JP2008270809A - 磁気ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】分割メモリセル群は、X軸方向に延在するワード線と、Y軸方向に延在するビット線と、それらの交差点に各々配置された磁気メモリ素子とを含む。ワード線は、第1のグローバル書込線および第1の選択スイッチを介して第1の共通書込線と接続され、第2の選択スイッチおよび第2のグローバル書込線を介して第2の共通書込線と接続される。磁気メモリ素子は、X軸方向に沿った磁化を有するピンド層と、フリー層と、それらに挟まれた中間層との積層構造を含む。フリー層は、X軸方向の磁化容易軸を有する第1の領域AR1と、X軸方向と5°以上90°以下の角度をなす磁化容易軸を有する2つの尖端部分からなる第2の領域AR2とを含む。
【選択図】図2
Description
(1)第1方向に延在する一のワード線と、第1方向と交差する第2方向に延在する複数のビット線と、ワード線とビット線との交差点に各々配置された複数の磁気メモリ素子とをそれぞれ含む複数の分割メモリセル群。
(2)第1方向に延在し、複数の分割メモリセル群に共通に設けられた第1および第2の共通書込線。
(3)第2方向に延在し、第2方向に沿って配列された複数の分割メモリセル群におけるワード線と共通に接続され、かつ、第1の選択スイッチを介して第1の共通書込線とも接続された第1のグローバル書込線。
(4)第2方向に延在し、第2方向に沿って配列された複数の分割メモリセル群におけるワード線と第2の選択スイッチを介して共通に接続され、かつ、第2の共通書込線とも接続された第2のグローバル書込線。
ここで、磁気メモリ素子は、第1方向に沿った磁化を有するピンド層と、フリー層と、それらに挟まれた中間層との積層構造を含み、フリー層は、第1方向の磁化容易軸を有する第1の領域と、第1方向と5°以上90°以下の角度をなす磁化容易軸を有する2つの尖端部分からなる第2の領域とを含み、第1の領域が、第2の領域の面積の10%以上95%以下に相当する面積を占めている。
Claims (28)
- 第1方向に延在する一のワード線と、前記第1方向と交差する第2方向に延在する複数のビット線と、前記ワード線と前記ビット線との交差点に各々配置された複数の磁気メモリ素子とをそれぞれ含む複数の分割メモリセル群と、
前記第1方向に延在し、前記複数の分割メモリセル群に共通に設けられた第1および第2の共通書込線と、
前記第2方向に延在し、前記第2方向に沿って配列された前記複数の分割メモリセル群におけるワード線と共通に接続され、かつ、第1の選択スイッチを介して前記第1の共通書込線とも接続された第1のグローバル書込線と、
前記第2方向に延在し、前記第2方向に沿って配列された前記複数の分割メモリセル群におけるワード線と第2の選択スイッチを介して共通に接続され、かつ、前記第2の共通書込線とも接続された第2のグローバル書込線とを備えた磁気ランダムアクセスメモリの製造方法であって、
前記第1方向の磁場中においてピンド層と、中間層と、フリー層とを順に積層することにより積層体を形成したのち、
前記フリー層が、前記第1方向の磁化容易軸を有する第1の領域と、前記第1方向と5°以上90°以下の角度をなす磁化容易軸を有する2つの尖端部分からなる第2の領域とを含み、前記第1の領域が、前記第2の領域の面積の10%以上95%以下に相当する面積を占めるように前記積層体をパターニングすることで前記磁気メモリ素子を形成する
ことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 前記積層体を、その平面形状がアルファ型、ベータ型、ガンマ型、デルタ型、イプシロン型、ゼータ型、イータ型、シータ型、イオタ型、カッパ型、ラムダ型、三日月型、ソーセージ型またはブーメラン型をなすようにパターニングする
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 前記磁気メモリ素子の平面形状の輪郭を、3つの直線部分と、内側に凸の左右対称な曲線部分とによって構成されたものとする
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 前記磁気メモリ素子の平面形状の輪郭を、3つの直線部分と、内側に凸の左右非対称な曲線部分とによって構成されたものとする
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 前記磁気メモリ素子の平面形状の輪郭を、一の直線部分と、一端が前記直線部分の両端と接続されて互いに対向すると共に外側に凸をなす一対の曲線部分と、それら一対の曲線部分の他端同士を連結すると共に前記直線部分と対向する他の曲線部分とを有するものとし、かつ、前記他の曲線部分を、内に凸であると共に左右対称なものとする
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 前記磁気メモリ素子の平面形状の輪郭を、一の直線部分と、一端が前記直線部分の両端と接続されて互いに対向すると共に外側に凸をなす一対の曲線部分と、それら一対の曲線部分の他端同士を連結すると共に前記直線部分と対向する他の曲線部分とを有するものとし、かつ、前記他の曲線部分を、内に凸であると共に左右非対称なものとする
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 前記磁気メモリ素子の平面形状の輪郭を、凹部を含む六角形とし、前記凹部を構成する連続した3辺が同一の長さを有するものとする
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 前記磁気メモリ素子の平面形状の輪郭を、対向する一対の直線部分と、それら一対の直線部分の両端をそれぞれ繋ぐ第1および第2の曲線部分とを有するものとし、
前記第1の前記曲線部分を外側に凸とすると共に前記第2の前記曲線部分を外側に凹とし、
前記第1および第2の曲線部分が互いに同一の曲率半径を有するようにする
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 前記磁気メモリ素子の平面形状の輪郭を、対向する一対の直線部分と、それら一対の直線部分の両端をそれぞれ繋ぐ第1および第2の曲線部分とを有するものとし、
前記第1の前記曲線部分が外側に凸をなすと共に前記第2の前記曲線部分が外側に凹をなし、前記第1の曲線部分が前記第2の曲線部分よりも大きな曲率半径を有するようにする
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 前記磁気メモリ素子の平面形状の輪郭を、対向する一対の直線部分と、それら一対の直線部分の両端をそれぞれ繋ぐ第1および第2の曲線部分とを有するものとし、
前記第1の前記曲線部分を外側に凸とすると共に前記第2の前記曲線部分を外側に凹とし、
前記第2の曲線部分が前記第1の曲線部分よりも大きな曲率半径を有するようにする
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 前記磁気メモリ素子の平面形状の輪郭を、一対の同心の円弧と、それらの両端をそれぞれ繋ぐ一対の直線部分とを有するものとし、
前記一対の同心の円弧が各々180°未満の中心角を有するようにする
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 前記磁気メモリ素子平面形状の輪郭を、一対の同心の円弧と、それらの両端をそれぞれ繋ぐ一対の直線部分とを有するものとし、
前記一対の同心の円弧が各々180°を超える中心角を有するようにする
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 前記磁気メモリ素子の平面形状の輪郭を、一対の同心の円弧と、それらの両端をそれぞれ繋ぐ一対の曲線部分とを有するものとし、
前記一対の同心の円弧が各々180°未満の中心角を有するようにする
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 前記磁気メモリ素子の平面形状の輪郭を、一対の同心の円弧と、それらの両端をそれぞれ繋ぐ一対の曲線部分とを有するものとし、
前記一対の同心の円弧が各々180°を超える中心角を有するようにする
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 第1方向に延在する一のワード線と、前記第1方向と交差する第2方向に延在する複数のビット線と、前記ワード線と前記ビット線との交差点に各々配置された複数の磁気メモリ素子とをそれぞれ含む複数の分割メモリセル群と、
前記第1方向に延在し、前記複数の分割メモリセル群に共通に設けられた第1および第2の共通書込線と、
前記第2方向に延在し、前記第2方向に沿って配列された前記複数の分割メモリセル群におけるワード線と共通に接続され、かつ、第1の選択スイッチを介して前記第1の共通書込線とも接続された第1のグローバル書込線と、
前記第2方向に延在し、前記第2方向に沿って配列された前記複数の分割メモリセル群におけるワード線と第2の選択スイッチを介して共通に接続され、かつ、前記第2の共通書込線とも接続された第2のグローバル書込線とを備え、
前記磁気メモリ素子は、前記第1方向に沿った磁化を有するピンド層と、フリー層と、それらに挟まれた中間層との積層構造を含み、
前記フリー層は、前記第1方向の磁化容易軸を有する第1の領域と、前記第1方向と5°以上90°以下の角度をなす磁化容易軸を有する2つの尖端部分からなる第2の領域とを含み、前記第1の領域は、前記第2の領域の面積の10%以上95%以下に相当する面積を占めている
ことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記磁気メモリ素子は、その平面形状がアルファ型、ベータ型、ガンマ型、デルタ型、イプシロン型、ゼータ型、イータ型、シータ型、イオタ型、カッパ型、ラムダ型、三日月型、ソーセージ型またはブーメラン型をなしている
ことを特徴とする請求項15記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記磁気メモリ素子は、その平面形状の輪郭が、3つの直線部分と、内側に凸の左右対称な曲線部分とによって構成されたものである
ことを特徴とする請求項15記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記磁気メモリ素子は、その平面形状の輪郭が、3つの直線部分と、内側に凸の左右非対称な曲線部分とによって構成されたものである
ことを特徴とする請求項15記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記磁気メモリ素子は、その平面形状の輪郭が、一の直線部分と、一端が前記直線部分の両端と接続されて互いに対向すると共に外側に凸をなす一対の曲線部分と、それら一対の曲線部分の他端同士を連結すると共に前記直線部分と対向する他の曲線部分とを有するものであり、
前記他の曲線部分は、内に凸であると共に左右対称である
ことを特徴とする請求項15記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記磁気メモリ素子は、その平面形状の輪郭が、一の直線部分と、一端が前記直線部分の両端と接続されて互いに対向すると共に外側に凸をなす一対の曲線部分と、それら一対の曲線部分の他端同士を連結すると共に前記直線部分と対向する他の曲線部分とを有するものであり、
前記他の曲線部分は、内に凸であると共に左右非対称である
ことを特徴とする請求項15記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記磁気メモリ素子は、その平面形状の輪郭が凹部を含む六角形をなし、前記凹部を構成する連続した3辺が同一の長さを有するものである
ことを特徴とする請求項15記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記磁気メモリ素子は、その平面形状の輪郭が、対向する一対の直線部分と、それら一対の直線部分の両端をそれぞれ繋ぐ第1および第2の曲線部分とを有し、
前記第1の前記曲線部分が外側に凸をなすと共に前記第2の前記曲線部分が外側に凹をなしており、
前記第1および第2の曲線部分が、互いに同一の曲率半径を有する
ことを特徴とする請求項15記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記磁気メモリ素子は、その平面形状の輪郭が、対向する一対の直線部分と、それら一対の直線部分の両端をそれぞれ繋ぐ第1および第2の曲線部分とを有し、
前記第1の前記曲線部分が外側に凸をなすと共に前記第2の前記曲線部分が外側に凹をなしており、
前記第1の曲線部分が、前記第2の曲線部分よりも大きな曲率半径を有する
ことを特徴とする請求項15記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記磁気メモリ素子は、その平面形状の輪郭が、対向する一対の直線部分と、それら一対の直線部分の両端をそれぞれ繋ぐ第1および第2の曲線部分とを有し、
前記第1の前記曲線部分が外側に凸をなすと共に前記第2の前記曲線部分が外側に凹をなしており、
前記第2の曲線部分が、前記第1の曲線部分よりも大きな曲率半径を有する
ことを特徴とする請求項15記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記磁気メモリ素子は、その平面形状の輪郭が、一対の同心の円弧と、それらの両端をそれぞれ繋ぐ一対の直線部分とを有しており、
前記一対の同心の円弧は、各々180°未満の中心角を有する
ことを特徴とする請求項15記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記磁気メモリ素子は、その平面形状の輪郭が、一対の同心の円弧と、それらの両端をそれぞれ繋ぐ一対の直線部分とを有しており、
前記一対の同心の円弧は、各々180°を超える中心角を有する
ことを特徴とする請求項15記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記磁気メモリ素子は、その平面形状の輪郭が、一対の同心の円弧と、それらの両端をそれぞれ繋ぐ一対の曲線部分とを有しており、
前記一対の同心の円弧は、各々180°未満の中心角を有する
ことを特徴とする請求項15記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記磁気メモリ素子は、その平面形状の輪郭が、一対の同心の円弧と、それらの両端をそれぞれ繋ぐ一対の曲線部分とを有しており、
前記一対の同心の円弧は、各々180°を超える中心角を有する
ことを特徴とする請求項15記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
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US8422287B2 (en) | 2010-09-09 | 2013-04-16 | Magic Technologies, Inc. | Pulse field assisted spin momentum transfer MRAM design |
US8730719B1 (en) * | 2010-12-03 | 2014-05-20 | Iii Holdings 1, Llc | MRAM with metal gate write conductors |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003045173A (ja) * | 2001-05-23 | 2003-02-14 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気ランダム・アクセス・メモリの選択線アーキテクチャ |
JP2003078112A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-14 | Sony Corp | 強磁性膜を用いた磁気デバイス及び磁気記録媒体並びに強誘電性膜を用いたデバイス |
JP2005510077A (ja) * | 2001-11-15 | 2005-04-14 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | ビット歩留を改善する非対称mramセル及びビット設計 |
JP2006108566A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5587943A (en) * | 1995-02-13 | 1996-12-24 | Integrated Microtransducer Electronics Corporation | Nonvolatile magnetoresistive memory with fully closed flux operation |
US6272040B1 (en) | 2000-09-29 | 2001-08-07 | Motorola, Inc. | System and method for programming a magnetoresistive memory device |
US6335890B1 (en) | 2000-11-01 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Segmented write line architecture for writing magnetic random access memories |
US6594191B2 (en) | 2001-12-13 | 2003-07-15 | Infineon Technologies Ag | Segmented write line architecture |
US6798691B1 (en) | 2002-03-07 | 2004-09-28 | Silicon Magnetic Systems | Asymmetric dot shape for increasing select-unselect margin in MRAM devices |
US7020015B1 (en) | 2002-10-03 | 2006-03-28 | Idaho Research Foundation, Inc. | Magnetic elements having unique shapes |
US6798690B1 (en) | 2004-01-10 | 2004-09-28 | Honeywell International Inc. | Magnetic switching with expanded hard-axis magnetization volume at magnetoresistive bit ends |
US7154798B2 (en) * | 2004-04-27 | 2006-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MRAM arrays and methods for writing and reading magnetic memory devices |
US7184302B2 (en) | 2005-03-30 | 2007-02-27 | Headway Technologies, Inc. | Highly efficient segmented word line MRAM array |
US7180769B2 (en) | 2005-04-12 | 2007-02-20 | Headway Technologies, Inc. | World line segment select transistor on word line current source side |
US7345911B2 (en) * | 2006-02-14 | 2008-03-18 | Magic Technologies, Inc. | Multi-state thermally assisted storage |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003045173A (ja) * | 2001-05-23 | 2003-02-14 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気ランダム・アクセス・メモリの選択線アーキテクチャ |
JP2003078112A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-14 | Sony Corp | 強磁性膜を用いた磁気デバイス及び磁気記録媒体並びに強誘電性膜を用いたデバイス |
JP2005510077A (ja) * | 2001-11-15 | 2005-04-14 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | ビット歩留を改善する非対称mramセル及びビット設計 |
JP2006108566A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子 |
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