JP2008288139A - 発光型表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】長寿命と階調制御性が優れたMIM電子源を用いた表示装置
【解決手段】MIM絶縁層の膜厚が9.6nmの素子では、電圧と共にダイオード電流Idは4.8V付近から指数関数的に立ち上がり、エミッション電流Ieは4.7Vから指数関数的に立ち上がる。すなわち、VthIe<VthId又はVthIeとVthIdが概ね同じ電圧である。詳細に測定するとVthIeとVthIdとの差が0.3V以内にあった。
【選択図】図10
【解決手段】MIM絶縁層の膜厚が9.6nmの素子では、電圧と共にダイオード電流Idは4.8V付近から指数関数的に立ち上がり、エミッション電流Ieは4.7Vから指数関数的に立ち上がる。すなわち、VthIe<VthId又はVthIeとVthIdが概ね同じ電圧である。詳細に測定するとVthIeとVthIdとの差が0.3V以内にあった。
【選択図】図10
Description
本発明は、平面電子源を用いた発光型表示装置であって、特に、電子源としてトンネル電流により電子を放射する方式の電子源を用いたものに関する。
平面電子源を用いた発光型表示装置は、基板上に種々の電子源を多数マトリクス状に配列したカソード基板と、蛍光体からなる蛍光面とアノード電極を形成したアノード基板とを向かい合わせ、真空間隙を保つように配置されている。
電子源には、電界放射型、トンネル電流放出型の大きく2種類の方式がある。電界放射型には、主に、スピント型、カーボンナノチューブ型が有り、これは、棒状や針状の放射電極と、アノード基板に印加した電界による電界放出効果により放射電極の先端から電子を放出する方式である。また、トンネル電流放出型は、100nm以下で多くは20nm以下の絶縁体薄膜もしくは間隙間に電圧を印加することにより、ファウラーノルトハイムトンネル電流が流れ、少なくともその一部分が電子電流としてアノードに放射される。このデバイス構造としては、絶縁層を用いたMIM(Metal Insulator Metal)、真空間隙を用いたSED(Surface-conduction Electron-emitter Display)、BSD(Ballistic electron Surface-emitting Display)、HEED(High-efficiency Electron Emission Device)などがある。
特に、MIMは、絶縁層を下部電極と上部電極で挟持し、上部電極に極薄膜を用いることにより、良好なエミッション効率を得られ、また、駆動電圧も低い特徴がある。このような、トンネル電流放出型の電子源として、MIMのプロセス、基本特性の詳細は、下記特許文献1に記載されている。また、絶縁層の膜厚の改良については、下記特許文献2に記載されているように、効率を高め、かつ、負性抵抗領域がないように、10nm以上に設定することが述べられているが、詳細な表示パネルの状態での膜厚の評価方法については、定められていなかった。また、実際の破壊寿命が評価されていなかった。
特許第3643503号公報
特許第3660831号公報
従来技術では、絶縁層の膜厚についての十分な開示がなされていなかった。特に、MIM電子源からの放出電流のダイオード電圧依存性について、連続した滑らかなγ特性を示す表示装置については、十分な検討がなされていなかった。
また、従来技術のMIM素子は、陽極化成プロセスを用いて膜厚を制御して、緻密な絶縁層を形成する。絶縁層の膜厚は、素子の電流―電圧特性(以下「IV特性」という。)を決定する重要な因子である。MIM素子は、絶縁層に通電することにより経時変化して劣化する。主な劣化のモードは、エミッション電流量の低下と、MIM素子の絶縁劣化による絶縁破壊である。特に、絶縁破壊は、信頼性の面において深刻であり、発生しないことが必要である。マトリクス表示装置で、画素部のMIMが絶縁破壊すると、MIMで互いに交差する走査線と信号線が短絡し、交点画素のみならず、同一配線上の画素電圧が低下するために、線状の黒線欠陥を生じる。こうした絶縁層の破壊寿命についての十分な検討はなされていなかった。
本発明は、絶縁層の膜厚を、所望の範囲に設定することにより、長寿命と滑らかな階調性を両立して、良好な表示を長期間に亘り行うことができる。
また、ダイオード電流のしきい値電圧とエミッションのしきい値電圧をほぼ同じとする、すなわち、ダイオード電流のしきい値電圧よりもエミッションのしきい値電圧が低くなるようにすることで、ダイオード電圧に対するエミッション電流依存性が滑らかなり、アナログ階調駆動の際に、滑らかな階調表示を得ることができる。
本発明の発光型表示装置は、数万時間以上の絶縁層破壊寿命があり、かつ、線欠陥の発生を防止し、アナログ階調駆動により滑らかな階調表示を得ることが出来て、PCモニタ、テレビなどの表示装置に応用できる性能が得られるという利点がある。
また、MIMを形成する際に、表示パネル完成時の膜厚を8〜12nmの範囲、特に、9〜11nmの範囲に設定することにより最良の効果を得ることができる。
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
図1は、発光型表示装置における画素部の平面構造図である。図1において、走査配線1と信号配線2とが交差するように配置され、隣接する走査配線1間の信号配線2上に画素5を形成する。図示していないが、画素が配置された領域全面には、薄膜の上部電極が形成されている。また、走査配線1の両端は、その片側は給電辺3、反対側は分離辺4を構成しており、走査配線1から給電辺3を介して上部電極に給電されており、分離辺4は上部電極が途切れており、絶縁されている。このように、各画素5には、給電辺3を介して、走査配線1から給電されており、走査配線毎に異なるタイミングで、走査配線1に選択パルスを印加する。
図2は、図1に示すa−a’線に沿った画素部の断面構造図である。図2において、カソード基板6の上に信号配線2を形成し、この信号配線2の上に層間絶縁層8と保護絶縁層8’を形成し、この層間絶縁層8と保護絶縁層8’の一部に開口部を設けて画素5の絶縁層7を形成し、全面に上部電極9を形成する。また、層間絶縁層8と保護絶縁層8’の上に、多層の積層構造からなる走査配線1を形成し、この走査配線1下層部の分離層10を加工することによりオーバハング状の非導通辺4を形成する。また上部電極9と走査配線1とを導通させる順テーパ構造の給電辺3を形成する。
図3は、発光型表示装置の断面構造図である。図3において、カソード基板6とアノード基板12とは対向して配置され、このカソード基板6とアノード基板12は、走査配線1上の上部電極9の上に塗布したスペーサ固定フリット16にて固定した板状のスペーサ11を介して挟持されている。アノード基板12上には酸化クロムなどの黒色薄膜からなる黒色層15が形成され、この黒色層15には、画素5の直上に開口部が設けられ、この開口部に蛍光体13が塗布されている。蛍光体13を塗布した後に、電子が透過する程度の薄いAl薄膜のアノード電極14を形成する。
次に、発光型表示装置における電子源の作成方法について、図2を用いて説明する。先ず、ソーダガラス等の絶縁性の基板6を用意し、この基板上に信号配線2用の金属膜を形成する。信号配線2として、Al−Nd(ネオジム)合金を、スパッタリング法を用いて膜厚を300nmに成膜した。その後、エッチングによりストライプ形状の信号配線2を形成する。
次に、信号配線2上の電子放出部となる部分をレジスト膜でマスクして、陽極化成液中で信号配線2を陽極として、電子放出部となる部分以外の部分を選択的に厚く陽極酸化し、層間絶縁層8を形成する。このとき、化成電圧を100Vとして、厚さ約136nmの層間絶縁層8を形成した。
次に、レジスト膜を除去し、陽極化成液中で再度信号配線2を陽極として、陽極酸化を行い、信号配線2上にトンネル絶縁層7を形成する。例えば、化成電圧を6Vとすれば、信号配線2上の下部電極に厚さ約10nmのトンネル絶縁層7が形成される。本発明に至る検証試作に際しては陽極化成電圧を2,4,5,6Vに変えて製作した。
次に、保護絶縁層8’としてSiN膜をスパッタリング法で300nm形成し、分離層10としてSi膜を100nm形成した。次に、上部電極9への給電線となる走査配線1としてスパッタリング法でAl−Nd合金600nmを形成した。
次に、走査配線1をエッチングして、次に、分離層10をエッチングにより加工する。給電辺3は、電子放出部となる上部電極9との電気的接触をとるため、走査配線1の端部よりも外側に延存するように形成する。また、走査配線1間の絶縁が必要な非導通辺4は、走査配線1端面よりも内側に後退するように加工する。
次に、層間絶縁層8’のSiN膜を開口加工し、画素5の絶縁層7を露出させる。次に、全面にアルカリ金属化合物層を形成した。材料としてセシウムの炭酸塩を用い、水溶液に溶解し塗布し乾燥した。
最後に、上部電極9の金属膜をスパッタ法で形成する。上部電極9としては、例えば、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、金(Au)の積層膜を用い、膜厚は数nm(本実施の形態では3nm)である。この場合に、上部電極9は、電子放出領域側では走査配線1と電気的接触を有する。一方、走査配線1間では、数nmと非常に薄い上部電極9は、分離層10の段差部である非導通片4で断線し、上部電極9として加工される。
このようにして、カソード基板6が形成される。このカソード基板6と対向して配置されるアノード基板12の全体構成図を図4に示す。図4において、表示領域20の外側に、ガラス枠をフリットガラスで張り合わせたシール部17を介して、カソード基板6とアノード基板12を向かい合わせ、封着して貼り合わせてシール部17の内部を1×10-8Pa以下の高真空に排気後封止した。
その後、走査配線1の端部に走査配線駆動回路21と、信号配線2の端部に信号配線駆動回路22とを接続し、これらの配線を駆動する。なお、走査配線駆動回路21と信号配線駆動回路22には、各々同期信号が入力され、信号配線駆動回路22は、階調駆動電源を用いて、画像信号23に対応したアナログ階調電圧を信号線2に印加して、画素5を駆動する。また、アノード電極14には、アノード電源24から正極性の5kVから20kVの直流の高圧が印加され、エミッション電流を加速して蛍光体に当てて発光させる。
このような表示パネルの電気特性として、IV特性を測定する。測定には、パルス電圧源を用いて、走査配線1と信号配線2との間に接続し、特定の画素5(電子源)にのみ選択通電して、パルス電圧をダイオード電圧として印加し、このダイオード電流を測定する。また、アノード電極14に、高圧の電源を接続して、電子源に印加するパルス電圧に同期して流れるエミッション電流を測定した。
また、電子源の絶縁層7の膜厚は、表示パネル形成後にカソード基板6を分離して、画素部を集束イオンビーム法(FIB法)により断面を切り出し、マイクロサンプリング加工により断面サンプルを形成し、透過型電子顕微鏡(TEM)により、絶縁層7の膜厚を直接観察した。正確を期するため、絶縁層7下部の信号配線を構成するAl合金の格子像を観察して、これをAlの格子定数である404.94×10−12mとみなして絶縁層の膜厚を測定した。
陽極化成電圧と膜厚の測定結果は、下記表1のとおりである。プロセス上ではパネル組立工程により、また、アルカリ化合物層を形成することにより、膜厚は陽極化成とは異なっていた。後に述べるように、膜厚と破壊寿命特性は、密接に関係しており、本発明での詳細膜厚評価法に沿った精密な膜厚と特性の比較により明確な相関を見出すことができた。
図5は、絶縁層の膜厚を変化させて製作したMIM素子の破壊寿命特性図である。横軸に時間、縦軸に累積故障率をとった。試作したMIM素子は1パネルあたり46画素である。駆動条件は、MIM素子の単位面積あたりの電流密度が8A/cm2になるように電圧を設定し、パルス幅を40μs、繰り返し周波数60Hzに設定し、定電圧のパルス条件で駆動し、通電開始から各画素がショート故障するまでの時間を寿命として、各画素の寿命を測定した結果である。絶縁層の膜厚が13.6nmの素子と、絶縁層の膜厚が9.6nmの素子を比較している。
膜厚9.6nmの素子では1個目の故障は約1500時間であり次第に故障して2000時間で全数が故障した。一方、13.6nm素子では同一駆動電流であるにもかかわらず5時間に故障が始まり10時間で全画素が故障し累積故障率100%に至った。
本実施例では、従来の膜厚が13.6nmであった膜厚を9.6nmと薄くすることにより、最初の故障までの時間が5時間から1500時間まで300倍も長くなっている。
次に、図6では、膜厚13.6nmのMIM素子の破壊寿命特性を、MIM電流をパラメータとして比較した。電流値Jdを電流密度で、2,4,8A/cm2とした場合を比べると、電流密度が2倍増大すると、グラフは次第に左にシフトして10倍ずつ短寿命化する傾向が明らかである。
この傾向を基に、図5に示す9.6nmの素子のMIM電流密度を8A/cm2の寿命を基にして、フルハイビジョン画素数のパネルにおいて1画素目の故障が発生するまでの時間を計算した。グラフの累積故障率1.6×10-5%の破線は、画素構成が縦1080画素×横1920画素で1画素がRGBの3ドットから構成される、いわゆる、フルハイビジョンクラスのパネルにおいて、1画素の故障に相当する確率である。9.6nmの素子の累積欠陥率グラフを左下に延長し、次に、測定した電流密度とテレビに必要な電流密度比を求め、電流比2倍で1/10となる寿命の電流の加速係数を求め、グラフを右にシフトする。そして、欠陥率の目標である1.6×10-5%欠陥率の交点の横軸座標値の時間が、求めるフルハイビジョンパネルの破壊故障寿命時間である。
本発明に係る表示装置を薄型テレビに応用する場合を想定すると、20,000時間から60,000時間以上の寿命を保証することが望ましい。要求されるMIM電流密度は、MIM電流に対するエミッション電流の比であるエミッション効率を2%、エミッション電流とアノード電圧の積であるアノード入力電力と発光輝度比である発光効率が8lm/Wから10lm/Wの発光効率の蛍光体を用いて構成した白色表示輝度500cd/m2の表示輝度に相当し、テレビ用途に十分な輝度を得ることができる駆動条件として、0.5A/cm2から2A/cm2程度が必要であり、測定した電流密度との比がそれぞれ16倍、4倍であるから、測定した電流密度8A/cm2からの寿命時間比は24、22なので8A/cm2に対する寿命は104、102倍だけ長寿命と計算できる。こうして寿命を計算した結果、換算寿命は2A/cm2では60,000時間、0.5A/cm2では6,000,000時間に相当し、十分な破壊寿命が得られることが判った。
絶縁破壊は、信頼性の面において深刻であり、発生しないことが必要である。マトリクス表示装置で画素部のMIMが絶縁破壊すると、画素のMIMで互いに交差する走査配線と信号配線が短絡し、交点画素のみならず、同一配線上の画素電圧が低下するため線状の黒線欠陥を生じて、パネル表示品質から見て致命的な故障である。このように、本発明によれば、絶縁層の膜厚を、従来の13.6nmから9.6nmと、10nmよりも薄くすることにより、大幅に素子破壊寿命が長寿命化することが明らかである。
図7において、横軸に陽極化成電圧、縦軸に8A加速評価での破壊寿命時間の関係を示す。陽極化成電圧が6Vよりも低い領域で破壊寿命は大幅に改善される。したがって、陽極化成電圧を5V以下、特に、4V以下でとすることにより寿命は著しい改善を示すことが明らかとなった。
次に、これらの素子の絶縁層の膜厚と寿命の関係を図8に示す。膜厚では11.5nm以下の膜厚で、寿命が著しく長寿命化を示す。特に、9.6nm以下の膜厚領域では、きわめて長い寿命を示すことが明確になった。
このように、膜厚を薄くすることにより、破壊寿命が長寿命化することは、次のように考えられる。絶縁破壊は、膜中の不純物準位があると電子トラップとして作用する。トラップがあるとトラップされた電子により局所的に電界分布が変化し、膜厚方向の一部分に高い電界がかかる。高電界は、電子なだれなどの電流の急増現象が発生しやすく、破壊が起こりやすくなる。このように、膜厚が厚いと膜中の不純物準位の総数が増えて、破壊が起こりやすくなるが、膜厚を薄くして膜中の不純物準位の総数を減らすことにより、電子なだれなどが起きにくくなり電界分布を安定化させ、破壊までの寿命時間が長くなると考えらる。
次に、膜厚が異なるMIM素子のMIM電流とエミッション電流の特性を調べた。図9は、陽極化成電圧2Vで、MIM絶縁層の膜厚が6.2nmの素子のダイオード電流Id及びエミッション電流Ieとダイオード電圧Vdの関係図である。ダイオード電圧Vdが3.2V付近からダイオード電流Idが指数関数的に立ち上がるのに対し、エミッション電流Ieは、Vd=4Vから急激に立ち上がった後、5V以上では傾きが緩やかになり、指数関数で立ち上がることが判明した。すなわち、ダイオード電流Idのしきい値電圧VthIdと、エミッション電流Ieのしきい値電圧VthIeが、VthIe>VthIdの関係にある。
一方、図10に示すように、陽極化成電圧4VでMIM絶縁層の膜厚が9.6nmのMIM素子では、ダイオード電圧Vdと共にダイオード電流Idは4.8V付近から指数関数的に立ち上がり、エミッション電流Ieは4.7Vから指数関数的に立ち上がる。すなわち、VthIe<VthId又はVthIeとVthIdが概ね同じ電圧である。詳細に測定するとVthIeとVthIdとの差が0.3V以内にあった。
特に、VthIeはエミッション電流の測定ノイズの影響を受けやすいので、むしろ、蛍光体からの発光のVdしきい値VthBがより明確になる。VthBがVthIdと概ね同じ条件にあることが必要であり、図9の素子ではBVth>VthIdとなり適さない。なお、Idを精度良く測定する場合は、10個から100個程度の画素を纏めて通電して、Id、Ieを測定してもよい。
図9と図10の場合では、エミッション電流Ieのしきい特性が顕著に異なる。すなわち、図9に示す膜厚6.2nm素子では、Ieの傾きが立ちあがり付近で急激であるため、極僅かの電圧の変化で大幅にIeが変化する。
これはIe/Id比のVd依存性を比較すると明確である。Ie/IdのVd依存性を図11に示す。縦軸の規格化Ie/Id比は、図9と図10におけるIdが100μAのときのVdに対応するIeをIdで除して1となるように規格化した。6.2nm素子はIeが4V付近で急激に立ち上がり、4V以下ではIeがほとんど流れず、規格化Ie/Id比がほぼ0になっている。このため、階調をアナログの電圧又はIdの電流階調駆動法で制御する際には、図9に依れば、Ieが10nA以下の階調が低い領域では、極僅かの電流又は電圧の変化でも大幅にIeが変化するため、精度良く階調を制御できない。具体的には、Ieが2nAから0.2μAで100倍程度のIe領域しか精度良く制御できない。
これに対し、図11に示すように、MIM絶縁層の膜厚9.6nmでは、Vd4.7Vから6.5Vまでの範囲で低階調でも規格化Ie/Idの傾きの変化が一定であり、図10に依れば、Ieが0.1nAから10μAの領域での階調制御が可能である。この領域で、Ieは10の5乗もの広い領域でのアナログ階調表示が可能である。
こうした違いを、蛍光体の発光輝度である表示輝度のダイオード電圧依存性でも同様に比較することができ、結果を図12に示す。縦軸は輝度を任意単位で示す。膜厚9.6nmの素子では、発光輝度は0.0001から10近くまで輝度比で10の5乗の輝度領域で、滑らかな階調表示ができるのに対し、膜厚6.2nmの素子では0.01から3程度でしか、滑らかな階調表示ができない。例えば、輝度0.001以上ではVdが2Vの変化で輝度は0.01から3程度に変化するのに対し、輝度0.01以下では0.2V程度のVdの変化でほとんど消えてしまう約2桁の輝度変化があり、急激に発光が消えてしまうため、輝度領域では0.01以上で輝度比300倍程度間でしか、滑らかに表示できない。この輝度比は暗室コントラスト比であり1000以上は必要であり、両者が表示装置として必須の階調制御性において顕著に異なることが明白である。
こうしたIeのしきい特性の相違は、MIM素子駆動モデルを用いて次のように考えることができる。図13は、膜厚9.6nmの素子の場合の駆動モデルをファウラーノルトハイムのトンネル現象のバンド図を用いて示している。左から下部電極、絶縁層、上部電極が配置されているMIM素子の膜厚方向、縦軸には電子のエネルギーを示している。下部電極に負極性、上部電極に正極性の電圧を印加すると、図13に示すように、絶縁層に電界が印加されて絶縁層部分に勾配ができる。絶縁層中はトンネル効果により下部電極の電子が絶縁層中の導電帯に流れ、電界により加速されつつ上部電極に到達する。上部電極に到達した際の電子エネルギー分布を図13に示す。このときのエネルギー分布で、上部電極の仕事関数よりも高いエネルギーを有する電子が上部電極から真空中にエミッション電流Ieとして放射される。
図13(1)は、MIM印加電圧VdがIdのしきい値電圧VthIdよりも高い場合であり、放射できるエネルギーを有する電子があり、Idの一部が放射されている様子を示している。この条件では、Vdを高くすると電界が高まり、トンネル確率が高まるためIdが増大し、電子のエネルギー分布が高エネルギーに変化するためIeも増大する。
図13(2)は、Vdを0Vから次第に高め、Idが流れ始める場合を示している。Idが流れ始める条件はトンネル電流のしきい値Vth近傍の電界が絶縁層に印加されており、Idが流れ始める条件で絶縁層領域の導電帯の電子は十分に加速され、上部電極に到達し、上部電極の仕事関数を超えているのでエミッション電流は流れる。
このように、Idのしきい値電圧VthIdよりもエミッション電流が流れ始める条件であるところの、上部電極に到達した際の電子エネルギー分布の上限が、仕事関数よりも高くなっている。言い換えると、エミッション電流が流れるVdのしきい値電圧VthIeよりもMIM電流が流れ始めるしきい値電圧VthIdが高い場合である。この場合では、図10に示すように、Vdを次第に高め、Idが流れ始める電圧ではIeも流れ始めるため、Ieのしきい値電圧は、ほぼIdのしきい値電圧に近く、Ieのしきい特性はIdのしきい特性に追随して滑らかな階調特性を示す。
図14は、膜厚6.2nmの特性のモデルである。膜厚が図13にしめすものよりも薄くなっている点が図13と異なる。図14(1)は、VdがVthIeよりも十分高い場合であり、Idが流れ、上部電極領域では仕事関数を超えるエネルギーを有する電子がありIeが放射される。図14(2)は、Vdのしきい値電圧VthId近傍である。この場合、Idは流れ始めるが、上部電極端の伝導帯の電子のエネルギー分布の上端部でも仕事関数を超える成分がなくて、Ieが流れない。図13との相違は絶縁層膜厚が薄いことである。同じ電圧を印加しても絶縁層が薄いために内部電界が高くなり、ダイオード電流が流れ始めるVthIdは厚膜の場合よりも低くなる。上部電極端に到達する際の電子エネルギーは、電界でなく両端の電位差に比例するため、膜厚が薄くてVthIdが低い場合は、同じだけのIdが流れていても電子エネルギーが低いが、上部電極の仕事関数は物質によるので同じ電極材料を用いていると、膜厚に依らず同じしきい値となる、言い換えると、エミッション電流のVdに対するしきい値VthIeは膜厚に依らず一定である。このため、膜厚を薄くすると次第にVthId印加時の伝導体電子のエネルギー分布の上限が低下し、やがて仕事関数よりも低くなる。VthIdを超えてさらにVdを高め、電子エネルギーが高まり、仕事関数を超える電圧条件に達すると、図14(3)に示すように、電子が放射されはじめ、急峻なしきい特性となることが明らかになった。
特に、このメカニズムでは、上部電極の仕事関数が重要なパラメータであり、本実施例においては、製造プロセスで、アルカリ金属化合物溶液を塗布することにより、仕事関数が低いアルカリ金属イオンを、上部電極近傍に塗布することにより仕事関数がIr,Au,Ptの積層混合膜よりも下げることができており、VthIeを下げる効果があり、VthId>VthIeとなる膜厚を、より薄い膜厚領域まで下げることができた。この塗布工程がない場合には、絶縁層が9.6nmでも電流−電圧特性は、VthIe>VthIdとなってしまうことが確かめられている。
こうした理由により、図14に示すように、VthIdよりもVthIeが高くなると、IeのVd依存性は、図9に示すように、しきい値近傍で不連続になり、急峻なしきい特性となり、階調制御ができない。MIMの絶縁層の膜厚は、VthIdとVthIeの関係に大きく影響する因子であり、6.2nm膜厚の素子は階調制御性が悪く、9.6nm、13.6nmの素子では共に階調性が良好であった。
以上の結果から、MIM絶縁層の膜厚、陽極化成電圧、階調制御性、破壊寿命時間を整理すると、下記表2のようになる。なお、破壊寿命時間については、駆動電流密度8A/cm2の実測値を基に実使用条件に相当する2A/cm2の寿命を計算で求め記載した。
こうした比較の結果から、テレビなどの応用実用に適したMIM素子の膜厚条件が見出せる。最も望ましい条件は、階調制御性が良好であって、かつ、破壊寿命時間が著しく長い条件が両立する条件である。上記表2から明らかなように、階調制御性が良好な条件は、膜厚6.2nmよりも高くすることにより、良好な表示ができる。さらには、9.6nm近傍以上とすることにより、より望ましい特性となる。なお、階調制御性については、Vthの関係からも望ましい特性を選択することができる。すなわち、トンネル電流が流れ始めるしきい値電圧VthIdよりも、エミッションが流れ始めるしきい値電圧VthIeが低い場合であり、このとき、階調制御性がIdしきい値電圧VthId以上の領域で一様にIeが増大するような素子とすることにより達成できる。
また、破壊寿命の観点では、膜厚13.6nmでは極端に短寿命であり実用に適さない。したがって、少なくとも13.6nm未満の膜厚であれば寿命が長くなる。陽極化成電圧では6V未満に相当する。さらには、11.5nm以下又は陽極化成電圧5V以下では著しく長寿命になる。
こうした傾向を勘案して、MIM素子の条件は、絶縁層の膜厚が6.2nmよりも厚く、13.6nmよりも薄い膜である。さらには、9.6nmから11.5nmがさらに望ましい特性を示すことが明らかとなった。また、陽極化成電圧範囲としては、2V〜6V未満が望ましく、さらには、4Vから5Vがより適していることが明らかになった。
上記表2の結果から寿命時間のみに着目すると、陽極化成電圧を5V未満にすると、著しく破壊寿命が長くなるが、さらに電圧を低下させると階調制御性が低下してアナログ階調駆動に適さない領域となる。本実施例は、階調制御性が悪い、エミッション電流のしきい近傍で、MIM印加電圧依存性が急激に低下する素子条件でも良好な階調表示を行うことができる表示装置を提供するため、階調駆動方式として2値駆動を用いた。
2値駆動における動作電圧条件、すなわち、動作点の設定は、発光状態のオン動作点と、非発光状態のオフ動作点の2状態であり、動作条件設定例を図15に示す。LogIe−Vd特性上で、傾きが急峻になる領域の両側に、オン動作点とオフ動作点を設けている。こうすることにより、オン状態の輝度は、定電圧又は定電流駆動により安定輝度を表示し、非発光領域をオフ領域の電圧で駆動することによりIeの傾きが急峻で動作電流が安定しないで、傾きが急峻になる領域を避けて動作させることができ、広い階調にわたり、輝度変動がない安定表示が可能である。
階調制御方式は、一般的な2値駆動であるパルス幅可変のPWM駆動でも、サブフィールド方式の駆動でもよい。また、これらの駆動において、オン動作点を、logIe−Vd特性上で傾きが急峻になる領域よりも高い電圧領域でのみ可変とした、PWMと電圧階調を組み合わせてもよい。こうすることで、PWM階調よりも階調数を増やし、より階調数が多い表示ができる利点がある。この場合の動作点を図16に示す。
以上、本発明はMIM素子について具体的に説明したが、実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。特に、MIM素子以外でもファウラーノルトハイムモデルで放出される構成の電子源に対しては本発明が適用可能である。
1…走査配線、2…信号配線、3…給電辺、4…非導通辺、5…画素、6…カソード基板、7…絶縁層、8…層間絶縁層、8’…保護絶縁層、9…上部電極、10…分離層、11…スペーサ、12…アノード基板、13…蛍光体、14…アノード電極、15…黒色層、16…スペーサ固定フリット、17…シール部、20…表示領域、21…走査配線駆動回路、22…信号配線駆動回路、23…画像信号、24…アノード電源
Claims (13)
- 絶縁基板上に、複数の信号配線と前記信号配線と交差する複数の走査配線とを形成し、前記信号配線と走査配線に接続した電子源を配置したカソード基板と、前記カソード基板に対向して、蛍光体とアノード電極とを形成したアノード基板を配置し、前記カソード基板とアノード基板との間隙を真空で保持する発光型表示装置において、
前記電子源は、金属表面に絶縁層と上部電極が順次積層形成され、前記金属と上部電極との間にダイオード電圧を印加し、トンネル電流によりダイオード電流が流れ、ダイオード電流の一部がエミッション電流として上部電極を介して電子を放出する電子源であって、
前記絶縁層の膜厚が、6.2nmよりも厚く、13.6nm未満の膜厚であることを特徴とする発光型表示装置 - 請求項1に記載の発光型表示装置において、
前記絶縁層の膜厚が、6.2nmよりも厚く、11.5nm以下の膜厚であることを特徴とする発光型表示装置 - 請求項1に記載の発光型表示装置において、
前記絶縁層の膜厚が、6.2nmよりも厚く、9.6nm以下の膜厚であることを特徴とする発光型表示装置 - 請求項1に記載の発光型表示装置において、
前記絶縁層の膜厚が、9.6nm以上で、11.5nm以下の膜厚であることを特徴とする発光型表示装置 - 絶縁基板上に、複数の信号配線と前記信号配線と交差する複数の走査配線とを形成し、前記信号配線と走査配線に接続した電子源を配置したカソード基板と、前記カソード基板に対向して、蛍光体とアノード電極とを形成したアノード基板を配置し、前記カソード基板とアノード基板との間隙を真空で保持する発光型表示装置において、
前記電子源は、金属表面に絶縁層と上部電極が順次積層形成され、前記金属と上部電極との間にダイオード電圧を印加し、トンネル電流によりダイオード電流が流れ、ダイオード電流の一部がエミッション電流として上部電極を介して電子を放出する電子源であって、
前記電子源の電圧電流特性において、ダイオード電流のしきい値電圧VthIdと、エミッション電流のしきい値電圧VthIeが、ほぼ同じであることを特徴とする発光型表示装置 - 請求項5に記載の発光型表示装置において、
前記ダイオード電流のしきい値電圧VthIdとエミッション電流のしきい値電圧VthIeとの差が、0.3V以内であることを特徴とする発光型表示装置 - 請求項5に記載の発光型表示装置において、
前記絶縁層の膜厚が、6.2nmよりも厚く、13.6nm未満の膜厚であることを特徴とする発光型表示装置 - 請求項5に記載の発光型表示装置において、
前記絶縁層の膜厚が、6.2nmよりも厚く、11.5nm以下の膜厚であることを特徴とする発光型表示装置 - 請求項5に記載の発光型表示装置において、
前記絶縁層の膜厚が、6.2nmよりも厚く、9.6nm以下の膜厚であることを特徴とする発光型表示装置 - 請求項5に記載の発光型表示装置において、
前記絶縁層の膜厚が、9.6nm以上で、11.5nm以下の膜厚であることを特徴とする発光型表示装置 - 請求項1又は5に記載の発光型表示装置において、
前記電子源の駆動方式として、2値駆動方式を用いることを特徴とする発光型表示装置 - 請求項1又は5に記載の発光型表示装置において、
前記電子源の駆動方式として、電圧又は電流階調駆動方式を用いることを特徴とする発光型表示装置 - 請求項1又は5に記載の発光型表示装置において、
前記電子源の駆動方式として、パルス幅を変調する2値駆動方式を用いることを特徴とする発光型表示装置
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