JP2008282839A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の半導体装置は、第1導電型の半導体層に所定の離間間隔を有して形成した溝に、前記第1導電型と反対の導電型を示す第2導電型の半導体材料をエピタキシャル成長によって埋設形成した溝埋設層を有しており、該溝埋設層によって前記半導体層に繰返しPN構造を備えており、前記溝埋設層内に、間隙を有することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
この種の半導体装置は、例えば第1導電型としてN型の半導体層の表面に所定の離間間隔を有して第2導電型としてP型の柱状領域を形成することによって、P柱とN柱の繰り返し構造を有する。これにより、P柱とN柱とがオン時の電流経路と並行になるように繰返され、逆バイアス時にP柱とN柱との繰返し構造によって広がる空乏層により高耐圧を得ることができる。
従って、本発明は上記した事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、VFおよびtrr特性の向上を図り得る半導体装置を提供することにある。
間隙は、溝埋設層の層厚方向に沿って延在することを特徴とする。
間隙は、溝埋設層の幅方向の中央に位置していることを特徴とする。
間隙は、その断面が尖塔形状を有していることを特徴とする。
間隙を埋設する酸化膜を有することを特徴とする。
第2導電型の不純物を溝埋設層の濃度より高濃度で含んでおり、結晶欠陥を覆う結晶欠陥保護層を有することを特徴とする。
PN構造は、間隙のサイズに応じたチャージバランスが設定されており、当該チャージバランス設定により、PNの繰り返しを1単位とする単位容積あたりのP型とN型の不純物量が等しい状態に保たれていることを特徴とする。
カソード層5は、約350μmの層厚寸法を有しており、N型の不純物を約2×1019cm−3で示す濃度で含んでいる。
P柱3が形成されるドリフト層4は、約26μmの層厚寸法を有しており、N型の不純物を約1.8×1015cm−3で示す濃度で含んでおり、約10μsのライフタイムを有する。
本発明の特徴である間隙7は、溝の形状に応じて形成されるP柱3内に形成され、当該P柱3の形状に応じて形成されており、P柱3の横幅においては、その中央に形成される。
尚、チャージバランスの設定とは、返しPN構造におけるP柱とN柱との繰り返しを1単位とし、その単位容積あたりのP型とN型の不純物量が等しい状態に保たれていることを示す。
2 表面層
3 P柱
4 ドリフト層
5 カソード層
6 カソード電極
7 間隙
8 半導体層
9 結晶欠陥保護領域
10、20 ダイオード
Claims (9)
- 第1導電型の半導体層に所定の離間間隔を有して形成した溝に、前記第1導電型と反対の導電型を示す第2導電型の半導体材料をエピタキシャル成長によって埋設形成した溝埋設層を有しており、該溝埋設層によって前記半導体層に繰返しPN構造を備えた半導体装置において、
前記溝埋設層内に、間隙を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記溝埋設層は、前記溝の形状に応じて形成されており、
前記間隙は、前記溝埋設層の形状に応じて延在することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記間隙は、前記溝埋設層の層厚方向に沿って延在することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記間隙は、前記溝埋設層の幅方向の中央に位置していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記間隙は、その断面が尖塔形状を有していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記間隙を埋設する酸化膜を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記間隙の周囲に結晶欠陥を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第2導電型の不純物を前記溝埋設層の濃度より高濃度で含んでおり、前記結晶欠陥を覆う結晶欠陥保護層を有することを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 前記PN構造は、前記間隙のサイズに応じたチャージバランスが設定されており、当該チャージバランス設定により、PNの繰り返しを1単位とする単位容積あたりのP型とN型の不純物量が等しい状態に保たれていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
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