JP2008294256A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008294256A5
JP2008294256A5 JP2007138652A JP2007138652A JP2008294256A5 JP 2008294256 A5 JP2008294256 A5 JP 2008294256A5 JP 2007138652 A JP2007138652 A JP 2007138652A JP 2007138652 A JP2007138652 A JP 2007138652A JP 2008294256 A5 JP2008294256 A5 JP 2008294256A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat treatment
single crystal
silicon single
wafer
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007138652A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2008294256A (ja
JP5211550B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2007138652A priority Critical patent/JP5211550B2/ja
Priority claimed from JP2007138652A external-priority patent/JP5211550B2/ja
Publication of JP2008294256A publication Critical patent/JP2008294256A/ja
Publication of JP2008294256A5 publication Critical patent/JP2008294256A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5211550B2 publication Critical patent/JP5211550B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2007138652A 2007-05-25 2007-05-25 シリコン単結晶ウェーハの製造方法 Active JP5211550B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007138652A JP5211550B2 (ja) 2007-05-25 2007-05-25 シリコン単結晶ウェーハの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007138652A JP5211550B2 (ja) 2007-05-25 2007-05-25 シリコン単結晶ウェーハの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008294256A JP2008294256A (ja) 2008-12-04
JP2008294256A5 true JP2008294256A5 (fr) 2011-01-13
JP5211550B2 JP5211550B2 (ja) 2013-06-12

Family

ID=40168663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007138652A Active JP5211550B2 (ja) 2007-05-25 2007-05-25 シリコン単結晶ウェーハの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5211550B2 (fr)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011083041B4 (de) * 2010-10-20 2018-06-07 Siltronic Ag Stützring zum Abstützen einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium während einer Wärmebehandlung und Verfahren zur Wärmebehandlung einer solchen Halbleiterscheibe unter Verwendung eines solchen Stützrings
JP6044660B2 (ja) * 2015-02-19 2016-12-14 信越半導体株式会社 シリコンウェーハの製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5974638A (ja) * 1982-10-22 1984-04-27 Hitachi Ltd 半導体ウエ−ハの製法
JPS63166237A (ja) * 1986-12-27 1988-07-09 Fujitsu Ltd 半導体基板の処理方法
JP2003257981A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコンウェーハの製造方法
JP4432317B2 (ja) * 2002-12-11 2010-03-17 信越半導体株式会社 シリコンウエーハの熱処理方法
JP4854936B2 (ja) * 2004-06-15 2012-01-18 信越半導体株式会社 シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI671438B (zh) SiC(碳化矽)種晶之加工變質層的除去方法、SiC種晶及SiC基板之製造方法
JP2010532584A5 (fr)
JP2014011293A5 (fr)
JP5764937B2 (ja) シリコン単結晶ウェーハの製造方法
JP2007251129A5 (fr)
JP2010532584A (ja) 高ドープ単結晶シリコン基板の酸素析出物の抑制
JP2017528404A5 (fr)
TWI421944B (zh) 具有控制晶胚分佈的矽晶圓及其製備方法
JP5542383B2 (ja) シリコンウェーハの熱処理方法
JP2006054350A5 (fr)
JP2010228924A5 (fr)
JP4511378B2 (ja) SOI基板を用いた単結晶SiC層を形成する方法
JP2008294256A5 (fr)
JP2008263025A5 (fr)
JPS60247935A (ja) 半導体ウエハの製造方法
JP2007242920A (ja) 窒素ドープアニールウェーハの製造方法及び窒素ドープアニールウェーハ
WO2008023701A1 (fr) Procédé de traitement thermique d'une plaquette de silicium
JP6432879B2 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法
JP2012104651A (ja) シリコン単結晶ウェーハの熱酸化膜形成方法
JP3578397B2 (ja) 結晶格子欠陥を有する半導体ディスク及びその製造法
JP2012049397A (ja) シリコンウェーハの製造方法
JPH0119265B2 (fr)
JP5906006B2 (ja) シリコンウェーハの製造方法
JP5211550B2 (ja) シリコン単結晶ウェーハの製造方法
JP2014082316A5 (fr)