JP2008300077A - フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 - Google Patents
フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008300077A JP2008300077A JP2007142275A JP2007142275A JP2008300077A JP 2008300077 A JP2008300077 A JP 2008300077A JP 2007142275 A JP2007142275 A JP 2007142275A JP 2007142275 A JP2007142275 A JP 2007142275A JP 2008300077 A JP2008300077 A JP 2008300077A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filament
- tube
- arc tube
- lead
- lamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 91
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 65
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 23
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 44
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 42
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 36
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004035 construction material Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01K—ELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
- H01K1/00—Details
- H01K1/02—Incandescent bodies
- H01K1/16—Electric connection thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01K—ELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
- H01K1/00—Details
- H01K1/18—Mountings or supports for the incandescent body
- H01K1/24—Mounts for lamps with connections at opposite ends, e.g. for tubular lamp
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01K—ELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
- H01K1/00—Details
- H01K1/38—Seals for leading-in conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01K—ELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
- H01K7/00—Lamps for purposes other than general lighting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01K—ELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
- H01K9/00—Lamps having two or more incandescent bodies separately heated
- H01K9/08—Lamps having two or more incandescent bodies separately heated to provide selectively different light effects, e.g. for automobile headlamp
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/0033—Heating devices using lamps
- H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
- H05B3/0047—Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
- H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
- H01S3/1618—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth ytterbium
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
【解決手段】発光管2内部に、各フィラメント411〜451の両端に一対のリード412〜452が連結されてなる複数のフィラメント体41〜45が、発光管の管軸に沿って順次に並んで配設され、各リードが封止部5において電気的に接続されて各フィラメントに対して各々独立に給電されるフィラメントランプ1において、発光管内部に、各リードを挿通する開口を備え、発光管の内面に近接するよう管軸に沿って配置され、各フィラメントと各リードとの間に介在する絶縁壁(内管)3と、発光管と絶縁壁とにより区画され、各リードに対応して設けられた複数のリード収容空間111〜115とを備え、各リードが、絶縁壁の開口を通って、各リード収容空間に、互いに短絡することなく配置されることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
図15は、特許文献1に示されるような従来技術に係る加熱処理装置200の断面図である。同図に示すように、光透過性材料で形成されたチャンバー201内に被処理体202を収納し、このチャンバー201外の上下両段に複数本の加熱用白熱ランプ203、204を上下で対向し、かつ互いに交差するように配置し、これらの加熱用白熱ランプ203、204によって被処理体202を両面から光照射して加熱するように構成されている。
第1の手段は、少なくとも一端に封止部が形成された発光管の内部に、各々コイル状のフィラメントの両端に該各々のフィラメントに電力を供給する一対のリードが連結されてなる複数のフィラメント体が、前記各々のフィラメントが前記発光管の管軸に沿って伸びるよう順次に並んで配設され、前記各々のフィラメント体における各々のリードが前記封止部に配設された複数の各々の導電性部材に対して電気的に接続されて前記各々のフィラメントに対して各々独立に給電されるフィラメントランプにおいて、前記発光管の内部に、前記各々のリードを挿通する開口を備え、前記発光管の内面に近接するよう管軸に沿って配置され、前記各々のフィラメントと前記各々のリードとの間に介在する絶縁壁と、前記発光管と前記絶縁壁とにより区画され、前記発光管の管軸に沿って伸びるように形成され、前記各々のリードに対応して設けられた複数のリード収容空間とを備え、前記各々のフィラメントに接続された各々のリードが、前記絶縁壁の前記開口を通って、前記各々のリード収容空間に、互いに短絡することなく配置されることを特徴とするフィラメントランプである。
第2の手段は、第1の手段において、前記絶縁壁が、前記発光管と同軸上に設けられた内管からなることを特徴とするフィラメントランプである。
第3の手段は、第2の手段において、前記内管の外面に、互いに周方向に離間して前記発光管の管軸に沿って伸び、前記各々のフィラメントに連結される各々のリードに対応して設けられた複数の溝部が形成され、前記各々のリード収容空間は、前記各々の溝部と前記発光管の内面とにより形成されることを特徴とするフィラメントランプである。
第4の手段は、第2の手段において、前記発光管の内面に、互いに周方向に離間して前記発光管の管軸に沿って伸び、前記各々のフィラメントに連結される各々のリードに対応して設けられた複数の溝部が形成され、前記各々のリード収容空間は、前記各々の溝部と前記内管の外面とにより形成されることを特徴とするフィラメントランプである。
第5の手段は、第2の手段ないし第4の手段のいずれか1つの手段において、前記内管は、前記フィラメントからの放射光を遮蔽することなく出射するための開口が形成されていることを特徴とするフィラメントランプである。
第6の手段は、第1の手段において、前記発光管の内面に、互いに周方向に離間して前記発光管の管軸に沿って伸び、前記各々のフィラメントに連結される各々のリードに対応して設けられた複数の溝部が形成され、前記絶縁壁は、互いに前記各々のフィラメントを挟んで対向して配置された一対の板状体からなり、前記各々のリード収容空間は、前記各々の溝部と前記板状体とにより形成されることを特徴とするフィラメントランプである。
第7の手段は、第1の手段ないし第6の手段のいずれか1つの手段において、前記発光管と前記絶縁壁とが、溶着されていることを特徴とするフィラメントランプである。
第8の手段は、第1の手段ないし第6の手段のいずれか1つの手段において、前記発光管と前記絶縁壁とが、発光管の管軸に沿って溶着されていることを特徴とするフィラメントランプである。
第9の手段は、第1の手段ないし第8の手段のいずれか1つの手段において、前記各々のリード収容空間は、前記発光管の管軸に直交する断面において、フィラメントに対して直交する2本の外接線と前記発光管の管壁とにより囲まれる、少なくとも前記フィラメントを含む領域以外の領域に、当該フィラメント以外の他のフィラメントに係るリードのすべてが位置されるよう、形成されていることを特徴とするフィラメントランプである。
第10の手段は、第1の手段ないし第9の手段のいずれか1つの手段において、前記封止部は、棒状のシール用絶縁体が配設されると共に、前記複数の導電性部材を前記シール用絶縁体の外周に間隔を設けて配列し、前記発光管と前記シール用絶縁体とが前記導電性部材を介して気密に封止されて形成されていることを特徴とするフィラメントランプである。
第11の手段は、第1の手段ないし第10の手段のいずれか1つの手段に記載のフィラメントランプが配置されてなる光源部を備え、該光源部から放射される光を被処理体に照射して被処理体を加熱することを特徴とする光照射式加熱処理装置である。
第12の手段は、第1の手段ないし第10の手段のいずれか1つの手段に記載のフィラメントランプの複数が並列に配置されてなるランプユニットを備え、該ランプユニットから放射される光を被処理体に照射して被処理体を加熱することを特徴とする光照射式加熱処理装置である。
請求項2および請求項3に記載の発明によれば、各々のリードを所望の位置に確実に配置することができ、しかも、フィラメントランプの点灯時に、各々のリードが熱膨張・収縮を繰り返しても、リードの周方向への移動が規制されるために、リードが初期の位置からずれることがなく、放射照度分布が経時的に変化するおそれがないために、初期の放射照度分布を長期的に維持することができる。
請求項4に記載の発明によれば、各々のリードを所望の位置に確実に配置することができると共に、リードの周方向への移動が規制されるために、初期の放射照度分布を長期的に維持することができ、しかも、引き抜きまたは射出成形という非切削的加工方法を採用することができるので、フィラメントランプの製造時に発光管が破損する心配がなく、生産性が向上させることができる。
。
請求項5に記載の発明によれば、絶縁壁によってフィラメントから放射された光が減衰することなく放射されるために、フィラメントに対する投入電力を過剰に大きくすることなく所望の加熱処理を行うことができる。
請求項6に記載の発明によれば、絶縁壁によってフィラメントから放射された光が減衰しないため、フィラメントに対する投入電力を過剰に大きくすることなく所望の加熱処理を行うことができ、しかも、フィラメントランプの製造時において、内管の内部にフィラメントを挿入して、各々のリードを絶縁壁に形成された各々の開口に挿通して絶縁壁の外方に引出す作業を簡易に行うことができる。
請求項7および請求項8に記載の発明によれば、絶縁壁から発光管への熱伝達が促進されるために、絶縁壁が高温状態になることをより確実に防止することができ、フィラメント以外からの不要な光が放射されるおそれがない。特に、発光管の内面と絶縁壁とが発光管の管軸に沿って溶着されるので、発光管と絶縁壁との溶着面積を大きくすることができ、絶縁壁から発光管への熱伝達がさらに促進され、しかも、フィラメントランプの点灯時に発光管に比して絶縁壁の方が高温状態になり、発光管以上に絶縁壁が発光管の管軸方向に膨張しても、発光管と絶縁壁との間に働く剪断力が分散されるので溶着部分が破損するおそれがない。
請求項9に記載の発明によれば、被処理体上に投影される各々のリードによる影が実用上は問題にならない位置にリードを配置することができるために、被処理体上の放射照度分布に悪影響を与えるおそれがない。
請求項10に記載の発明によれば、多数の導電性部材をシール用絶縁体の外周面を利用して互いに接触することなく配設することができるので、複雑な物理特性を有する被処理体に対して高精度な温度制御を行うためのものとして、多数のフィラメント体を備えるフィラメントランプであっても、封止部を大きくすることなしに、各フィラメント体に対する独立した給電構造を形成することができる。
請求項11に記載の発明によれば、請求項1ないし請求項9のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプを用いることによって、光照射式加熱処理装置毎に被処理体上の放射照度分布にバラツキが生じることを解消した光照射式加熱処理装置を実現することができる。
請求項12に記載の発明によれば、請求項1ないし請求項9のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプで構成されたランプユニットを用いることによって、光照射式加熱処理装置毎に被処理体上の放射照度分布にバラツキが生じることをより一層解消した光照射式加熱処理装置を実現することができる。
図1は、本実施形態の発明に係るフィラメントランプ1の斜視図である。
同図に示すように、フィラメントランプ1は、例えば、石英ガラス等の光透過性材料からなる直管状の発光管2を備え、発光管2の両端部においてシール用絶縁体6a、6bと発光管2とを溶着することによって気密に封止された封止部5a、5bが形成されている。発光管2の内部には、例えば、石英ガラス等の光透過性材料からなり、発光管2よりも管軸方向の全長の短い、直管状の絶縁壁としての内管3が、発光管2の内面に近接するよう発光管2と同軸上に配置されていると共に、ハロゲンガスが封入されている。この内管3の内部において、例えば、5つのフィラメント体41〜45が配設され、各々のフィラメント体41〜45における各々のフィラメント411〜451が管軸方向に順次に並んで管軸方向に伸びている。
図4を用いて封止部5a内の構成をさらに詳細に説明すると、シール用絶縁体6aには、フィラメント体41〜45側の外周面において互いに周方向に離間して管軸に沿って伸びる複数の溝部611a〜615aと、外部リード91a〜95a側の外周面において互いに周方向に離間して管軸に沿って伸びる複数の溝部621a〜625aとが形成されることにより、各内部リード71a〜75aと各外部リード91a〜95aを位置決めするための各突当面が形成されている。各内部リード71a〜75aは、溝部611a〜615aに沿って基端側の外端面が突当面に当接するよう配置され、各外部リード91a〜95aは、溝部621a〜625aに沿って先端側の外端面が突当面に当接するよう配置されている。これにより各内部リード71a〜75aおよび各外部リード91a〜95aの最外面が、シール用絶縁体6aの胴部と同一円周上に位置する状態とされる。このように配置された各内部リード71a〜75aおよび各外部リード91a〜95aが、シール用絶縁体6aの胴部の外周面に配置された各金属箔81a〜85aに対して接続されている。発光管2の各外端面から突出した各々の外部リード91a〜95aは、不図示の給電装置の各々に接続されており、各フィラメント体41〜45における各フィラメント411〜451に独立に電力を給電することにより、各フィラメント411〜451の点灯制御を個別に行うことができる。なお、封止部5b内においても上記で説明した封止部5a内と同様に構成されている。
図5は、フィラメント411〜451とリード412〜452の位置関係を説明するための、本実施形態の発明に係る径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図である。
同図に示すように、例えばフィラメント411の中心軸に直交する平面による切断面において、フィラメント411に対して直交する2本の外接線X、Yと発光管2の管壁とにより囲まれる、少なくともフィラメント411を含む領域(以降、有効光取り出し領域とも言う)以外の領域に、当該フィラメント411以外の他のフィラメント421〜451に係るリード422〜452の全てが位置された状態とされている。また、フィラメント411〜451に係る各々のリード412〜452は、フィラメント411〜451に対して極力対称に配置されていると共に、有効光取り出し領域と対向する領域にもリード412〜452が存在しない状態とされている。
発光管2は、外径がφ10mm〜φ40mm程度、全長が数十mm〜800mm程度であり、被処理体の大きさ、フィラメントランプ1から被処理体までの距離、ランプユニット内でのランプ配置によって決定される。各々のフィラメント体41〜45は、直径がφ0.05mm〜1mm程度の素線を用いる。本実施例ではφ300mmのシリコンウェハを距離50mmで照射する場合において、発光管外径28mm、全長560mm、フィラメント素線径0.5mmを使用し、各フィラメント411〜451の最大全長が140mm、外径がφ8mmに形成された各フィラメント411〜451の両端に、外径がフィラメント素線よりも大径の、例えばφ0.8mmのリード412〜452が接続される。フィラメント外径はφ8mmに限らず、必要電力とフィラメント温度に従って、φ4mm程度〜φ20mm程度となる。フィラメント1本当たりの最大定格電流値は、必要な被処理物の昇温特性とシール部の金属箔の許容電流値に従って決められ、本実施例では25Aである。
さらには、各フィラメント411〜451と各リード412〜452との間に内管3が介在しており、各フィラメント体41〜45における各リード412〜452が、内管3に設けられた各溝部311〜315と発光管2の内面とにより区画されたリード収容空間111〜115に互いに短絡することなく配置されるので、各フィラメント(例えばフィラメント411)とこのフィラメント(フィラメント411)に近接するリード(リード422〜452)との間、および隣接するリード412〜452同士の間で不所望な放電が発生することを確実に防止することができる。
さらにまた、各フィラメント体41〜45における各リード412〜452が、内管3に設けられた各溝部311〜315と発光管2の内面とにより区画されたリード収容空間111〜115に配置されているので、フィラメントランプ1の点灯時に各リード412〜452が熱膨張・収縮を繰り返しても、各リード412〜452の周方向への移動が規制されるために、各リード412〜452が初期の位置からずれることがない。従って、放射照度分布が経時的に変化するおそれがないために、初期の放射照度分布を長期的に維持することができる。
図6は、内管構成材121、122に対するフィラメント体41〜45の配置を示す斜視図である。同図に示すように、図3に示したような内管3に代えて、径方向において2つに分割され、径方向の断面が半円状の各内管構成材121、122を、発光管2の内面に近接した状態で配置したものである。一方の内管構成材121の外周面には、互いに周方向に離間して管軸に沿って伸びる2つの溝部311、312が形成されており、一方の内管構成材121と同様にして、他方の内管構成材122の外周面に3つの溝部313、314、315が形成されている。各内管構成材121、122に設けられた各溝部311〜312、313〜315には、各々2つずつの開口321a、321b、開口322a、322b、開口323a、323b、開口324a、324b、開口325a、325bが形成されている。
図7は、本実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図7(a)、(b)は径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図7(c)は、図7(a)のA−A’から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図と、図7(b)のB−B’から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図と、図7(b)のCから見たフィラメントランプ1の正面図とからなる図である。
図8は、本実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図8(a)、(b)は径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図8(c)は、図8(a)のA−A’方向から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図と、図8(b)のB−B’方向から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図と、図8(b)のC方向から見たフィラメントランプ1の正面図とが各々合成して示した。
図8に示すように、このフィラメントランプ1は、発光管13の内面に互いに周方向に離間して管軸に沿って伸びる複数の溝部131〜135が形成され、この発光管13の内面に近接するよう内管15を配置することにより、発光管15の各溝部131〜135と内管15の外周面とにより区画された複数のリード収容空間111〜115が形成されている。発光管13の内周面に形成された各溝部131〜135は、図5において説明したと同様に、フィラメント(例えばフィラメント411)とこのフィラメント(フィラメント411)以外の他のフィラメント(フィラメント421〜451)に係る各リード(リード422〜452)との位置関係を満たしている。
図9は、本実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図9(a)は、図9(c)のA−A’において径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図9(b)は、図9(c)のB−B’において径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図9(c)は、図9(a)のP−P’から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図と、図9(b)のQ−Q’から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図と、図9(b)のR−R’から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図と、図9(a)のSから見たフィラメントランプ1の正面図とからなる図である
図10は、本実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図10(a)は、図10(c)のA−A’において径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図10(b)は、図10(c)のB−B’において径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図10(c)は管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図である。
図10に示すように、本実施形態の発明に係るフィラメントランプ1は、第1の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1に対して改良を加えたものであって、発光管2と内管3とを溶着していることを除く他の構成は、第1の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1と共通している。このフィラメントランプ1は、発光管2の内面に近接するよう同軸上に内管3を配置して、発光管2の外周面をバーナー等で加熱することにより、発光管2と内管3とが部分的に周方向に溶着されている。図10(a)に示すように、発光管2と内管3とが溶着された箇所においては、発光管2の内面に内管3の外周面が当接した状態となり、その一方で、図10(b)に示すように、発光管2と内管3とが溶着されていない箇所においては、発光管2の内周面と内管3の外周面との間に空間が形成されている。
図11は、本実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図11(a)は、図11(c)のA−A’において径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図11(b)は、図11(c)のB−B’において径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図11(c)は管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図である。
図11に示すように、本実施形態の発明に係るフィラメントランプ1は、第3の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1に対して改良を加えたものであって、発光管13と内管15とを溶着していることを除く他の構成は、第3の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1と共通している。このフィラメントランプ1は、発光管13の内面に近接するよう同軸上に内管15を配置して、発光管13の外周面を発光管13の管軸方向にバーナー等で加熱することにより、発光管13と内管15とが部分的に管軸方向に溶着されている。図11(a)に示すように、発光管13と内管15とが溶着された箇所においては、発光管13の内面に内管15の外周面が当接した状態となり、その一方で、図11(b)に示すように、発光管13と内管15とが溶着されていない箇所においては、発光管13の内周面と内管15の外周面との間に空間が形成されている。
図12は、本実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図12(a)は、径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図12(b)は、図12(a)のT−T’から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図である。
図12に示すように、本実施形態の発明に係るフィラメントランプ1は、第4の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1に対して改良を加えたものであって、発光管16と絶縁壁171、172とが管軸方向の全長にわたって溶着されていることを除く他の構成は、第4の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1と共通している。このフィラメントランプ1は、発光管16の両側の内壁に沿って各フィラメント411〜451を挟んで一対の絶縁壁171、172を配置して、発光管16の外周面を発光管16の管軸方向にバーナー等で加熱することにより、発光管16と各絶縁壁171、172とが管軸方向に溶着される。
図13は、本実施形態の発明に係る光照射式加熱処理装置を示す正面断面図、図14は、図13に示した第1ランプユニットおよび第2のランプユニットの構成を示す平面図である。本実施形態の発明に係る光照射式加熱処理装置100は、第1の実施形態から第7の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1を搭載して構成される。
図13に示すように、この光照射式加熱処理装置100は、石英窓101によりランプユニット収容空間S1と加熱処理空間S2とに分割されたチャンバ102を有する。ランプユニット収容空間S1に配置された第1のランプユニット103および第2のランプユニット104から放出される光を、石英窓101を介して加熱処理空間S2に設置される被処理体105に照射することにより、被処理体105の加熱処理が施される。
2 発光管
3 内管
311、312、313、314、315 溝部
321a、322a、323a、324a、325a 開口
321b、322b、323b、324b、325b 開口
41、42、43、44、45 フィラメント体
411、421、431、441、451 フィラメント
412、422、432、442、452 リード
4121a、4221a、4321a、4421a、4521a フィラメント連結部
4122a、4222a、4322a、4422a、4522a リード水平部
4123a、4223a、4323a、4423a、4523a 内部リード連結部
4121b、4221b、4321b、4421b、4521b フィラメント連結部
4122b、4222b、4322b、4422b、4522b リード水平部
4123b、4223b、4323b、4423b、4523b 内部リード連結部
5a、5b 封止部
6a シール用絶縁体
611a、612a、613a、614a、615a 溝部
621a、622a、623a、624a、625a 溝部
6b シール用絶縁体
611b、612b、613b、614b、615b 溝部
621b、622b、623b、624b、625b 溝部
71a、72a、73a、74a、75a 内部リード
71b、72b、73b、74b、75b 内部リード
81a、82a、83a、84a、85a 金属箔
81b、82b、83b、84b、85b 金属箔
91a、92a、93a、94a、95a 外部リード
91b、92b、93b、94b、95b 外部リード
101a、102a、103a、104a、105a 導電性部材
101b、102b、103b、104b、105b 導電性部材
111、112、113、114、115 リード収容空間
121、122 内管構成材
13 発光管
131、132、133、134、135 溝部
14 内管
141a、142a、143a、144a、145a 開口
141b、142b、143b、144b、145b 開口
15 内管
151a、152a、153a、154a、155a 開口
151b、152b、153b、154b、155b 開口
152 開口
16 発光管16
161 第1の凹凸面
1611、1612 溝部
162 第2の凹凸面
1621、1622、1623 溝部
163 第3の凹凸面
1631、1632 溝部
164 第4の凹凸面
1641、1642 溝部
171 絶縁壁
1711a、1712a 開口
1711b、1712b 開口
172 絶縁壁
1721a、1722a、1723a 開口
1721b、1722b、1723b 開口
18 溶接領域
X、Y 外接線
100 光照射式加熱処理装置
101 石英窓
102 チャンバ
103 第1のランプユニット
104 第2のランプユニット
105 被処理体
106 反射鏡
107 冷却風ユニット
108 冷却風供給ノズル
109 吹出し口
110 冷却風排出口
111、112 第1の固定台
113 導電台
114 保持台
115 電源部
116、117 電源供給ポート
118 処理台
119 温度測定部
120 温度計
121 温度制御部
122 主制御部
123 プロセスガスユニット
124 ガス供給ノズル
125 吹出し口
126 排出口
S1、S2 ランプユニット収容空間
Claims (12)
- 少なくとも一端に封止部が形成された発光管の内部に、各々コイル状のフィラメントの両端に該各々のフィラメントに電力を供給する一対のリードが連結されてなる複数のフィラメント体が、前記各々のフィラメントが前記発光管の管軸に沿って伸びるよう順次に並んで配設され、前記各々のフィラメント体における各々のリードが前記封止部に配設された複数の各々の導電性部材に対して電気的に接続されて前記各々のフィラメントに対して各々独立に給電されるフィラメントランプにおいて、
前記発光管の内部に、前記各々のリードを挿通する開口を備え、前記発光管の内面に近接するよう管軸に沿って配置され、前記各々のフィラメントと前記各々のリードとの間に介在する絶縁壁と、前記発光管と前記絶縁壁とにより区画され、前記発光管の管軸に沿って伸びるように形成され、前記各々のリードに対応して設けられた複数のリード収容空間とを備え、
前記各々のフィラメントに接続された各々のリードが、前記絶縁壁の前記開口を通って、前記各々のリード収容空間に、互いに短絡することなく配置されることを特徴とするフィラメントランプ。 - 前記絶縁壁が、前記発光管と同軸上に設けられた内管からなることを特徴とする請求項1に記載のフィラメントランプ。
- 前記内管の外面に、互いに周方向に離間して前記発光管の管軸に沿って伸び、前記各々のフィラメントに連結される各々のリードに対応して設けられた複数の溝部が形成され、
前記各々のリード収容空間は、前記各々の溝部と前記発光管の内面とにより形成されることを特徴とする請求項2に記載のフィラメントランプ。 - 前記発光管の内面に、互いに周方向に離間して前記発光管の管軸に沿って伸び、前記各々のフィラメントに連結される各々のリードに対応して設けられた複数の溝部が形成され、
前記各々のリード収容空間は、前記各々の溝部と前記内管の外面とにより形成されることを特徴とする請求項2に記載のフィラメントランプ。 - 前記内管は、前記フィラメントからの放射光を遮蔽することなく出射するための開口が形成されていることを特徴とする請求項2ないし請求項4のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプ。
- 前記発光管の内面に、互いに周方向に離間して前記発光管の管軸に沿って伸び、前記各々のフィラメントに連結される各々のリードに対応して設けられた複数の溝部が形成され、
前記絶縁壁は、互いに前記各々のフィラメントを挟んで対向して配置された一対の板状体からなり、
前記各々のリード収容空間は、前記各々の溝部と前記板状体とにより形成されることを特徴とする請求項1に記載のフィラメントランプ。 - 前記発光管と前記絶縁壁とが、溶着されていることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプ。
- 前記発光管と前記絶縁壁とが、発光管の管軸に沿って溶着されていることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプ。
- 前記各々のリード収容空間は、前記発光管の管軸に直交する断面において、フィラメントに対して直交する2本の外接線と前記発光管の管壁とにより囲まれる、少なくとも前記フィラメントを含む領域以外の領域に、当該フィラメント以外の他のフィラメントに係るリードのすべてが位置されるよう、形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプ。
- 前記封止部は、棒状のシール用絶縁体が配設されると共に、前記複数の導電性部材を前記シール用絶縁体の外周に間隔を設けて配列し、前記発光管と前記シール用絶縁体とが前記導電性部材を介して気密に封止されて形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプ。
- 請求項1ないし請求項10のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプが配置されてなる光源部を備え、該光源部から放射される光を被処理体に照射して被処理体を加熱することを特徴とする光照射式加熱処理装置。
- 請求項1ないし請求項10のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプの複数が並列に配置されてなるランプユニットを備え、該ランプユニットから放射される光を被処理体に照射して被処理体を加熱することを特徴とする光照射式加熱処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007142275A JP4893474B2 (ja) | 2007-05-29 | 2007-05-29 | フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 |
TW097109380A TW200903595A (en) | 2007-05-29 | 2008-03-17 | Filament lamp and light-irradiation-type heat treatment device |
KR1020080033242A KR20080104955A (ko) | 2007-05-29 | 2008-04-10 | 필라멘트 램프 및 광조사식 가열 처리 장치 |
EP08009712A EP1998358A2 (en) | 2007-05-29 | 2008-05-28 | Filament lamp and light-irradiation-type heat treatment device |
US12/129,063 US8014652B2 (en) | 2007-05-29 | 2008-05-29 | Filament lamp and light-irradiation-type heat treatment device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007142275A JP4893474B2 (ja) | 2007-05-29 | 2007-05-29 | フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008300077A true JP2008300077A (ja) | 2008-12-11 |
JP4893474B2 JP4893474B2 (ja) | 2012-03-07 |
Family
ID=39712528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007142275A Expired - Fee Related JP4893474B2 (ja) | 2007-05-29 | 2007-05-29 | フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8014652B2 (ja) |
EP (1) | EP1998358A2 (ja) |
JP (1) | JP4893474B2 (ja) |
KR (1) | KR20080104955A (ja) |
TW (1) | TW200903595A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129284A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-06-30 | Ushio Inc | フィラメントランプ |
JP2011134444A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Ushio Inc | フィラメントランプ |
CN101685760B (zh) * | 2008-09-22 | 2013-05-08 | 优志旺电机株式会社 | 白炽灯 |
WO2018124037A1 (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | シーシーエス株式会社 | ライン光照射装置 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5282409B2 (ja) * | 2008-02-25 | 2013-09-04 | ウシオ電機株式会社 | 光照射式加熱方法及び光照射式加熱装置 |
JP5315833B2 (ja) * | 2008-07-28 | 2013-10-16 | ウシオ電機株式会社 | フィラメントランプ |
JP4821819B2 (ja) * | 2008-08-26 | 2011-11-24 | ウシオ電機株式会社 | フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 |
JP5251398B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2013-07-31 | ウシオ電機株式会社 | フィラメントランプ |
US20130315575A1 (en) | 2012-05-23 | 2013-11-28 | Osram Sylvania Inc. | Concentric coil infrared emitter lamp |
US10264629B2 (en) * | 2013-05-30 | 2019-04-16 | Osram Sylvania Inc. | Infrared heat lamp assembly |
KR102347317B1 (ko) * | 2013-09-05 | 2022-01-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 감소된 코일 가열을 위한 램프 단면 |
KR20170109599A (ko) * | 2015-01-30 | 2017-09-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세스 챔버를 위한 램프 가열 |
JP6982446B2 (ja) * | 2017-09-21 | 2021-12-17 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
KR20210095059A (ko) * | 2020-01-21 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 불균일한 열 출력의 필라멘트 램프를 갖는 반도체 처리 챔버 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62180891A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-08 | 三菱電機株式会社 | エスカレ−タの手すり駆動装置 |
JP2006279008A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-10-12 | Ushio Inc | ヒータ及びヒータを備えた加熱装置 |
JP2008059934A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Ushio Inc | フィラメントランプ |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL6806902A (ja) * | 1968-05-16 | 1969-11-18 | ||
US3579021A (en) * | 1969-04-30 | 1971-05-18 | Sylvania Electric Prod | Incandescent lamp having linear output |
US3634722A (en) * | 1970-03-30 | 1972-01-11 | Sylvania Electric Prod | Tungsten halogen lamp having improved filament support |
NL7012669A (ja) * | 1970-08-27 | 1972-02-29 | ||
NL160679C (nl) * | 1970-09-03 | 1979-11-15 | Philips Nv | Elektrische gloeilamp. |
US4080548A (en) * | 1976-01-19 | 1978-03-21 | Precision Controls, Inc. | Lighting system having dimming capabilities |
US4442374A (en) * | 1982-03-25 | 1984-04-10 | Gte Products Corporation | Dual length copier lamp |
US4710676A (en) * | 1985-08-15 | 1987-12-01 | Gte Products Corporation | Multi-level fuser lamp |
JPH04329253A (ja) | 1991-04-30 | 1992-11-18 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 管形白熱電球 |
JPH0737833A (ja) | 1993-07-22 | 1995-02-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の光照射式熱処理装置 |
JPH0716353U (ja) | 1993-08-31 | 1995-03-17 | ウシオ電機株式会社 | 管型ランプ |
US5962973A (en) * | 1997-06-06 | 1999-10-05 | Guide Corporation | Optically-coated dual-filament bulb for single compartment headlamp |
DE10024709B4 (de) | 2000-05-18 | 2008-03-13 | Steag Rtp Systems Gmbh | Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten |
JP4948701B2 (ja) | 2000-12-28 | 2012-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、当該加熱装置を有する熱処理装置、及び、熱処理制御方法 |
JP4692249B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-06-01 | ウシオ電機株式会社 | フィラメントランプ |
JP4893159B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2012-03-07 | ウシオ電機株式会社 | フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 |
-
2007
- 2007-05-29 JP JP2007142275A patent/JP4893474B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-17 TW TW097109380A patent/TW200903595A/zh unknown
- 2008-04-10 KR KR1020080033242A patent/KR20080104955A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-05-28 EP EP08009712A patent/EP1998358A2/en not_active Withdrawn
- 2008-05-29 US US12/129,063 patent/US8014652B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62180891A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-08 | 三菱電機株式会社 | エスカレ−タの手すり駆動装置 |
JP2006279008A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-10-12 | Ushio Inc | ヒータ及びヒータを備えた加熱装置 |
JP2008059934A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Ushio Inc | フィラメントランプ |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101685760B (zh) * | 2008-09-22 | 2013-05-08 | 优志旺电机株式会社 | 白炽灯 |
JP2011129284A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-06-30 | Ushio Inc | フィラメントランプ |
JP2011134444A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Ushio Inc | フィラメントランプ |
WO2018124037A1 (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | シーシーエス株式会社 | ライン光照射装置 |
JP2018107004A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | シーシーエス株式会社 | ライン光照射装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200903595A (en) | 2009-01-16 |
US20080298787A1 (en) | 2008-12-04 |
US8014652B2 (en) | 2011-09-06 |
KR20080104955A (ko) | 2008-12-03 |
JP4893474B2 (ja) | 2012-03-07 |
EP1998358A2 (en) | 2008-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4893474B2 (ja) | フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 | |
JP4935417B2 (ja) | 光照射式加熱処理装置 | |
EP1918976B1 (en) | Filament lamp and light-irradiation-type heat treatment device | |
US7471885B2 (en) | Filament lamp | |
JP4821819B2 (ja) | フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 | |
JP2006279008A (ja) | ヒータ及びヒータを備えた加熱装置 | |
JP2008071787A (ja) | 光照射式加熱装置および光照射式加熱方法 | |
JP5041149B2 (ja) | フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 | |
JP2007149614A (ja) | フィラメントランプ及びフィラメントランプを備えた光照射式加熱処理装置 | |
JP2011103476A (ja) | ヒータランプを備えた加熱装置 | |
US20080298786A1 (en) | Filament lamp and light irradiation type heat treatment device | |
JP2008041267A (ja) | フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 | |
JP4915532B2 (ja) | フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 | |
JP5293453B2 (ja) | フィラメントランプ | |
JP4687615B2 (ja) | フィラメントランプ | |
JP5286802B2 (ja) | 光照射式加熱装置 | |
JP5041332B2 (ja) | フィラメントランプ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100315 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111122 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |