JP2008288539A - 実装用に半導体発光デバイスを前処理するための方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光デバイスは、サブマウントへの実装のための実装面を有する。本方法は、実装面以外の発光デバイスの少なくとも1つの表面を、その少なくとも1つの表面の表面エネルギーを低下させるように処理する段階を含み、これにより、発光デバイスが実装されるときに、実装面とサブマウントとの間に施工されるアンダーフィル材料が、少なくとも1つの表面を汚染しないようにされる。
【選択図】図1
Description
図1を参照すると、本発明の第1の実施形態によるプロセスによって実装するように処理された半導体発光デバイスが全体的に10で示されている。発光デバイス10は、サブマウント12上に実装される。
表面46の表面エネルギーを低下させる処理プロセスを図2及び図3を参照してより詳細に説明する。図3Aを参照すると、全体として、複数の発光デバイス10が半導体ウェーハ100上に同時に作製されている(ウェーハ100は2つの発光デバイス10を示しているが、実際には、ウェーハは一般に複数のデバイス10を含むことになる)。
本発明の1つの実施形態において、図1に示されるサブマウント12は、サブマウントの少なくとも一部の表面エネルギーを低下させるよう選択的に処理することができる。サブマウント12上に発光デバイス10を実装する場合、発光デバイスとサブマウントとの間に施工されるアンダーフィル材料がサブマウントの処理部分を汚染するのを抑制するようにする。
12 サブマウント
14 第1の電気コンタクト領域
16 第1の電池コンタクト領域
30 基板層
32 n型層
34 活性層
36 p型層
38 p電極
40 n電極
42 1次発光表面
46 側壁表面
52 導電性材料ビーズ
54 間隔
56 アンダーフィル材料
58 封止材料
Claims (21)
- サブマウントに実装する実装面を備えた半導体発光デバイスを実装するために前処理する方法であって、前記方法が、
前記実装面以外の前記発光デバイスの少なくとも1つの表面を処理して、前記少なくとも1つの表面の表面エネルギーを低下させる段階、
を含み、これにより前記発光デバイスを実装したときに、前記実装面と前記サブマウントとの間に施工されるアンダーフィル材料が、前記少なくとも1つの表面を汚染するのが抑制されるようにする方法。 - 前記少なくとも1つの表面を処理する段階が、前記発光デバイスの少なくとも1つの側壁表面を処理する段階を含む請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの表面を処理する段階が、前記発光デバイスの少なくとも1つの発光表面を処理する段階を含む請求項1に記載の方法。
- 前記発光デバイスが、1次発光表面及び少なくとも1つの2次発光表面を備え、前記2次発光表面が前記1次発光表面よりも少ない光を放出するよう動作し、前記処理段階が、前記少なくとも1つの2次発光表面を処理する段階を含む、
ことを特徴とする請求項3に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの表面を処理する段階が、前記発光デバイスが上に形成される透明基板の側壁を処理する段階を含む請求項2に記載の方法。
- 前記処理段階が、前記発光デバイスの前記少なくとも1つの表面に処理材料を施工する段階を含む請求項1に記載の方法。
- 前記処理材料を施工する段階が、有機分子及び蒸発性溶媒を含む処理材料を施工する段階を含む請求項6に記載の方法。
- 前記処理材料を施工する段階が、フッ素系溶媒中にフッ化炭素を含む処理材料を施工する段階を含む請求項7に記載の方法。
- 前記処理材料を施工する段階が、15重量%未満のフッ化炭素を含む処理材料を施工する段階を含む請求項8に記載の方法。
- 前記処理材料を施工する段階が、
前記少なくとも1つの表面を液状処理材料中に浸漬する段階と、
前記少なくとも1つの表面上に前記処理材料をスプレーする段階と、
前記少なくとも1つの表面に近接した液状処理材料のミストを発生させて、該ミストが前記少なくとも1つの表面を前記液状処理材料で被覆するよう動作する段階と、
の1つを含む請求項6に記載の方法。 - 前記浸漬段階が、前記少なくとも1つの表面に選択的に付着する成分を含む液状処理材料中に前記少なくとも1つの表面を浸漬する段階を含む、
請求項10に記載の方法。 - 前記サブマウントの少なくとも一部分の表面エネルギーを低下させるように前記サブマウントを選択的に処理して、これにより前記発光デバイスを実装する際に前記アンダーフィル材料が前記サブマウントの一部分を汚染するのを阻止するようにする段階を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記サブマウントを選択的に処理する段階が、セラミック材料とシリコン材料とのうちの1つを含むサブマウントを選択的に処理する段階を含む請求項12に記載の方法。
- 前記サブマウントを選択的に処理する段階が、
前記サブマウントに処理材料を施工する段階と、
前記サブマウントの領域を電磁放射線に曝露して、前記領域上の前記処理材料の特性を変化させ、該変化によって、前記サブマウントの選択的曝露領域と前記サブマウントの非曝露領域のうちの一方が表面エネルギーが低下するようにする段階と、
を含む請求項12に記載の方法。 - 前記実装面が少なくとも1つの電極表面を含み、
前記実装面が前記サブマウントから間隔を置いて配置されるように、前記少なくとも1つの電極表面を前記サブマウント上の対応する導電性表面に接合する段階を更に含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記間隔を置いて配置された実装面と前記サブマウントとの間の間隙をアンダーフィルする段階を更に含む請求項15に記載の方法。
- 半導体発光デバイスをサブマウント上に実装する方法であって、
複数の発光デバイスを含むウェーハを媒体上に接着実装し、前記発光デバイスの各々に付随する実装面が前記媒体に接触しているようにする段階と、
前記ウェーハを個々の発光デバイスにダイシングして、該個々の発光デバイスが前記媒体に接触したまま隣接して離間した露出表面を有するようにする段階と、
前記個々の発光デバイスの前記露出表面を該露出表面の表面エネルギーを低下させるように処理する段階と、
前記発光デバイスを前記媒体から取り除く段階と、
前記発光デバイスの実装面を前記サブマウントに接合する段階と、
前記実装面と前記サブマウントとの間の間隙をアンダーフィル材料でアンダーフィルし、該アンダーフィル材料が発光面の前記処理された露出表面を汚染するのが抑制されるようにする段階と、
を含む方法。 - 前記処理段階の前に前記媒体を延伸して、前記個々の発光デバイス間の間隔を拡大して前記処理をより容易にする段階を更に含む請求項17に記載の方法。
- 前記ウェーハのダイシング段階が、ダイシングブレードを用いてウェーハをダイシングする段階を含み、
前記ダイシングブレードは、前記露出表面の前記処理を容易にするために前記ダイシングの後に前記露出表面が十分離間させるほどの十分な幅を有することを特徴とする請求項17に記載の方法。 - 前記実装面が少なくとも1つの電極表面を備え、前記接合段階が、前記電極表面と前記サブマウント上の対応する導電性表面との間に導電性接合材料を導入し、前記発光デバイスと前記サブマウントとを加熱して、前記導電性接合材料が前記少なくとも1つの電極表面を前記サブマウント上の前記対応する導電性表面に接合させるようにする段階を含む請求項17に記載の方法。
- 前記アンダーフィル段階の後に前記発光デバイスから前記処理材料を除去する段階を更に含む請求項17に記載の方法。
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