JP2008280195A

JP2008280195A - Ｃｎｔ成長方法

Info

Publication number: JP2008280195A
Application number: JP2007124119A
Authority: JP
Inventors: Minao Nakano; 美尚中野; Hirohiko Murakami; 村上　　裕彦
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2007-05-09
Filing date: 2007-05-09
Publication date: 2008-11-20
Anticipated expiration: 2027-05-09
Also published as: JP5052954B2

Abstract

【課題】ＣＮＴを束状に、かつ高い密度で成長させることができるＣＮＴ成長方法の提供。
【解決手段】ＣＮＴ成長用触媒層として触媒金属の酸化物層を有してなる基板を用い、この基板に対してＣＮＴ成長用プロセスガスを供給し、この基板上にＣＮＴを成長させるＣＮＴ成長方法において、ＣＮＴ成長プロセス中に、プロセスガスより触媒金属の酸化物を還元させ、この触媒金属上にＣＮＴを成長させる。
【選択図】なし

Description

本発明は、ＣＮＴ(カーボンナノチューブ)成長方法に関する。

半導体デバイスの技術分野において、ＣＮＴを微細なビアホール等のホールの底部表面に成長させ、配線として使用する技術が検討されている(例えば、特許文献１参照)。半導体デバイスへＣＮＴを応用する際に、複数本のＣＮＴを束として使用する場合、ＣＮＴの密度が半導体デバイスの特性に大きく影響する。そのため、ＣＮＴ束内のＣＮＴ密度を向上させることが重要となるが、未だ満足できる技術のないのが現状である。

従来、ＣＮＴ成長用基板にＣＮＴ成長用触媒を付着させる場合、ＥＢ蒸着法やスパッタリング法等により触媒金属を成膜するか、触媒金属を溶媒に溶かし若しくは分散させて得られる溶液又は分散液を基板上に塗布し、乾燥して成膜するか、或いは微粒子として製造した触媒金属を溶媒に分散させた分散液を基板上に塗布し、乾燥して成膜する方法等が知られている。このＥＢ蒸着法やスパッタリング法等による成膜方法では、触媒金属は基板上に膜状に拡がって成膜され、次いでＣＮＴ成長前や成長中の加熱プロセスによって微粒子化される。この場合、触媒金属微粒子の径は、バッファ層やプロセス条件、触媒膜厚などの様々な条件の影響を受けて増加するという問題がある。例えば、触媒金属微粒子は、ＣＮＴ成長を制御する際の基板加熱処理により凝集して、粒径の増加と密度の減少が生じてしまい、その結果、成長後のＣＮＴ密度の減少へとつながるという問題がある。

半導体デバイスにおけるバイア配線としてＣＮＴ束を利用する場合には、ＣＮＴの密度は比抵抗に大きく影響することから、高密度であることが望まれる。しかしながら、従来のＣＮＴ成長方法で得られるＣＮＴの密度は、１０^{１０〜１１}本／ｃｍ^２程度であり、体積充填率にして１〜１０％程度と小さく、さらに高密度のＣＮＴ成長方法の開発が望まれている。

また、基板上に形成された複数の微細素子の間を結合する素子間配線形成法として、遷移金属の酸化物からなる触媒微粒子の間にＣＮＴを成長させて配線を形成する方法が知られている(例えば、特許文献２参照)。この場合、遷移金属の酸化物微粒子は、シリコン基板上での加熱により金属に還元されて触媒作用を発現し、ＣＮＴが自己組織的に基板表面に沿って成長しているが、ＣＮＴを高い密度で成長させる手法としては利用できない。
特開２００５−２８５８２１号公報(特許請求の範囲等) 特開２００３−１５８０９３号公報(特許請求の範囲等)

本発明の課題は、上述の従来技術の問題点を解決することにあり、ＣＮＴを束状に、かつ高い密度で垂直成長させることができるＣＮＴ成長方法を提供することにある。

本発明のＣＮＴ成長方法は、ＣＮＴ成長用触媒層として触媒金属の酸化物層を有してなる基板を用い、この基板に対してＣＮＴ成長用プロセスガスを供給し、この基板上にＣＮＴを成長させるＣＮＴ成長方法において、ＣＮＴ成長プロセス中に、該プロセスガスより触媒金属の酸化物を還元させ、この触媒金属上にＣＮＴを成長させることを特徴とする。

前記ＣＮＴ成長用触媒層としての触媒金属の酸化物層を、酸化性雰囲気中での触媒金属の酸化物層の形成工程により形成することを特徴とする。

前記ＣＮＴ成長用触媒層としての触媒金属の酸化物層を、非酸化性雰囲気中での触媒金属層の形成工程及びその後の酸化性雰囲気中での触媒金属の酸化物層の形成工程により形成することを特徴とする。

前記ＣＮＴ成長用触媒層としての触媒金属の酸化物層を、スパッタリング法、ＥＢ蒸着法、レーザーアブレーション法、又は同軸型真空アーク蒸着源法で形成することを特徴とする。

前記ＣＮＴ成長用触媒層としての触媒金属の酸化物層の形成時に、基板を加熱しながら成膜することを特徴とする。

前記酸化性雰囲気が、酸素ガス、水蒸気、一酸化炭素ガス及び二酸化炭素ガスから選ばれたガス雰囲気であることを特徴とする。

本発明によれば、束状に垂直成長し、かつ密度の向上したＣＮＴを提供できるという効果を奏する。

以下、本発明の実施の形態について説明する。

本発明で用いるＣＮＴ成長用基板は、その作製時の触媒成膜工程において、触媒金属の酸化物、例えばＣｏ、Ｎｉ及びＦｅから選ばれた少なくとも１種の金属、又はこれらの金属の少なくとも１種を含む合金からなる触媒金属の酸化物の微粒子が成膜されている。この成膜工程としては、例えばスパッタリング法、ＥＢ蒸着法、レーザーアブレーション法、及び同軸型真空アーク蒸着源を使用する方法等の既存の手法を使用することができる。これらの手法の中でも、触媒金属の酸化物をｎｍオーダーの微粒子で成膜可能なスパッタリング法や同軸型真空アーク蒸着源法を使用することが好ましい。この場合、触媒金属の酸化物の微粒子層を、酸化性雰囲気中での触媒金属の酸化物の微粒子層の形成工程により形成しても、非酸化性雰囲気中での触媒金属の微粒子層の形成工程及びその後の酸化性雰囲気中での触媒金属の酸化物の微粒子層の形成工程により形成しても良い。

上記スパッタリング法のように、通常ガスを使用する手法では、酸素ガス、空気、水蒸気、オゾン、二酸化窒素等の酸化性ガスを既知のスパッタリングガスと混合した酸化性雰囲気中で行えば、基板上に触媒金属酸化物微粒子を成膜させることができるので、好ましい。スパッタリング法の場合、まず非酸化性雰囲気中でスパッタリングして触媒金属を成膜し、次いで酸化する工程を行うことにより、触媒金属酸化物微粒子を形成させても良い。

また、同軸型真空アーク蒸着源法のように、通常ガスを使用しない成膜方法の場合は、本発明では酸素ガス等の酸化性雰囲気中で成膜する必要がある。この際、基板を２００℃以上に加熱しながら成膜を行うことで、より効果的に触媒金属酸化物微粒子を成膜することができる。

以下、同軸型真空アーク蒸着源を備えた真空チャンバの一構成例及びこの蒸着源を用いて触媒金属酸化物微粒子層を形成する方法について説明する。

本発明においては、同軸型真空アーク蒸着源として、例えば、円筒状のトリガ電極と蒸着用触媒金属材料で少なくとも先端部が構成された円柱状又は円筒状のカソード電極とが、円筒状の絶縁碍子を挟んで同軸状に隣接して固定されており、カソード電極の周りに同軸状に円筒状のアノード電極が離間して配置されている蒸着源を用いることができる。この同軸型真空アーク蒸着源を駆動せしめて、酸化性雰囲気中で、真空チャンバ内に載置した基板上に、カソード電極を構成する触媒金属材料を蒸着せしめて、雰囲気中の酸素原子との反応により触媒金属酸化物の微粒子層を形成する。この蒸着源を備えた真空チャンバとして、例えば図１を参照して説明する。

円筒状の真空チャンバ１１内の下方には、基板ステージ１２が水平に配置されている。真空チャンバ１１には、基板ステージ１２を水平面内で回転させることができるように、基板ステージ裏面の中心部にモーター等の回転駆動手段１３を有する回転機構が設けられている。

基板Ｓが載置される基板ステージ１２を加熱できるようにヒータ等の加熱手段１４を基板ステージの基板載置側と反対側の面に設け、所望により、基板を所定の温度に加熱できるように構成されている。

真空チャンバ１１の上方には、後述する同軸型真空アーク蒸着源１５が、基板ステージ１２に対向して配置されている。この同軸型真空アーク蒸着源１５は、カソード電極１５ａの先端部を基板ステージ１２側に向けて、基板ステージ１２上に載置される基板Ｓの主面に対向して配置され、カソード電極１５ａから発生する触媒金属の微粒子が、基板Ｓの主面上に降りそそいで均一に照射できるように構成されている。かくして、触媒金属微粒子は、真空チャンバ１１上方から下方に向かって飛翔し、基板Ｓ上に蒸着され得る。

真空チャンバ１１の壁面には、酸化性ガス導入系１６及び真空排気系１７が接続されている。この酸化性ガス導入系１６は、真空チャンバ１１内を酸化性雰囲気とするための酸素ガス等の導入系である。このガス導入系では、バルブ１６ａ、マスフローコントローラ１６ｂ、バルブ１６ｃ、及びガスボンベ１６ｄがこの順序で金属製配管で接続されている。また、真空排気系１７は、コンダクタンスバルブ１７ａ、ターボ分子ポンプ１７ｂ、バルブ１７ｃ、及びロータリーポンプ１７ｄがこの順序で金属製真空配管で接続されており、真空チャンバ１１内を好ましくは１０^−４Ｐａ以下に真空排気できるように構成されている。

図１に示すように、真空チャンバ１１に設けられた同軸型真空アーク蒸着源１５は、一端が閉じ、基板ステージ１２に対向する他端が開口しており、触媒金属で構成されている円柱状又は円筒状のカソード電極１５ａと、ステンレス等から構成されている円筒状のアノード電極１５ｂと、ステンレス等から構成されている円筒状のトリガ電極(例えば、リング状のトリガ電極)１５ｃと、カソード電極１５ａ及びトリガ電極１５ｃの間に両者を離間させるために設けられた円板状又は円筒状の絶縁碍子(以下、ハット型碍子とも称す)１５ｄとから構成されており、これらは同軸状に取り付けられている。カソード電極１５ａは、基板ステージ１２に対向して設けられている。カソード電極１５ａと絶縁碍子１５ｄとトリガ電極１５ｃとの３つの部品は、図示していないが、ネジ等で密着させて同軸状に取り付けられている。また、アノード電極１５ｂは、図示していないが、支柱で真空フランジに取り付けられ、この真空フランジは真空チャンバ１１の上面に取り付けられている。カソード電極１５ａは、アノード電極１５ｂの内部に同軸状にアノード電極の壁面から一定の距離だけ離して設けられている。カソード電極１５ａは、その少なくとも先端部(アノード電極１５ｂの開口部側の端部に相当する)が、触媒金属から構成されていていればよい。

トリガ電極１５ｃは、ターゲット材料ないしはカソード電極１５ａとの間にアルミナ等から構成された絶縁碍子１５ｄを挟んで取り付けられている。絶縁碍子１５ｄはカソード電極１５ａとトリガ電極１５ｃとを絶縁するように取り付けられ、また、トリガ電極１５ｃは絶縁体を介してカソード電極１５ａに取り付けられていてもよい。これらのアノード電極１５ｂとカソード電極１５ａとトリガ電極１５ｃとは、絶縁碍子１５ｄ及び絶縁体により電気的に絶縁が保たれていることが好ましい。この絶縁碍子１５ｄと絶縁体とは一体型に構成されたものであっても別々に構成されたものでも良い。

カソード電極１５ａとトリガ電極１５ｃとの間にはパルストランスからなるトリガ電源１５ｅが接続されており、また、カソード電極１５ａとアノード電極１５ｂとの間にはアーク電源１５ｆが接続されている。アーク電源１５ｆは直流電圧源１５ｇとコンデンサユニット１５ｈとからなり、このコンデンサユニット１５ｈの両端は、それぞれ、カソード電極１５ａとアノード電極１５ｂとに接続され、コンデンサユニット１５ｈと直流電圧源１５ｇとは並列接続されている。

コンデンサユニット１５ｈは、１つ又は複数個のコンデンサ(図１では、１個のコンデンサを例示してある)が接続したものであって、その１つの容量が例えば２２００μＦ(耐電圧１６０Ｖ)であり、直流電圧源１５ｇにより随時充電できるようになっている。トリガ電源１５ｃは、入力２００Ｖのμｓのパルス電圧を約１７倍に変圧して、３．４ｋＶ(数μＡ)、極性：プラスを出力している。アーク電源１５ｆは、１００Ｖ、数Ａの容量の直流電圧源１５ｇを有し、この直流電圧源からコンデンサユニット１５ｈ(例えば、４個のコンデンサユニットの場合、８８００μＦ)に充電している。この充電時間は約１秒かかるので、本システムにおいて８８００μＦで放電を繰り返す場合の周期は、１Ｈｚで行われる。トリガ電源１５ｅのプラス出力端子は、トリガ電極１５ｃに接続され、マイナス端子は、アーク電源１５ｆの直流電圧源１５ｇのマイナス側出力端子と同じ電位に接続され、カソード電極１５ａに接続されている。アーク電源１５ｆの直流電圧源１５ｇのプラス端子は、グランド電位に接地され、アノード電極１５ｂに接続されている。コンデンサユニット１５ｈの両端子は、直流電圧源１５ｇのプラス端子及びマイナス端子間に接続されている。

図１中の１８はコントローラであり、このコントローラはトリガ電源１５ｅに接続されており、コントローラのスイッチをＯＮにしてこのコントローラに接続されたトリガ電源１５ｅに信号を入力すると、このトリガ電源から高電圧が出力されるように構成されている。また、コントローラ１８は、ＣＰＵ(図示せず)に接続され、このＣＰＵからの信号(外部信号)により、コントローラを動作させることができるように構成することが好ましい。

次に、図１に示す同軸型真空アーク蒸着源１５を備えた真空チャンバ１１内の基板ステージ１２上に載置する基板Ｓの主面上に触媒金属酸化物の微粒子層を形成する方法について説明する。

まず、ヒータ等の加熱手段により、基板を所定の温度(例えば、２００℃以上、好ましくは３００〜５００℃)に設定し、次いでバルブ１６ａ及び１６ｃを開放し、マスフローコントローラ１６ｂを介して、所定流量の酸素等の酸化性ガスを真空チャンバ１１内へ導入し、コンダクタンスバルブ１７ａを調整して、真空チャンバ内の圧力を所定の圧力(例えば、１×１０^−３〜１．０Ｔｏｒｒ、好ましくは１×１０^−２Ｔｏｒｒ)に調整する。

直流電圧源１５ｇによりコンデンサユニット１５ｈに１００Ｖで電荷を充電し、コンデンサユニット１５ｈの容量を８８００μＦに設定し、次いで、トリガ電源１５ｅからトリガ電極１５ｃにパルス電圧を出力し(出力：３．４ｋＶ)、カソード電極１５ａとトリガ電極１５ｃとの間にハット型碍子１５ｄを介して印加することで、カソード電極１５ａとトリガ電極１５ｃとの間にトリガ放電(ハット型碍子表面での沿面放電)を発生させる。カソード電極１５ａとハット型碍子１５ｄとのつなぎ目から電子が発生する。このトリガ放電によって、カソード電極１５ａの側面とアノード電極１５ｂの内面との間で、コンデンサユニット１５ｈに蓄電された電荷が真空アーク放電され、カソード電極１５ａに多量のアーク電流が流入し、このアーク放電によりカソード電極１５ａを構成する触媒金属材料が液相から気相に変換され、さらにこの金属のプラズマが形成される。コンデンサユニット１５ｈに蓄電された電荷の放出により放電は停止する。このトリガ放電を所定の回数繰り返し、そのトリガ放電毎にアーク放電を誘起させる。このトリガ放電の回数、ひいてはアーク放電の回数は、コントローラ１８に、所望の放電発数を入力して行うことができる。

上記したアーク放電の間、上記触媒金属材料の融解により発生した微粒子(プラズマ化している原子状イオンやクラスタや電子等)が形成される。この微粒子をアノード電極１５ｂの開口部(放出口)から真空チャンバ１１内に放出させ、開口部の下方に設置されている基板Ｓの主面に対して、上記のようにして形成された微粒子を供給し、基板Ｓ表面上で酸素ガス等の酸化性ガスとの反応により形成される触媒金属の酸化物微粒子を付着させ、凝集せしめて触媒金属の酸化物層を形成する。この触媒金属の酸化物層は、ＥＢ蒸着法に比べて基板に密着性良く付着すると共に、膜厚制御が容易である。

上記した金属微粒子の放出は次のようにして行われる。カソード電極１５ａに多量の電流が流れるので、カソード電極１５ａに磁場が形成され、この時発生したプラズマ中の電子(この電子はカソード電極１５ａからアノード電極１５ｂの円筒内面に飛行する)が自己形成した磁場によってローレンツ力を受け、前方に飛行する。一方、プラズマ中のカソード電極材料の金属イオンは、電子が前記したように飛行し分極することでクーロン力により前方の電子に引きつけられるようにして前方に飛行し、基板Ｓ上に微粒子が供給されることになる。

上記において、アーク電源１５ｆから同軸型真空アーク蒸着源１５までの配線であるケーブルの長さを１ｍ程度として行う。

次いで、上記のようにして得られた蒸着膜を有する基板を真空チャンバ内１１から取り出し、ＣＮＴ成長工程にかける。この場合、同じ真空チャンバ１１内でＣＮＴ成長工程を実施できるように、真空チャンバ１１の構成を変えて実施しても良いし、別のチャンバ内でＣＮＴ成長を実施しても良い。

上記したようにして得られた触媒金属酸化物微粒子が形成されている基板を用いて行うＣＮＴ成長は、例えば、既知の熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、リモートプラズマＣＶＤ法、フィラメントＣＶＤ法等のＣＶＤ法を用いて、公知のプロセス条件で実施できる。これらの手法においては、基板温度は通常４００℃以上で行われる。そのため、金属状態の触媒であると、ＣＮＴ成長工程中に触媒金属微粒子は凝集してしまい、単位面積当たりに成長するＣＮＴの本数は少なくなってしまうが、一方、触媒金属微粒子が酸化されている状態であると、ＣＮＴ成長温度付近まで到達しても、この微粒子の凝集はほとんど起こらずに、微粒子の数が多い状態のまま成長を開始することができる。

本発明において、上記微粒子はＣＮＴ成長前は酸化物の状態である。しかし、ＣＮＴ成長雰囲気は、通常、Ｈ_２やＣＯ又はＣ_２Ｈ_４等の炭素原子含有化合物である原料ガス(プロセスガス)の分解ガスが存在する還元雰囲気であるために、基板の昇温に伴って、触媒金属の酸化物は還元されて、触媒金属の状態になっており、ＣＮＴ成長が可能となる。酸化状態では粒径が１ｎｍ程度より小さいけれども、上記したようにＣＮＴ成長プロセス中に還元されると、還元されるにつれて粒径が大きくなっていき、１〜３ｎｍ程度の最適な粒径になると、ＣＮＴの成長が始まり、ＣＮＴは好適に成長する。一度ＣＮＴが成長し始めた粒子は凝集しない。その結果、凝集が進まない最適な粒径の触媒金属上にＣＮＴが成長するため、直径が揃っており、かつ密度の高いＣＮＴを得ることができる。

本発明では、上記したように、ＣＮＴ成長プロセス中に触媒金属酸化物を還元させているが、還元効果の弱いガスを用いる熱ＣＶＤ法(例えば、エチレン等)でＣＮＴ成長を行う場合や、水などの酸化剤を混合してＣＶＤ法でＣＮＴ成長を行う場合においては、水素等の還元ガスを混入してＣＮＴ成長を行うことが必要である。

ＣＮＴ成長を行うリモートプラズマＣＶＤ法とは、プラズマ中で原料ガス(反応ガス)をイオン種やラジカル種に分解し、この分解されて得られた原料ガス中のイオン種を取り除いて、ラジカル種を原料として、還元性雰囲気でＣＮＴ成長を行う方法である。ＣＮＴ成長に使用する原料ガスがプラズマ中で分解されて生じるラジカル種を触媒層又は触媒の形成された基板の表面に照射することにより、低温でＣＮＴを効率よく成長させることができる。このラジカル種は、原料ガスとしての、例えば、水素ガス及びアンモニア等から選ばれた水素原子含有ガス(希釈ガス)と、炭化水素のガス又はアルコールのガスである炭素原子含有ガスとをプラズマ中で分解して得られたラジカルである。例えば、水素原子含有ガスと炭素原子含有ガスとの混合ガスをプラズマ中で分解することにより発生させる水素ラジカル及び炭素ラジカルである。この場合、原料ガスは、例えばマイクロ波やＲＦ電源により発生させたプラズマ中で分解されるが、特に、ラジカル種の発生量の多いマイクロ波を用いることが好ましい。

使用できるＣＮＴ成長用原料としては、特に制限はなく、上記原料ガスを含めて、例えば、Ｈ_２とＣＯ(例えば、１：１の流量割合)との組み合わせや、Ｈ_２とＣＨ_４やＣ_２Ｈ_２等の飽和若しくは不飽和の炭化水素又はアルコール類等との組み合わせ等を挙げることができる。この場合、炭化水素はＮ_２やＡｒやＨｅ等の不活性ガスで希釈されたものであっても良い。また、ＣＮＴ成長プロセスの条件も、特に制限されず、通常の成長プロセス条件で良い。

本発明で使用できる好ましい基板としては、特に制限はないが、例えばＳｉ(１００)等のシリコン、アモルファスカーボン、シリカ(ＳｉＯ_２、石英)、ＳｉＣ、サファイア(Ａｌ_２Ｏ_３)等からなる基板を挙げることができる。

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。

本実施例では、ＴｉＮを２０ｎｍ成膜したＳｉ(１００)基板上へ、Ｃｏで構成されたカソード電極１５ａを備えた図１に示す同軸型真空アーク蒸着源１５を用い、Ｃｏ酸化物微粒子を形成した。すなわち、バルブ１６ａ及び１６ｃを開放し、マスフローコントローラ１６ｂを介して、所定流量の酸素ガスを真空チャンバ１１内へ導入し、コンダクタンスバルブ１７ａを調整して、真空チャンバ１１内の圧力を１×１０^−３Ｔｏｒｒ(１．３３×１０^−１Ｐａ)又は１×１０^−２Ｔｏｒｒ(１．３３Ｐａ)の圧力に調整し、この酸化性雰囲気中で、上記基板Ｓ上にＣｏと酸素との反応により生成するＣｏ酸化物微粒子を形成した。

上記同軸型真空アーク蒸着源の駆動は次のようにして行った。すなわち、直流電圧源１５ｇによりコンデンサユニット１５ｈに１００Ｖで電荷を充電し、コンデンサユニット１５ｈの容量を８８００μＦに設定し、次いで、トリガ電源１５ｅからトリガ電極１５ｃにパルス電圧を出力し(出力：３．４ｋＶ)、カソード電極１５ａとトリガ電極１５ｃとの間にハット型碍子１５ｄを介して印加することで、カソード電極１５ａとトリガ電極１５ｃとの間にトリガ放電(ハット型碍子表面での沿面放電)を発生させた。カソード電極１５ａとハット型碍子１５ｄとのつなぎ目から電子が発生した。このトリガ放電によって、カソード電極１５ａの側面とアノード電極１５ｂの内面との間で、コンデンサユニット１５ｈに蓄電された電荷が真空アーク放電され、カソード電極１５ａに多量のアーク電流が流入し、このアーク放電により、カソード電極１５ａの構成金属材料であるＣｏが液相から気相に変換され、さらにこのＣｏのプラズマが形成された。コンデンサユニット１５ｈに蓄電された電荷の放出により放電は停止した。このトリガ放電を所定の回数繰り返し、Ｃｏ酸化物微粒子の膜厚が２０ｎｍになるようにした。

上記したアーク放電の間、Ｃｏの融解により発生した微粒子(プラズマ化している原子状イオンやクラスタや電子等)をアノード電極１５ｂの開口部(放出口)から真空チャンバ１１内に放出させ、開口部の下方向に設置されている基板Ｓに対して、上記のようにして形成された微粒子を照射し、基板Ｓ表面上での酸素ガスとの反応によりＣｏ酸化物微粒子を付着させ、凝集せしめてＣｏ酸化物微粒子層を形成した。アーク電源１５ｆから同軸型真空アーク蒸着源１５までの配線であるケーブルの長さを１ｍ程度として行った。

かくして得られた粒子層の外観について観察したところ、酸素雰囲気の圧力が高い方が、成膜したＣｏは茶色になり、Ｃｏが酸化されていることが分かった。

かくして得られたＣｏ酸化物粒子層が形成されている基板を用いて、リモートプラズマＣＶＤ法によりＣＮＴを成長させた。リモートプラズマＣＶＤ装置として、真空チャンバ内に、内径５０ｍｍの石英管であって、その一端にガス供給口を設け、かつ他端にガス排出口を設けた石英管と、このガス排出口の近傍にＭｏで作製されたメッシュ状の遮蔽部材とを設けた装置を使用した。

この石英管のガス供給口から、反応ガスとして、エチレンガスと水素ガスとからなる混合ガス(ＣＨ_２ＣＨ_２：Ｈ_２＝５ｓｃｃｍ：９５ｓｃｃｍ)を、１０．０Ｔｏｒｒ(１．３３×１０^３Ｐａ)の圧力下で内部へ導入すると共に、石英管横方向の外側から石英管内部にマイクロ波(出力：５００Ｗ)を導入し、発生したプラズマ中を通過した混合ガスを、石英管のガス排出口から吹き出させ、そのガス排出口の吹き出し口の近傍に設けられた遮蔽部材のメッシュ部分を通過させ、ガス中のイオン成分を取り除いたガスを用いて、真空チャンバ内に載置された基板上にＣＮＴを成長させた。

基板温度は、ヒーターにより、５５０℃で一定となるようにした。

上記したようにして、直径５μｍのビアホール内に、基板に対して垂直方向にＣＮＴの束を成長させた。ビアホール内に垂直成長させたＣＮＴを、ＳＯＧスピン塗布と真空焼成(プロセス条件：１×１０^−３Ｔｏｒｒ、４００℃、３０分)によって固め、表面を研磨することでＣＮＴの断面を出し、ＣＮＴ径と密度とを計測した。ＣＮＴの径は、いずれのビアホールにおいても５ｎｍ程度であり、ＴＥＭ観察により５層のＣＮＴであることが分かった。

上記ＣＮＴ成長について、酸素雰囲気中ではなく、単に真空中で成長させた場合、Ｃｏ成膜した基板ではＣＮＴの密度は１×１０^１１本／ｃｍ^２程度であったが、酸素雰囲気２×１０^−３Ｔｏｒｒ(２．６６×１０^−１Ｐａ)中で成膜した基板では、５×１０^１２本／ｃｍ^２、酸素雰囲気１×１０^−２Ｔｏｒｒ(１．３３×１０^−１Ｐａ)中で成膜した基板では１×１０^１２本／ｃｍ^２程度となった。さらに、酸素雰囲気１×１０^−３Ｔｏｒｒ中で成膜した基板では、ＣＮＴ密度は２×１０^−３Ｔｏｒｒの場合と同じ程度であった。この結果から、酸化性雰囲気中で成膜した触媒金属酸化物を用いた方がＣＮＴ密度が向上することが確認できた。また、酸化性雰囲気の圧力が高い方がＣＮＴ密度が向上していた。

上記したように、束状に垂直成長させたＣＮＴの密度を向上させることができるので、その結果、ビアホールへのＣＮＴ配線の抵抗を大きく低減することができる。

本実施例では、ＴｉＮを２０ｎｍ成膜したＳｉ(１００)基板上へ、スパッタリング法により、Ａｒガスのみを使用し、０．７ＰａでＣｏを成膜した場合と、Ａｒ：Ｏ_２＝１：１を使用し、０．７ＰａでＣｏ酸化物を成膜した場合とについて実施した。Ｃｏ膜及びＣｏ酸化物膜の厚みを、それぞれ３０ｎｍとなるようにした。

かくして得られた基板に対して、実施例１と同じ条件で、基板に対して垂直方向にＣＮＴの束を成長せしめた。

Ａｒガスのみを用いてスパッタリングした場合は、ＣＮＴ密度は５×１０^１０本／ｃｍ^２程度であり、ＡｒにＯ_２を混合したガスを用いてスパッタリングした場合は、５×１０^１１本／ｃｍ^２程度となった。このことから、酸化性ガスを添加することにより、ＣＮＴ密度が向上したことが分かる。

本発明によれば、束状に垂直成長させたＣＮＴの密度を向上させることができるので、ビアホール等のホールへのＣＮＴ配線の抵抗の低減等に大きく貢献し、ＣＮＴを応用する上で重要な手法となり得る。従って、本発明は、半導体デバイス等の技術分野で利用可能である。

本発明で用いることができる同軸型真空アーク蒸着源を備えた同軸型真空アーク蒸着装置の一構成例を模式的に示す構成図。

符号の説明

１１真空チャンバ１２基板ステージ
１３回転駆動手段１４加熱手段
１５同軸型真空アーク蒸着源１５ａカソード電極
１５ｂアノード電極１５ｃトリガ電極
１５ｄ絶縁碍子１５ｅトリガ電源
１５ｆアーク電源１５ｇ直流電圧源
１５ｈコンデンサユニット１６酸化性ガス導入系
１６ａ、１６ｃバルブ１６ｂマスフローコントローラ
１６ｄガスボンベ１７真空排気系
１７ａコンダクタンスバルブ１７ｂターボ分子ポンプ
１７ｃバルブ１７ｄロータリーポンプ
１８コントローラＳ基板

Claims

ＣＮＴ成長用触媒層として触媒金属の酸化物層を有してなる基板を用い、この基板に対してＣＮＴ成長用プロセスガスを供給し、この基板上にＣＮＴを成長させるＣＮＴ成長方法において、ＣＮＴ成長プロセス中に、該プロセスガスより触媒金属の酸化物を還元させ、この触媒金属上にＣＮＴを成長させることを特徴とするＣＮＴ成長方法。
前記ＣＮＴ成長用触媒層としての触媒金属の酸化物層を、酸化性雰囲気中での触媒金属の酸化物層の形成工程により形成することを特徴とする請求項１記載のＣＮＴ成長方法。
前記ＣＮＴ成長用触媒層としての触媒金属の酸化物層を、非酸化性雰囲気中での触媒金属層の形成工程及びその後の酸化性雰囲気中での触媒金属の酸化物層の形成工程により形成することを特徴とする請求項１又は２記載のＣＮＴ成長方法。
前記ＣＮＴ成長用触媒層としての触媒金属の酸化物層を、スパッタリング法、ＥＢ蒸着法、レーザーアブレーション法、又は同軸型真空アーク蒸着源法で形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＣＮＴ成長方法。
前記ＣＮＴ成長用触媒層としての触媒金属の酸化物層の形成時に、基板を加熱しながら成膜することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のＣＮＴ成長方法。
前記酸化性雰囲気が、酸素ガス、水蒸気、一酸化炭素ガス及び二酸化炭素ガスから選ばれたガス雰囲気であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のＣＮＴ成長方法。