JP2008302102A - 磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】MRI装置の計測時の騒音を低減するために、効果的なスリューレート低減を支援する技術を提供する
【解決手段】対話的に最適なスリューレートを見つける手段を有する。指定されたスリューレートに低減した際の撮像可能性を検討し、不可である場合は、低減可能なスリューレートを算出して提示する。
【選択図】図1

Description

本発明は、磁気共鳴イメージング装置において、騒音を低減する技術に関する。特に、傾斜磁場の単位時間あたりの変化量を低減させることにより騒音を低減する技術とそれに伴う撮像パラメータ設定支援技術に関する。
磁気共鳴イメージング装置(以下MRI装置と称する)では、傾斜磁場コイルを用いて局所的な傾斜磁場を発生させ画像を取得する。この傾斜磁場を発生させる際に傾斜磁場コイルに電磁気力が発生し、これが傾斜磁場コイルに機械的歪みを生じさせて騒音が発生する。撮像の際に生じる騒音は患者に大きな精神的負担を与えるため、騒音低減はMRI装置において重要な課題である。
例えば、傾斜磁場の立上がりまたは立下がり時の単位時間あたりの変化量(以下スリューレートと称する。)を低くすることにより、傾斜磁場コイルに発生する電磁気力を小さくし、騒音を低減する技術がある。この技術では、傾斜磁場のパルス波形の、立上がり、立下がり時間を延ばすことにより、スリューレートを低減する(例えば、特許文献1参照。)。
特開2001−309902号公報
スリューレートの低減は印加する傾斜磁場パルスを時間方向に引き延ばすことを意味するため、スリューレートを低減させて騒音低減を図ると、撮像パラメータの設定可能範囲を狭め、所望の画像を取得できなくなることがある。特許文献1には、騒音低減と撮像条件との間でトレードオフを行う手法の開示がある。しかし、あくまで、騒音低減と撮像条件とのいずれかを固定した場合の他方の限界を提示するもの、または、予め定めた範囲内からの選択によるトレードオフであり、必ずしも所望の騒音低減効果と所望の画像の質とに近づくわけではない。
取得する画像の質を維持しつつ、騒音を低減するためには、スリューレートの低減にあたり、それが撮像パラメータに与える影響をできる限り少なくするよう、効果的に行う必要がある。しかも、撮像時に必要に応じて騒音低減を行う場合があるため、短時間でスムーズに行う必要がある。しかしながら、スリューレートは撮像パラメータの設定と密接に関連しているため、容易ではない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、MRI装置の計測時の騒音を低減するために、効果的なスリューレート低減を支援する技術を提供することを目的とする。
本発明は、対話的に最適なスリューレートを見つける手段を有する。指定されたスリューレートに低減した際の撮像可能性を検討し、不可である場合は、低減可能なスリューレートを算出して提示する。
具体的には、傾斜磁場パルスの単位時間あたりの変化量(スリューレート)を変更する指示を受け付けるスリューレート変更指示受付手段と、前記スリューレート変更指示受付手段で受け付けた指示に従って前記スリューレートを変更するスリューレート変更手段と、前記スリューレート変更手段で変更後の前記スリューレートを用いてパルスシーケンスを生成可能か否かを判別する撮像可能性判別手段と、前記撮像可能性判断手段が生成不可と判別した場合、前記パルスシーケンスを生成可能なスリューレートを特定する情報を算出する撮像可能条件生成手段と、前記撮像可能条件生成手段が算出した前記特定する情報をユーザに提示する撮像可能条件提示手段と、を備えることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置を提供する。
本発明によれば、MRI装置の計測時の騒音を低減するために、効果的なスリューレート低減を支援する技術を提供することができる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。図1は、本実施形態のMRI装置の全体概略構成図である。本実施形態のMRI装置は、静磁場コイル102と、傾斜磁場コイル103と、照射コイル104と、受信コイル105とを納めるガントリ101と、傾斜磁場コイル103を駆動するX軸傾斜磁場電源108、Y軸傾斜磁場電源109、Z軸傾斜磁場電源110と、照射コイル104を駆動する送信系107と、受信コイル105からの信号を受信する受信系106と、CPU111と、シーケンサ112と、を備える。
静磁場コイル102は磁石、超伝導コイルまたは常伝導コイルを用いて構成され、被検体116に静磁場を与える。傾斜磁場コイル103は被検体116に互いに直交するX,Y,Zの3軸方向に傾斜磁場を与える。照射コイル104は被検体116の生体組織を構成する原子の原子核にNMR現象を起こさせる高周波(以下RFと称する)パルスを印加する。受信コイル105は、このNMR現象により放出されるエコー信号を受信し、受信系106を介してCPU111へ送信する。
シーケンサ112は、CPU111により制御され、X軸傾斜磁場電源108、Y軸傾斜磁場電源109、Z軸傾斜磁場電源110、送信系107、受信系106を駆動する。撮像の制御は、ユーザーが設定した撮像パラメータに基づいて作成されたパルスシーケンスに従って行われる。なお、パルスシーケンスにおいて、傾斜磁場は、スライス(Slice)、位相(Phase)、周波数(Frequency)の論理軸で作成される。シーケンサ112は、それを、X、Y、Zの物理軸に変換し、各軸の傾斜磁場電源108、109、110を制御する。論理軸における傾斜磁場は、それぞれ時間を横軸にとると台形形状を有するパルスである。以下の記述において、特に区別をする必要がある場合以外は、各論理軸上のパルスを傾斜磁場パルスと総称する。
CPU111は、MRI装置全体の制御と、受信系105で検出したエコー信号を用いて画像再構成演算を行う信号処理と、シーケンサ112の駆動・制御とを行う。また、キーボード、マウス等の入力装置114とディスプレイ等の出力装置115とを接続し、再構成した画像を出力装置(ディスプレイ)113のに表示する。また、出力装置(ディスプレイ)113にグラフィカルユーザーインターフェース(以下GUIと称する)を表示し、入力装置114を介してユーザーからの入力を受け付ける。
さらに、本実施形態では、CPU111は、撮像パラメータ設定支援機能115と、スリューレート変更処理部116と、撮像可能条件算出処理部117とを実現する。撮像パラメータ設定支援機能115は、GUIを介してユーザから受け付けた撮像パラメータを用いて実行可能なパルスシーケンスを作成し、ディスプレイ113等の表示装置に表示する。また、撮像可能条件算出処理部117が算出した撮像が可能な条件をディスプレイ113等の表示装置に表示する。スリューレート変更処理部116は、各傾斜磁場パルスのスリューレートを変更する処理を行う。処理の詳細は後述する。撮像可能条件算出処理部117は、GUIを介してユーザが指定した条件で撮像可能なパルスシーケンスを作成できない場合、各傾斜磁場パルスのスリューレートの変更も含め、ユーザが指定した条件に近い撮像可能な条件を算出する。
なお、撮像パラメータ設定支援機能115は、実行可能なパルスシーケンスの作成には、従来の撮像パラメータ設定支援機能を用いる。一般に、MRI装置で撮像を行う場合、撮像視野、スライス厚、積算回数、スライスエンコード数、周波数エンコード数、位相エンコード数、バンド幅等の約100種類ほどの撮像パラメータを設定する必要がある。いくつかの撮像パラメータは相互に依存関係があり、設定に制約がある。このため、撮像に必要な全撮像パラメータの設定には複雑な処理が必要である。従来の撮像パラメータ設定支援機能は、予めプログラムとして提供され、ユーザから入力されたこれらの撮像パラメータを用いて、撮像の可否を判断し、不可能と判断した場合、その旨通知したり、所定の撮像パラメータについて、撮像可能な上限値または下限値を提示したり、最適な撮像パラメータを自動的に算出して提示したりすることにより、動作可能な撮像パラメータの設定を支援する。可否は、ユーザから入力された撮像パラメータを用いてパルスシーケンスの作成を試み、作成できれば可能と、できなければ、不可能と判断する。従来の撮像パラメータ設定支援機能には、設定を求めてGUI上に表れる撮像パラメータを順々に設定する際、ある撮像パラメータについて許容範囲外のパラメータ値が入力されると、入力値に最も近い有効値を提示すると共にその他の許容範囲を提示するもの、スキャン時間解像度、コントラスト、S/N、スライスに関連するそれぞれの撮像パラメータについてはその設定値を修正した時他の撮像パラメータに与える影響を提示するものがある。
撮像パラメータ設定支援機能115と、スリューレート変更処理部116と、撮像可能条件算出処理部117とは、予めメモリに格納されたプログラムをCPU111が実行することにより実現される。なお、これらは、MRI装置に接続された、MRI装置とは別個の情報処理装置において実現されてもよい。
次に、撮像パラメータ設定支援機能115が提供するGUIについて説明する。撮像パラメータ設定支援機能115は、撮像パラメータ等を表示するとともに入力を受け付ける撮像パラメータ入力画面200と、撮像可能条件算出処理部117により算出された撮像可能な条件(サジェスチョン)を提示するとともに、選択を受け付けるサジェスチョン選択画面600とを提供する。
図2は、本実施形態の撮像パラメータ設定支援機能115が提供する撮像パラメータ入力画面200の一例を示す図である。本図に示すように、本実施形態のGUI画面200は、患者情報表示領域201、図形操作による撮像パラメータ入力領域(図入力領域)202、値の入力による撮像パラメータ入力領域(値入力領域)203、騒音低減効果入力領域204、入力確定指示ボタン206、撮像コントロール入力領域205とを備える。
患者情報表示領域201は、予め入力されメモリ等(不図示)に保持されている患者情報を表示する。図入力領域202は、領域上に表示されたパラメータ入力補助図形上で入力装置114を介して行われるユーザの操作から、スライス断面の回転等の撮像パラメータの入力を受け付ける。値の入力による撮像パラメータ入力領域203は、予め設定されメモリ等に保持されている各種の撮像パラメータを表示するとともに、ユーザからの値の変更の入力を受け付ける。入力確定指示ボタン206は、図入力領域202、値入力領域203、騒音低減効果入力領域204の各領域に入力した値等に変更し、撮像シーケンスを再計算する指示を受け付けるためのボタンである。撮像コントロール入力領域205は、撮像開始の指示を受け付ける撮像開始指示ボタン205aと、撮像停止の指示を受け付ける撮像停止ボタン205bとを備える。
騒音低減効果入力領域204は、現在設定されている騒音低減効果を示すレベル(騒音低減レベル)を表示するとともに、その騒音低減レベルの変更の入力を受け付ける。騒音低減効果を示す騒音低減レベルは、スリューレートを変更することによる傾斜磁場パルスの騒音低減効果を、1から10までのレベルで示したものである。騒音低減レベルは、スリューレートの変更を行わないOFF(レベル0)も含め、11段階の指定が可能な場合を例にあげて説明する。このように、本実施形態では、スリューレートの変更の指示を、騒音低減レベルを入力することにより行う。
ユーザからパルスシーケンス生成の指示、または、撮像パラメータの変更の指定を受け付ける毎に、撮像パラメータ設定支援機能115がパルスシーケンスを生成する。このとき、パルスシーケンス内の各傾斜磁場パルスのスリューレートも撮像パラメータ設定支援機能115により算出される。この撮像パラメータ設定支援機能115により算出された当初のスリューレート(初期スリューレート)をSlewDEFとすると、変更後のスリューレートSlewMODは、騒音低減レベルLを変数として、以下の(式1)で表される。
SlewMOD=SlewDEF×(10−L×MinLIMIT)/10 (式1)
なお、MinLIMITは、初期スリューレートSlewDEFからの最大の低減率を特定する数値である。例えば、最大30%まで低減させる場合、MinLIMITには、0.7が設定される。MinLIMITは、予め設定され、メモリ等に保持される。
図3に、(式1)によりスリューレートが低減される傾斜磁場パルスの、各騒音低減レベルにおける形状と騒音強度とを示す。図3および(式1)からわかるように、スリューレートは、騒音低減レベルを指定することにより、段階的に低減させることができる。以下の記述において、騒音低減レベルおよび撮像パラメータを纏めて「撮像条件」と称する。
図4は、サジェスチョン選択画面600の一例を示す図である。本実施形態のサジェスチョン選択画面600は、チェックボックス(またはラジオボタン)601と、サジェスチョン表示部602と、OKボタン603と、キャンセルボタン604とを備える。
チェックボックス601は、算出された各サジェスチョン毎に設けられ、サジェスチョン表示部602に表示された対応するサジェスチョンの選択を受け付ける。サジェスチョン表示部602には、撮像可能条件算出処理部116によって算出された撮像可能な撮像パラメータ群がサジェスチョンとしてそれぞれ表示される。ここでは、サジェスチョンとして表示する撮像条件の名称と、その撮像条件の値、その撮像条件の値に変更した場合の画像の品質を示す値およびスキャンタイムが示される。
OKボタン603は、その押下により、チェックボックス601で選択されたサジェスチョンの選択決定を受け付ける。一方、キャンセルボタン604は、このサジェスチョン選択画面600が表示される直前に行った撮像条件の変更をキャンセルする意思を受け付ける。
サジェスチョン選択画面600は、ポップアップウインドウの形式で撮像パラメータ入力画面200上に重ねて表示されるよう構成してもよい。
次に本実施形態における騒音低減と最適な撮像パラメータ設定とを支援する処理(騒音低減支援処理)について説明する。本実施形態では、上述のように傾斜磁場パルスのスリューレートを変更することにより、騒音を低減する。図5は、本実施形態の騒音低減支援処理の処理フローである。
パルスシーケンスの設定を受け付けるGUI画面(不図示)にて、ユーザが撮像目的に適したパルスシーケンスを選択すると、撮像パラメータ設定支援機能115は、ユーザの選択を受け付け、撮像パラメータ入力画面200をディスプレイ113に表示する(ステップ401)。このとき、図入力領域202および値入力領域203に表示される各パラメータは、選択されたパルスシーケンスの初期値として設定されている値である。また、騒音低減効果入力領域204に表示される騒音低減レベルは0である。さらに、撮像パラメータ設定支援機能115は、各傾斜磁場パルスのスリューレートを、各傾斜磁場を特定する識別情報に対応づけてメモリ等に管理する。スリューレートが管理されるテーブルをスリューレート情報と呼ぶ。
ユーザは、表示された撮像パラメータ入力画面200を介して撮像条件を逐次入力することができる。撮像パラメータ設定支援機能115は、ユーザから入力確定指示ボタン206の押下により撮像条件の入力を受け付けると(ステップ402)、騒音低減効果入力領域204を介して騒音低減レベルの変更の指示が入力されているか否かを判断する(ステップ403)。これは、ステップ402の処理においてスリューレートの変更指示の有無を確認するものであり、例えば、ステップ402の最初にクリアされ、騒音低減効果入力領域204に入力があった場合、ビットを立てるフラグなどを用いて判断する。
ステップ403において、スリューレート変更の指示がある場合、撮像パラメータ設定支援機能115は、受け付けた騒音低減レベルを用い、各傾斜磁場パルスのスリューレートを変更するスリューレート変更処理を行う(ステップ404)。
撮像パラメータ設定支援機能115は、スリューレート情報内に保持されている各傾斜磁場パルスのスリューレートと、現在入力されている他の撮像条件とを用い、再度パルスシーケンスの作成を試み、撮像の可否を判断する(ステップ405)。ここで、パルスシーケンスが作成できた場合、撮像パラメータ設定支援機能115は、撮像可能と判断し、パルスシーケンスが作成できない場合、撮像パラメータ設定支援機能115は、撮像不可と判断する。
ステップ405で撮像可能と判断された場合、ステップ402に戻り、撮像パラメータ設定支援機能115は、現在の撮像条件を撮像パラメータ入力画面200としてディスプレイ113に表示する。
一方、ステップ403において、スリューレート変更の指示がない場合、ステップ404のスリューレート変更処理を飛ばし、ステップ405へ進む。
また、ステップ405で撮像不可と判断された場合、撮像パラメータ設定支援機能115は、撮像を可能にする条件を算出する撮像可能条件算出処理を行う(ステップ406)。そして、撮像パラメータ設定支援機能115は、算出された撮像条件をサジェスチョン選択画面600としてディスプレイ113に表示し、ユーザからの選択を受け付ける(ステップ407)。
撮像パラメータ設定支援機能115は、ステップ403に戻り、ユーザが選択したサジェスチョンによる撮像条件を撮像パラメータ入力画面200としてディスプレイ113に表示する。
ステップ402において、入力確定指示ボタン206ではなく、撮像開始ボタン205aの押下を受け付けた場合、CPU111は、シーケンサ112に現在入力されている撮像条件で撮像を開始させる(ステップ408)。そして、CPU111は、撮像停止ボタン206bの押下、または、全パルスシーケンスを終えた時点で処理を終了する。
次に、スリューレート変更処理、撮像可能条件算出処理、スリューレート情報について詳細に説明する。
スリューレート変更処理の詳細について具体的なスリューレート情報を用いて説明する。本実施形態では、まず、複数の傾斜磁場パルスの中で、最大のスリューレートを持つ傾斜磁場パルスのスリューレートSlewMAXを騒音低減レベル(L)として指定された段階まで低減する。L段階低減後のその傾斜磁場パルスのスリューレートをSlewMODMAXとする。その後、他の複数の傾斜磁場パルスの中で、SlewMODMAXより大きいスリューレートを有する傾斜磁場パルスについても、SlewMODMAX以下まで低減する。
まず、スリューレート情報の一例について説明する。図6は、本実施形態のスリューレート情報800の一例である。図6(a)は、上記ステップ401処理後の作成されるスリューレート情報800であり、図6(b)は、スリューレート変更処理後のスリューレート情報800の例である。本実施形態のスリューレート情報は、各傾斜磁場パルスを特定する識別番号801と、ユーザが最初にパルスシーケンスを選択した際、算出されたそれぞれの傾斜磁場パルスのスリューレート(初期スリューレート)802と、スリューレート変更処理後のスリューレート(変更後スリューレート)803とを備える。なお、上記ステップ401の処理時は、変更後スリューレート803として初期スリューレート802が格納される。また、上記ステップ405において、撮像の可能性を判断する際に用いられるスリューレート、および、ステップ408で実際の撮像に用いられるスリューレートは、変更後スリューレート803である。
本実施形態では、それぞれ、1から6までの番号を識別記号として付与された6つの傾斜磁場パルスを有するものとし、それぞれの初期スリューレート801を100、100、100、90、80、80T/m/sとする。また、低減率MinLIMITは0.7とする。
図7は、本実施形態のスリューレート変更処理の処理フローである。スリューレート変更処理部116は、騒音低減レベルの入力を受け付けると(ステップ901)、初期スリューレート802の最大のスリューレートSlewDEFMAXをスリューレート情報800から抽出し(ステップ902)、(式1)のSlewDEFとしてSlewDEFMAXを用い、最大スリューレートのSlewMODであるSlewMODMAXを計算する。そして、計算したSlewMODMAXを当該傾斜磁場パルスの変更後スリューレート803として登録する(ステップ903)。スリューレート情報800では、初期スリューレート802の中で最大のスリューレートであるSlewDEFMAXは、識別番号801が1〜3の初期スリューレート802の100T/m/sである。例えば、騒音低減レベルL=2の入力を受け付けた場合、このときのSlewMODMAXは、(式1)より、100×(10−2×0.7)=86である。
次に、スリューレート変更処理部116は、ステップ903で算出したSlewMODMAXより大きい変更後スリューレート803を全て抽出する(ステップ904)。ここでは、識別番号801が4の変更後スリューレート803の90T/m/sが該当する。
スリューレート変更処理部116は、抽出した傾斜磁場パルスの変更後スリューレート803を、ステップ903で計算したSlewMODMAXとする(ステップ905)。以上、本実施形態のスリューレート変更処理について説明した。
次に、撮像可能条件算出処理の詳細について説明する。撮像可能条件算出処理は、基本的には背景技術で説明した公知の技術を用いる。ただし、本実施形態では、傾斜磁場のスリューレートが初期値から変更されている場合は、スリューレートの最良の許容値を算出して提示する。スリューレートに変更がない場合は、公知の技術と同様の処理を行い、入力値に最も近い許容値を提示する、許容範囲を提示する等する。
図8は、本実施形態の撮像可能条件算出処理の処理フローである。撮像可能条件算出処理部117は、傾斜磁場パルスのスリューレートが初期値から変更されているか否かを判別する(ステップ501)。具体的には、騒音低減効果入力領域204に入力された騒音低減レベルの値で判断する。OFF(=0)以外であれば、スリューレートの変更があったものと判断する。
スリューレートが初期値から変更されている場合、撮像可能条件算出処理部117は、上記ステップ402で受け付けた騒音低減レベルを1段階下げ(ステップ502)、スリューレート変更処理部116に、スリューレート変更処理を行わせる(ステップ503)。ただし、ここでは、スリューレート情報800の変更後スリューレート803を更新しない。
そして、ステップ503で得られたスリューレートと、既に入力されている他の撮像条件とを用い、撮像パラメータ設定支援機能115に撮像の可否を判断させる(ステップ504)。ここで、撮像可能と判断された場合、撮像可能条件算出処理部117は、そのスリューレートをサジェスチョンとし、メモリ等に保持する(ステップ505)。
そして、撮像可能条件算出処理部117は、撮像パラメータ設定機能115に、ステップ505でサジェスチョンとして保持したスリューレートを用い、公知の技術で撮像を可能とする他の撮像条件を生成させ、スリューレートとともにサジェスチョンとしてメモリ等に保持する(ステップ506)。
一方、ステップ504で、撮像不可と判断された場合は、撮像可能条件算出処理部117は、ステップ502に戻り、再度騒音低減レベルを1段階下げて撮像可能と判断されるまで処理を繰り返す。なお、ここで、騒音低減レベルを0まで下げても撮像不可の場合は、そのままステップ505を経てステップ506に進む。
ステップ501で、スリューレートの変更がないと判断される場合は、撮像可能条件算出処理部117は、処理をステップ506に進める。以上、本実施形態の撮像可能条件算出処理について説明した。
なお、本実施形態のスリューレート変更処理では、パルスシーケンスの中で最大のスリューレートを有する傾斜磁場パルスのスリューレートを所望のスリューレートまで低減させ、他の傾斜磁場パルスのスリューレートをそれ以下に抑えるものとしている。しかし、スリューレート変更処理はこれに限られない。例えば、全ての傾斜磁場パルスのスリューレートを所定の割合で一律に低減するよう構成してもよい。この場合、例えば、騒音低減レベルLが指定された場合、全ての傾斜磁場パルスの変更後スリューレートを、それぞれの初期スリューレートを用いて(式1)に従って算出する。
また、本実施形態では、スリューレート変更処理部116が、スリューレート情報800から、最大のスリューレートを選択して処理を行っている。しかし、これに限られない。例えば、予め定められた傾斜磁場のスリューレートを、指定された騒音低減レベルLを用いて(式1)に従って低減するよう構成してもよい。さらに、各傾斜磁場パルスのスリューレートをユーザに提示し、ユーザがスリューレートを低減する傾斜磁場パルスを選択するよう構成してもよい。
さらに、本実施形態では、撮像可能条件算出処理部117は、サジェスチョンとして実行可能な撮像条件を提示している。しかし、このように選択肢を提示することなく、実行可能な撮像条件の中で最もユーザが選択した撮像条件に近いものを撮像可能条件算出処理部117が特定し、それを、撮像パラメータ設定支援機能115が撮像パラメータ入力画面200に表示させるよう構成してもよい。
また、本実施形態においては、騒音低減効果として指定する騒音低減レベルを、11段階としたが、これに限られない。任意の段階での設定が可能である。また、騒音低減レベルを導入する代わりに、スリューレートの値を直接入力するよう構成してもよい。この場合、入力されたスリューレート以上のスリューレートを有する傾斜磁場パルスのみ低減するよう構成すればよい。
また、本実施形態においては傾斜磁場パルスの立上がりが線形である場合を例にあげて説明している。傾斜磁場パルスの立上がりの形状は非線形であってもよい。この場合、単位時間あたりの変化量は一定ではないため、スリューレートとして、例えば、立上がり/立下がりの間の変化量の平均である平均スリューレートを用いる。図9は、非線形の立上がり/立下がり形状を有する傾斜磁場パルスの一例である。本図に示すように、平均スリューレートを、上記線形の場合のスリューレートと同様に小さくし、騒音を低減させる。
以上説明したように、本実施形態では、指定された騒音低減効果の達成の可否をユーザに提示する。不可能な場合、達成可能な最大限の騒音低減の可能性をユーザに提示する。従って、ユーザは、取得画像の質を保ちながら、所望の騒音低減率の中で最大の低減率を容易に設定することができる。また、騒音低減レベルを撮像パラメータと同列で表示させ、あたかも撮像パラメータの一つとして騒音低減効果をコントロール可能なユーザインタフェースを提供する。このため、ユーザは、騒音低減と最適な撮像パラメータの設定とを短時間で容易に行うことができる。
また、本実施形態によれば、傾斜磁場パルスごとにスリューレートを変更することができるため、騒音低減に直接効果のある傾斜磁場パルスのスリューレートのみ低減することができる。従って、効果的に騒音を低減させつつ、騒音低減による撮像パラメータの制限を必要最小限に抑えることができる。
従って、本実施形態によれば、MRI装置の計測時の騒音を低減するために、効果的なスリューレート低減を支援することができる。このため、MRI装置の利用効率が向上するとともに、患者の、撮像の際に生じる騒音による精神的負担と、撮像に先立つ準備のため長時間拘束されるという精神的負担とを低減することができる。
本発明の実施形態のMRI装置の全体概略構成図である。 本発明の実施形態の撮像パラメータ入力画面の一例を示す図である。 本発明の実施形態の各騒音低減レベルにおける傾斜磁場パルスの形状と騒音強度とを示す図である。 本発明の実施形態のサジェスチョン選択画面の一例を示す図である。 本発明の実施形態の騒音低減支援処理の処理フローである。 本発明の実施形態のスリューレート情報の一例である。 本発明の実施形態のスリューレート変更処理の処理フローである。 本発明の実施形態の撮像可能条件算出処理の処理フローである。 本発明の実施形態の非線形の立上がり/立下がり形状を有する傾斜磁場パルスの一例である。
符号の説明
101:ガントリ、102:静磁場コイル、103:傾斜磁場コイル、104:照射コイル、105:受信コイル、108:X軸傾斜磁場電源、109:Y軸傾斜磁場電源、110:Z軸傾斜磁場電源、107:送信系、106:受信系、111:CPU、112:シーケンサ、113:出力装置、114:入力装置、115:撮像パラメータ設定支援機能、116:スリューレート変更処理部、117:撮像可能条件算出処理部

Claims (6)

  1. 傾斜磁場パルスの単位時間あたりの変化量(スリューレート)を変更する指示を受け付けるスリューレート変更指示受付手段と、
    前記スリューレート変更指示受付手段で受け付けた指示に従って前記スリューレートを変更するスリューレート変更手段と、
    前記スリューレート変更手段で変更後の前記スリューレートを用いてパルスシーケンスを生成可能か否かを判別する撮像可能性判別手段と、
    前記撮像可能性判断手段が生成不可と判別した場合、前記パルスシーケンスを生成可能なスリューレートを特定する情報を算出する撮像可能条件生成手段と、
    前記撮像可能条件生成手段が算出した前記特定する情報をユーザに提示する撮像可能条件提示手段と、を備えること
    を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
  2. 請求項1記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
    前記パルスシーケンスは複数の傾斜磁場パルスを含み、
    前記スリューレート変更手段は、前記複数の傾斜磁場パルスの中で予め定めた傾斜磁場パルスのスリューレートを前記指示に従って変更すること、
    を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
  3. 請求項1記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
    前記パルスシーケンスは複数の傾斜磁場パルスを含み、
    前記スリューレート変更手段は、前記複数の傾斜磁場パルスの中から所望の傾斜磁場パルスを選択する指示を受け付ける手段を備え、前記選択された傾斜磁場パルスのスリューレートを前記指示に従って変更すること
    を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
  4. 請求項1記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
    前記パルスシーケンスは複数の傾斜磁場パルスを含み、各傾斜磁場パルスのスリューレートを管理するスリューレート管理手段をさらに備え、
    前記スリューレート変更手段は、前記スリューレート管理手段内から、前記指示により特定されるスリューレート以上のスリューレートを有する傾斜磁場パルスを選択し、当該傾斜磁場パルスのスリューレートを前記指示により特定されるスリューレートに変更すること
    を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
  5. 請求項1記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
    前記指示は、スリューレートを変更する割合であり、
    前記スリューレート変更手段は、全ての傾斜磁場パルスのスリューレートを前記割合で変更すること
    を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
  6. 請求項1から5いずれか1項記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
    前記傾斜磁場パルスの立上がりおよび立下がりが非線形である場合、平均の変化量を前記スリューレートとして用いること
    を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
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