JP2008290230A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. ポリマー部位へのプラズマ堆積を防止することにより、プラズマ堆積雰囲気の下で反応するポリマー部位を含む支持体（２）を提供することと、
   前記プラズマ堆積雰囲気の下で、前記ポリマー部位を含む前記支持体（２）上へ誘電体材料（３）を堆積することと、
   を備え、
   前記誘電体材料は、前記支持体上へ堆積し、前記ポリマー部位は、前記誘電体材料を欠く、
   パターン構造を生成する方法。
2. 前記ポリマー部位は、前記支持体（２）上に堆積されるポリマー集合体（１）によって形成されることを特徴とする、請求項１に記載のパターン構造を生成する方法。
3. 前記ポリマー部位を形成することは、前記ポリマーのウエハ全面への堆積によって達成され、前記ポリマーは、優先的反応部位と前記プラズマ堆積雰囲気に対して反応的ではない区域とを示すことを特徴とする、請求項１に記載のパターン構造を生成する方法。
4. 前記誘電体材料の堆積の間に、前記ポリマー部位に対向する前記誘電体材料内に開口部（６）が形成されることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のパターン構造を生成する方法。
5. 前記開口部（６）は、前記誘電体材料の堆積の間に、前記ポリマー部位に対向する前記ポリマー内に形成されることを特徴とする、請求項３または４に記載のパターン構造を生成する方法。
6. 前記プラズマは酸化型プラズマであることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のパターン構造を生成する方法。
7. 前記プラズマは還元型プラズマであることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のパターン構造を生成する方法。
8. 前記ポリマーが非晶質炭素であることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のパターン構造を生成する方法。
9. 前記プラズマは酸化型であり、堆積される前記誘電体材料がシリコン酸化物であることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか一項に記載のパターン構造を生成する方法。
10. 前記プラズマは還元型であり、堆積される前記誘電体材料がＳｉＣＮまたはＳｉＣまたはＳｉＮであることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか一項に記載のパターン構造を生成する方法。