPLL回路15について説明する。PLL回路15は、VCO(電圧制御発振器)31、分周器32、PFD(位相周波数比較器)33、チャージポンプ34、フィルタ35を備える。
PFD33は、クロック入力端子22に供給されるクロック信号CLKREFと分周器32の出力信号CLKBとの位相および周波数を比較し、比較結果に応じてUP信号またはDOWN信号をチャージポンプ34に出力する。すなわち、出力信号CLKBが基準クロックCLK_REFに対して周波数が遅い場合、または位相が遅れている場合に、UP信号を出力し、逆に基準クロックCLK_REFに対して周波数が早い場合、または位相が進んでいる場合に、DOWN信号を出力する。
チャージポンプ34は、入力されたUP信号とDOWN信号に応じてそれぞれ電流を吐き出す、または引き込むように動作し、これらの電流はフィルタ35で充放電され、VCO31の制御電圧V1を生成する。フィルタ35は、容量素子C1と抵抗素子R1との直列回路に容量素子C2を並列に接続し、容量素子C1、C2の一端を接地するような構成とする。
VCO31は、制御電圧V1に対応した周波数で発振し、発振信号CLKAがシリアライザ13、デシリアライザ18および分周器32に出力される。
分周器32は、発振信号CLKAを分周して分周された出力信号CLKBとしてPFD33に出力する。
以上のような構成のPLL15は、内部で帰還回路を形成している。したがって、クロック信号CLKREFと分周器32の出力信号CLKBとの周波数および位相が一致したところでVCO制御電圧V1は安定する。
次に、受信部17aについて説明する。
スイッチSW1は、チャージポンプ34の出力(フィルタ35またはVCO31の入力)とレギュレータ16の出力を切り替えてアンプ43の+側入力に与える。なお、スイッチSW1の切替信号は、テスト回路50から入力端子25を介して与えられる。
アンプ43は、出力を抵抗ストリング44の一端および抵抗素子R12の一端に接続する。また、−側入力を抵抗素子R12の他端およびスイッチSW2を介して抵抗素子R11の一端に接続する。抵抗素子R11の他端は、接地される。
スイッチSW2は、テスト回路50から入力端子26を介して与えられる制御信号によってオンオフされ、アンプ43の−側の入力を抵抗素子R11を介してGNDと接続するか開放するかを切り替える。スイッチSW2がオフの場合は、アンプ43の出力と−側の入力が抵抗素子R12を介して接続されているので、アンプ43はボルテージフォロワとして動作する。またスイッチSW2がオンの場合、アンプ43は非反転増幅器となり、その増幅率Nは、N=(R11+R12)/R11で表される。
抵抗ストリング44は、接地側から抵抗素子Ra、Rb、Rcが順に直列接続される構成とされ、抵抗素子Rcの一端がアンプ43の出力に接続される。
コンパレータ46は、−側入力を抵抗素子Rb、Rcの接続ノードに接続し、+側入力を入力端子24aに接続し、出力を論理和回路41の一方の入力端に接続する。
コンパレータ47は、−側入力を入力端子24bに接続し、+側入力を抵抗素子Ra、Rbの接続ノードに接続し、出力を論理和回路41の他方の入力端に接続する。
コンパレータ48は、−側入力を入力端子24aに接続し、+側入力を抵抗素子Rb、Rcの接続ノードに接続し、出力を論理和回路42の一方の入力端に接続する。
コンパレータ49は、−側入力を抵抗素子Ra、Rbの接続ノードに接続し、+側入力を入力端子24bに接続し、出力を論理和回路42の他方の入力端に接続する。
論理和回路41は、出力信号を端子27を介してテスト回路51に出力すると共にデシリアライザ18に出力する。
論理和回路42は、出力信号を端子28を介してテスト回路51に出力すると共にデシリアライザ18に出力する。
入力端子24a、24bから入力されたシリアルデータ(差動データ)は、レシーバ45に内蔵の4つのコンパレータ46、47、48、49でスレッショルド電圧V3(抵抗素子Rb、Rcの接続ノードの電圧)とV4(抵抗素子Ra、Rbの接続ノードの電圧)と比較される。出力端子27、28は、レシーバ45の出力端子であって、出力端子27は、コンパレータ46、47の比較結果の論理和を出力する。また、出力端子28は、コンパレータ48、49の比較結果の論理和を出力する。論理和回路41、42の出力は、デシリアライザ18とLSIテスト時のテスト回路(出力制御)51へと接続される。ここでテスト回路(出力制御)51は、論理和回路41、42の信号をテスト出力信号52としてLSI外部へ出力する。
入力端子25、26は、LSIテスト時にテスト回路(入力制御)50から入力されるテスト制御信号の入力端子であり、それぞれスイッチSW1とスイッチSW2を制御する。スイッチSW1は、a側に接続するとアンプ43の+側の入力信号をVCO制御信号V1とし、b側に接続するとレギュレータ16の出力する定電圧Vregに切り替える。
以上のような構成において、通常動作時に、スイッチSW1をb側に接続し、スイッチSW2をオフとする。したがって、アンプ43は、ボルテージフォロワとして動作し、レギュレータ16が出力する定電圧Vregをそのまま抵抗ストリング44の一端に伝える(Vreg=V2)。抵抗ストリング44は、電圧V2を分圧してレシーバ45中のコンパレータのスレッショルド電圧となるV3とV4を生成する。
次に、VCO制御電圧測定時の動作について説明する。測定時には、入力端子25からスイッチSW1をa側に接続する信号を入力してアンプ43の入力電圧をレギュレータ16の定電圧Vregから制御電圧V1へと切り替える。
また、入力端子26の信号によってスイッチSW2がオフまたはオンすることで、アンプ43は、ボルテージフォロワまたはN倍の非反転増幅器へ切り替わる。すなわち、
SW2がオフの場合、
V2=V1
SW2がオンの場合、
V2=N×V1
となる。
この時、レシーバ45のスレッショルド電圧V3、V4は、
SW2がオフの場合、
V3=(Ra+Rb)×V1/(Ra+Rb+Rc)−−−式(1)
SW2がオンの場合、
V3=(Ra+Rb)×N×V1/(Ra+Rb+Rc)−−−式(2)
となる。また、スレッショルド電圧V4は、
SW2がオフの場合、
V4=Ra×V1/(Ra+Rb+Rc)
SW2がオンの場合、
V4=Ra×N×V1/(Ra+Rb+Rc)
となる。
VCO制御電圧測定は、レシーバ45に内蔵の4つのコンパレータの1つを用いて行われる。ここではコンパレータ46を用いた場合について説明する。
図5は、入力端子24aに与えられる信号Vinの変化を示す図である。
(1)時間と共に増大する図5に示すような信号Vinを入力端子24aに印加する。
(2)コンパレータ46は、VinとV3とを比較し、Vin≧V3となったときにハイレベル信号を出力し、出力端子27の出力信号(テスト出力信号52も同様)が立ち上がる。この時の電圧を観測することで、コンパレータ46のスレッショルド電圧V3が測定される。
(3)式(1)、(2)により、制御電圧V1は、V3から以下のように求めることができる。
SW2がオフの場合、
V1=(Ra+Rb+Rc)×V3/(Ra+Rb)−−−式(3)
SW2がオンの場合、
V1=(Ra+Rb+Rc)×V3/N/(Ra+Rb)−−−式(4)
次に、テスト時のスイッチSW2のオンオフとN倍非反転増幅器の倍率の設定方法について説明する。ここでは、図4に示すようにPLL15の電源電圧をVDD1とし、アンプ43と抵抗ストリング44とレシーバ45を含む受信部17aの電源電圧をVDD2(≧VDD1)とする。V1は、0〜VDD1の範囲で変化するのでVDD1とVDD2の関係から、例えば以下のように設定してスレッショルド電圧V3をコンパレータ46、47、48、49が十分に動作する電圧レベルに切り替えればよい。
(1)VDD1=VDD2の場合、
スイッチSW2をオフにし、アンプ43をボルテージフォロワとして使用する。
図6にV1、V2、V3とコンパレータの動作範囲の関係を示す。V1とコンパレータの動作範囲が同一であるため、抵抗ストリング44で分圧されたV3でも問題なくコンパレータが動作することができる。
(2)VDD1<VDD2の場合、
SW2をオンし、R11とR12の関係を、
VDD2/VDD1≧(R11+R12)/R11=N −−−式(5)
とし、アンプ43をN倍の非反転増幅器として使用する。
図7にV1、V2、V3とコンパレータの動作範囲の関係を示す。V1の動作範囲は、コンパレータの動作範囲に比べ小さい。そこで、アンプ43でV1をN倍に増幅してコンパレータが十分に動作できる範囲にする。
以上の説明において、V1とV3の関係は、式(3)〜(5)に示すように抵抗値の比のみで決まるため、抵抗値の絶対ばらつきに依存せず高い測定精度が得られる。
実施例1では、VCO制御信号をLSI外部に出力するために、図1の出力端子23に示すようなアナログ信号を扱う専用の端子が必要であった。これに対し、実施例2では、VCO制御信号をコンパレータ比較後のデジタル信号に変換しているために、LSIのテスト回路と兼用することができる。したがって、出力端子を削減することができる。
図8は、本発明の第3の実施例に係る半導体装置の構成を示すブロック図である。図8において、図4と同一の符号は同一物を示し、その説明を省略する。図8に示す半導体装置では、図4の抵抗R12を抵抗値可変回路20に変更する。また、テスト回路50aが抵抗値可変回路20を制御するための抵抗値可変信号を出力し、この抵抗値可変信号を入力する入力端子29を追加している。
図9は、抵抗値可変回路20の一例を示す回路図である。抵抗値可変回路20は、入力端子29から入力されるM+1ビットの抵抗制御信号R_Control[M:0]で制御される。この回路の端子AとBは、それぞれアンプ43の出力と−側入力端子に接続される。AとB間の抵抗値は、抵抗R12で、内部でM+2等分されている。また、M+1個のスイッチSW_R−0〜SW_R−Mを内蔵しており、各スイッチは、抵抗制御信号R_Control[M:0]でオン、オフの制御がなされる。nビット目信号R_Control_n(ここでnは0≦n≦M)は、スイッチSW_R−nを制御し、オンにした場合、端子B側からn+1番目の抵抗とn+2番目の抵抗の間のノードを端子Aと短絡する。
図8のスイッチSW2をオンし、抵抗制御信号R_control[M:0]を変更することで、アンプ43の増幅率を変え、V1とV2の関係を以下のように切り替えることができる。
SW_R−0のみオンした場合:
V2=(R11+R12/(M+2))×V1/R11
SW_R−1のみオンした場合:
V2=(R11+R12×2/(M+2))×V1/R11



SW_R−Mのみオンした場合:
V2=(R11+R12×(M+1)/(M+2))×V1/R11
全てのスイッチをオフにした場合:
V2=(R11+R12)×V1/R11
また、図8のスイッチSW2をオフにすることで、アンプ43は、ボルテージフォロワとして動作し、V2=V1となる。
具体的な例として、図10に抵抗制御信号R_Control[M:0]を5ビットの信号R_Control[4:0]とし、抵抗素子R12の抵抗値を抵抗素子R11の抵抗値の3倍(3×R11)とした場合を示す。この場合、抵抗値可変回路内の1個あたりの抵抗は、0.5×R11となり、1.5倍〜4倍まで6段階に切り替えることができる。
このようにアンプ43の倍率を切り替えることで、コンパレータ46、47、48、49の動作範囲が狭い場合に有効となる。その一例を図11に示す。この例では、図11(d)のようにコンパレータ46、47、48、49は、0V近辺で動作できないとし、またVDD1=VDD2とする。VCO制御電圧が図11(a)のV1−aのような場合、倍率を4倍にすることでコンパレータ46、47、48、49の動作範囲で使用可能となる。VCO制御電圧が図11(a)のV1−bのような場合は、倍率を4倍にすると電源電圧であるVDD2を超えてしまうため、倍率を2倍にしてコンパレータ46、47、48、49の動作範囲で使用すればよい。
次に、実施例3におけるテスト方法について説明する。実施例3では、実施例2で説明した図5に例を示す測定方法で可能であるが、さらに抵抗値可変回路20を制御して、図12に示す方法でも可能である。図5と異なり、入力端子24aに与える電圧Vinを固定電圧とする。その代わりに抵抗制御信号R_Control[M:0]で増幅器の倍率を切り替え、出力端子27の信号(テスト回路の出力信号52)がアサートされる前後の倍率からレシーバ45のスレッショルド電圧を求めることができる。
図12の例では、倍率がβからγの間でコンパレータ46の出力が反転しているため、
(Ra+Rb)×β×V1/(Ra+Rb+Rc)≦Vin≦(Ra+Rb)×γ×V1/(Ra+Rb+Rc)
が成り立つ。
よって、V1は、
(Ra+Rb+Rc)×Vin/γ/(Ra+Rb)≦V1≦(Ra+Rb+Rc)×Vin/β/(Ra+Rb)
の範囲にあることがわかる。
このような構成によれば、コンパレータの動作範囲に制限を受けずにテストでき、かつ、DC信号のみで測定できることからテスタなどの自動測定を容易に行うことができる。
図13は、本発明の第4の実施例に係る半導体装置の構成を示すブロック図である。図13において、図4と同一の符号は同一物を示し、その説明を省略する。図13に示す半導体装置では、図4に示すようなVCO制御電圧の引き出す点を、チャージポンプ34、VCO31、フィルタ35の接点(p点)からフィルタ35を構成する抵抗R1とコンデンサC1の直列接続点であるq点に変更する。測定方法は、実施例2で説明した場合と同様となる。
実施例2(図4)では、VCO制御電圧を引き出す配線の容量とスイッチSW1の寄生容量とが大きい場合、フィルタの特性に影響を及ぼしてしまう。本実施例のフィルタの構成において、容量素子C1の容量値は、容量素子C2の容量値に対して大きい値とする。図13に示すようにq点から引き出す場合、配線の容量とスイッチSW1の寄生容量とが多少大きくとも、容量素子C1の容量値に対して無視できる値であれば、フィルタ特性への影響はなくなる。
図14は、本発明の第5の実施例に係る半導体装置の構成を示すブロック図である。図14において、図4と同一の符号は同一物を示し、その説明を省略する。図14に示す半導体装置では、図4(実施例2)におけるスイッチSW1、SW2におけるテスト制御信号の入力端子25、26をひとつにまとめ、下記のように動作させる。
(1)通常動作時
SW1:b側
SW2:オフ
(2)VCO制御電圧測定時
SW1:a側
SW2:オン
V1とV2とV3とコンパレータ46、47、48、49の電圧関係が図7に示すような場合、VCO制御電圧測定時にアンプ43は、常にN倍増幅器として使用するため、スイッチSW1とSW2を連動させることが出来る。このような構成の半導体装置によれば、入力端子をひとつ減らすことが出来る。
図15は、本発明の第6の実施例に係る半導体装置の構成を示すブロック図である。図15において、図8と同一の符号は同一物を示し、その説明を省略する。図14に示す半導体装置では、図8(実施例3)におけるVCO制御電圧の引き出す点をチャージポンプ34、VCO31、フィルタ35の接点(p点)からフィルタ35を構成する抵抗とコンデンサの直列接続点であるq点に変更する。このような構成によれば、実施例3と実施例4の両方における効果が得られる。
なお、前述の特許文献等の各開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示(請求の範囲を含む)の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
本発明の第1の実施例に係る半導体装置の構成を示すブロック図である。 V−F特性を表す図である。 本発明の第2の実施例に係る半導体装置の構成を示すブロック図である。 本発明の第2の実施例に係る半導体装置の主要部の回路図である。 入力端子に与えられる入力信号Vinの変化を示す図である。 V1、V2、V3とコンパレータの動作範囲を示す第1の図である。 V1、V2、V3とコンパレータの動作範囲を示す第2の図である。 本発明の第3の実施例に係る半導体装置の構成を示すブロック図である。 抵抗値可変回路の一例を示す回路図である。 抵抗値可変回路の一例をより具体的に示す回路図である。 本発明の第3の実施例における各電圧の関係を示す図である。 本発明の第3の実施例におけるテスト方法を示す図である。 本発明の第4の実施例に係る半導体装置の構成を示すブロック図である。 本発明の第5の実施例に係る半導体装置の構成を示すブロック図である。 本発明の第6の実施例に係る半導体装置の構成を示すブロック図である。 従来の位相同期発振器の伝達特性測定装置の構成を示すブロック図である。
符号の説明
11 半導体装置
12 ドライバ
13 シリアライザ
14 内部回路
15 PLL回路
16 レギュレータ
17、45 レシーバ
17a 受信部
18 デシリアライザ
19 ボルテージフォロワ
20 抵抗値可変回路
21a、21b データ出力端子
22 クロック入力端子
23 出力端子
24a、24b データ入力端子
25、26、29 入力端子
27、28 端子
31 VCO(電圧制御発振器)
32 分周器
33 PFD(位相周波数比較器)
34 チャージポンプ
35 フィルタ
41、42 論理和回路
43 アンプ
44 抵抗ストリング
46、47、48、49 コンパレータ
50、50a、50b、51 テスト回路
52 テスト出力信号
C1、C2 容量素子
R1、R11、R12、Ra、Rb、Rc 抵抗素子
SW1、SW2、SW_R−0〜SW_R−M スイッチ

Claims (8)

  1. PLL回路と、バッファ増幅器と、出力端子と、を備え、
    前記PLL回路中の電圧制御発振回路の制御電圧を前記バッファ増幅器を介して前記出力端子に出力することを特徴とする半導体装置。
  2. 入力端子を備え、
    前記バッファ増幅器と前記出力端子との間に比較器をさらに備え、
    前記比較器は、一方の入力端を前記バッファ増幅器の出力端に接続し、他方の入力端を前記入力端子に接続し、出力端を前記出力端子に接続することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  3. シリアルデータ信号の信号レベルの判定基準となる電圧を発生する電圧発生回路と、
    テストモードでは前記バッファ増幅器の出力を前記比較器の一方の入力端に接続し、通常モードでは前記電圧発生回路の出力を前記比較器の一方の入力端に接続するように切り替え動作を行うスイッチ回路と、
    をさらに備え、
    前記入力端子は、前記シリアルデータ信号を入力する端子であることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
  4. 前記バッファ増幅器は、外部から利得調整可能となるように構成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載の半導体装置。
  5. 前記バッファ増幅器は、通常モードでは利得が一定に設定され、テストモードでは利得調整可能とされることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
  6. 前記バッファ増幅器は、通常モード時の利得に対しテストモード時の利得が大きくなるように設定されることを特徴とする請求項4または5記載の半導体装置。
  7. 前記バッファ増幅器は、前記電圧制御発振回路の制御入力端子に入力端を接続することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一に記載の半導体装置。
  8. 前記PLL回路は、前記電圧制御発振回路の制御入力端子と接地間に、第1の容量素子と抵抗素子との直列回路に第2の容量素子を並列に接続するフィルタ回路を備え、
    前記バッファ増幅器は、前記電圧制御発振回路の制御入力端子の代わりに、一端が接地される前記第1の容量素子の他端に入力端を接続することを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
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