JP2008270717A - ダイボンディング用樹脂ペースト組成物、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】比較的低い温度で半導体チップを接着する必要がある支持部材に対して、印刷法によって容易に供給・塗布でき、良好な接着強度を有し、かつＢステージ化する際の硬化性のばらつきが小さいダイボンディング用樹脂ペースト組成物を提供する
【解決手段】（Ａ）エポキシ化ポリブタジエンゴム、（Ｂ）熱硬化性樹脂及び（Ｃ）フィラーを含有してなるダイボンディング用樹脂ペースト組成物。
【選択図】なし

Description

本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子とリードフレームや絶縁性支持基板等の支持部材との接合材料（ダイボンディング材）として用いられるダイボンディング用樹脂ペースト組成物、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関するものである。

ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子とリードフレームとの接合材料として、従来から、Ａｕ−Ｓｉ共晶合金、半田あるいは銀ペースト等が知られている。また、本出願人は、特定のポリイミド樹脂を用いたダイボンディング用接着フィルム、特定のポリイミド樹脂に導電性フィラーもしくは無機物質フィラーを加えたダイボンディング用接着フィルムを先に提案している（特許文献１〜３参照）。

上記Ａｕ−Ｓｉ共晶合金は、耐熱性及び耐湿性は高いが、弾性率が大きいために大型チップへ適用した場合に割れやすく、また、高価であるという難点もある。半田は安価であるものの、耐熱性が劣り、その弾性率はＡｕ−Ｓｉ共晶合金と同様に高く、大型チップへの適用は難しい。銀ペーストは、安価で、耐湿性が高く、弾性率はこれらの中では最も低く、３５０℃の熱圧着型ワイヤボンダーに適用できる耐熱性もあるので、現在はダイボンディング材の主流である。しかし、ＩＣやＬＳＩの高集積化が進み、それに伴ってチップが大型化していくなかで、ＩＣやＬＳＩとリードフレームとを銀ペーストで接合しようとすると、これをチップ全面に広げて塗布しなければならず、それには困難を伴う。本出願人が先に提案したダイボンディング用接着フィルムは、比較的低温で接着でき、かつ良好な熱時接着力をもつためダイボンド用として４２アロイリードフレームに好適に使用できる。

しかし、近年のパッケージの小型・軽量化に伴い、比較的低い温度で貼り付ける必要のある絶縁性支持基板の使用が広範になっており、また、製造コストの低減を目的として、印刷法によりダイボンディング材を形成できる印刷型ペースト状接着剤が注目されている。

本出願人は、印刷法によりダイボンディング材を形成できる印刷型ペースト状接着剤を先に提案している（特許文献４参照）。
特開平０７−２２８６９７号公報 特開平０６−１４５６３９号公報 特開平０６−２６４０３５号公報 特開２００６−３２９３６号公報

本出願人が先に提案したダイボンディング用樹脂ペーストは、耐熱性があり、扱いやすく、低応力性及び低温接着性に優れている。また、フィルム状接着剤に比べ基板に対する密着性が向上するため、パッケージ信頼性が高まる。しかし、比較的速く硬化することから、樹脂をＢステージ化する際に硬化性のばらつきが大きく、作業性に劣るといった問題点があった。ここでＢステージとは、若干硬化が進んだ状態であり、全硬化発熱量の５〜９５％の発熱を終えた状態である。このＢステージ化する際の硬化性のばらつきとは、複数枚の基板を大型オーブン中でＢステージ化する場合、オーブン内の温度は場所により±５℃程度の差が生じ不均一であるため、各基板の樹脂の硬化の度合いが一様でなくなることを言い、この硬化性のばらつきにより半導体チップを搭載する工程に支障が出る可能性がある。
本発明の課題は、比較的低い温度で半導体チップを接着する必要がある支持部材に対して、印刷法によって容易に供給・塗布でき、良好な接着強度を有し、かつＢステージ化する際の硬化性のばらつきが小さいダイボンディング用樹脂ペースト組成物を提供することにある。また、本発明の課題は、該樹脂ペースト組成物を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。

本発明は、（１）（Ａ）エポキシ化ポリブタジエンゴム、（Ｂ）熱硬化性樹脂及び（Ｃ）フィラーを含有してなるダイボンディング用樹脂ペースト組成物に関する。

また、本発明は、（２）前記（Ｂ）熱硬化性樹脂が、常温で固形状のエポキシ樹脂である前記（１）に記載のダイボンディング用樹脂ペースト組成物に関する。

また、本発明は、（３）前記（Ｃ）フィラーが、非導電性フィラーを含有してなる前記（１）または（２）に記載のダイボンディング用樹脂ペースト組成物に関する。

また、本発明は、（４）前記無機物質フィラーが、シリカフィラーを含有してなる前記（３）記載のダイボンディング用樹脂ペースト組成物に関する。

また、本発明は、（５）（１）支持部材上に前記（１）〜（４）のいずれか１項に記載のダイボンディング用樹脂ペースト組成物を塗布する工程、（２）前記樹脂ペースト組成物を乾燥して樹脂をＢステージ化する工程、（３）前記Ｂステージ化した樹脂に半導体チップを搭載する工程を含む、半導体装置の製造方法に関する。

また、本発明は、（６）（１）支持部材上に前記（１）〜（４）のいずれか１項に記載のダイボンディング用樹脂ペースト組成物を塗布する工程、（２）前記樹脂ペースト組成物を乾燥して樹脂をＢステージ化する工程、（３）前記Ｂステージ化した樹脂に半導体チップを搭載する工程、（４）前記樹脂を硬化する工程を含む、半導体装置の製造方法に関する。

また、本発明は、（７）前記（１）〜（４）のいずれか１項に記載のダイボンディング用樹脂ペースト組成物を用いて製造された半導体装置に関する。

本発明によれば、Ｂステージ化する際の硬化性のばらつきが小さく、一定条件でのダイボンディングが可能な作業性に優れたダイボンディング用樹脂ペースト組成物を提供できる。また、本発明によれば、印刷法によって容易に供給・塗布でき、耐熱性があり、扱いやすく、低温接着性に優れたダイボンディング用樹脂ペースト組成物を提供できる。

本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物は、（Ａ）エポキシ化ポリブタジエンゴム、（Ｂ）熱硬化性樹脂及び（Ｃ）フィラーを含有してなる。

（Ａ）エポキシ化ポリブタジエンゴム
本発明で用いる（Ａ）エポキシ化ポリブタジエンは特に制限はないが、エポキシ当量が１０００（ｇ／ｅｑ）以下のものが好ましく、５０〜５００（ｇ／ｅｑ）のものがより好ましい。前記エポキシ当量が１０００（ｇ／ｅｑ）を超える場合は、樹脂ペースト組成物の硬化性が低下する可能性がある。なお、エポキシ当量は過塩素酸法により求めたものである。また、エポキシ化ポリブタジエンは、室温（２５℃）での粘度が１０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、５〜１００Ｐａ・ｓであることがより好ましい。前記粘度が１０００Ｐａ・ｓを超える場合は樹脂ペースト組成物の粘度も高まり、印刷作業性が低下する可能性がある。かかるエポキシ化ポリブタジエンの市販品としては、例えば、Ｅ−１０００−８（新日本石油化学株式会社、商品名）、ＰＢ−４７００（ダイセル化学工業株式会社、商品名）、ＮＩＳＳＯ−ＰＢ−ＥＰＢ−１３（日本曹達株式会社、商品名）などが挙げられる。これらのエポキシ化ポリブタジエンは単独で又は二種類以上を組み合わせて用いることができる。
（Ｂ）熱硬化性樹脂
本発明で用いる（Ｂ）熱硬化性樹脂として好ましいものは、エポキシ樹脂であり、該エポキシ樹脂と、フェノール樹脂または分子中にフェノール性水酸基を有する化合物と、硬化促進剤とを含有する樹脂混合物として用いてもよい。

エポキシ樹脂としては、分子内に少なくとも２個のエポキシ基を含むものが好ましく、硬化性や硬化物特性の点から、フェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂がより好ましい。このような樹脂としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＦ、又はハロゲン化ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンの縮合物、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡノボラック樹脂のグリシジルエーテル等が挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて用いることができる。また、エポキシ樹脂としては、ペースト硬化時のアウトガス低減の点から、常温で固形状のエポキシ樹脂がより好ましい。市販品としては、エピコート１００１、１００４、１８０Ｈ６５（以上、ジャパンエポキシレジン社製、商品名）、ＹＤＣＮ−７０１Ｓ、ＹＤＣＮ−７０２、ＹＤＦ−２００１（以上、東都化成社製、商品名）、ＤＥＮ４３８，ＱＵＡＴＲＥＸ２０１０（以上、ダウ・ケミカル日本社製、商品名）等を挙げることができる。

本発明の一実施形態として、常温で固形状のエポキシ樹脂を用いる場合の配合量は、前記（Ａ）エポキシ化ポリブタジエン１００重量部に対し、好ましくは３００重量部以下、より好ましくは２００重量部以下とする。前記エポキシ樹脂の配合量が３００重量部を超えると、樹脂ペースト組成物の保管安定性が低下する傾向にある。

フェノール樹脂は、分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ポリ−ｐ−ビニルフェノール、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて用いることができる。
フェノール樹脂または分子中にフェノール性水酸基を有する化合物の配合量は、常温で固形状のエポキシ樹脂１００重量部に対して、好ましくは０〜１５０重量部、より好ましくは０〜１２０重量部である。前記フェノール樹脂または分子中にフェノール性水酸基を有する化合物の配合量が１５０重量部を超えると、硬化性が不十分となる可能性がある。

また、エポキシ樹脂の硬化を促進するために、硬化促進剤を用いても良い。硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等が用いられる。これらは、２種以上を併用してもよい。

硬化促進剤の配合量は、常温で固形状のエポキシ樹脂１００重量部に対し、好ましくは０〜５０重量部、より好ましくは０〜２０重量部である。前記硬化促進剤の配合量が５０重量部を超えると、樹脂ペースト組成物の保管安定性が低下する傾向にある。

本発明では（Ｂ）熱硬化性樹脂として、１分子中に少なくとも２個の熱硬化性イミド基を有するイミド化合物を使用することもできる。そのような化合物の例としては、オルトビスマレイミドベンゼン、メタビスマレイミドベンゼン、パラビスマレイミドベンゼン、１，４−ビス（ｐ−マレイミドクミル）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−マレイミドクミル）ベンゼンのほか、下記の式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表されるイミド化合物等がある。

〔式中、Ｘ又はＹは、Ｏ、ＣＨ_２、ＣＦ_２、ＳＯ_２、Ｓ、ＣＯ、Ｃ（ＣＨ_３）_２又はＣ（ＣＦ_３）_２を示し、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_７及びＲ_８は、それぞれ独立に水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ素、塩素又は臭素を示し、Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示し、ｍは０〜４の整数を示す。〕
イミド化合物を用いる場合の配合量は、（Ａ）エポキシ化ポリブタジエン１００重量部に対して、好ましくは０〜２００重量部、より好ましくは０〜１００重量部である。前記イミド化合物の配合量が２００重量部を超えると樹脂ペースト組成物の保管安定性が低下する傾向にある。

式（Ｉ）のイミド化合物としては、例えば、４，４−ビスマレイミドジフェニルエーテル、４，４−ビスマレイミドジフェニルメタン、４，４−ビスマレイミド−３，３’−ジメチル−ジフェニルメタン、４，４−ビスマレイミドジフェニルスルホン、４，４−ビスマレイミドジフェニルスルフィド、４，４−ビスマレイミドジフェニルケトン、２，２’−ビス（４−マレイミドフェニル）プロパン、４，４−ビスマレイミドジフェニルフルオロメタン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−マレイミドフェニル）プロパン等が挙げられる。

式（ＩＩ）のイミド化合物としては、例えば、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕メタン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕フルオロメタン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕ケトン、２，２−ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン等が挙げられる。

これらイミド化合物の硬化を促進するため、ラジカル重合剤を使用してもよい。ラジカル重合剤としては、アセチルシクロヘキシルスルホニルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。ラジカル重合剤の配合量は、イミド化合物１００重量部に対して概ね０．０１〜１．０重量部が好ましい。

（Ｃ）フィラー
本発明で用いる（Ｃ）フィラーとしては、非導電性フィラーが好ましい。非導電性フィラーとしては、特に制限はなく、各種のものを用いることができ、例えば、シリカ、アルミナ、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等が挙げられる。これらの非導電性フィラーは、本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物に低熱膨張性、低吸湿率、チキソトロピー性を付与する。また導電性フィラーに比べ、パッケージの耐マイグレーション性に優れる。前記非導電性フィラーはシリカを含有していることが好ましく、シリカとしては例えば、アエロジル５０、３８０、Ｒ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７２ＣＦ、Ｒ９７４、ＲＸ２００、ＲＹ２００、Ｒ８０５（いずれも日本アエロジル株式会社、商品名）などが挙げられる。これらのシリカは、特にチキソトロピー性の付与に優れ、印刷性を向上させることができる。前記非導電性フィラーは２種以上を混合して用いることもできる。

また、半導体装置の電気的信頼性を向上させるフィラーとして、無機イオン交換体を加えても良い。樹脂ペースト組成物の硬化物を熱水中で抽出したとき、水溶液中に抽出されるイオン、例えば、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｃｌ⁻、Ｆ⁻、ＲＣＯＯ⁻、Ｂｒ⁻等のイオン捕捉作用が認められるものが有効である。このようなイオン交換体としては、天然に産出されるゼオライト、沸石類、酸性白土、白雲石、ハイドロタルサイト類などの天然鉱物、人工的に合成された合成ゼオライトなどが例示される。

（Ｃ）フィラーの配合量は、ダイボンディング用樹脂ペースト組成物の樹脂固形分の総量１００重量部に対して、好ましくは１〜１００重量部、より好ましくは２〜５０重量部である。前記フィラーの配合量が１重量部未満では、樹脂ペースト組成物に十分なチキソトロピー性（チキソトロピー指数：１．５以上）を付与しにくい。前記フィラーの配合量が１００重量部を超える場合は、接着性が低下する可能性があり、更に硬化物の弾性率が高くなり、その結果、ダイボンディング材の応力緩和能が低くなり半導体装置の実装信頼性が低下する場合がある。

本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物には、必要に応じてアクリロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ウレタンアクリレート等の靭性改良材、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の吸湿剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、酸無水物等の接着力向上剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤等の濡れ向上剤、シリコーン油等の消泡剤や、ペースト形状を保持させるためのスペーサーフィラー、スペーサー樹脂等を適宜添加することができる。

また、本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物には、必要に応じ溶剤を添加することもできる。溶剤を添加することにより、ペーストの粘度を容易に調整でき、印刷性のよいペーストを作製することができる。溶剤としては、（Ｃ）フィラーを均一に混練又は分散できる溶剤のなかから選ぶことが好ましい。印刷時の溶剤の揮散防止を考えると、沸点１００℃以上の溶剤を選ぶことが好ましい。

溶剤としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、２−（２−メトキシエトキシ）エタノール、γ―ブチロラクトン、イソホロン、カルビトール、カルビトールアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、酢酸２−（２−ブトキシエトキシ）エチル、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン、アニソールのほかに、印刷用インキの溶剤として使われる石油蒸留物を主体とした溶剤などが挙げられる。これらは２種類以上を混合して用いてもよい。

本発明におけるダイボンディング用樹脂ペースト組成物は、（Ａ）エポキシ化ポリブタジエンゴム、（Ｂ）熱硬化性樹脂および（Ｃ）フィラーを必要に応じて用いられる各種添加剤とともに、一括または分割して撹拌器、らいかい器、３本ロール、プラネタリーミキサー等の分散・溶解装置を適宜組み合わせ、必要に応じて加熱して、混合、溶解、解粒混練または分散して各成分が均一なペースト状とすればよい。

ダイボンディング用樹脂ペースト組成物の２５℃における粘度は、５〜１０００Ｐａ・ｓであることが好ましく、５〜５００Ｐａ・ｓであることがより好ましい。ダイボンディング用樹脂ペースト組成物の粘度は、印刷法の種類により適宜調整することが好ましく、例えば、スクリーンメッシュ版等のようにマスク開口部にメッシュ等が張ってある場合は、メッシュ部の抜け性を考慮して５〜２００Ｐａ・ｓの範囲であることが好ましく、ステンシル版等の場合は２０〜５００Ｐａ・ｓの範囲に調整されていることが好ましい。前記ダイボンディング用樹脂ペースト組成物の粘度が５Ｐａ・ｓ未満、あるいは１０００Ｐａ・ｓを超えると、印刷作業性が低下する傾向にある。上記粘度はＥ型回転粘度計を用いて、２５℃で、回転数０．５ｒｐｍで測定したときの値とする。

本発明の半導体装置の製造方法は、（１）支持部材上に本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物を塗布する工程、（２）前記樹脂ペースト組成物を乾燥して樹脂をＢステージ化する工程、（３）前記Ｂステージ化した樹脂に半導体チップを搭載する工程を含むものである。

前記（１）の工程では、本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物を、４２アロイリードフレームや銅リードフレーム等のリードフレーム；又は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂等のプラスチックフィルム；更には、ガラス不織布等の基材にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂等のプラスチックを含浸・硬化させたもの；あるいは、アルミナ等のセラミックス製の支持部材（板状）等に、印刷法によって供給・塗布する。次いで、（２）の工程で、樹脂ペースト組成物を加熱または光照射等により樹脂を乾燥半硬化させる（Ｂステージ化する）。それによりＢステージ化した樹脂付き支持部材が得られる。その後、（３）の工程で、Ｂステージ化した樹脂に、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップを接着し、必要に応じて加熱させて支持部材に搭載する。

その後、前記樹脂は実装信頼性に影響がない範囲で封止材の硬化工程により硬化させてもよいが、封止材の硬化工程の前に樹脂を硬化させる方がより好ましい。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、（１）支持部材上に本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物を塗布する工程、（２）前記樹脂ペースト組成物を乾燥して樹脂をＢステージ化する工程、（３）前記Ｂステージ化した樹脂に半導体チップを搭載する工程、（４）前記樹脂を硬化する工程を含むものである。

本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物は、比較的低い温度で樹脂を硬化することが可能である。かかる樹脂の硬化温度は、好ましくは１４０〜２００℃、より好ましくは１５０〜１８０℃である。前記樹脂の硬化温度が１４０℃未満では硬化性が低下し、実装信頼性に影響を及ぼす可能性があり、２００℃を超えると、樹脂ペースト組成物にかかる応力が高まり、実装信頼性に影響を及ぼす可能性がある。また、硬化時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは３０分〜５時間である。

本発明の半導体装置は、本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物を用いて製造されたものであれば特にその構造に制限はなく、例えば、半導体チップと支持部材とを接着している本発明のダイボンディン用樹脂ペースト組成物を含有する半導体装置が挙げられる。

以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれによって制限されるものではない。

実施例１〜４、比較例１〜２
実施例１〜４及び比較例１〜２のいずれも、あらかじめエポキシ樹脂（ＹＤＣＮ−７０２）１１重量部及びフェノール樹脂（Ｈ−１）８重量部のカルビトールアセテート（２９重量部）溶液（熱硬化性樹脂の固形分の濃度は約４０重量％）を用意しておき、表１に示す割合で各成分と共にらいかい機に入れ、混練した後、５Ｔｏｒｒ以下で１時間脱泡混練を行い、ダイボンディング用樹脂ペースト組成物を得た。

これらダイボンディング用樹脂ペースト組成物の特性（粘度、揺変度、濡れ広がりの差、熱時ダイシェア強度）を下記に示す方法で調べた。その結果を表１に示す。なお、表１中の配合の単位は重量％である。

（１）粘度
ダイボンディング用樹脂ペースト組成物をトキメック社製Ｅ型粘度計で直径１９．４ｍｍ，３°コーンを用いて２５℃における粘度（回転数０．５ｒｐｍ）を測定した。

（２）揺変度
上記粘度計を用いて各回転数での粘度を測定し、下記式により求めた。

揺変度＝（回転数０．５ｒｐｍでの粘度）／（回転数５ｒｐｍでの粘度）
（３）チップ貼り付け時の濡れ広がりの差（硬化性のばらつきの評価）
ダイボンディング用樹脂ペースト組成物を有機基板上に図１のとおり２ｍｍ間隔で２枚印刷した（（Ａ）３ｍｍ×（Ｂ）１０ｍｍ）。１枚は１２０℃、もう１枚は１３０℃で１１０分間、オーブンで加熱して樹脂をＢステージ化し、Ｂステージ化後の（Ａ）の部分の寸法（１２０℃の場合をＸ１_{（１２０℃）}、１３０℃の場合をＸ１_{（１３０℃）}）を万能顕微鏡にて測定した。実施例１〜４は１４０℃、３ｋｇｆ、１秒、比較例１〜２は６０℃、５ｋｇｆ、１秒の条件で１０ｍｍ×１２ｍｍのガラスチップ（厚さ０．５ｍｍ）を貼り付けた後、（Ａ）の部分の寸法（１２０℃の場合をＸ２_{（１２０℃）}、１３０℃の場合をＸ２_{（１３０℃）}）を再度万能顕微鏡にて測定した。

１２０℃と１３０℃の加熱による濡れ広がり（Ｘ３）を以下により求めた。

１２０℃の場合：Ｘ３_{（１２０℃）}＝Ｘ２_{（１２０℃）}−Ｘ１_{（１２０℃）}
１３０℃の場合：Ｘ３_{（１３０℃）}＝Ｘ２_{（１３０℃）}−Ｘ１_{（１３０℃）}
前記１２０℃と１３０℃の加熱による濡れ広がりの差（Ｘ４）、すなわちＸ３_{（１２０℃）}−Ｘ３_{（１３０℃）}を濡れ広がりの差（Ｘ４）とし、硬化性のばらつきの指標とした。

濡れ広がりの差（Ｘ４）が小さければ、硬化性のばらつきは小さく、逆に濡れ広がりの差（Ｘ４）が大きければ、硬化性のばらつきは大きいと考えられる。
（４）熱時ダイシェア強度：ダイボンディング用樹脂ペースト組成物を８×１０ｍｍの４２アロイのリードフレーム上に８ｍｍ×１０ｍｍの大きさで印刷し、１４０℃のオーブンで５０分加熱し、樹脂をＢステージ化させた。Ｂステージ化した樹脂上に５ｍｍ×５ｍｍのシリコンチップ（厚さ０．４ｍｍ）を、１５０℃、１ｋｇｆ、１秒の条件で貼り付けた。その後、１８０℃のオーブンで１時間硬化させた。これを、自動接着力試験機（デイジ社製：ＢＴ−４０００）を用い、２５０℃における剪断強さ（ｋｇｆ／チップ）を測定した。

なお、表１において、種々の記号は下記の意味である。

ＣＴＢＮ−１３００Ｘ８：宇部興産株式会社製、カルボキシ末端アクリロニトリルブタジエン共重合体
ＰＢ−４７００：ダイセル化学株式会社製、エポキシ化ポリブタジエン、エポキシ当量１５２．４〜１７７．８（ｇ/ｅｑ）、粘度（２５℃）５〜１０Ｐａ・ｓ
ＹＤＣＮ−７０２：東都化成株式会社製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２２０（ｇ/ｅｑ）
Ｈ−１：明和化成株式会社製、フェノールノボラック樹脂、水酸基当量１０６
２Ｐ４ＭＨＺ：四国化成工業株式会社製、キュアゾール
ＡＥＲＯＳＩＬ５０：日本アエロジル株式会社製、シリカフィラー
ＡＥＲＯＳＩＬ３８０：日本アエロジル株式会社製、シリカフィラー
表１の結果から、本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物を用いた実施例１〜４は、従来のゴム成分を用いた樹脂ペースト組成物を用いた比較例１〜２に比較して濡れ広がりの差を大幅に小さくすることができ、さらに良好な熱時ダイシェア強度を維持していた。このことから、本発明により、Ｂステージ化の硬化性のばらつきが減り、一定条件でのダイボンディングが可能となり、作業性を飛躍的に向上させることができるダイボンディング用樹脂ペースト組成物を提供できることが確認された。

チップ貼り付け時の濡れ広がりの差を測定する方法を示す模式図である。

Claims (7)

1. （Ａ）エポキシ化ポリブタジエンゴム、（Ｂ）熱硬化性樹脂及び（Ｃ）フィラーを含有してなるダイボンディング用樹脂ペースト組成物。
2. 前記（Ｂ）熱硬化性樹脂が、常温で固形状のエポキシ樹脂である請求項１に記載のダイボンディング用樹脂ペースト組成物。
3. 前記（Ｃ）フィラーが、非導電性フィラーを含有してなる請求項１または２に記載のダイボンディング用樹脂ペースト組成物。
4. 前記非導電性フィラーが、シリカフィラーを含有してなる請求項３記載のダイボンディング用樹脂ペースト組成物。
5. （１）支持部材上に請求項１〜４のいずれか１項に記載のダイボンディング用樹脂ペースト組成物を塗布する工程、（２）前記樹脂ペースト組成物を乾燥して樹脂をＢステージ化する工程、（３）前記Ｂステージ化した樹脂に半導体チップを搭載する工程を含む、半導体装置の製造方法。
6. （１）支持部材上に請求項１〜４のいずれか１項に記載のダイボンディング用樹脂ペースト組成物を塗布する工程、（２）前記樹脂ペースト組成物を乾燥して樹脂をＢステージ化する工程、（３）前記Ｂステージ化した樹脂に半導体チップを搭載する工程、（４）前記樹脂を硬化する工程を含む、半導体装置の製造方法。
7. 請求項１〜４のいずれか１項に記載のダイボンディング用樹脂ペースト組成物を用いて製造された半導体装置。

Images