JP2008277626A - 発光デバイス及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】振動又は衝撃等の外力に対する信頼性が高く、発生した熱を効率的に放熱し、容易に製造することができる発光デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】サブマウント12上に、LEDチップ11を実装し、サブマウント電極14a及び14bを形成して、サブマウント部材を構成する。そして、このサブマウント部材を平面基板上に搭載することにより、発光ユニット20を構成する。一方、リードフレームと樹脂モールド体とにより、リードフレーム電極31a及び31bを有するリードフレーム部材30を構成する。これらの発光ユニット20とリードフレーム部材30とを、電極同士が接するように重ね合わせることにより、発光デバイスが得られる。
【選択図】図6

Description

本発明は発光デバイス及びその製造方法に関し、特に、キャビティ構造を有する発光デバイス及びその製造方法に関する。
現在の発光デバイスは、開口部から底面に向かってキャビティ内の直径が小さくなるような形状のキャビティ構造を有するものが一般的である。図7は、従来の発光デバイスを示す平面図であり、図8は、その断面図である。図7及び図8に示すように、サブマウント12上に搭載されたLED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)チップ11は、樹脂モールド体32に形成されたキャビティ17の底面上に配置されている。また、サブマウント12上にはLEDチップ11とともに1対のサブマウント電極14a及び14bが配置されている。サブマウント電極14a及び14bは、LEDチップ11の電極と夫々ボンディングワイヤー13a及び13bにより電気的に接続されている。ボンディングワイヤー13a及び13bは、樹脂モールド体32に例えばインサート成形する等の方法により形成されたリードフレーム電極52a及び52bと、夫々ボンディングワイヤー51a及び51bで電気的に接続されている。また、サブマウント12の下には、ヒートシンク53がリードフレーム電極52a及び52bと電気的に絶縁されるように配置されている。
図7及び図8に示す従来の発光デバイスの場合、発光素子(LEDチップ11)をキャビティ17の内側の底面に実装する必要があり、更に導電性ワイヤーを用いて配線する際に、配線用ツールと内側面の干渉を防ぐ必要があるため、困難な作業を強いられていた。
このような問題点を解決する手段として、特許文献1(特開2006−237141号公報)には、LEDチップをシリコン(Si)基板上に共晶接合したサブマウント基板を、リードフレームがインサート成形されたハウジング内に収納し導電性接着剤で電気的接続する技術が開示されている。
また、特許文献2(特開2003−46137号公報)では、サブマウント素子上に半導体発光素子を実装した部材と、金属メッキされた反射壁を前出部材の電極部と電気的に絶縁しながら接合する技術が開示されている。この技術はマイグレーション対策として提案されたものであるが、これによってもデバイス製造時の作業性を向上させることが可能となる。
特開2006−237141号公報 特開2003−46137号公報
しかしながら、上述の従来の技術には、以下に示すような問題点がある。例えば、特許文献1に示す発光デバイスにおいては、サブマウント基板をハウジング内に収納しているため、LEDチップの放熱に寄与するSi基板の面積を大きくすることが不可能である。また、サブマウント基板とリードフレームの固定方法が導電性ペーストであり、且つこのデバイスに電力を供給するために他のプリント基板へ実装する際の固定箇所はリードフレーム部である。この構造では、振動や衝撃を受けた際、発光デバイスに印加される応力は導電性ペーストに集中するため、この部分にクラック等の不具合が発生する可能性が否めない。
また、特許文献2には、リフレクタを兼ねた基板とサブマウント素子の固定方法は記載されていないが、特許文献2に開示された手段においても、特許文献1の場合と同様である。即ち、振動又は衝撃等の外力を受けた際の応力は両者の接合部に集中し、クラック等の不具合が発生する可能性が否めない。また、特許文献2の発光デバイスにおいて、発光素子の発熱量が大きい場合には、別途LEDの発熱を逃がす手段(例えばサブマウント素子と別の放熱手段を何らかの方法で熱的に接続する)を講じる必要がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、振動又は衝撃等の外力に対する信頼性が高く、発生した熱を効率的に放熱し、容易に製造することができる発光デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る発光デバイスは、基板と、この基板上に配置された1又は複数個のサブマウントと、前記各サブマウントの上に配置された発光素子及びサブマウント電極と、前記基板上に重ねられ前記各サブマウントに整合する位置に前記サブマウントに対応する開口部を有する樹脂モールド体と、前記樹脂モールド体に前記開口部の内部に向けて進出するように支持され前記サブマウント電極に接触するリードフレーム電極と、を有することを特徴とする。
本発明においては、サブマウント上の発光素子側の電極とリードフレーム電極とが開口部(キャビティ)内で相互に接するように構成されている。これにより、従来のようなキャビティ内の狭いスペースで発光素子側の電極とリードフレーム電極とを導電性ワイヤーで接続する方法に比べて、配線作業における配線用ツールとキャビティ内面との干渉等の困難性が軽減される。このため、容易に配線を実施することが可能となる。また、サブマウントを、リードフレーム部材が配置できる程度の大きい基板上に設けることにより、発光素子及び配線において発生した熱が効果的に基板に伝達される。このため、発光デバイスの放熱性を向上させることができる。更に、サブマウントとリードフレーム部材とが共に基板上に設けられていることにより、振動・衝撃等の外力に対して発光素子又は配線接続部への影響が低減される。このため、外力に対して高い信頼性の発光デバイスが得られる。
この場合に、前記基板は、その前記サブマウント及び前記樹脂モールド体の搭載面が平面である金属製の金属平面基板であることが好ましい。これにより、上述の放熱性を更に高めることができる。
また、例えば、前記サブマウント電極と前記発光素子の電極とは、ボンディングワイヤにより接続されている。
更に、前記リードフレーム電極と前記サブマウント電極とは、ハンダ又はろう材により接合されていることが好ましい。これにより、電極同士の接続を更に安定させることができ、また、導電性ワイヤーによる接続方法に比べて接続が容易であるため好ましい。
前記開口部は、前記基板の表面から遠ざかるにつれて開口面積が大きくなるように、その内面が前記基板の表面に対して傾斜していることが好ましい。上述した配線の容易性は、このような、基板側(キャビティの底面側)の開口面積が小さく、その基板の反対側の開口面積が大きくなるようなキャビティ構造(例えば、すり鉢状)の場合に特に好適である。
更に、例えば、前記リードフレーム電極は前記開口部の内面から延出して前記開口部内に露出している。
更にまた、前記樹脂モールド体は、前記基板よりも小さく、前記基板における前記樹脂モールド体が設けられている部分に、取付用の孔が形成されているように構成することができる。
更にまた、前記基板の表面には、前記サブマウントが配置される位置に凹部が形成されていることが好ましい。これにより、サブマウント実装部の高さが大きい場合に、サブマウントを凹部に配置してデバイス全体の高さを小さくすることができる。
本発明に係る発光デバイスの製造方法は、サブマウント上に発光素子及びサブマウント電極を実装してサブマウント部材を得る工程と、基板上に1又は複数個の前記サブマウント部材を配置する工程と、前記サブマウント部材の配置態様に整合する位置に1又は複数個の開口部を有すると共にこの開口部の内面から前記開口部の内部に向けて進出するように支持されたリードフレーム電極を有する樹脂モールド体を前記開口部が前記サブマウント部材に整合するように前記基板上に重ねる工程と、を有することを特徴とする。
この発光デバイスの製造方法において、前記基板として、その前記サブマウント及び前記樹脂モールド体の搭載面が平面である金属製の金属平面基板を使用することが好ましい。
また、前記リードフレーム電極と前記サブマウント電極とをハンダ又はろう材により接合することが好ましい。
本発明によれば、振動又は衝撃等の外力に対する信頼性が高く、発生した熱を効率的に放熱し、容易に製造することができる発光デバイス及びその製造方法が得られる。
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照して具体的に説明する。図1は、本実施形態に係る発光デバイスを示す平面図であり、図2は、本実施形態に係る発光デバイスを取付先機器に取り付けた状態を示す断面図である。
図1及び図2に示すように、平面基板21上に樹脂モールド体32が配置されている。平面基板21は、例えば金属ベースの表面に絶縁物が形成された基板が用いられる。樹脂モールド体32は、その平面基板21に接する側の面積が小さく、平面基板21の反対側の面積が大きくなるような開口部(キャビティ17)を有している。また、樹脂モールド体32は、インサート成形等の方法で設けられたリードフレームを内包している。このように、リードフレームと樹脂モールド体32とで一体となって構成されたリードフレーム部材は、平面基板21に例えばネジにより固定されている。リードフレームのうちの一部は、リードフレーム電極31a及び31bとしてキャビティ17の内側に向かって露出している。なお、リードフレームのうち外部と電気的に接続される部分は、任意の位置に設けることができるが、図示は省略する。
キャビティ17内における平面基板21の表面上には、サブマウント12が配置されている。サブマウント12の上には、LEDチップ11と、サブマウント電極14a及び14bが設けられている。なお、サブマウント12は、少なくともサブマウント電極14a及び14bが配置されている面は電気的に絶縁されている。サブマウント電極14a及び14bは、LEDチップ11と夫々ボンディングワイヤー13a及び13bにより電気的に接続されている。また、サブマウント電極14aとリードフレーム電極31a、及びサブマウント電極14bとリードフレーム電極31bは、夫々相互に接するように配置され、電気的に接続されている。
平面基板21には、取付穴22a及び22bが設けられている。図2に示すように、本実施形態の発光デバイスは、使用態様において取付穴22a及び22bを利用して固定用ネジ16により取付先機器15に固定されている。取付先機器15は、例えば、ヒートシンク又は外部の基板等である。なお、図中22a及び22bで示される取付穴は、平面基板21の任意の場所に任意の個数設けることができる。
次に本実施形態の動作について説明する。LEDチップ11の発光に伴い発生した熱は、LEDチップ11又はサブマウント電極14a及び14bからサブマウント12、平面基板21の順に伝達される。また、リードフレーム電極31bから樹脂モールド体32、平面基板21の順にも同様に伝達される。本実施形態においては、平面基板21に熱伝導率が高い金属ベースの基板を使用しているので、この平面基板21により効率よく放熱される。また、この平面基板21は、例えばLEDチップ11及びサブマウント電極14a及び14bとサブマウント12との接触面積に比べて十分大きいため、これによっても放熱が促進される。このように、本実施形態によれば、発生した熱を効率的に放熱することができる。
また、本実施形態においては、本実施形態では、図2に示すように、サブマウント12及び樹脂モールド体32が共通の金属ベースの平面基板21上に配置されている。このように構成することにより、外部(取付先機器15)から加わる振動・衝撃等の外力は平面基板21に伝達されるが、その外力は基板全体に分散されるため、LEDチップ11及び配線接続部等に局部的に印加される応力は抑制される。このため、発光デバイスの信頼性を向上させることができる。
以下、上述の本実施形態の発光デバイスの製造方法について説明する。図3乃至6は、本実施形態の発光デバイスの製造方法をその工程順に示す図である。
最初に、図3に示すように、サブマウント部材10を作製する。図3は、サブマウント部材10を示す平面図である。ここでは、先ず、サブマウント12上にLEDチップ11を実装するとともに、サブマウント電極14a及び14bを形成する。LEDチップ11の実装は、例えば共晶接合等の方法により行うことができる。次に、サブマウント電極14a及び14bを夫々ボンディングワイヤー13a及び13bによりLEDチップ11と電気的に接続する。これにより、サブマウント部材10が得られる。
次に、図4に示すように、発光ユニット20を作製する。図4(a)は、複数組のサブマウント部材10が平面基板21上に実装され発光ユニット20を構成している状態を示す平面図であり、図4(b)は、図4(a)のうち1組のサブマウント部10が実装されている状態を示す断面図である。ここでは、サブマウント部10を平面基板21上に実装する。平面基板21としては、例えば金属ベースでサブマウント部10の側の表面に絶縁層が形成されている基板が用いられる。この際、基板の任意の位置に機器やヒートシンクへの取付穴22a及び22bを開けておく。以上により、発光ユニット20が得られる。
一方、図5に示すように、発光ユニット20とは別にリードフレーム部材30を作製する。図5(a)は、複数組の開口部及びリードフレーム電極31a及び31bがリードフレーム部材30に形成されている状態を示す平面図であり、図5(b)は、図5(a)のうち1組の開口部及びリードフレーム電極31a及び31bを示す断面図である。ここでは、リードフレームに樹脂モールドを施してリードフレーム部材30を作製する。樹脂モールドの方法は、例えばインサート成形等の方法を適宜用いることができる。図5においては、樹脂モールド体32に対して、図5(b)の上側の面積が大きく下側の面積が小さくなるような複数の開口部を形成する。また、1つの開口部について、その内側面から内側に向かって1組のリードフレーム電極31a及び31bを露出させる。なお、リードフレームについて、外部電極となる部分は任意の位置・形状で設けることができるが、図示は省略する。また、樹脂モールド体32は、上述した平面基板21に設けられた取付穴22a及び22bを隠さない大きさとする。以上により、リードフレーム部材30が得られる。
次に、図6に示すように、発光ユニット20とリードフレーム部材30とを重ね合わせることにより、発光デバイスを作製する。図6(a)は、複数組の発光デバイスが一体となって構成された状態を示す平面図であり、図6(b)は、図6(a)のうち1組の発光デバイスを示す断面図である。ここでは、リードフレーム部材30の開口部の面積が小さい方の面が、発光ユニット20のLEDチップ11が搭載されている側の面に接するように、リードフレーム部材30を発光ユニット20上に配置する。この際、各組の発光デバイスにおいて、リードフレーム電極31a及び31bの先端位置が、夫々サブマウント電極14a及び14bに接するようにする。なお、リードフレーム部材30は、例えばネジ止めにより平面基板21に固定することができる。以上により、本実施形態の発光デバイスが得られる。
本実施形態においては、サブマウント部材10が搭載された発光ユニット20とリードフレーム部材30とを夫々別のユニットとして作製し、これらを重ね合わせることにより、発光デバイスを作製する。この際、リードフレーム電極31a及び31bの先端位置が、発光ユニット20上に搭載されたサブマウント部材10のサブマウント電極14a及び14bに夫々接するようにする。これにより、リードフレーム電極31a及び31bとサブマウント電極14a及び14bとが電気的に接続される。このように、2つの部材を単純に重ね合わせることにより、サブマウント電極14a及び14bとリードフレーム電極31a及び31bとの配線が完了する。以上により、従来のようなキャビティ内の配線における困難性が解消され、サブマウント部材10への配線工数を削減することができる。
なお、上述の本実施形態において、リードフレーム部材30の電極(31a及び31b)の先端位置と、発光ユニット20上のサブマウント部材10の電極部分(14a及び14b)との接続の際、ハンダ等のろう材を使用することができる。これにより、電極同士の接続を更に安定させることができ、また、導電性ワイヤーによる接続方法に比べて接続が容易であるため好ましい。なお、電極同士の接続部に例えば導電性ペーストを用いることとしてもよい。
また、上述の本実施形態において、基板として平面基板21を使用しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、平面基板を凹状とし、この箇所にサブマウント部材10を実装することとしてもよい。これにより、デバイス全体の厚みを小さくすることができる。
本発明の実施形態に係る発光デバイスを示す平面図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスを取付先機器に取り付けた状態を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造工程を示す平面図である。 (a)は図3に続く製造工程を示す平面図であり、(b)は(a)に示される複数組のサブマウント部材のうちの1つを示す断面図である。 (a)は図4に続く製造工程を示す平面図であり、(b)は(a)に示される複数組のリードフレーム部材のうちの1つを示す断面図である。 (a)は図5に続く製造工程を示す平面図であり、(b)は(a)に示される複数組の発光デバイスのうちの1つを示す断面図である。 従来の発光デバイスを示す平面図である。 図7に示す従来の発光デバイスの縦断面図である。
符号の説明
10;サブマウント部材
11;LEDチップ
12;サブマウント
13a、13b;ボンディングワイヤー
14a、14b;サブマウント電極
15;取付先機器
16;固定用ネジ
17;キャビティ
20;発光ユニット
21;平面基板
22a、22b;取付穴
30;リードフレーム部材
31a、31b;リードフレーム電極
32;樹脂モールド体
51a、51b;ボンディングワイヤー
52a、52b;リードフレーム電極
53;ヒートシンク

Claims (11)

  1. 基板と、この基板上に配置された1又は複数個のサブマウントと、前記各サブマウントの上に配置された発光素子及びサブマウント電極と、前記基板上に重ねられ前記各サブマウントに整合する位置に前記サブマウントに対応する開口部を有する樹脂モールド体と、前記樹脂モールド体に前記開口部の内部に向けて進出するように支持され前記サブマウント電極に接触するリードフレーム電極と、を有することを特徴とする発光デバイス。
  2. 前記基板は、その前記サブマウント及び前記樹脂モールド体の搭載面が平面である金属製の金属平面基板であることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。
  3. 前記サブマウント電極と前記発光素子の電極とは、ボンディングワイヤにより接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光デバイス。
  4. 前記リードフレーム電極と前記サブマウント電極とは、ハンダ又はろう材により接合されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光デバイス。
  5. 前記開口部は、前記基板の表面から遠ざかるにつれて開口面積が大きくなるように、その内面が前記基板の表面に対して傾斜していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光デバイス。
  6. 前記リードフレーム電極は前記開口部の内面から延出して前記開口部内に露出していることを特徴とする請求項5に記載の発光デバイス。
  7. 前記樹脂モールド体は、前記基板よりも小さく、前記基板における前記樹脂モールド体が設けられている部分に、取付用の孔が形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発光デバイス。
  8. 前記基板の表面には、前記サブマウントが配置される位置に凹部が形成されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の発光デバイス。
  9. サブマウント上に発光素子及びサブマウント電極を実装してサブマウント部材を得る工程と、基板上に1又は複数個の前記サブマウント部材を配置する工程と、前記サブマウント部材の配置態様に整合する位置に1又は複数個の開口部を有すると共にこの開口部の内面から前記開口部の内部に向けて進出するように支持されたリードフレーム電極を有する樹脂モールド体を前記開口部が前記サブマウント部材に整合するように前記基板上に重ねる工程と、を有することを特徴とする発光デバイスの製造方法。
  10. 前記基板として、その前記サブマウント及び前記樹脂モールド体の搭載面が平面である金属製の金属平面基板を使用することを特徴とする請求項9に記載の発光デバイスの製造方法。
  11. 前記リードフレーム電極と前記サブマウント電極とをハンダ又はろう材により接合することを特徴とする請求項9又は10に記載の発光デバイスの製造方法。
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Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015057826A (ja) * 2013-09-16 2015-03-26 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5003464B2 (ja) * 2007-12-21 2012-08-15 三菱電機株式会社 光伝送モジュール
US8652860B2 (en) 2011-01-09 2014-02-18 Bridgelux, Inc. Packaging photon building blocks having only top side connections in a molded interconnect structure
US8354684B2 (en) 2011-01-09 2013-01-15 Bridgelux, Inc. Packaging photon building blocks having only top side connections in an interconnect structure
US10636735B2 (en) * 2011-10-14 2020-04-28 Cyntec Co., Ltd. Package structure and the method to fabricate thereof
KR101660795B1 (ko) * 2015-10-29 2016-09-29 주식회사 페타룩스 Pn 접합 소자 및 이를 이용한 전자장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015057826A (ja) * 2013-09-16 2015-03-26 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ

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