JP2008292866A - カソード電位制御装置、自発光表示装置、電子機器及びカソード電位制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ピーク輝度レベルを一定に保った状態のまま、フレーム画像内の最大信号レベルに応じて表示パネルの消費電力を最適化する。
【解決手段】アクティブマトリクス駆動方式により各画素の発光状態を駆動制御する自発光型の表示パネルに印加する共通カソード電位の制御装置に、(a)1フレーム毎にフレーム画像内の最大信号レベルを検出する最大信号レベル検出部と、(b)自発光素子の駆動トランジスタを飽和領域で動作させるカソード電位値の範囲内で、検出された最大信号レベルに反比例するようにカソード電位値を決定するカソード電位決定部と、(c)決定されたカソード電位値に対応するカソード電位を発生し、自発光型の表示パネルの共通カソード電極に供給するカソード電位印加部を搭載する。
【選択図】図3
【解決手段】アクティブマトリクス駆動方式により各画素の発光状態を駆動制御する自発光型の表示パネルに印加する共通カソード電位の制御装置に、(a)1フレーム毎にフレーム画像内の最大信号レベルを検出する最大信号レベル検出部と、(b)自発光素子の駆動トランジスタを飽和領域で動作させるカソード電位値の範囲内で、検出された最大信号レベルに反比例するようにカソード電位値を決定するカソード電位決定部と、(c)決定されたカソード電位値に対応するカソード電位を発生し、自発光型の表示パネルの共通カソード電極に供給するカソード電位印加部を搭載する。
【選択図】図3
Description
この明細書で説明する発明は、アクティブマトリクス駆動方式により各画素の発光状態が駆動制御される自発光型の表示パネルの消費電力をフレーム画像の最大信号レベルに応じて最適化する技術に関する。
なお発明は、カソード電位制御装置、自発光表示装置、電子機器及びカソード電位制御方法としての側面を有する。
なお発明は、カソード電位制御装置、自発光表示装置、電子機器及びカソード電位制御方法としての側面を有する。
今日、様々な種類のフラットパネルディスプレイが実用化されている。これらの一つに、有機EL(Electro Luminescence)素子を表示領域内に行列配置した有機ELパネルがある。有機ELパネルは、軽く薄膜化が容易なだけでなく、応答速度が速く動画表示特性にも優れている。このように、有機ELパネルは、次世代表示デバイスに求められる様々な特性を有している。
ところで、有機EL素子の両極間に発生する電圧Velは、駆動電流Ielの大きさにより変化する。図1に、有機EL素子の電流−電圧特性を示す。図1に示すように、有機EL素子の電圧Velの大きさは、駆動電流Ielの大きさに比例して大きくなる。
このため、従来システムでは、有機EL素子の両極間に発生する電圧Velの最大値を基準にカソード電位を決定する手法が採用されている。すなわち、有機EL素子の両極間に最大電圧が発生する場合にも駆動トランジスタが飽和領域で動作するようにカソード電位を決定する手法が採用されている。なお、電源電位は固定であるので表示パネルには常に固定の電圧(=電源電位−カソード電位)が印加される。
前述したように、従来の駆動方法では、表示画面内の最大輝度が低い場合でも、信号レベルの最大値を想定した電圧が表示パネルに印加され続ける。すなわち、表示画面内の最大輝度とは無関係に常に一定の電圧が表示パネルに印加され続ける。
このため、表示内容によっては、表示パネルの発光制御には直接寄与しない消費電力が発生することになる。
このため、表示内容によっては、表示パネルの発光制御には直接寄与しない消費電力が発生することになる。
そこで、発明者らは、表示パネルの発光制御に寄与しない消費電力の最小化技術を提案する。具体的には、表示パネルのカソード電位を表示内容(表示画面内の最大輝度)に応じて適応的に可変制御する仕組みを提案する。
すなわち、発明者らは、アクティブマトリクス駆動方式により各画素の発光状態を駆動制御する自発光型の表示パネルに印加する共通カソード電位の制御装置に、(a)1フレーム毎にフレーム画像内の最大信号レベルを検出する最大信号レベル検出部と、(b)自発光素子の駆動トランジスタを飽和領域で動作させるカソード電位値の範囲内で、検出された最大信号レベルに反比例するようにカソード電位値を決定するカソード電位決定部と、(c)決定されたカソード電位値に対応するカソード電位を発生し、自発光型の表示パネルの共通カソード電極に供給するカソード電位印加部とを搭載する。
発明者らの提案する発明の場合、最大信号レベルの小さいフレームではカソード電位を高く制御する一方、最大信号レベルの大きいフレームではカソード電位を低く制御することができる。
すなわち、表示パネルに印加される電圧(電源電位Vp と共通カソード電位Vcathode(p)との電位差)をフレーム内の最大発光輝度に応じて可変制御することができる。これにより、フレーム内の発光制御に必要最小限の電圧だけを表示パネルに印加することができる。結果的に、表示パネルの消費電力を常に必要最小限に制御できる。
以下、発明を、アクティブマトリクス駆動型の有機ELパネルモジュールのカソード電位制御に適用する場合について説明する。
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。
また以下に説明する形態例は、発明の一つの形態例であって、これらに限定されるものではない。
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。
また以下に説明する形態例は、発明の一つの形態例であって、これらに限定されるものではない。
(A)形態例1
(A−1)全体構成
図2に、有機ELパネルモジュール1の主要構成部分を示す。有機ELパネルモジュール1は、有機ELパネル3、データ線ドライバ5、走査線ドライバ7、最大信号レベル検出部9及びカソード電位制御部11を主要な構成要素とする。
(A−1)全体構成
図2に、有機ELパネルモジュール1の主要構成部分を示す。有機ELパネルモジュール1は、有機ELパネル3、データ線ドライバ5、走査線ドライバ7、最大信号レベル検出部9及びカソード電位制御部11を主要な構成要素とする。
有機ELパネル3の有効表示領域には、パネル解像度に応じて画素13がマトリクス状に配置されている。この形態例の場合、有機ELパネル3はカラー表示用であり、画素13は発光色の配列に従って配置される。ただし、複数色の有機発光層を積層した構造を有する有機EL素子が画素13を構成する場合、1つの画素が複数の発光色に対応する。
図3に、アクティブマトリクス駆動方式に対応する画素13の内部構造と他の駆動回路との接続関係を示す。もっとも、実際の画素13には、発光期間制御用のトランジスタ、駆動トランジスタの閾値補正機能や移動度補正機能に対応するトランジスタ等が配置される。
画素13は、書き込み制御トランジスタT1、電荷保持容量C、電流駆動トランジスタT2及び有機EL素子Dで構成される。
書き込み制御トランジスタT1は、画素データに対応する信号電圧Vdataの電荷保持容量Cへの書き込みを制御する薄膜トランジスタである。
書き込み制御トランジスタT1は、画素データに対応する信号電圧Vdataの電荷保持容量Cへの書き込みを制御する薄膜トランジスタである。
なお、書き込み制御トランジスタT1の開閉動作は、走査線ドライバ7より走査線WLを通じて供給される書き込み信号WSにより制御される。書き込み制御トランジスタT1が閉制御されている期間に、データ線DLを通じて印加された画素データ(信号電圧Vdata)が電荷保持容量Cに書き込まれる。
電流駆動トランジスタT2は、電荷保持容量Cに書き込まれた信号電圧Vdataに応じた大きさの駆動電流を有機EL素子Dに供給する薄膜トランジスタである。図3の場合、電流駆動トランジスタT2には、Nチャネル型の電界効果トランジスタを使用する。
データ線ドライバ5は、画素データ(信号電圧Vdata)を対応するデータ線DLに印加する回路デバイスである。
走査線ドライバ7は、信号電圧Vdataの書き込みタイミングを与える回路デバイスである。書き込みタイミングの供給先となる走査線WLは、水平走査期間単位で順次切り替え制御される。
走査線ドライバ7は、信号電圧Vdataの書き込みタイミングを与える回路デバイスである。書き込みタイミングの供給先となる走査線WLは、水平走査期間単位で順次切り替え制御される。
最大信号レベル検出部9は、フレーム画像毎に画素データDinの最大値を検出する処理デバイスである。この形態例の場合、画素データDinは、8ビット長で与えられるものとする。この場合、最大信号レベル検出部9は、「0」〜「255」のいずれかの階調ステップ値を最大信号レベルDmax としてカソード電位制御部11に出力する。
カソード電位制御部11は、最大信号レベル検出部9で検出された最大信号レベルDmax
に反比例するようにカソード電位値Dcathode を決定する処理デバイスである。すなわち、カソード電位制御部11は、フレーム画像内の最大信号レベルが大きいほどカソード電位を小さく制御する。この形態例では、最大信号レベルが印加される画素を構成する有機EL素子Dのアノード電位がほぼ一定電位になるようにカソード電位を制御する。
に反比例するようにカソード電位値Dcathode を決定する処理デバイスである。すなわち、カソード電位制御部11は、フレーム画像内の最大信号レベルが大きいほどカソード電位を小さく制御する。この形態例では、最大信号レベルが印加される画素を構成する有機EL素子Dのアノード電位がほぼ一定電位になるようにカソード電位を制御する。
ただし、フレーム内の最大信号レベルに対応付けるカソード電位は、当該最大信号レベルが印加される画素の自発光素子を駆動する駆動トランジスタT2を飽和領域で動作させる範囲内に抑える必要がある。
駆動トランジスタT2が非飽和領域で動作すると、フレーム画像のピーク輝度レベルが画像データの最大信号レベルよりも小さくなってしまうためである。なお、最大信号レベルとカソード電位との対応関係は、個々の有機ELパネル3についての測定結果に基づいて事前に定めることにする。
図4に、カソード電位制御部11の内部構成例を示す。カソード電位制御部11は、カソード電位決定部21及びカソード電位印加部23で構成する。
カソード電位決定部21は、入力された最大信号レベルDmax に基づいて対応テーブルを参照し、フレーム画像の表示に対応付けるカソード電位値Dcathode を決定する処理デバイスである。
カソード電位決定部21は、入力された最大信号レベルDmax に基づいて対応テーブルを参照し、フレーム画像の表示に対応付けるカソード電位値Dcathode を決定する処理デバイスである。
図5に、最大信号レベルDmaxとカソード電位値Dcathodeとを対応付けた対応テーブルの一例を示す。図5の場合、最大信号レベルDmax
の「0(ゼロ)」(全面黒画面)に、カソード電位値Dcathode の8[V]を対応付け、最大信号レベルDmax の「255」に、カソード電位値Dcathode の0[V]を対応付けている。
また、これらの中間値に対応する最大信号レベルDmaxには、8[V]〜0[V]の電圧を最大信号レベルDmax に反比例するように割り当てる。
の「0(ゼロ)」(全面黒画面)に、カソード電位値Dcathode の8[V]を対応付け、最大信号レベルDmax の「255」に、カソード電位値Dcathode の0[V]を対応付けている。
また、これらの中間値に対応する最大信号レベルDmaxには、8[V]〜0[V]の電圧を最大信号レベルDmax に反比例するように割り当てる。
なお、図5は一般的な特徴を表すために最大変化幅(最大信号レベルが0から255まで変化する際に発生する両極間電圧の変化幅)を強調して表したものであり、常に図5に示すように8Vもの電圧変化を想定するものではない。
実際、有機EL素子Dの構造や構成材料によっても、両極間電圧Velの最大変化幅は異なる。従って、当該技術の実装に際しては、実際に発生する最大変化幅を考慮する。
実際、有機EL素子Dの構造や構成材料によっても、両極間電圧Velの最大変化幅は異なる。従って、当該技術の実装に際しては、実際に発生する最大変化幅を考慮する。
カソード電位印加部23は、フレーム画像毎に検出された最大信号レベルDmax
に対応するカソード電位値Dcathode に対応する共通カソード電位Vcathode(p)を発生し、有機ELパネル3の共通カソード電極に印加する回路デバイスである。
図6に、カソード電位印加部23の内部構成例を示す。
に対応するカソード電位値Dcathode に対応する共通カソード電位Vcathode(p)を発生し、有機ELパネル3の共通カソード電極に印加する回路デバイスである。
図6に、カソード電位印加部23の内部構成例を示す。
図6に示すカソード電位印加部23は、ディジタルポテンショメータ31、ボルテージフォロア回路(オペアンプOP1、抵抗R1、R3及びNチャネル型の電界効果トランジスタT11)33で構成する。
ディジタルポテンショメータ31は、例えば256ステップ(8ビット)で電圧を発生する半固定型の抵抗器で構成される。なお、電界効果トランジスタT11のソース電極側には基準電位としての基準カソード電位Vcathode(i)が印加されている。
この回路構成により、有機ELパネル3の共通カソード電極に接続される配線の電位は、ディジタルポテンショメータ31から印加される共通カソード電位Vcathode(p)と同電位に制御することができる。
この回路構成により、有機ELパネル3の共通カソード電極に接続される配線の電位は、ディジタルポテンショメータ31から印加される共通カソード電位Vcathode(p)と同電位に制御することができる。
(A−2)カソード電位の制御による消費電力の最適化
図7に、有機ELパネル3の消費電力とカソード電位印加部33の消費電力との分配関係を説明する。
図7に、有機ELパネル3の消費電力とカソード電位印加部33の消費電力との分配関係を説明する。
図7に示すように、電源電位VDDと基準カソード電位Vcathode(i)との間に印加される電圧は固定である。これに対し、カソード電位制御部11は、各フレーム画像の最大信号レベルDmax に応じて共通カソード電位Vcathode(p)を可変制御する。
結果的に、有機ELパネル3に印加される電圧(=VDD−Vcathode(p))とカソード電位印加部33に印加される電圧(=Vcathode(p)−Vcathode(i))の比率が、各フレーム画像の最大信号レベルDmax に応じて変化する。例えば、1フレーム毎に比率が可変制御される。
ただし、カソード電位Vcathode(p)は、最大信号レベルに対応する画素13を構成する有機EL素子Dの両極間電圧Velの増減を打ち消すように設定されているので、有機EL素子Dのアノード電極と電源電位VDDとの間に印加される電圧は、共通カソード電位の可変制御によらずほぼ一定値に維持される。
なお、有機ELパネル3内で消費される電力とカソード電位印加部33で消費される電力の比は、各部に印加される電圧の比に応じて変動する。
なお、有機ELパネル3内で消費される電力とカソード電位印加部33で消費される電力の比は、各部に印加される電圧の比に応じて変動する。
このカソード電位の制御により、有機ELパネルモジュール1の全体に印加される電圧(VDD−Vcathode(p))のうち発光制御に必要最小限の電力だけを有機ELパネル3に印加し、その他の電力を適応的にカソード電位印加部33に割り当てることができる。
結果的に、各フレーム画像のピーク輝度レベル(画素データに対応する本来のピーク輝度レベル)を維持した状態のまま、有機ELパネル3の発熱量を必要最小限に抑制することができる。一般に、有機ELパネル3の駆動温度が高いことは、有機EL素子Dの寿命を短くする方向に作用する。このため、有機ELパネル3の発熱量(消費電力)を必要最小限に低下できることは、発光寿命を延ばす効果が期待される。
もっとも、電源電位VDDと基準カソード電位Vcathode(i)間の電圧は固定であるので、有機ELパネル3で消費される電力が減れば、その分、カソード電位印加部33で消費される電力が増えることになる。特に、電界効果トランジスタT11で消費される電力が増えることになる。
しかし、このカソード電位印加部33は、有機ELパネル3の外部に位置する。このため、有機ELパネル3自体が発熱する場合とは異なり、有機ELパネル3の駆動温度を上昇させる影響は小さく済む。
また、有機ELパネル3の発熱面積とは異なり、カソード電位印加部33の発熱面積が非常に小さく済む。このため、放熱設計が容易になる。すなわち、カソード電位印加部33で発生した熱を効率的に逃がすことが可能になる。このため、有機ELパネル3の駆動温度を上昇させる影響は小さく済む。すなわち、有機ELパネル3の温度依存特性を従来手法に比して低減することができる。この効果は、有効表示領域の面積が大きいほど顕著になる。
また、前述したように、共通カソード電位Vcathode(p)の制御が電流駆動トランジスタT11の駆動動作自体には何らの影響を与えないので(電流駆動トランジスタT11が飽和領域で動作するので)、ピーク輝度レベルを低下させることもない。すなわち、表示品質を損なうこともない。
このように、形態例に係る制御手法では、従来技術では解決できない顕著な効果が実現される。
このように、形態例に係る制御手法では、従来技術では解決できない顕著な効果が実現される。
(B)他の形態例
(B−1)カソード電位の他の制御方法
前述した形態例の場合には、有機EL素子Dのアノード電位が変動しないように(すなわち、最大信号レベルDmax に対応する有機EL素子Dの両極間電圧Velの変化量を打ち消すように)、カソード電位Vcathode(p)を制御する場合について説明した。
(B−1)カソード電位の他の制御方法
前述した形態例の場合には、有機EL素子Dのアノード電位が変動しないように(すなわち、最大信号レベルDmax に対応する有機EL素子Dの両極間電圧Velの変化量を打ち消すように)、カソード電位Vcathode(p)を制御する場合について説明した。
しかし、カソード電位Vcathode(p)の制御によってアノード電位が変動しても良い。ただし、与えられたカソード電位Vcathode(p)によって、自発光素子の駆動トランジスタT2が飽和領域で動作することが条件である。
(B−2)製品例
(a)ドライブIC
前述の説明では、画素アレイ部(有機ELパネル)と駆動回路(データ線ドライバ、走査線ドライバ、カソード電位制御部等)とが1つの基体上に形成された有機ELパネルモジュールについて説明した。
(a)ドライブIC
前述の説明では、画素アレイ部(有機ELパネル)と駆動回路(データ線ドライバ、走査線ドライバ、カソード電位制御部等)とが1つの基体上に形成された有機ELパネルモジュールについて説明した。
しかし、画素アレイ部と駆動回路部等とは別々に製造し、それぞれ独立した製品として流通することもできる。例えば、駆動回路はそれぞれ独立したドライブIC(integrated circuit)として製造し、画素アレイ部とは独立に流通することもできる。
(b)表示モジュール
前述した各形態例に係る有機ELパネルモジュール1は、図8に示す外観構成を有するパネルモジュール41の形態で流通することもできる。
パネルモジュール41は、支持基板45の表面に対向部43を貼り合わせた構造を有している。
前述した各形態例に係る有機ELパネルモジュール1は、図8に示す外観構成を有するパネルモジュール41の形態で流通することもできる。
パネルモジュール41は、支持基板45の表面に対向部43を貼り合わせた構造を有している。
対向部43は、ガラスその他の透明部材を基材とし、その表面にはカラーフィルタ、保護膜、遮光膜等が配置される。
なお、パネルモジュール41には、外部から支持基板45に信号等を入出力するためのFPC(フレキシブルプリントサーキット)47等が設けられていても良い。
なお、パネルモジュール41には、外部から支持基板45に信号等を入出力するためのFPC(フレキシブルプリントサーキット)47等が設けられていても良い。
(c)電子機器
前述した形態例における有機ELパネルモジュール1は、電子機器に実装された商品形態でも流通される。
図9に、電子機器51の概念構成例を示す。電子機器51は、前述した有機ELパネルモジュール53及びシステム制御部55で構成される。システム制御部55で実行される処理内容は、電子機器51の商品形態により異なる。
前述した形態例における有機ELパネルモジュール1は、電子機器に実装された商品形態でも流通される。
図9に、電子機器51の概念構成例を示す。電子機器51は、前述した有機ELパネルモジュール53及びシステム制御部55で構成される。システム制御部55で実行される処理内容は、電子機器51の商品形態により異なる。
なお、電子機器51は、機器内で生成される又は外部から入力される画像や映像を表示する機能を搭載していれば、特定の分野の機器には限定されない。
この種の電子機器51には、例えばテレビジョン受像機が想定される。図10に、テレビジョン受像機61の外観例を示す。
この種の電子機器51には、例えばテレビジョン受像機が想定される。図10に、テレビジョン受像機61の外観例を示す。
テレビジョン受像機61の筐体正面には、フロントパネル63及びフィルターガラス65等で構成される表示画面67が配置される。表示画面67の部分が、形態例で説明した有機ELパネルモジュール1に対応する。
また、この種の電子機器51には、例えばデジタルカメラが想定される。図11に、デジタルカメラ71の外観例を示す。図11(A)が正面側(被写体側)の外観例であり、図11(B)が背面側(撮影者側)の外観例である。
デジタルカメラ71は、保護カバー73、撮像レンズ部75、表示画面77、コントロールスイッチ79及びシャッターボタン81で構成される。このうち、表示画面77の部分が、形態例で説明した有機ELパネルモジュール1に対応する。
また、この種の電子機器51には、例えばビデオカメラが想定される。図12に、ビデオカメラ91の外観例を示す。
ビデオカメラ91は、本体93の前方に被写体を撮像する撮像レンズ95、撮影のスタート/ストップスイッチ97及び表示画面99で構成される。このうち、表示画面99の部分が、形態例で説明した有機ELパネルモジュール1に対応する。
ビデオカメラ91は、本体93の前方に被写体を撮像する撮像レンズ95、撮影のスタート/ストップスイッチ97及び表示画面99で構成される。このうち、表示画面99の部分が、形態例で説明した有機ELパネルモジュール1に対応する。
また、この種の電子機器51には、例えば携帯端末装置が想定される。図13に、携帯端末装置としての携帯電話機101の外観例を示す。図13に示す携帯電話機101は折りたたみ式であり、図13(A)が筐体を開いた状態の外観例であり、図13(B)が筐体を折りたたんだ状態の外観例である。
携帯電話機101は、上側筐体103、下側筐体105、連結部(この例ではヒンジ部)107、表示画面109、補助表示画面111、ピクチャーライト113及び撮像レンズ115で構成される。このうち、表示画面109及び補助表示画面111の部分が、形態例で説明した有機ELパネルモジュール1に対応する。
また、この種の電子機器51には、例えばコンピュータが想定される。図14に、ノート型コンピュータ121の外観例を示す。
ノート型コンピュータ121は、下型筐体123、上側筐体125、キーボード127及び表示画面129で構成される。このうち、表示画面129の部分が、形態例で説明した有機ELパネルモジュール1に対応する。
ノート型コンピュータ121は、下型筐体123、上側筐体125、キーボード127及び表示画面129で構成される。このうち、表示画面129の部分が、形態例で説明した有機ELパネルモジュール1に対応する。
これらの他、電子機器51には、オーディオ再生装置、ゲーム機、電子ブック、電子辞書等が想定される。
(B−3)他の画素回路例
前述した形態例では、電流駆動トランジスタT2がNチャネル型の電界効果トランジスタの場合について説明した。
しかし、電流駆動トランジスタT2がPチャネル型の電界効果トランジスタで構成される場合にも適用できる。
前述した形態例では、電流駆動トランジスタT2がNチャネル型の電界効果トランジスタの場合について説明した。
しかし、電流駆動トランジスタT2がPチャネル型の電界効果トランジスタで構成される場合にも適用できる。
図15に、電流駆動トランジスタT2がPチャネル型の電界効果トランジスタの場合の画素回路例を示す。なお、図15は、図3との対応部分に同一符号を付して表している。
この画素回路の場合、電荷保持容量Cは、電源電位VSSと電流駆動トランジスタT2のゲート電極間に画素データに相当する電圧Vdataを保持するように接続される。
この画素回路の場合、電荷保持容量Cは、電源電位VSSと電流駆動トランジスタT2のゲート電極間に画素データに相当する電圧Vdataを保持するように接続される。
(B−4)他の表示デバイス例
形態例の説明においては、有機ELパネルモジュールの共通カソード電位を制御する場合について説明した。
しかし、カソード電位制御機能は、その他の自発光表示装置に対しても適用することができる。例えば無機ELディスプレイ装置、LEDを配列する表示装置その他のダイオード構造を有する発光素子を画面上に配列した表示装置に対しても適用できる。
形態例の説明においては、有機ELパネルモジュールの共通カソード電位を制御する場合について説明した。
しかし、カソード電位制御機能は、その他の自発光表示装置に対しても適用することができる。例えば無機ELディスプレイ装置、LEDを配列する表示装置その他のダイオード構造を有する発光素子を画面上に配列した表示装置に対しても適用できる。
(B−5)制御デバイス構成
前述の説明では、カソード電位制御機能をハードウェア的に実現する場合について説明した。
しかし、カソード電位制御機能の一部は、ソフトウェア処理により実現しても良い。
前述の説明では、カソード電位制御機能をハードウェア的に実現する場合について説明した。
しかし、カソード電位制御機能の一部は、ソフトウェア処理により実現しても良い。
(B−6)その他
前述した形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される又は組み合わせられる各種の変形例及び応用例も考えられる。
前述した形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される又は組み合わせられる各種の変形例及び応用例も考えられる。
1 有機ELパネルモジュール
3 有機ELパネル
9 最大信号レベル検出部
11 カソード電位制御部
21 カソード電位決定部
23 カソード電位印加部
3 有機ELパネル
9 最大信号レベル検出部
11 カソード電位制御部
21 カソード電位決定部
23 カソード電位印加部
Claims (4)
- アクティブマトリクス駆動方式により各画素の発光状態を駆動制御する自発光型の表示パネルに印加する共通カソード電位を制御するカソード電位制御装置であって、
1フレーム毎にフレーム画像内の最大信号レベルを検出する最大信号レベル検出部と、
自発光素子の駆動トランジスタを飽和領域で動作させるカソード電位値の範囲内で、検出された最大信号レベルに反比例するようにカソード電位値を決定するカソード電位決定部と、
決定されたカソード電位値に対応するカソード電位を発生し、前記自発光型の表示パネルの共通カソード電極に供給するカソード電位印加部と
を有することを特徴とするカソード電位制御装置。 - アクティブマトリクス駆動方式により各画素の発光状態を駆動制御する自発光型の表示パネルと、
1フレーム毎にフレーム画像内の最大信号レベルを検出する最大信号レベル検出部と、
自発光素子の駆動トランジスタを飽和領域で動作させるカソード電位値の範囲内で、検出された最大信号レベルに反比例するようにカソード電位値を決定するカソード電位決定部と、
決定されたカソード電位値に対応するカソード電位を発生し、前記自発光型の表示パネルの共通カソード電極に供給するカソード電位印加部と
を有することを特徴とする自発光表示装置。 - アクティブマトリクス駆動方式により各画素の発光状態を駆動制御する自発光型の表示パネルと、
1フレーム毎にフレーム画像内の最大信号レベルを検出する最大信号レベル検出部と、
自発光素子の駆動トランジスタを飽和領域で動作させるカソード電位値の範囲内で、検出された最大信号レベルに反比例するようにカソード電位値を決定するカソード電位決定部と、
決定されたカソード電位値に対応するカソード電位を発生し、前記自発光型の表示パネルの共通カソード電極に供給するカソード電位印加部と、
システム制御部と、
前記システム制御部に対する操作入力部と
を有することを特徴とする電子機器。 - アクティブマトリクス駆動方式により各画素の発光状態を駆動制御する自発光型の表示パネルに印加する共通カソード電位を制御するカソード電位制御方法であって、
1フレーム毎にフレーム画像内の最大信号レベルを検出する処理と、
自発光素子の駆動トランジスタを飽和領域で動作させるカソード電位値の範囲内で、検出された最大信号レベルに反比例するようにカソード電位値を決定する処理と、
決定されたカソード電位値に対応するカソード電位を発生し、前記自発光型の表示パネルの共通カソード電極に供給する処理と
を有することを特徴とするカソード電位制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007139769A JP2008292866A (ja) | 2007-05-25 | 2007-05-25 | カソード電位制御装置、自発光表示装置、電子機器及びカソード電位制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007139769A JP2008292866A (ja) | 2007-05-25 | 2007-05-25 | カソード電位制御装置、自発光表示装置、電子機器及びカソード電位制御方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2008292866A true JP2008292866A (ja) | 2008-12-04 |
Family
ID=40167615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2007139769A Pending JP2008292866A (ja) | 2007-05-25 | 2007-05-25 | カソード電位制御装置、自発光表示装置、電子機器及びカソード電位制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2008292866A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101859538A (zh) * | 2009-04-03 | 2010-10-13 | 索尼公司 | 显示装置 |
JP2013025300A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-02-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の電源供給方法および電子機器 |
WO2019187062A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法、及び表示装置 |
-
2007
- 2007-05-25 JP JP2007139769A patent/JP2008292866A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9245478B2 (en) | 2011-07-26 | 2016-01-26 | Seiko Epson Corporation | Display device having a voltage limiting circuit to ensure that the voltage between the drain and source of a pixel's driving transistor does not exceed a predetermined value |
WO2019187062A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法、及び表示装置 |
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