JP2008292620A - 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】輝度ばらつき補正時には、電気光学素子の逆バイアス状態を維持して輝度ばらつきの補正動作を確実に実行できるようにする。
【解決手段】画素アレイ部30の画素行ごとに電源線35(35−1〜35−m)を配線し、かつ電源走査回路80を設けるとともに、当該電源走査回路80から有機EL素子21にそのカソード電位として与えられる第1の電源電位Vcatを可変とし、当該電源電位Vcatとして有機EL素子21の非発光期間では高電位側の電源電位Vcat-Hiを設定し、有機EL素子21の発光期間に入ったら低電位側の電源電位Vcat-Lowに切り替えるようにする。
【選択図】図1
【解決手段】画素アレイ部30の画素行ごとに電源線35(35−1〜35−m)を配線し、かつ電源走査回路80を設けるとともに、当該電源走査回路80から有機EL素子21にそのカソード電位として与えられる第1の電源電位Vcatを可変とし、当該電源電位Vcatとして有機EL素子21の非発光期間では高電位側の電源電位Vcat-Hiを設定し、有機EL素子21の発光期間に入ったら低電位側の電源電位Vcat-Lowに切り替えるようにする。
【選択図】図1
Description
本発明は、表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器に関し、特に電気光学素子を含む画素が行列状(マトリクス状)に配置されてなる平面型(フラットパネル型)の表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を有する電子機器に関する。
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、発光素子を含む画素(画素回路)が行列状に配置されてなる平面型の表示装置が急速に普及している。平面型の表示装置としては、画素の発光素子として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の電気光学素子、例えば有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機EL(Electro Luminescence)素子を用いた有機EL表示装置が開発され、商品化が進められている。
有機EL表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機EL素子が10V以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力であり、また自発光素子であることから、液晶セルを含む画素ごとに当該液晶セルにて光源(バックライト)からの光強度を制御することによって画像を表示する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも液晶表示装置には必須なバックライト等の照明部材を必要としないために軽量化および薄型化が容易である。さらに、有機EL素子の応答速度が数μsec程度と非常に高速であるために動画表示時の残像が発生しない。
有機EL表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純(パッシブ)マトリクス方式とアクティブマトリクス方式を採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、電気光学素子の発光期間が走査線(即ち、画素数)の増加によって減少するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。
そのため、近年、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(一般には、TFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ))によって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置の開発が盛んに行われている。アクティブマトリクス方式の表示装置は、電気光学素子が1フレームの期間に亘って発光を持続するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が容易である。
ところで、一般的に、有機EL素子のI−V特性(電流−電圧特性)は、時間が経過すると劣化(いわゆる、経時劣化)することが知られている。有機EL素子を電流駆動するトランジスタ(以下、「駆動トランジスタ」と記述する)としてNチャネル型のTFTを用いた画素回路では、駆動トランジスタのソース側に有機EL素子が接続されることになるために、有機EL素子のI−V特性が経時劣化すると、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Vgsが変化し、その結果、有機EL素子の発光輝度も変化する。
このことについてより具体的に説明する。駆動トランジスタのソース電位は、当該駆動トランジスタと有機EL素子の動作点で決まる。そして、有機EL素子のI−V特性が劣化すると、駆動トランジスタと有機EL素子の動作点が変動してしまうために、駆動トランジスタのゲートに同じ電圧を印加したとしても駆動トランジスタのソース電位が変化する。これにより、駆動トランジスタのソース−ゲート間電圧Vgsが変化するために、当該駆動トランジスタに流れる電流値が変化する。その結果、有機EL素子に流れる電流値も変化するために、有機EL素子の発光輝度が変化することになる。
また、ポリシリコンTFTを用いた画素回路では、有機EL素子のI−V特性の経時劣化に加えて、駆動トランジスタの閾値電圧Vthや、駆動トランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度(以下、「駆動トランジスタの移動度」と記述する)μが経時的に変化したり、製造プロセスのばらつきによって閾値電圧Vthや移動度μが画素ごとに異なったりする(個々のトランジスタ特性にばらつきがある)。
駆動トランジスタの閾値電圧Vthや移動度μが画素ごとに異なると、画素ごとに駆動トランジスタに流れる電流値にばらつきが生じるために、駆動トランジスタのゲートに画素間で同じ電圧を印加しても、有機EL素子の発光輝度に画素間でばらつきが生じ、その結果、画面の一様性(ユニフォーミティ)が損なわれる。
そこで、有機EL素子のI−V特性が経時劣化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Vthや移動度μが経時変化したりしても、それらの影響を受けることなく、有機EL素子の発光輝度を一定に保つようにするために、有機EL素子の特性変動に対する補償機能、さらには駆動トランジスタの閾値電圧Vthの変動に対する補正(以下、「閾値補正」と記述する)や、駆動トランジスタの移動度μの変動に対する補正(以下、「移動度補正」と記述する)の各補正機能を画素回路の各々に持たせる構成を採っている(例えば、特許文献1参照)。
このように、画素回路の各々に、有機EL素子の特性変動に対する補償機能および駆動トランジスタの閾値電圧Vthや移動度μの変動に対する補正機能を持たせることで、有機EL素子のI−V特性が経時劣化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Vthや移動度μが経時変化したりしたとしても、それらの影響を受けることなく、有機EL素子の発光輝度を一定に保つことができる。
ところで、閾値補正や移動度補正(その具体的な補正動作については後述する)によって画素間での輝度ばらつきを補正する補正動作は、有機EL素子の非発光期間において行なわれることから、輝度ばらつきの補正動作中には、有機EL素子は逆バイアス状態、即ちカソード電位に対してアノード電位が低い状態になければならない。
しかし、閾値補正や移動度補正による輝度ばらつき補正を含む一連の動作が行われる期間における時間推移において、閾値補正動作、信号書き込み動作および移動度補正動作が順に行われると、それらの動作が実行されるにしたがって駆動トランジスタのソース電位が上昇する。
特に、白信号の書き込み時には、駆動トランジスタのゲート電極に印加される信号電圧が大きいためにソース電位の上昇が大きく、有機EL素子が順バイアスになってしまう可能性がある。そして、有機EL素子が順バイアス領域になると、駆動トランジスタのソース電位の上昇が行われなくなるため、閾値補正や移動度補正による輝度ばらつきの補正動作が破綻してしまう。
そこで、本発明は、輝度ばらつき補正時には、電気光学素子の逆バイアス状態を維持して輝度ばらつきの補正動作を確実に実行可能な表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、電気光学素子と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記映像信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなる表示装置において、各画素を行単位で走査しつつ、前記電気光学素子の非発光期間では前記電気光学素子のカソード電位として高電位側の電源電位を与え、前記電気光学素子の発光期間に入ったら前記電気光学素子のカソード電位として低電位側の電源電位を与えることを特徴としている。
上記構成の表示装置および当該表示装置を有する電子機器において、電気光学素子の非発光期間では当該電気光学素子のカソード電位として高電位側の電源電位を与えることにより、駆動トランジスタのソース電位が上昇しても、当該ソース電位が高電位側の電源電位を上回らないように当該電源電位を設定しておくことによって電気光学素子の逆バイアス状態を維持できる。また、電気光学素子の発光期間に入ったら、電気光学素子のカソード電位として低電位側の電源電位を与えることにより、駆動トランジスタのソース電位の変動量(ブートストラップ量)を減らすことができるため、発光時の駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧を大きく確保できる。
本発明によれば、電気光学素子の非発光期間では当該電気光学素子のカソード電位として高電位側の電源電位を与えることにより、電気光学素子の逆バイアス状態を維持できるため、閾値補正動作および移動度補正動作を正常に実行することができる。
また、電気光学素子の発光期間に入ったら、電気光学素子のカソード電位として低電位側の電源電位を与えることにより、発光時の駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧を大きく確保できるため、電気光学素子の発光輝度を十分に確保することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機EL素子を画素の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機EL表示装置の場合を例に挙げて説明する。
図1に示すように、本実施形態に係る有機EL表示装置10は、画素20が行列状(マトリクス状)に2次元配置されてなる画素アレイ部30と、当該画素アレイ部30の周辺に配置され、各画素20を駆動する駆動部とを有する構成となっている。画素20を駆動する駆動部としては、例えば、書き込み走査回路40、駆動走査回路50、第一,第二補正用走査回路60,70、電源走査回路80および水平駆動回路90が設けられている。
画素アレイ部30は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成され、平面型(フラット型)のパネル構造となっている。画素アレイ部30には、m行n列の画素配列に対して、画素行ごとに走査線31−1〜31−m、駆動線32−1〜32−m、第一,第二補正用走査線33−1〜33−m,34−1〜34−mおよび電源線35−1〜35−mがそれぞれ配線され、また画素列ごとに信号線(データ線)36−1〜36−nが配線されている。
画素アレイ部30の各画素20については、アモルファスシリコンTFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)または低温ポリシリコンTFTを用いて形成することができる。低温ポリシリコンTFTを用いる場合は、書き込み走査回路40、駆動走査回路50、第一,第二補正用走査回路60,70、電源走査回路80および水平駆動回路90についても、画素アレイ部30を形成する表示パネル(基板)上に実装することができる。
書き込み走査回路40は、シフトレジスタ等によって構成され、画素アレイ部30の各画素20への映像信号の書き込みに際して、走査線31−1〜31−mに対して順次書き込み信号(走査信号)WS1〜WSmを供給して画素20を行単位で順番に走査(線順次走査)する。
駆動走査回路50は、シフトレジスタ等によって構成され、画素20の発光駆動に際して、駆動線32−1〜32−mに対して順次駆動信号DS1〜DSmを供給する。第一,第二補正用走査回路60,70は、シフトレジスタ等によって構成され、後述する補正動作を実行する際に、第一,第二補正用走査線33−1〜33−m,34−1〜34−mに対して第一,第二補正用走査信号AZ11〜AZ1m,AZ21〜AZ2mを適宜供給する。
電源走査回路80は、シフトレジスタ等によって構成され、画素行ごとに各画素20に対して第1電源電位Vcat1〜Vcatmとして、所定電位の高電位側の電源電位Vcat-Hiと、当該電源電位Vcat-Hiよりも低い低電位側の電源電位Vcat-Lowとを選択的に供給する。より具体的には、電源走査回路80は、画素20の非発光期間で電源電位Vcat-Hiを、画素20の発光期間で電源電位Vcat-Lowを各画素に与える。
水平駆動回路90は、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Vsig(以下、単に「信号電圧Vsig」と記述する場合もある)を、書き込み走査回路40による走査に同期して信号線36−1〜36−nに供給する。この水平駆動回路90は、例えば、信号電圧Vsigを行(ライン)単位で書き込む線順次書き込みの駆動形態を採っている。
(画素回路)
図2は、画素(画素回路)20の具体的な構成例を示す回路図である。図2に示すように、画素20は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機EL素子21を発光素子として有し、当該有機EL素子21に加えて、駆動トランジスタ22、書き込み(サンプリング)トランジスタ23、スイッチングトランジスタ24〜26および保持容量27を構成素子として有する、即ち5つのトランジスタ(Tr)と1つの容量素子(C)からなる5Tr/1Cの画素構成となっている。
図2は、画素(画素回路)20の具体的な構成例を示す回路図である。図2に示すように、画素20は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機EL素子21を発光素子として有し、当該有機EL素子21に加えて、駆動トランジスタ22、書き込み(サンプリング)トランジスタ23、スイッチングトランジスタ24〜26および保持容量27を構成素子として有する、即ち5つのトランジスタ(Tr)と1つの容量素子(C)からなる5Tr/1Cの画素構成となっている。
かかる構成の画素20においては、駆動トランジスタ22、書き込みトランジスタ23およびスイッチングトランジスタ25,26としてNチャネル型のTFTが用いられ、スイッチングトランジスタ24としてPチャネル型のTFTが用いられている。ただし、ここでの駆動トランジスタ22、書き込みトランジスタ23およびスイッチングトランジスタ24〜26の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
有機EL素子21は、カソード電極が電源線35(35−1〜35−m)に接続されている。このカソード電極には、電源走査回路80(図1参照)から電源線35(35−1〜35−m)を介して電源電位Vcat-Hiと低電位の電源電位Vcat-Lowとが第1電源電位Vcat1〜Vcatmとして選択的に供給される。
より具体的には、有機EL素子21の非発光期間ではカソード電極に電源電位Vcat-Hiが電源走査回路80から与えられ、有機EL素子21の発光期間ではカソード電極に電源電位Vcat-Lowが電源走査回路80から与えられる。
駆動トランジスタ22は、有機EL素子21を電流駆動するための能動素子であり、ソース電極が有機EL素子21のアノード電極に接続されてソースフォロア回路を形成している。
書き込みトランジスタ23は、一方の電極(ソース電極/ドレイン電極)が信号線36(36−1〜36−n)に接続され、他方の電極(ドレイン電極/ソース電極)が駆動トランジスタ22のゲート電極に接続され、ゲート電極が走査線31(31−1〜31−m)に接続されている。
スイッチングトランジスタ24は、ソース電極が第2の電源電位Vccp(ここでは、正の電源電位)に接続され、ドレイン電極が駆動トランジスタ22のドレイン電極に接続され、ゲート電極が駆動線32(32−1〜32−m)に接続されている。
スイッチングトランジスタ25は、ドレイン電極が書き込みトランジスタ23の他方の電極(駆動トランジスタ22のゲート電極)に接続され、ソース電極が第3の電源電位Vofsに接続され、ゲート電極が第一補正用走査線33(33−1〜33−m)に接続されている。
スイッチングトランジスタ26は、ドレイン電極が駆動トランジスタ22のソース電極と有機EL素子21のアノード電極との接続ノードN11に接続され、ソース電極が第4の電源電位Vini(ここでは、負の電源電位)に接続され、ゲート電極が第二補正用走査線34(34−1〜34−m)に接続されている。
保持容量27は、一端が駆動トランジスタ22のゲート電極と書き込みトランジスタ23のドレイン電極との接続ノードN12に接続され、他端が駆動トランジスタ22のソース電極と有機EL素子21のアノード電極との接続ノードN11に接続されている。
上述した接続関係にて各構成素子が接続されてなる画素20において、各構成素子は次のような作用をなす。
書き込みトランジスタ23は、導通(ON)状態となることにより、信号線36を通して供給される映像信号の信号電圧Vsigをサンプリングして画素20内に書き込む。書き込みトランジスタ23によって書き込まれた信号電圧Vsigは保持容量27に保持される。
駆動トランジスタ22は、スイッチングトランジスタ24が導通状態にあるときに、第2の電源電位Vccpから電流の供給を受けて、保持容量27に保持された信号電圧Vsigの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機EL素子21に供給することによって当該有機EL素子21を駆動する(電流駆動)。
駆動トランジスタ22は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。その結果、有機EL素子21には、駆動トランジスタ22から次式(1)で与えられる一定のドレイン−ソース間電流Idsが供給される。
Ids=(1/2)・μ(W/L)Cox(Vgs−Vth)2 ……(1)
Ids=(1/2)・μ(W/L)Cox(Vgs−Vth)2 ……(1)
ここに、Vthは駆動トランジスタ22の閾値電圧、μは駆動トランジスタ22のチャネルを構成する半導体薄膜の移動度(以下、単に「駆動トランジスタ22の移動度」と記述する)、Wはチャネル幅、Lはチャネル長、Coxは単位面積当たりのゲート容量、Vgsはソース電位を基準としてゲートに印加されるゲート−ソース間電圧である。
スイッチングトランジスタ24は導通状態になることにより、電源電位Vccpから駆動トランジスタ22に電流を供給する。すなわち、スイッチングトランジスタ24は、駆動トランジスタ22への電流の供給を制御することにより、有機EL素子21の発光/非発光を制御する。
スイッチングトランジスタ25,26は適宜導通状態になることで、有機EL素子21の電流駆動に先立って駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthを検知し、その影響をキャンセルするために当該検知した閾値電圧Vthを保持容量27にあらかじめ保持する。保持容量27は、表示期間に亘って駆動トランジスタ22のゲート−ソース間の電位差を保持する。
画素20では、正常な動作を保証するための条件として、第4の電源電位Viniは、第3の電源電位Vofsから駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthを差し引いた電位よりも低くなるように設定されている。すなわち、Vini<Vofs−Vthのレベル関係となっている。
また、非発光期間で有機EL素子21のカソード電極に与えられる電源電位Vcat-Hiに有機EL素子21の閾値電圧Vthelを加えたレベルは、第3の電源電位Vofsから駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthを差し引いたレベルよりも高くなるように設定されている。すなわち、Vcat-Hi+Vthel>Vofs−Vth(>Vini)のレベル関係となっている。
(画素構造)
図3は、画素20の断面構造の一例を示す断面図である。図3に示すように、画素20は、駆動トランジスタ22、書き込みトランジスタ23等の画素回路が形成されたガラス基板201上に絶縁膜202、絶縁平坦化膜203およびウインド絶縁膜204が順に形成され、当該ウインド絶縁膜204の凹部204Aに有機EL素子21が設けられた構成となっている。
図3は、画素20の断面構造の一例を示す断面図である。図3に示すように、画素20は、駆動トランジスタ22、書き込みトランジスタ23等の画素回路が形成されたガラス基板201上に絶縁膜202、絶縁平坦化膜203およびウインド絶縁膜204が順に形成され、当該ウインド絶縁膜204の凹部204Aに有機EL素子21が設けられた構成となっている。
有機EL素子21は、上記ウインド絶縁膜204の凹部204Aの底部に形成された金属等からなるアノード電極205と、当該アノード電極205上に形成された有機層(電子輸送層、発光層、ホール輸送層/ホール注入層)206と、当該有機層206上に全画素共通に形成された透明導電膜等からなるカソード電極207とから構成されている。
この有機EL素子21において、有機層206は、アノード電極205上にホール輸送層/ホール注入層2061、発光層2062、電子輸送層2063および電子注入層(図示せず)が順次堆積されることによって形成される。そして、図2の駆動トランジスタ22による電流駆動の下に、駆動トランジスタ22からアノード電極205を通して有機層206に電流が流れることで、当該有機層206内の発光層2062において電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。
図3に示すように、画素回路が形成されたガラス基板201上に、絶縁膜202、絶縁平坦化膜203およびウインド絶縁膜204を介して有機EL素子21が画素単位で形成された後は、パッシベーション膜208を介して封止基板209が接着剤210によって接合され、当該封止基板209によって有機EL素子21が封止されることにより、表示パネルが形成される。
[基本的な回路動作の説明]
ここで、上記構成の画素20を行列状に2次元配置してなる本実施形態に係るアクティブマトリックス型有機EL表示装置10において、理解を容易にするために、電源走査回路80から画素行ごとに各画素20に与えられる第1の電源電位Vcat1〜Vcatmを高電位側の電源電位Vcat-Hiに固定とした場合の基本的な回路動作について、図4のタイミング波形図を用いて説明する。
ここで、上記構成の画素20を行列状に2次元配置してなる本実施形態に係るアクティブマトリックス型有機EL表示装置10において、理解を容易にするために、電源走査回路80から画素行ごとに各画素20に与えられる第1の電源電位Vcat1〜Vcatmを高電位側の電源電位Vcat-Hiに固定とした場合の基本的な回路動作について、図4のタイミング波形図を用いて説明する。
図4には、ある画素行の各画素20を駆動する際に、書き込み走査回路40から画素20に与えられる書き込み信号WS(WS1〜WSm)、駆動走査回路50から画素20に与えられる駆動信号DS(DS1〜DSm)および第一,第二補正用走査回路60,70から画素20に与えられる第一,第二補正用走査信号AZ1(AZ11〜AZ1m),AZ2(AZ21〜AZ2m)のタイミング関係、ならびに駆動トランジスタ22のゲート電位Vgおよびソース電位Vsの変化をそれぞれ示している。
ここで、書き込みトランジスタ23およびスイッチングトランジスタ25,26がNチャネル型であるために、書き込み信号WSおよび第一,第二補正用走査信号AZ1,AZ2については、高レベル(本例では、電源電位Vccp;以下、「“H”レベル」と記述する)の状態をアクティブ状態とし、低レベル(本例では、電源電位Vcat-Hi;以下、「“L”レベル」と記述する)の状態を非アクティブ状態とする。また、スイッチングトランジスタ24がPチャネル型であるために、駆動信号DSについては、“L”レベルの状態をアクティブ状態とし、“H”レベルの状態を非アクティブ状態とする。
時刻t1で駆動信号DSが“L”レベルから“H”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ24が非導通(OFF)になった状態で、時刻t2で第二補正用走査信号AZ2が“L”レベルから“H”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ26が導通状態になることにより、駆動トランジスタ22のソース電極にはスイッチングトランジスタ26を介して電源電位Viniが印加される。
このとき、先述したように、Vini<Vcat-Hi+Vthelのレベル関係にあるために、有機EL素子21は逆バイアス状態となる。したがって、有機EL素子21には電流が流れず、非発光状態にある。
次に、時刻t3で第一補正用走査信号AZ1が“L”レベルから“H”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ25が導通状態になることにより、駆動トランジスタ22のゲート電極にはスイッチングトランジスタ25を介して電源電位Vofsが印加される。このとき、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsは、Vofs−Viniという値をとる。ここで、先述したように、Vofs−Vini>Vthのレベル関係を満たしている。
(閾値補正期間)
次に、時刻t4で第二補正用走査信号AZ2が“H”レベルから“L”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ26が非導通状態になり、その後、時刻t5で駆動信号DSが“H”レベルから“L”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ24が導通状態になることにより、駆動トランジスタ22にはそのゲート−ソース間電圧Vgsに応じた電流が流れる。
次に、時刻t4で第二補正用走査信号AZ2が“H”レベルから“L”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ26が非導通状態になり、その後、時刻t5で駆動信号DSが“H”レベルから“L”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ24が導通状態になることにより、駆動トランジスタ22にはそのゲート−ソース間電圧Vgsに応じた電流が流れる。
このとき、駆動トランジスタ22のソース電位Vsよりも有機EL素子21のカソード電位Vcat-Hiが高く、有機EL素子21が逆バイアス状態にあり、駆動トランジスタ22から流れる電流がノードN11→保持容量27→ノードN12→スイッチングトランジスタ25→電源電位Vofsの経路で流れるために、当該電流に応じた電荷が保持容量27に充電される。また、保持容量27の充電に伴って駆動トランジスタ22のソース電位Vsが電源電位Viniから時間の経過とともに徐々に上昇する。
そして、一定時間が経過し、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsが当該駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthと等しくなったところで、駆動トランジスタ22がカットオフする。これにより、駆動トランジスタ22に電流が流れなくなるために、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgs、即ち閾値電圧Vthが閾値補正用の電位として保持容量27に保持される(閾値検出動作)。
その後、時刻t6で駆動信号DSが“L”レベルから“H”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ24が非導通状態になる。この時刻t5から時刻t6までの期間が駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthを検出して保持容量27に保持する期間である。ここでは、便宜上、この一定期間t5−t6を閾値補正期間と呼ぶこととする。その後、時刻t7で第一補正用走査信号AZ1が“H”レベルから“L”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ25が非導通状態になる。
(信号書込期間)
続いて、時刻t8で書き込み信号WSが“L”レベルから“H”レベルに遷移し、書き込みトランジスタ23が導通状態になることにより、当該書き込みトランジスタ23によって映像信号の信号電圧Vsigがサンプリングされ、画素内に書き込まれるために、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgが信号電圧Vsigになる。この信号電圧Vsigは保持容量27に保持される。
続いて、時刻t8で書き込み信号WSが“L”レベルから“H”レベルに遷移し、書き込みトランジスタ23が導通状態になることにより、当該書き込みトランジスタ23によって映像信号の信号電圧Vsigがサンプリングされ、画素内に書き込まれるために、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgが信号電圧Vsigになる。この信号電圧Vsigは保持容量27に保持される。
このとき、駆動トランジスタ22のソース電位Vsは、書き込みトランジスタ23によるサンプリング時の駆動トランジスタ22のゲート電位Vgの振幅に対して、保持容量27と有機EL素子21との容量カップリングによって上昇する。
ここで、保持容量27の容量値をCcs、有機EL素子21の容量値をColed、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgの上昇分をΔVgとすると、駆動トランジスタ22のソース電位Vsの上昇分ΔVsは、次式(2)で与えられる。
ΔVs=ΔVg×{Ccs/(Coled+Ccs)} ……(2)
ΔVs=ΔVg×{Ccs/(Coled+Ccs)} ……(2)
また、書き込みトランジスタ23によるサンプリングによって書き込まれた信号電圧Vsigは、保持容量27に保持されている閾値電圧Vthに足し込まれる形で当該保持容量27に保持される。このとき、保持容量27の保持電圧は、Vsig−Vofs+Vthとなる。ここで、理解を容易にするために、Vofs=0Vとすると、ゲート−ソース間電圧Vgsは、Vsig+Vthとなる。
このように、保持容量27にあらかじめ閾値電圧Vthを保持しておくことで、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthの画素ごとのばらつきや経時変化を補正することが可能になる。すなわち、信号電圧Vsigによる駆動トランジスタ22の駆動の際に、当該駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthが保持容量27に保持した閾値電圧Vthと相殺される、換言すれば、閾値電圧Vthの補正が行われる。
この閾値電圧Vthの補正動作により、画素ごとに閾値電圧Vthにばらつきや経時変化があったとしても、駆動トランジスタ22による有機EL素子21の駆動に対する閾値電圧Vthの影響をキャンセルすることができる。その結果、閾値電圧Vthの画素ごとのばらつきや経時変化の影響を受けることなく、有機EL素子21の発光輝度を一定に保つことができる。
(移動度補正期間)
その後、書き込みトランジスタ23が導通したまま、時刻t9で駆動信号DSが“H”レベルから“L”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ24が導通状態になることで、電源電位Vccpから駆動トランジスタ22への電流供給が開始される。ここで、Vofs−Vth<Vthelと設定しておくことにより、有機EL素子21が逆バイアス状態におかれる。
その後、書き込みトランジスタ23が導通したまま、時刻t9で駆動信号DSが“H”レベルから“L”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ24が導通状態になることで、電源電位Vccpから駆動トランジスタ22への電流供給が開始される。ここで、Vofs−Vth<Vthelと設定しておくことにより、有機EL素子21が逆バイアス状態におかれる。
有機EL素子21が逆バイアス状態にあることで、当該有機EL素子21はダイオード特性ではなく単純な容量特性を示すようになる。したがって、駆動トランジスタ22に流れるドレイン−ソース間電流Idsは、保持容量27の容量値Ccsと有機EL素子21の容量成分の容量値Coledとを合成した容量C(=Ccs+Coled)に書き込まれていく。この書き込みにより、駆動トランジスタ22のソース電位Vsが上昇する。
駆動トランジスタ22のソース電位Vsの上昇分ΔVsは、保持容量27に保持されたゲート−ソース間電圧Vgsから差し引かれるように、換言すれば、保持容量27の充電電荷を放電するように作用することになるので、負帰還をかけられたことになる。すなわち、駆動トランジスタ22のソース電位Vsの上昇分ΔVsは負帰還の帰還量となる。このとき、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsは、Vsig−ΔVs+Vthとなる。
このように、駆動トランジスタ22に流れる電流(ドレイン−ソース間電流Ids)を当該駆動トランジスタ22のゲート入力(ゲート−ソース間の電位差)に負帰還することで、各画素20における駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsの移動度μに対する依存性を打ち消す、即ち駆動トランジスタ22の移動度μの画素ごとのばらつきを補正することが可能になる。
図4において、書き込み信号WSのアクティブ期間(“H”レベル期間)と駆動信号DSのアクティブ期間(“L”レベル期間)とがオーバーラップする期間(t9−t10の期間)、即ち書き込みトランジスタ23とスイッチングトランジスタ24とが共に導通状態となるオーバーラップ期間Tを移動度補正期間とする。
ここで、移動度μが相対的に高い駆動トランジスタと移動度μが相対的に低い駆動トランジスタとを考えた場合、この移動度補正期間Tに移動度μが高い駆動トランジスタは、移動度μが低い駆動トランジスタに対してソース電位Vsが大きく上昇する。また、ソース電位Vsが大きく上昇するほど、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsが小さくなり、電流が流れにくくなる。
つまり、移動度補正期間Tを調整することで、移動度μの違う駆動トランジスタ22で同じドレイン・ソース間電流Idsを流すことができる。この移動度補正期間Tで決めた駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsを保持容量27で維持して、当該ゲート−ソース間電圧Vgsに応じた電流(ドレイン−ソース間電流Ids)を駆動トランジスタ22が有機EL素子21に流すことによって当該有機EL素子21が発光する。
(発光期間)
時刻t10で書き込み信号WSが“L”レベルになり、書き込みトランジスタ23が非導通状態になることにより、移動度補正期間Tが終了し、発光期間に入る。この発光期間では、駆動トランジスタ22のソース電位Vsは、有機EL素子21の駆動電圧まで上昇する。また、駆動トランジスタ22のゲート電極が信号線36(36−1〜36−n)から切り離されてフローティング状態にあるために、保持容量27によるブートストラップ動作により、ソース電位Vsの上昇によってゲート電位Vgもソース電位Vsに連動して上昇する。
時刻t10で書き込み信号WSが“L”レベルになり、書き込みトランジスタ23が非導通状態になることにより、移動度補正期間Tが終了し、発光期間に入る。この発光期間では、駆動トランジスタ22のソース電位Vsは、有機EL素子21の駆動電圧まで上昇する。また、駆動トランジスタ22のゲート電極が信号線36(36−1〜36−n)から切り離されてフローティング状態にあるために、保持容量27によるブートストラップ動作により、ソース電位Vsの上昇によってゲート電位Vgもソース電位Vsに連動して上昇する。
このとき、駆動トランジスタ22のゲート電極の寄生容量をCgとすると、ゲート電位Vgの上昇分ΔVgは次式(3)で表される。
ΔVg=ΔVs×{Ccs/(Ccs+Cg)} ……(3)
その間、保持容量27に保持されたゲート−ソース間電圧Vgsは、Vsig−ΔVs+Vthの値を維持する。
ΔVg=ΔVs×{Ccs/(Ccs+Cg)} ……(3)
その間、保持容量27に保持されたゲート−ソース間電圧Vgsは、Vsig−ΔVs+Vthの値を維持する。
そして、駆動トランジスタ22のソース電位Vsの上昇に伴って、有機EL素子21の逆バイアス状態が解消され、順バイアス状態になると、駆動トランジスタ22から有機EL素子21に対して先述した式(1)で与えられる一定のドレイン−ソース間電流Idsが供給されるために、有機EL素子21は実際に発光を開始する。
このときのドレイン−ソース間電流Ids対ゲート−ソース間電圧Vgsの関係は、先述した式(1)のVgsにVsig−ΔVs+Vthを代入することで、次式(4)で与えられる。
Ids=kμ(Vgs−Vth)2
=kμ(Vsig−ΔVs)2 ……(4)
上記の式(4)において、k=(1/2)(W/L)Coxである。
Ids=kμ(Vgs−Vth)2
=kμ(Vsig−ΔVs)2 ……(4)
上記の式(4)において、k=(1/2)(W/L)Coxである。
この式(4)から明らかなように、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthの項がキャンセルされており、駆動トランジスタ22から有機EL素子21に供給されるドレイン−ソース間電流Idsは、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthに依存しないことが分かる。基本的に、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsは、映像信号の信号電圧Vsigによって決まる。換言すると、有機EL素子21は、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthの画素ごとのばらつきや経時変化の影響を受けることなく、映像信号の信号電圧Vsigに応じた輝度で発光する。
このように、映像信号の信号電圧Vsigが書き込まれる前に駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthをあらかじめ保持容量27に保持しておくことで、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthをキャンセル(補正)し、当該閾値電圧Vthの画素ごとのばらつきや経時変化の影響を受けない一定のドレイン−ソース間電流Idsを有機EL素子21に流すことができるために、高画質の表示画像を得ることができる(駆動トランジスタ22のVth変動に対する補償機能)。
また、上記の式(4)から明らかなように、映像信号の信号電圧Vsigは、ドレイン−ソース間電流Idsの駆動トランジスタ22のゲート入力への負帰還によって帰還量ΔVsで補正されている。この帰還量ΔVsは、式(4)の係数部に位置する移動度μの効果を打ち消すように作用する。
したがって、ドレイン−ソース間電流Idsは、実質的に、映像信号の信号電圧Vsigのみに依存することになる。すなわち、有機EL素子21は、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthのみならず、駆動トランジスタ22の移動度μの画素ごとのばらつきや経時変化の影響を受けることなく、信号電圧Vsigに応じた輝度で発光する。その結果、スジや輝度ムラのない均一な画質を得ることができる。
このように、移動度補正期間T(t9−t10)において、ドレイン−ソース間電流Idsを駆動トランジスタ22のゲート入力へ負帰還し、その帰還量ΔVsによって信号電圧Vsigを補正することで、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsの移動度μに対する依存性を打ち消し、信号電圧Vsigのみに依存するドレイン−ソース間電流Idsを有機EL素子21に流すことができるため、駆動トランジスタ22の移動度μの画素ごとのばらつきや経時変化に起因するスジや輝度ムラのない均一な画質の表示画像を得ることができる(駆動トランジスタ22の移動度μに対する補償機能)。
ここで、電流駆動型の電気光学素子である有機EL素子21を含む画素20が行列状に配置されてなる有機EL表示装置10においては、有機EL素子21の発光時間が長くなると、当該有機EL素子21のI−V特性が変化してしまう。それがために、有機EL素子21のアノード電極と駆動トランジスタ22のソースとの接続ノードN11の電位も変化する。
これに対して、上記構成のアクティブマトリクス型有機EL表示装置10では、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsが一定値に保たれているために、有機EL素子21に流れる電流は変化しない。したがって、有機EL素子21のI−V特性が劣化したとしても、一定のドレイン−ソース間電流Idsが有機EL素子21に流れ続けるために、有機EL素子21の発光輝度の変化を抑制することができる(有機EL素子21の特性変動に対する補償機能)。
以上は、有機EL素子21の特性変動に対する補償機能、駆動トランジスタ22の閾値補正および移動度補正の各補正機能を有するアクティブマトリックス型有機EL表示装置10において、電源走査回路80から画素行ごとに各画素20に与えられる第1の電源電位Vcat1〜Vcatmを高電位側の電源電位Vcat-Hiに固定とした場合の基本的な回路動作の説明である。
(輝度ばらつき補正時の問題点)
先述した閾値補正や移動度補正により、閾値電圧Vthや移動度μの画素間でのばらつきに起因する輝度ばらつきを補正する補正動作は、有機EL素子21の非発光期間において行なわれることから、輝度ばらつきの補正動作中には、有機EL素子21は逆バイアス状態におかれている。
先述した閾値補正や移動度補正により、閾値電圧Vthや移動度μの画素間でのばらつきに起因する輝度ばらつきを補正する補正動作は、有機EL素子21の非発光期間において行なわれることから、輝度ばらつきの補正動作中には、有機EL素子21は逆バイアス状態におかれている。
しかし、図4の時間推移において、閾値補正動作、信号書き込み動作および移動度補正動作が順に行われると、それらの動作が実行されるにしたがって駆動トランジスタ22のソース電位Vsが上昇する。特に、白信号の書き込み時には、駆動トランジスタ22のゲート電極に印加される信号電圧Vsigが大きいためにソース電位Vsの上昇が大きく、有機EL素子21が順バイアスになってしまう可能性がある。
有機EL素子21が順バイアス領域になると、駆動トランジスタ22のソース電位Vsの上昇が行われなくなるため、閾値補正や移動度補正による輝度ばらつきの補正動作が破綻してしまう。その理由について以下に説明する。
先述したように、閾値補正動作は、有機EL素子21が逆バイアス状態にあるときに、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgおよびソース電位Vsをそれぞれ所定電位(電源電位Vofsと電源電位Vini)にした後、ソース電位Vsが上昇して駆動トランジスタ22がカットオフするときのゲート−ソース間電圧Vgsを閾値電圧Vthとして検出し、当該閾値電圧Vthを保持容量27に保持することによって実行される。
また、移動度補正動作は、有機EL素子21が逆バイアス状態にあるときに、駆動トランジスタ22に流れるドレイン−ソース間電流Idsが、保持容量27の容量値Ccsと有機EL素子21の容量成分の容量値Coledとを合成した容量Cに書き込まれ、それに伴って駆動トランジスタ22のソース電位Vsが上昇し、保持容量27によるブートストラップ動作により、ゲート電位Vgもソース電位Vsに連動して上昇することによって実行される。
上述した輝度ばらつき補正動作の説明から明らかなように、閾値補正動作および移動度補正動作のいずれも、有機EL素子21が逆バイアス状態にあり、かつ、駆動トランジスタ22のソース電位Vsが上昇することによって実行される。したがって、図4の時間推移において、有機EL素子21が順バイアス領域になり、駆動トランジスタ22のソース電位Vsの上昇が行われなくなると、閾値補正動作および移動度補正動作を正常に実行できないことになる。
(本実施形態の特徴部分)
そこで、本実施形態に係る有機EL表示装置10においては、画素アレイ部30の画素行ごとに電源線35(35−1〜35−m)を配線し、かつ電源走査回路80を設けて当該電源走査回路80から出力される第1の電源電位Vcat1〜Vcatm、即ち有機EL素子21のカソード電位Vcatを可変とし、図5のタイミング波形図に示すように、閾値補正、信号書込みおよび移動度補正の各動作が行われる有機EL素子21の非発光期間では高電位側の電源電位Vcat-Hiを有機EL素子21のカソード電極に供給し、有機EL素子21の発光期間に入ったら時刻t11で電源電位Vcatを低電位側の電源電位Vcat-Lowに切り替えて、当該電源電位Vcat-Lowを有機EL素子21のカソード電極に供給するようにする。
そこで、本実施形態に係る有機EL表示装置10においては、画素アレイ部30の画素行ごとに電源線35(35−1〜35−m)を配線し、かつ電源走査回路80を設けて当該電源走査回路80から出力される第1の電源電位Vcat1〜Vcatm、即ち有機EL素子21のカソード電位Vcatを可変とし、図5のタイミング波形図に示すように、閾値補正、信号書込みおよび移動度補正の各動作が行われる有機EL素子21の非発光期間では高電位側の電源電位Vcat-Hiを有機EL素子21のカソード電極に供給し、有機EL素子21の発光期間に入ったら時刻t11で電源電位Vcatを低電位側の電源電位Vcat-Lowに切り替えて、当該電源電位Vcat-Lowを有機EL素子21のカソード電極に供給するようにする。
ここで、電源電位Vcat-Hiについては、Vcat-Hi≧Vs−Vthelなる条件を満足するように設定する。また、電源電位Vcat-Hiと電源電位Vcat-Lowの切り替えは、電源走査回路80の出力回路において実行することができる。具体的には、電源走査回路80は、例えば、シフトレジスタ、ロジック回路および画素行ごとに設けられた出力回路によって構成されており、その出力回路の正側の電源電位を電源電位Vcat-Hiに設定し、負側の電源電位を電源電位Vcat-Lowに設定することによって実現できる。
<電源走査回路の出力回路>
図6は、電源走査回路80の出力回路の構成の一例を示す回路図である。図6に示すように、出力回路81は、縦続接続された例えば2段のバッファ811,812によって構成されている。
図6は、電源走査回路80の出力回路の構成の一例を示す回路図である。図6に示すように、出力回路81は、縦続接続された例えば2段のバッファ811,812によって構成されている。
1段目のバッファ811は、ゲート電極同士およびドレイン電極同士がそれぞれ共通に接続されたPチャネルMOSトランジスタP11およびNチャネルMOSトランジスタN11からなるCMOSインバータ構成となっている。
同様に、2段目のバッファ812は、ゲート電極同士およびドレイン電極同士がそれぞれ共通に接続されたPチャネルMOSトランジスタP12およびNチャネルMOSトランジスタN12からなるCMOSインバータ構成となっている。
そして、MOSトランジスタP11,P12の各ソース電極が正側の電源電位Vcat-Hiに接続され、MOSトランジスタN11,N12の各ソース電極が負側の電源電位Vcat-Lowに接続されている。
上記構成の出力回路81において、閾値補正、信号書込みおよび移動度補正の各動作が行われる有機EL素子21の非発光期間に前段のロジック回路から1段目のバッファ811に高レベルの電源走査パルスが入力されると、2段目のバッファ812から電源電位Vcat-Hiが出力され、有機EL素子21の発光期間に入り、1段目のバッファ811に低レベルの電源走査パルスが入力されると、2段目のバッファ812から電源電位Vcat-Lowが出力される。
(本実施形態の作用効果)
上述したように、画素アレイ部30の画素行ごとに電源線35(35−1〜35−m)を配線し、かつ電源走査回路80を設けるとともに、当該電源走査回路80から有機EL素子21にそのカソード電位として与えられる第1の電源電位Vcatを可変とし、当該電源電位Vcatとして有機EL素子21の非発光期間では電源電位Vcat-Hiを設定し、有機EL素子21の発光期間に入ったら電源電位Vcat-Lowに切り替えるようにすることにより、次のような作用効果を得ることができる。
上述したように、画素アレイ部30の画素行ごとに電源線35(35−1〜35−m)を配線し、かつ電源走査回路80を設けるとともに、当該電源走査回路80から有機EL素子21にそのカソード電位として与えられる第1の電源電位Vcatを可変とし、当該電源電位Vcatとして有機EL素子21の非発光期間では電源電位Vcat-Hiを設定し、有機EL素子21の発光期間に入ったら電源電位Vcat-Lowに切り替えるようにすることにより、次のような作用効果を得ることができる。
先ず、閾値補正、信号書込みおよび移動度補正の各動作が行われる有機EL素子21の非発光期間では、有機EL素子21のカソード電位Vcatとして電源電位Vcat-Hiを与えることにより、駆動トランジスタ22のソース電位Vsが補正動作において上昇しても、当該ソース電位Vsが電源電位Vcat-Hiを上回らないように当該電源電位Vcat-Hiを設定しておくことによって有機EL素子21の逆バイアス状態を維持することができる。これにより、有機EL素子21の逆バイアス状態において、閾値補正動作および移動度補正動作を正常に実行することができる。
また、有機EL素子21の発光期間に入ったら、カソード電位Vcatを電源電位Vcat-Lowに下げることにより、有機EL素子21の両端電圧をVoledとすると、発光時の駆動トランジスタ22のソース電位VsがVs=Vcat+Voledとなるため、ソース電位Vsの上昇量(変動量)が減少する。
ここで、駆動トランジスタのソース電位Vsの変動分ΔVsに対するゲート電位Vgの変動分ΔVgの比率、即ちブートストラップゲインGbst(=ΔVg/ΔVs)は、式(3)から明らかなように、保持容量27の容量値Ccsと駆動トランジスタ22のゲート電極に付く寄生容量の容量値Cgで決まる。
保持容量27の容量値Ccsに対して寄生容量の容量値Cgが大きくなると、ブートストラップゲインGbstが下がる。そして、駆動トランジスタ22の駆動トランジスタ22のソース電位Vsの変動量ΔVs、ブートストラップ量が大きくなると、それだけ発光時の駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsが小さくなるために、発光輝度が低下する。
これに対して、発光期間で有機EL素子21のカソード電位Vcatを電源電位Vcat-Lowに下げることにより、ブートストラップ量(即ち、駆動トランジスタ22のソース電位Vsの上昇量ΔVs)を減らすことができるため、発光時の駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsを大きく確保することができる、即ち発光輝度を十分に確保することができる。
発光輝度を十分に確保できることで、有機EL素子21のカソード電位Vcatを固定とした場合の発光輝度でよいとした場合、カソード電位Vcatを電源電位Vcat-Lowに下げることによって駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsが大きくなる分だけ映像信号の信号電圧Vsigを低電圧化できるため、信号供給源の消費電力、ひいては本表示装置の消費電力を低減できる。
また、発光時の駆動トランジスタ22のソース電位Vsが低いほど、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgも低くなるため、特に駆動トランジスタ22のゲート電位Vgと電源電位Vofsの電位差が小さくなる。これにより、スイッチングトランジスタ26の耐圧の観点で有利となる。
スイッチングトランジスタ26は発光時に非導通状態にある。したがって、スイッチングトランジスタ26にリークがあったとしても、当該スイッチングトランジスタ26のドレイン−ソース間電圧Vdsが小さくなることで、リーク電流を小さく抑えることができる。このことについては、書き込みトランジスタ23およびスイッチングトランジスタ26についても同様に言える。
[変形例]
なお、上記実施形態では、駆動トランジスタ22、書き込み(サンプリング)トランジスタ23、スイッチングトランジスタ24〜26および保持容量27を有する5Tr/1Cの画素構成の画素20を有する有機EL表示装置10に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではなく、少なくとも、駆動トランジスタ22、書き込みトランジスタ23および保持容量27を有する有機EL表示装置全般に対して適用可能である。
なお、上記実施形態では、駆動トランジスタ22、書き込み(サンプリング)トランジスタ23、スイッチングトランジスタ24〜26および保持容量27を有する5Tr/1Cの画素構成の画素20を有する有機EL表示装置10に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではなく、少なくとも、駆動トランジスタ22、書き込みトランジスタ23および保持容量27を有する有機EL表示装置全般に対して適用可能である。
また、上記実施形態では、画素20の電気光学素子として、有機EL素子を用いた有機EL表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではなく、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子(発光素子)を用いた表示装置全般に対して適用可能である。
[適用例]
以上説明した本発明による表示装置は、一例として、図7〜図11に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
以上説明した本発明による表示装置は、一例として、図7〜図11に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
このように、あらゆる分野の電子機器の表示装置として本発明による表示装置を用いることにより、先述した実施形態の説明から明らかなように、本発明による表示装置は、電気光学素子の逆バイアス状態を維持して輝度ばらつきの補正動作を確実に実行できるために、各種の電子機器において、表示装置の高精細化を図ることができるとともに、高画質の表示画像を得ることができる。
なお、本発明による表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部30に透明なガラス等の対向部に貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、更には、上記した遮光膜が設けられてもよい。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やFPC(フレキシブルプリントサーキット)等が設けられていてもよい。
以下に、本発明が適用される電子機器の具体例について説明する。
図7は、本発明が適用されるテレビの概観を示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル102やフィルターガラス103等から構成される映像表示画面部101を含み、その映像表示画面部101として本発明による表示装置を用いることにより作成される。
図8は、本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、(A)は表側から見た斜視図、(B)は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部111、表示部112、メニュースイッチ113、シャッターボタン114等を含み、その表示部112として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
図9は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体121に、文字等を入力するとき操作されるキーボード122、画像を表示する表示部123等を含み、その表示部123として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
図10は、本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部131、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ132、撮影時のスタート/ストップスイッチ133、表示部134等を含み、その表示部134として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
図11は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機の外観を示す図であり、(A)は開いた状態での正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた状態での正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体141、下側筐体142、連結部(ここではヒンジ部)143、ディスプレイ144、サブディスプレイ145、ピクチャーライト146、カメラ147等を含み、そのディスプレイ144やサブディスプレイ145として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
10…有機EL表示装置、20…画素(画素回路)、21…有機EL素子、22…駆動トランジスタ、23…書き込み(サンプリング)トランジスタ、24〜26…スイッチングトランジスタ、27…保持容量、30…画素アレイ部、31(31−1〜31−m)…走査線、32(32−1〜32−m)…駆動線、33(33−1〜33−m)…第一補正用走査線、34(34−1〜34−m)…第二補正用走査線、35(35−1〜35−n)…電源線、36(36−1〜36−n)…信号線(データ線)、40…書き込み走査回路、50…駆動走査回路、60…第一補正用走査回路、70…第二補正用走査回路、80…電源走査回路、90…水平駆動回路
Claims (6)
- 電気光学素子と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記映像信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置された画素アレイ部と、
前記電気光学素子に対して画素行単位でカソード電位を与えるとともに、前記電気光学素子の非発光期間では前記カソード電位として高電位側の電源電位を与え、前記電気光学素子の発光期間に入ったら低電位側の電源電位を与える電源走査回路と
を備えたことを特徴とする表示装置。 - 前記高電位側の電源電位をVcat-Hiとし、前記駆動トランジスタのソース電位をVsとし、前記電気光学素子の閾値電圧をVthelとするとき、前記高電位側の電源電位Vcat-Hiを、
Vcat-Hi≧Vs−Vthel
なる条件を満足するように設定する
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置。 - 前記画素アレイ部の各画素は、前記電気光学素子が逆バイアス状態にあるときに、前記駆動トランジスタのゲート電位およびソース電位をそれぞれ所定電位にした後、前記駆動トランジスタの閾値電圧を検出して前記保持容量に保持することによって当該閾値電圧の変動に対する補正動作を行う
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置。 - 前記画素アレイ部の各画素は、前記電気光学素子が逆バイアス状態にあるときに、前記書き込みトランジスタによる前記映像信号の書き込み期間において、前記駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流をゲート入力側に負帰還し、前記駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流の移動度に対する依存性を打ち消すことによって当該移動度の変動に対する補正動作を行う
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置。 - 電気光学素子と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記映像信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置された画素アレイ部を有する表示装置の駆動方法であって、
前記画素アレイ部の各画素を行単位で走査しつつ、前記電気光学素子の非発光期間では前記電気光学素子のカソード電位として高電位側の電源電位を与え、
前記電気光学素子の発光期間に入ったら前記電気光学素子のカソード電位として低電位側の電源電位を与える
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。 - 電気光学素子と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記映像信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置された画素アレイ部と、
前記電気光学素子に対して画素行単位でカソード電位を与えるとともに、前記電気光学素子の非発光期間では前記カソード電位として高電位側の電源電位を与え、前記電気光学素子の発光期間に入ったら低電位側の電源電位を与える電源走査回路と
を備えた表示装置を有することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007136229A JP2008292620A (ja) | 2007-05-23 | 2007-05-23 | 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007136229A JP2008292620A (ja) | 2007-05-23 | 2007-05-23 | 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 |
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JP2008292620A true JP2008292620A (ja) | 2008-12-04 |
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ID=40167418
Family Applications (1)
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JP2007136229A Pending JP2008292620A (ja) | 2007-05-23 | 2007-05-23 | 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 |
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JP (1) | JP2008292620A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN101853628A (zh) * | 2009-03-31 | 2010-10-06 | 索尼公司 | 面板、其控制方法、显示设备以及电子装置 |
-
2007
- 2007-05-23 JP JP2007136229A patent/JP2008292620A/ja active Pending
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