JP2008276097A - 波長変換素子ユニット、波長変換素子ユニットの製造方法、光源装置及びプロジェクタ - Google Patents

Abstract

【課題】波長変換素子を複数の波長に対応させるために、それぞれ異なるの波長整合を持たせた複数のバルク型の波長変換素子を個別に製造し、それを並べる必要がない製造方法を提供する。
【解決手段】複数の発光部から射出された光の波長を所定の波長に変換するとともに、結晶組成もしくは不純物濃度が周期的に変動してなる成長縞を有し、成長縞が周期分極反転構造を構成する複数の波長変換素子２１と、複数の波長変換素子２１を収容する収容部２６が形成された保持部材２２とを備える。
【選択図】図２

Description

本発明は、波長変換素子ユニット、波長変換素子ユニットの製造方法、光源装置及びプロジェクタに関する。

近年、プロジェクタの小型化の要求が益々高まるなか、半導体レーザの高出力化、青色半導体レーザの登場に伴い、レーザ光源を使ったプロジェクタが開発されている。この種のプロジェクタは、光源の波長域が狭いために色再現範囲を十分に広くすることが可能である。また、小型化や構成部材の削減も可能であることから、次世代の表示デバイスとして大きな可能性を秘めている。この場合、光源として赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色のレーザ光源が必要である。例えば、Ｒ光用光源やＢ光用光源には半導体レーザで原振が存在するが、Ｇ光用光源には原振が存在しないため、赤外レーザからの赤外光を非線形光学素子に入射させた際に発生する第２次高調波（Second Harmonic Generation：ＳＨＧ）を利用することが考えられている（例えば、特許文献１参照。）。

非線形光学効果を利用した光の波長変換では、変換前の基本波と変換後の高調波との間で位相整合条件が成立する必要があり、結晶内の分極方向を周期的に反転させる擬似位相整合法が用いられる。特許文献１では、ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ_３結晶内に微細なピッチで分極方向が周期的に反転した構造（以下、周期分極反転構造と称する。）を形成し、これを波長変換素子としている。ところが、実際の波長変換素子は、位相整合条件を満足する波長の許容範囲が極端に狭く、基本波の波長が僅かでもずれると出力（変換効率）が大きく低下する。一方、変換効率は波長変換素子の温度に強く依存することが知られている。これを利用して、複数のレーザ光を波長変換する複数の波長変換素子を備え、各波長変換素子の温度を個別に制御することで、波長変換素子全体の変換効率を確保したレーザ光源装置が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
また、これらの技術に用いられる波長変換素子としては、直方体状のバルク型を用いるのが一般的である。
特開２００６−２５３４０６号公報 特開２００６−３５２００９号公報

しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載の光源装置では、直方体状のバルク型の波長変換素子を用いているため、装置全体のコストが高い。つまり、このような波長変換素子の製造方法としては、まず、結晶にレーザ光の中心軸方向に沿って電極が有る領域と無い領域とが交互に並んだストライプ状の電極パターンを形成する。次に、これら電極パターンにパルス状の電圧を印加することにより分極反転構造を得る。
このような製造方法により製造された直方体状のバルク型の波長変換素子は製造プロセスが複雑であるため、コストが高く、それに伴い波長変換素子を備えた光源装置のコストも高くなってしまう。また、バルク型の波長変換素子を用いた場合、波長整合を１種類の波長対応で行うのが一般的であるため、異なる波長の光を射出する複数のエミッタの波長を変換するのが困難となる。すなわち、波長変換素子を複数の波長に対応させるためには、複数の波長が対応するように１つのバルク型の波長変換素子に作り込むか、別の波長整合を持たせた複数のバルク型の波長変換素子を並べる必要があるため、さらにコストが高くなってしまう。
また、複数の波長変換素子を用いる場合は、それぞれの波長変換素子の位置合わせが困難である。

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、波長変換素子を所定の位置に保持することが可能な波長変換素子ユニット、波長変換素子ユニットの製造方法、光源装置及びプロジェクタを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の波長変換素子ユニットは、複数の発光部から射出された光の波長を所定の波長に変換するとともに、結晶組成もしくは不純物濃度が周期的に変動してなる成長縞を有し、前記成長縞が周期分極反転構造を構成する複数の波長変換素子と、前記複数の波長変換素子を収容する収容部を有する保持部材とを備えることを特徴とする。

本発明に係る波長変換素子ユニットでは、結晶組成もしくは不純物濃度が周期的に変動してなる成長縞を有し、前記成長縞が周期分極反転構造を構成する波長変換素子は、単結晶をチョクラルスキー法（以下ＣＺ法と略記する）を用いて分極反転構造を結晶中に導入して製造した素子である。この方法により製造された波長変換素子は、安価であるという利点があり、一般的に、波長変換素子の成長軸方向（結晶の引き上げ方向）に対して垂直な方向の断面形状が略円形状となっている。このため、波長変換素子を所定の位置で保持するのは困難であり、光源に対する位置決めが煩雑になるという問題が生じる。
そこで、本発明の波長変換素子は、保持部材に形成された収容部に保持されているため、簡易な構成で所定の位置に波長変換素子を保持することが可能となる。
また、低コストである略円柱状の波長変換素子を所定の位置に保持することができるため、ユニット全体の低コスト化を図ることが可能となる。
さらに、例えば、複数の発光部の間隔に合わせて複数の収容部を形成することにより、保持部材に波長変換素子が保持されることで、光源の配列方向と波長変換素子との位置決めを行うことが可能となる。
また、引き上げ法による結晶作製時に融液温度を制御するだけで、分極反転構造の反転ピッチが異なる波長変換素子を作製することができる。これにより、発光部の出力波長が製造誤差等によりずれていた場合でも、波長変換素子が低コストで製造されるため、発光部の出力波長に合った波長を変換する波長変換素子を用いても、装置全体のコストが高くなることはない。したがって、低コスト化を図りつつ、入射した光の変換効率の高い波長変換素子ユニットを提供することが可能となる。

また、本発明の波長変換素子ユニットは、前記保持部材に、前記波長変換素子の成長軸方向の位置を決める位置決め部が設けられていることが好ましい。

本発明に係る波長変換素子ユニットでは、保持部材に、波長変換素子の位置を決める位置決め部が設けられている。これにより、より正確に成長軸方向の波長変換素子の位置が決められるため、例えば、複数の発光部とそれに対応した複数の波長変換素子の入射端面との距離を一定にすることが可能となる。

また、本発明の波長変換素子ユニットは、前記波長変換素子の成長軸方向の側面の一部には、平坦化加工を施した平坦部が形成されていることが好ましい。

本発明に係る波長変換素子ユニットでは、波長変換素子の側面の一部には、平坦部が形成されているため、波長変換素子の保持部材に接触する接触面積を増やすことができる。これにより、より効率良く波長変換素子の熱を保持部材を介して放熱することが可能となる。さらには、平坦部を保持部材に接触させることにより、波長変換素子の位置が決められるので、波長変換素子の面内における分極処理の特性に方向性がある場合、方向性に対して同じ方向に平坦化処理することにより、方向性を揃えることが可能となる。

また、本発明の波長変換素子ユニットは、前記波長変換素子には、複数の前記平坦部が形成されていることが好ましい。

本発明に係る波長変換素子ユニットでは、波長変換素子が複数の平坦部を有しているため、平坦部同士を接触させることで、発光部が狭ピッチである場合でも対応することが可能となる。さらに、複数の波長変換素子の平坦部同士を接触させることにより、波長変換素子同士の熱伝導が良くなり、複数の波長変換素子の温度の均一化を図ることが可能となる。
また、平坦部を複数設けることにより、波長変換素子の保持部材に接触する接触面積が増えるため、波長変換素子の放熱効果を向上させることが可能となる。

また、本発明の波長変換素子ユニットは、前記波長変換素子の成長軸方向に垂直な端面のうち少なくとも一方の端面に平坦化加工が施されていることが好ましい。

本発明に係る波長変換素子ユニットでは、波長変換素子の成長軸方向に垂直な端面として、波長変換素子の入射端面に平坦化加工を施すことにより、発光部から射出された光が波長変換素子の入射端面に垂直に入射され易くなる。このように、波長変換素子の入射端面に光を垂直に入射させることにより、入射端面において光が屈折せず波長変換素子の内部に入射する。したがって、波長変換素子は、内部を進行する光の直進性を保ったまま射出端面から射出させることが可能となる。
また、波長変換素子の成長軸方向に垂直な端面として、波長変換素子の射出端面に平坦化加工を施すことにより、射出端面において光が屈折せずに波長変換素子から射出される。これにより、波長変換素子の後段側に光学素子を配置した場合、垂直に入射させることが可能となる。すなわち、特に、垂直に光を入射させなければならない光学素子を配置した場合に好適である。

また、本発明の波長変換素子ユニットは、前記保持部材の収容部内に、前記保持部材に前記複数の波長変換素子を保持する充填材が充填されていることが好ましい。

本発明に係る波長変換素子ユニットでは、波長変換素子が充填材により保持部材に保持されているため、波長変換素子の熱を充填材を介して効率良く保持部材に放熱することが可能となる。なお、充填材として熱伝導性の高い材料を用いることにより、さらに効果的に波長変換素子の熱を充填材を介して放熱することができる。

また、本発明の波長変換素子ユニットは、前記保持部材の収容部内に、前記保持部材に前記複数の波長変換素子を保持する弾性体からなる弾性部材が設けられていることが好ましい。

本発明に係る波長変換素子ユニットでは、波長変換素子の断面形状にバラツキがある場合に効果的である。すなわち、弾性部材により波長変換素子が保持されているため、波長変換素子の断面形状のバラツキを弾性部材により吸収させる。したがって、バラツキがあっても保持部材は波長変換素子を保持することが可能となる。

波長変換素子ユニットの製造方法では、上記の波長変換素子ユニットの製造方法であって、前記保持部材の収容部に前記波長変換素子を保持させる工程と、前記波長変換素子の成長軸方向に垂直な端面に研磨処理及び反射防止処理を施す工程とを有することを特徴とする。

本発明に係る波長変換素子ユニットの製造方法では、波長変換素子を保持した後、波長変換素子の入射端面及び射出端面に研磨処理及び反射防止処理を施すことにより、入射端面及び射出端面の平行度を精度良く確保することが可能となる。これにより、波長変換素子に垂直に入射した光が、入射端面及び射出端面で屈折することがないので、後段に配置された光学素子に垂直に光を入射させることができる。

本発明の光源装置は、複数の発光部を有する光源と、該光源から射出された光の波長を変換する上記の波長変換素子ユニットとを備えることを特徴とする。

本発明に係る光源装置では、複数の発光部から射出された光のうち一部の光は、波長変換素子により所定の波長に変換される。このとき、低コストな波長変換素子ユニットを備えているので、装置全体の低コスト化を図ることができる。
また、波長変換素子が低コストであるため、発光部ごとに波長変換素子を備えることもできる。したがって、発光部から射出される波長を異ならせ、この波長を変換する波長変換素子を用いることにより、光の利用効率を低下させることなく、波長変換素子ユニットから射出される光のスペックルノイズを低減させることが可能となる。

また、本発明の光源装置は、１つの前記波長変換素子には、前記複数の発光部から射出された光が入射することが好ましい。

従来の製法により製造された波長変換素子では、面内において分極反転のピッチが入射する位置によって異なるため、１つの波長変換素子に複数の発光部から射出された光が入射すると、光の変換効率が低下する場合が生じる。しかしながら、本発明の波長変換素子は、面内において分極反転ピッチのバラツキが充分小さいため、複数の発光部から射出された光を入射させても変換効率を落とすことはない。したがって、複数の発光部から射出された光の利用効率を向上させることが可能な光源装置を提供することが可能となる。

また、本発明の光源装置は、１つの前記波長変換素子には、１つの前記発光部から射出された光が入射することが好ましい。

本発明に係る光源装置では、低コストな波長変換素子を用いているため、１つの波長変換素子に１つの発光部を対応させても、装置全体が高コストにはならない。例えば、製造誤差等により、発光部の出力波長にバラツキが生じていても、発光部の出力波長に応じた波長を変換する波長変換素子を用いることにより、変換効率を低下させることなく入射した光を射出することが可能となる。

また、本発明の光源装置は、前記波長変換素子から射出されたレーザ光のうち前記所定の波長に変換されなかったレーザ光を前記発光部に向かって反射させることによって前記発光部の共振器ミラーとして機能するとともに、残りのレーザ光を透過させる波長選択素子を備えることが好ましい。

本発明に係る光源装置では、複数の発光部から射出されたレーザ光のうち一部の光は、波長変換素子により所定の波長に変換される。そして、所定の波長に変換された光と所定の波長に変換されなかった光とは波長選択素子に射出され、波長選択素子において、所定の選択波長光が反射され、変換された光は透過する。そして、波長選択素子で反射した光は共振器ミラー間で共振し増幅され、さらに波長変換素子を通過することで、所定の波長に変換された光が射出される。
このとき、例えば、製造の誤差等により発光部の出力波長のバラツキが生じていても、発光部の出力波長に応じた低コストな波長変換素子を用いることができるため、強度を落とすことなく波長選択素子に射出される。すなわち、波長変換素子の光の変換効率が高いため、装置全体の低コスト化を図りつつ光の利用効率を向上させることが可能となる。

また、本発明の光源装置は、前記保持部材に前記波長選択素子が保持されていることが好ましい。

本発明に係る光源装置では、保持部材に波長選択素子が保持されているため、波長選択素子の位置決めが容易となる。また、複数の波長変換素子から波長選択素子までの距離を一定に保つことができる。

本発明のプロジェクタは、上記の光源装置と、該光源装置からの光を利用して、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置とを備えることを特徴とする。

本発明に係るプロジェクタでは、光源装置より射出された光は画像形成装置に入射される。そして、画像形成装置により、表示面に所望の大きさの画像が表示される。このとき、光源装置から射出される光は、上述したように、スペックルノイズが抑えられた光であるため、低コストでありながらぎらつきを抑えた鮮明な画像を表示することが可能となる。

以下、図面を参照して、本発明に係る波長変換素子ユニット、波長変換素子ユニットの製造方法、光源装置及びプロジェクタの実施形態について説明する。なお、以下の図面においては、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。

［第１実施形態］
本発明の第１実施形態について、図１から図５を参照して説明する。
本発明に係る光源装置１０は、図１に示すように、半導体レーザ素子１１と、半導体レーザ素子１１から射出された光の波長を変換する波長変換素子ユニット２０と、波長変換素子ユニット２０より変換された光を透過し、変換されなかった波長の光を選択して反射させる波長選択素子１３とを備えている。また、波長変換素子ユニット２０は７つの波長変換素子２１を備えている。
また、図１は光源装置の概略構成を示す図であり、図２は光源装置の斜視図であり、図３は波長変換素子の斜視図である。なお、図１は、半導体レーザ素子から射出され波長選択素子に向かう光の光路図を分かり易く説明するために、１つのエミッタから射出されたレーザ光の光路のみ図示して説明する。

半導体レーザ素子１１は、図１に示すように、７つのエミッタ群１１Ａ〜エミッタ群１１Ｇを有している。１つのエミッタ群は、レーザ光を発する３つのエミッタ（発光部）１１ａ，１１ｂ，１１ｃを備えている。このエミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｃは一列に配置されている。また、エミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｃから射出される光のピーク波長は一致している。
また、半導体レーザ素子１１には、固定するキャリア板、熱を放熱する放熱基板、電気的な接続を行う配線などが設けられているが、図１では簡略化して図示している。

次に、波長変換素子ユニット２０について説明する。
波長変換素子ユニット２０は、図１に示すように、波長変換素子２１と、波長変換素子２１を保持する保持部材２２とを備えている。
波長変換素子（第２高調波発生素子、ＳＨＧ：Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）２１は、図２に示すように、エミッタ群１１Ａ〜エミッタ群１１Ｇごとに設けられ、各エミッタ群１１Ａ〜エミッタ群１１Ｇのエミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｃに対向して配置されている。また、波長変換素子２１は、レーザ素子１１から射出されたレーザ光の中心軸Ｏに対して垂直な方向の断面形状が楕円状である楕円柱となっている。この波長変換素子２１の断面積は、３つのエミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｃから射出されたレーザ光のスポットＳ１，Ｓ２，Ｓ３が入射可能な大きさとなっている。
波長変換素子２１は、入射光をほぼ半分の波長に変換する非線形光学素子であり、例えば、波長変換素子２１に入射するレーザ光の強度が強いほど、変換効率が向上する。つまり、半導体レーザ素子１１から射出されたレーザ光のすべてが、所定波長のレーザ光に変換されるわけではない。

波長変換素子２１の製法について説明する。
本実施形態では、ＬｉＮｂＯ３単結晶をＣＺ（チョクラルスキー：Czochralski）法により結晶成長させる。この製法は、結晶の引き上げ育成中に人為的に分極反転構造を結晶中に導入する方法である。一般的には成長縞（ストリエーション：striation）２１Ｓと称される不純物濃度や組成の微小な周期的変動が固液界面形状に一致して導入される。この成長縞２１Ｓは、単結晶の引き上げ成長時に成長界面（融液表面）の温度を周期的に変動させることによって形成することができる。したがって、引き上げ法による結晶作製時に融液温度を制御するだけで、分極反転構造のピッチが異なる波長変換素子を製造することができる。このような製法により、製造された波長変換素子２１は、図３に示すように、結晶の引き上げ方向に沿って、分極が互いに反転したドメインの繰り返し構造を得ることができる。また、結晶の引き上げ方向がレーザ素子１１から射出されたレーザ光の進行方向となっている。
また、結晶の引き上げによって、図２に示すような、断面形状が楕円状の他、断面形状が円状の円柱にすることも可能である。

ＣＺ法により製造された波長変換素子は、以下のような利点を有している。ＣＺ法は、フォトリソグラフィ法及びエッチング法に比べて、工程が簡略化され低コストで波長変換素子を製造することが可能となる。すなわち、フォトマスクなどのツールを必要とせず、初期導入時のコストがかからない上に、分極反転のピッチの変更などの仕様変更を容易に行うことができる。
また、直方体のバルク型では、波長変換素子２１の一方の面から他方の面に向かって分極反転領域が狭くなる場合が生じるため、分極の偏差が生じる。これにより、分極反転ピッチが一定ではなくなってしまうため、レーザ光が入射した位置によって光の変換効率が変わってしまう。しかしながら、ＣＺ法により製造された波長変換素子２１は、分極反転ピッチがレーザ光の進行方向で一定である。これにより、エミッタに対して面方向の位置決め精度を厳しくしなくても良い。

保持部材２２は、図２に示すように、半導体レーザ素子１１が配置された側の端面２２ａから端面２２ａと反対の端面２２ｂに向かって（一方向）７つの孔（収容部：貫通孔）２６が形成されている。この孔２６は、レーザ光の中心軸Ｏに対して垂直な方向の開口断面積が異なる２つの大きさの孔２６ａ，２６ｂから構成されている。
孔２６は、具体的には、図１に示すように、半導体レーザ素子１１が配置された側の保持部材２２の端面２２ａに開口された孔２６ａと、波長変換素子２１が挿通可能な大きさであり、波長選択素子１３側が配置された側の保持部材２２の端面２２ｂに開口された孔２６ｂとを有している。この孔２６ｂの大きさは、波長変換素子２１の外形とほぼ同じ大きさとなっている。
そして、この孔２６ａと孔２６ｂとは連通しており、孔２６ａは空洞であり、孔２６ｂには波長変換素子２１が保持されている。また、孔２６ｂのレーザ光の中心軸Ｏ方向の寸法Ｍ１は、波長変換素子２１の寸法Ｍ２に比べて短くなっており、波長変換素子２１の射出端面２１ｂ側が保持部材の端面２２ｂより突出している。さらに、孔２６ａの開口面積は、図１に示すように、孔２６ｂの開口面積に比べて小さい。これにより、孔２６ａと孔２６ｂとが連通する部分が段差部２７となり、この段差部２７によって、波長変換素子２１のレーザ光の中心軸Ｏ方向の位置が固定される。つまり、この段差部２７が、波長変換素子２１の位置決め部となっている。

波長変換素子ユニットを製造する際には、図３に示すように、ＣＺ法により所定の断面形状を有する波長変換素子２１を製造する。そして、保持部材２２の孔２６に波長変換素子２１を挿通し、位置を調整して、ＵＶ硬化型樹脂を用いて保持部材２２と波長変換素子２１とを接着する。このとき、保持部材２２の孔２６ｂの中心軸Ｏ方向の寸法Ｍ１より、波長変換素子２１の寸法Ｍ２の方が長いため、波長変換素子２１の射出端面２１ｂが突出する。そして、射出端面２１ｂの研磨処理及びＡＲコート（反射防止処理）を行う。
なお、波長変換素子２１の入射端面２１ａに平坦化加工を施す場合は、保持部材２２の孔２６に挿通する前に平坦化加工を施せば良い。

また、波長選択素子１３は、図１に示すように、波長変換素子２１から射出された所定の選択波長のレーザ光（図１に示す鎖線）Ｗ１を選択して半導体レーザ素子１１に向かって反射させることによってエミッタ１１ａ〜１１ｅの共振器ミラーとして機能するとともに、変換されたレーザ光（図１に示す二点鎖線）Ｗ２を透過させるものである。波長選択素子１３としては、例えば、周期格子を有するホログラムのような光学素子を用いることができる。

次に、半導体レーザ素子１１から射出される光の光路について、図１を参照して説明する。
半導体レーザ素子１１から射出された基本波の光（図１に示す実線）Ｗ３は、波長変換素子２１を通過することによって、ほぼ半分の波長の光に変換される。波長変換素子２１によって波長が変換されなかった光は、半導体レーザ素子１１と波長選択素子１３との間で反射を繰り返し、増幅された後、レーザ光Ｗ２として、波長選択素子１３から射出されるようになっている。波長選択素子１３は様々な波長の光を透過させるが、そのうち、所定の波長の光だけが増幅されている。増幅された光の強度は、他の波長の光の強度と比較して著しく高い。よって、波長選択素子１３を透過した光Ｗ２は、ほぼ単一波長の光とみなすことができる。この光Ｗ２の波長は、波長選択素子１３の選択波長、つまり波長選択素子１３が反射する光Ｗ１の波長とほぼ同一である。波長選択素子１３は、所定の選択波長の光の一部（９８〜９９％程度）を反射するので、その残り（１〜２％程度）の光が出力光として利用されることになる。
また、波長選択素子１３は、波長変換素子２１によって所定の波長に変換されなかったレーザ光Ｗ１のみを選択して半導体レーザ素子１１に向かって反射させ、それ以外のレーザ光を透過させるものである。

本実施形態に係る波長変換素子ユニット２０では、所定の位置に保持しづらい断面形状が楕円状の波長変換素子２１であっても、孔２６の形成された保持部材２２が波長変換素子２１を保持することにより、簡易な構成で波長変換素子２１を所定の位置に保持することが可能となる。
また、ＣＺ法により、波長変換素子２１を低コストに製造することができるため、光源装置１０全体のコストを抑えることが可能となる。
さらに、孔２６の位置を隣接するエミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｃの３つごとの間隔に合わせて形成することにより、保持部材２２の孔２６に波長変換素子２１を保持させることで、エミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｃの配列方向と波長変換素子２１との位置決めを行うことが可能となる。
つまり、本実施形態の波長変換素子ユニット２０は、略円柱状の波長変換素子２１を所定の位置に保持することが可能である。

また、保持部材２２に段差部２７が設けられているため、より正確にレーザ光の進行方向の波長変換素子２１の位置が決められる。したがって、エミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｃとこれに対応した波長変換素子２１の入射端面２１ａとの距離を一定にすることが可能となる。
また、ＣＺ法により波長変換素子２１を製造することにより、分極反転のピッチの変更などの仕様変更を容易に行うことができる。そこで、異なる波長の光を射出するエミッタ群１１Ａ〜エミッタ群１１Ｇを備え、それぞれのエミッタ群の出力波長に応じた波長変換素子２１を配置する。なお、エミッタ群１１Ａ〜エミッタ群１１Ｇの出力波長のバラツキは、例えば１ｎｍである。これにより、各波長変換素子から射出される光の波長が異なっているため、波長変換素子ユニット２０から射出されるレーザ光の干渉性が抑えられる。したがって、装置全体のコストを抑えつつ、スペックルノイズを低減させることが可能な光源装置１０を提供することが可能となる。
また、本実施形態の波長変換素子ユニット２０の製造方法では、保持部材２２に波長変換素子２１を保持させた後、複数の波長変換素子２１の射出端面２１ｂに一度に研磨処理及びＡＲコートを施すことにより、７つの波長変換素子２１のすべての射出端面２１ｂのレーザ光の中心軸Ｏ方向の位置を一定にすることが可能となる。すなわち、波長変換素子２１を製造した段階で行う必要がないため、工程の簡略化を図ることが可能となる。

なお、図１では、半導体レーザ素子１１の複数のエミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｃを１列に配置した構成であったが、２列以上であっても良い。
また、１つの波長変換素子２１に対して３つのエミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｃを配置させたが、エミッタの数はこれに限るものではない。すなわち、エミッタの個数に応じて、波長変換素子２１の断面形状を代えて製造すれば良い。
さらに、一般に結晶をＣＺ法を用いて分極反転させる製法で作られる波長変換素子２１は断面形状が楕円状であるため、楕円柱の波長変換素子２１を例に挙げて説明したが、波長変換素子２１の形状はこれに限るものではない。
また、保持部材２２には必ずしも段差部２７を設けなくても良い。すなわち、同じ寸法を有する複数の波長変換素子２１を用いて同じ寸法だけ、保持部材２２の端面２２ｂから突出させても良く、また、波長変換素子２１の射出端面２１ｂと保持部材２２の端面２２ｂとが同一の面となるように、波長変換素子２１を保持部材２２の孔２６内に保持させても良い。
また、位置決め部として段差部２７を形成したが、段差だけではなく、保持部材２２の端面２２ｂから端面２２ａに向かって徐々に開口面積が小さくなっていても良い。すなわち、収容部の断面積と波長変換素子の断面積とが略一致する箇所が位置決め部となる。

また、保持部材の収容部としては、貫通孔が形成された構成にしたが、これに限るものではない。すなわち、図４（ａ）に示すように、孔２６ａに光透過性部材（光透過性樹脂）２６ｃが設けられた保持部材や、図４（ｂ）に示すように、貫通孔ではなく、凹部２６ｄが形成された保持部材であっても良い。この構成の場合、波長変換素子２１の射出端面２１ａから外部に光が射出されるように、保持部材は光透過性を有する材料からなっている。また、図４（ｃ）に示すように、収容部が溝２６ｆである保持部材であっても良い。
なお、図４（ａ）から図４（ｂ）に示す保持部材は、１つの収容部のみ示している。

［第１実施形態の変形例］
図１に示す第１実施形態では、保持部材２２に波長変換素子２１が保持された構成であったが、保持部材３５が波長選択素子１３も保持する光源装置３０であっても良い。図５を参照して説明する。
保持部材３５の寸法は、波長変換素子２１の寸法に比べて大きい。波長変換素子２１の寸法Ｍ２に比べて長くなっている。また、保持部材３５の半導体レーザ素子１１側の端面３５ａと反対の他方の端面３５ｂに、図５に示すように、凹部３１が形成されている。そして、この凹部３１に波長選択素子１３が保持されている。
この構成では、保持部材３５の凹部３１に波長選択素子１３を嵌め込むだけで、複数の波長変換素子２１の射出端面２１ｂから波長選択素子１３の入射端面１３ａまでの間隔を一定にすることが可能となる。
なお、保持部材３５が半導体レーザチップ１１を保持する構成であっても良い。この構成では、半導体レーザチップ１１から複数の波長変換素子２１の入射端面２１ａまでの間隔を一定にすることが可能となる。
さらに、保持部材が、波長変換素子２１、波長選択素子１３、及び半導体レーザ素子１１を保持する構成であっても良い。

［第２実施形態］
次に、本発明に係る第２実施形態について、図６を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態の図面において、上述した第１実施形態に係る光源装置１０と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係る光源装置４０では、１つのエミッタに対応して１つの波長変換素子を用いる点において第１実施形態と異なる。

半導体レーザ素子１１は、図６に示すように、１５個のエミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｏが一列に配置されている。
波長変換素子４１は、複数のエミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｏのそれぞれに対向して配置されている。また、波長変換素子４１は、レーザ素子１１から射出されたレーザ光の中心軸Ｏに対して垂直な方向の断面形状が略円状である円柱状となっている。この波長変換素子４１の断面積は、各エミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｏから射出されたレーザ光のスポットＳａが入射可能な大きさとなっている。

保持部材４２は、図６に示すように、半導体レーザ素子１１が配置された側の端面４２ａから端面４２ａと反対の端面４２ｂに向かって（一方向）１５個の孔（収容部）４６が形成されている。この孔４６は、第１実施形態の保持部材２２と同様に、レーザ光の中心軸Ｏに対して垂直な方向の開口断面積が異なる２つの大きさの孔４６ａ，４６ｂから構成されている。
孔４６は、具体的には、半導体レーザ素子１１が配置された側の保持部材４２の端面４２ａに開口された孔４６ａと、波長変換素子４１が挿通可能な大きさであり、波長選択素子１３側が配置された側の保持部材４２の端面４２ｂに開口された孔４６ｂとを有している。この孔４６ｂの大きさは、図６に示すように、波長変換素子４１の外形とほぼ同じ大きさとなっている。

本実施形態は、複数のエミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｏから射出する出力波長が異なる場合に、特に効果的である。すなわち、出力波長のバラツキが、例えば１ｎｍであるエミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｏを備える。そして、各エミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｏに対応した波長変換素子４１としては、エミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｏから射出された光を所定の波長に変換する素子を用いる。これにより、波長変換素子ユニット４５から射出されるレーザ光の干渉性が抑えられえる。

本実施形態に係る光源装置４０では、複数の波長変換素子４１を保持部材４２に形成された孔４６により、所定の位置に保持することが可能となる。また、従来の製造で製造された直方体の波長変換素子４１はコストが高いが、本実施形態では低コストである波長変換素子４１を用いているため、エミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｏの出力波長に適した複数の波長変換素子４１を安価に製造することができる。したがって、装置全体のコストを抑えつつ、スペックルノイズを低減させることが可能な光源装置４０を提供することが可能となる。
なお、意図的に出力波長の異なるエミッタ１１ａ〜エミッタ１１ｏを用いるのではなく、製造誤差等により出力波長にバラツキが生じた場合には、その出力波長に適した波長を変換する波長変換素子を安価に用いることが可能となる。

［第３実施形態］
次に、本発明に係る第３実施形態について、図７から図１１を参照して説明する。
本実施形態に係る波長変換素子ユニット５５では、複数の波長変換素子５１を１つの孔（収容部）５６で保持する点において第１実施形態と異なる。
また、図７は波長変換素子ユニット５５の波長変換素子５１の入射端面５１ａ側から見た正面図であり、図８は図７のＡ−Ａ線における矢視断面図であり、図９は、波長変換素子ユニット５５の製造工程を示す図である。

波長変換素子ユニット５５には、図８に示すように、保持部材５２に半導体レーザ素子１１が配置された側の端面５２ａから端面５２ａと反対の端面５２ｂに向かって（一方向）孔５６が形成されている。この保持部材５２は、熱伝導性が高い材料、例えば、銅により形成されている。
波長変換素子５１には、図７に示すように、外周の一部にレーザ光の進行方向（中心軸Ｏ方向）に沿って平坦化加工が施された平坦部５１ｃが形成されている。この平坦部５１ｃは、保持部材５２の内側面５２ｃに接触して設けられている。また、図８に示すように、波長変換素子５１の入射端面５１ａと保持部材５２の端面５２ａとが同一の面となっている。同様に、波長変換素子５１の射出端面５１ｂと保持部材５２の端面５２ｂとが同一の面となっている。
また、保持部材５２の孔５６には接着材５７が充填されている。これにより、複数の波長変換素子５１は接着材５７により保持部材５２に保持されている。
接着材（充填材）５７としては、熱伝導性の高い樹脂を用いており、熱伝導率は１０〜３０（Ｗ／ｍ・ｋ）であり、好ましくは１００（Ｗ／ｍ・ｋ）以上である。

次に、波長変換素子ユニットの製造方法について説明する。
まず、ＣＺ法により断面形状が円形状である波長変換素子５１を製造する。そして、半導体レーザ素子１１のエミッタの間隔に合わせて、保持部材５２の孔５６の内側面５２ｃに波長変換素子２１の平坦部５１ｃを接触させる。このとき、図９に示すように、波長変換素子５１の寸法Ｎ１は、孔５６のレーザ光の進行方向の寸法Ｎ２に比べて長いものを用いる。これにより、波長変換素子５１の入射端面５１ａ及び射出端面５１ｂが、それぞれ保持部材５２の端面５２ａ，５２ｂから突出するように、波長変換素子５１を孔５６内に配置する。そして、孔５６内に接着材５７を充填した後、波長変換素子５１の入射端面５１ａ及び射出端面５１ｂを研磨処理及びＡＲコート（反射防止処理）し、図８に示すように、波長変換素子５１の入射端面５１ａ及び射出端面５１ｂを保持部材５２の端面５２ａ，５２ｂと同一の面にする。

本実施形態に係る波長変換素子ユニット５５では、波長変換素子５１には外周の一部に平坦部５１ｃが形成されているため、波長変換素子５１の保持部材５２に接触する接触面積が増える。これにより、保持部材５２は波長変換素子５１を保持するとともに、より効率良く波長変換素子５１の熱を保持部材５２を介して放熱することが可能となる。また、保持部材５２を熱伝導性の高い材料により形成することで、波長変換素子５１の温度制御を行うための熱伝導路として機能するため、より効果的に波長変換素子５１の熱を外部に放熱することができる。
さらには、波長変換素子５１の面内における分極処理の特性に方向性がある場合、この分極方向と垂直な方向に平坦化処理を施すことにより、分極方向を揃えることが可能となる。
また、波長変換素子５１の平坦部５１ｃと保持部材５２の内側面５２ｃとを接触させることにより波長変換素子５１の位置を規制し易くなる。これにより、波長変換素子５１を所定の位置に保持し易くなる。
また、波長変換素子５１を熱伝導性の高い接着材５７により保持部材５２に保持することにより、波長変換素子５１の熱を接着材５７を介して効率良く放熱することが可能となる。

さらに、本実施形態の波長変換素子ユニット５５の製造方法では、保持部材５２に波長変換素子５１を保持させた後、複数の波長変換素子５１の入射端面５１ａ及び射出端面５１ｂに一度に研磨処理及びＡＲコートを施すことにより、入射端面５１ａ及び射出端面５１ｂの平行度を精度良く確保することが可能となる。これにより、波長変換素子５１に入射したレーザ光が、入射端面５１ａ及び射出端面５１ｂで屈折することがないので、波長選択素子１３に垂直にレーザ光を入射させることができる。また、波長変換素子５１を製造した段階で行う必要がないため、工程の簡略化を図ることが可能となる。

なお、第１実施形態と同様に、図１０に示すように、波長変換素子５１ごとに孔５８（収容部）を有し、この孔５８に接着材５７が充填されていても良い。また、接着材５７は、孔５６に必ずしもすべて充填されている必要はなく、孔５６の一部に設けられていても良い。
また、第１実施形態と同様に、波長変換素子５１に平坦部５１ｃが形成されていない円形状の波長変換素子５９であっても良い。この構成では、図１１に示すように、孔５８より径の小さい波長変換素子５９を用いることにより、孔５８と波長変換素子５９との間に隙間５８ａが設けられる。そして、隙間５８ａに接着材５７を充填する。これにより、波長変換素子５９の熱が接着材５７を介して保持部材に伝わる。すなわち、波長変換素子５１の位置決め精度を厳しくしなくても良いため、簡易な工程で複数の波長変換素子５１を保持した波長変換素子ユニットを製造することができるとともに、効率良く放熱することができる。
また、波長変換素子５１の入射端面５１ａ及び射出端面５１ｂのうち一方の端面を第１実施形態で示した段差部２７により位置を規制し、他方の端面のみ研磨処理及びＡＲコートを施しても良い。

［第４実施形態］
次に、本発明に係る第４実施形態について、図１２及び図１３を参照して説明する。
本実施形態に係る光源装置６０では、波長変換素子６１が複数の平坦部６１ａ，６１ｂを有し、隣接する波長変換素子６１が接触している点において第３実施形態と異なる。
光源装置６０の波長変換素子ユニット６５には、第３実施形態と同様に、保持部材６２に孔（収容部）６６が形成されている。この保持部材６２は、熱伝導性が高い材料、例えば、銅により形成されている。
波長変換素子６１には、外周の一部にレーザ光の進行方向（中心軸Ｏ方向）に沿って平坦化加工が施された平坦部６１ａが形成されている。そして、平坦部６１ａと反対側の外周には平坦化加工が施された平坦部６１ｂが形成されている。そして、複数の波長変換素子６１は、当該波長変換素子６１の平坦部６１ａと隣接する波長変換素子の平坦部６１ｂとが接触するように配置されている。この波長変換素子６１の断面積は、２つのエミッタ１１ａ，エミッタ１１ｂから射出されたレーザ光のスポットＳ１，Ｓ２が入射可能な大きさとなっている。
また、保持部材６２の孔６６には接着材６７が充填されている。これにより、複数の波長変換素子６１は接着材６７により保持部材６２に保持されている。

本実施形態に係る光源装置６０では、複数の波長変換素子６１の平坦部６１ａ，６１ｂを接触させることにより、波長変換素子６１同士の熱伝導が良くなり、複数の波長変換素子６１の温度の均一化を図ることが可能となる。
また、隣接した波長変換素子６１を接触させることで、隣接する波長変換素子６１のピッチを狭くすることができる。したがって、エミッタ１１ａ，エミッタ１１ｂのピッチ方向の制約がある場合に、波長変換素子６１のピッチを隣接するエミッタ１１ａ，１１ｂのピッチに合わせることができるため効果的である。
また、波長変換素子６１を接着材６７により保持部材６２に保持することにより、波長変換素子６１の熱を効率良く保持部材６２に放熱することが可能となる。

なお、図１３に示すように、波長変換素子７１の平坦部７１ａを保持部材７２の孔７６（収容部）の上面７６ａに接触させ、平坦部７１ｂを孔７６の下面７６ｂに接触させても良い。また、隣接する波長変換素子７１の間は接着材７７が充填されている。この構成では、波長変換素子７１の熱を保持部材７２を介して外部に放熱され易くすることが可能となる。すなわち、平坦部を複数設けることにより、波長変換素子７１の保持部材７２に接触する接触面積が増えるため、波長変換素子７１の放熱効果を向上させることが可能となる。

［第５実施形態］
次に、本発明に係る第５実施形態について、図１４を参照して説明する。
本実施形態に係る波長変換素子ユニット８０では、波長変換素子８１が弾性体からなる弾性部材８５により保持部材８２に保持されている点において第３実施形態と異なる。

波長変換素子ユニット８０には、図１４に示すように、第３実施形態と同様に、保持部材８２に孔（収容部）８６が形成されている。この保持部材８２は、熱伝導性が高い材料、例えば、銅により形成されている。
弾性部材８５は、複数の凹部８５ａを有しており、この凹部８５ａにはそれぞれ波長変換素子８１が配置されている。また、弾性部材８５を保持部材８２の孔８６の下面８６ｂから上面８６ａに向かって付勢させることで、波長変換素子８１を保持部材８６の上面８６ａに押し当てている。なお、波長変換素子８１の形状は、第２実施形態で示した円柱状である。

本実施形態に係る波長変換素子ユニット８０では、波長変換素子８１の大きさ（径）にバラツキがある場合に効果的である。すなわち、波長変換素子８１の大きさのバラツキを弾性部材８５により吸収させることができるため、バラツキがあっても保持部材８２は波長変換素子８１を保持することが可能となる。
なお、弾性部材８５と上面８６ａとの空洞部８７に熱伝導性の高い樹脂を充填させても良い。また、弾性部材８５を熱伝導性が高い材料により形成しても良い。これらの構成では、波長変換素子８１の熱を効率良く放熱することが可能となる。
また、弾性部材８５としては、複数の凹部８５ａを有するものに限らず、例えば立方体状の弾性部材に波長変換素子の径より小さい複数の孔を形成し、この孔内に波長変換素子８１を保持する構成であっても良い。

［第６実施形態］
次に、本発明に係る第６実施形態について、図１５を参照して説明する。
なお、図１５中においては、簡略化のためプロジェクタ１００を構成する筐体は省略している。

プロジェクタ１００において、赤色光、緑色光、青色光を射出する赤色レーザ光源（光源装置）１０１Ｒ，緑色レーザ光源（光源装置）１０１Ｇ、青色レーザ光源（光源装置）１０１Ｂは、上記第１実施形態の波長変換素子ユニット２０を有する光源装置１０１である。
また、プロジェクタ１００は、レーザ光源１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂから射出されたレーザ光をそれぞれ変調する液晶ライトバルブ（光変調装置）１０４Ｒ，１０４Ｇ，１０４Ｂと、液晶ライトバルブ１０４Ｒ，１０４Ｇ，１０４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン（表示面）１１０に投射する投射レンズ（投射装置）１０７とを有する画像形成装置を備えている。また、プロジェクタ１００は、液晶ライトバルブ１０４Ｒ，１０４Ｇ，１０４Ｂから射出された光を合成して投写レンズ１０７に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）１０６を備えている。

さらに、プロジェクタ１００は、レーザ光源１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂから射出されたレーザ光の照度分布を均一化させるため、各レーザ光源１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂよりも光路下流側に、均一化光学系１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂを設けており、これらによって照度分布が均一化された光によって、液晶ライトバルブ１０４Ｒ，１０４Ｇ，１０４Ｂを照明している。例えば、均一化光学系１０２Ｒ，１０２Ｇ、１０２Ｂは、例えば、ホログラム１０２ａ及びフィールドレンズ１０２ｂによって構成される。

各液晶ライトバルブ１０４Ｒ，１０４Ｇ，１０４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム１０６に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投写光学系である投射レンズ１０７によりスクリーン１１０上に投写され、拡大された画像が表示される。

上述した本実施形態のプロジェクタ１００は、赤色レーザ光源１０１Ｒ，緑色レーザ光源１０１Ｇ，青色レーザ光源１０１Ｂが、低コスト化でありスペックノイズを抑えることが可能であるため、低コストでありながらぎらつきを抑えた鮮明な画像を表示することが可能となる。

なお、本実施形態のプロジェクタにおいて、赤色，緑色及び青色のレーザ光源１０１Ｒ，１０１Ｇ、１０１Ｂについては、第１実施形態の波長変換素子ユニット２０を用いたものを説明したが、第１〜第５実施形態の波長変換素子ユニット（変形例を含む）を用いることも可能である。このとき、各光源装置１０１のそれぞれに異なる波長変換素子ユニットを有する光源装置を採用することも可能であるし、同じ波長変換素子ユニットを有する光源装置を採用することも可能である。

また、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いても良いし、反射型のライトバルブを用いても良い。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Digital Micromirror Device）が挙げられる。投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
また、第１〜第５実施形態の波長変換素子ユニット（変形例を含む）を、レーザ光源（光源装置）からのレーザ光をスクリーン上で走査させることにより表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置（プロジェクタ）の光源装置にも適用するこが可能である。

なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、色光合成手段として、クロスダイクロイックプリズムを用いたが、これに限るものではない。色光合成手段としては、ダイクロイックミラーをクロス配置とし色光を合成するもの、ダイクロイックミラーを平行に配置し色光を合成するものを用いることができる。
また、半導体レーザ素子として、１つの基板上に複数のエミッタが形成された構成にしたが、１つの基板に１つのエミッタが形成された半導体レーザ素子を複数用いても良い。
また、保持部材は必ずしも熱伝導性が高い材料により形成されていなくても良い。

本発明の第１実施形態に係る光源装置を示す要部断面図である。 図１の光源装置及び波長変換素子ユニットを示す斜視図である。 図１の光源装置の波長変換素子を示す斜視図である。 図１の光源装置の保持部材の変形例を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る光源装置の変形例を示す要部断面図である。 本発明の第２実施形態に係る光源装置を示す斜視図である。 本発明の第３実施形態に係る波長変換素子ユニットを示す要部断面図である。 図７の波長変換素子ユニットのＡ−Ａ線矢視断面図である。 図７の波長変換素子ユニットの製造工程を示す要部断面図である。 本発明の第３実施形態に係る波長変換素子ユニットの変形例を示す要部断面図である。 本発明の第３実施形態に係る波長変換素子ユニットの変形例を示す要部断面図である。 本発明の第４実施形態に係る波長変換素子ユニットを示す斜視図である。 本発明の第４実施形態に係る波長変換素子ユニットの変形例を示す斜視図である。 本発明の第５実施形態に係る波長変換素子ユニットを示す斜視図である。 本発明の第６実施形態に係るプロジェクタを示す光路図である。

符号の説明

１０，３０，４０，６０…光源装置、１１ａ〜１１ｏ…エミッタ（発光部）、１３，４１，５１…波長選択素子、２０，４５，５５，６５，８０…波長変換素子ユニット、２１，４１，５９，６１，７１、８１…波長変換素子、２２，３５，４２，５２，６２，７２，８２…保持部材、２６ａ，２６ｂ，６６，７６，８６…孔（収容部）、５１ｃ，６１ａ，６１ｂ，７１ａ，７１ｂ…平坦部、５７，６７，７７…接着材、８５…弾性部材、１００…プロジェクタ

Claims (14)

1. 複数の発光部から射出された光の波長を所定の波長に変換するとともに、結晶組成もしくは不純物濃度が周期的に変動してなる成長縞を有し、前記成長縞が周期分極反転構造を構成する複数の波長変換素子と、
   前記複数の波長変換素子を収容する収容部が形成された保持部材とを備えることを特徴とする波長変換素子ユニット。
2. 前記保持部材に、前記波長変換素子の成長軸方向の位置を決める位置決め部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の波長変換素子ユニット。
3. 前記波長変換素子の成長軸方向の側面の一部には、平坦化加工を施した平坦部が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の波長変換素子ユニット。
4. 前記波長変換素子には、複数の前記平坦部が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の波長変換素子ユニット。
5. 前記波長変換素子の成長軸方向に垂直な端面のうち少なくとも一方の端面に平坦化加工が施されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の波長変換素子ユニット。
6. 前記保持部材の収容部内に、前記保持部材に前記複数の波長変換素子を保持する充填材が充填されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の波長変換素子ユニット。
7. 前記保持部材の収容部内に、前記保持部材に前記複数の波長変換素子を保持する弾性体からなる弾性部材が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の波長変換素子ユニット。
8. 請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の波長変換素子ユニットの製造方法であって、
   前記保持部材の収容部に前記波長変換素子を保持させる工程と、前記波長変換素子の成長軸方向に垂直な端面に研磨処理及び反射防止処理を施す工程とを有することを特徴とする波長変換素子ユニットの製造方法。
9. 複数の発光部を有する光源と、
   該光源から射出された光の波長を変換する請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の波長変換素子ユニットとを備えることを特徴とする光源装置。
10. １つの前記波長変換素子には、前記複数の発光部から射出された光が入射することを特徴とする請求項９に記載の光源装置。
11. １つの前記波長変換素子には、１つの前記発光部から射出された光が入射することを特徴とする請求項９に記載の光源装置。
12. 前記波長変換素子から射出されたレーザ光のうち前記所定の波長に変換されなかったレーザ光を前記発光部に向かって反射させることによって前記発光部の共振器ミラーとして機能するとともに、残りのレーザ光を透過させる波長選択素子を備えることを特徴とする請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の光源装置。
13. 前記保持部材に前記波長選択素子が保持されていることを特徴とする請求項１２に記載の光源装置。
14. 請求項９から請求項１３のいずれか１項に記載の光源装置と、
    該光源装置からの光を利用して、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置とを備えることを特徴とするプロジェクタ。

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