JP2008270511A - Electronic device - Google Patents

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Ryoichi Okuda
良一 奥田
Takeshi Ishikawa
岳史 石川
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    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To increase a heat radiation efficiency from an IC chip toward the other side of a substrate with an underfill material disposed therebetween in an electronic device having the IC chip flip-chip mounted on one surface of the substrate and also having the underfill material provided between the IC chip and the substrate. <P>SOLUTION: A projection 61 extruded from one surface of a substrate 20 toward one surface of an IC chip 10 is provided on one surface of the substrate 20 at the inner circumferential side than a bump 30, so that a spacing between one surface of the IC chip 10 and one surface of the substrate 20 is made smaller at the site of the projection 61 than that at a site of the other parts other than the projection 61, and a heat radiating member 60 having a thermal conductivity more excellent than the substrate 20 and an underfill material 40 is provided at a position of the substrate 20 corresponding to the projection 61 to be extended from one surface of the substrate 20 to the other surface thereof and to be passed through the substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、ＩＣチップを基板上にフリップチップ実装し、ＩＣチップと基板との間にアンダーフィル材を充填してなる電子装置に関する。   The present invention relates to an electronic device in which an IC chip is flip-chip mounted on a substrate and an underfill material is filled between the IC chip and the substrate.

従来よりこの種の電子装置としては、ＩＣチップの一面の周辺部にバンプを配置し、ＩＣチップの一面を基板の一面に対向させ、バンプを介してＩＣチップと基板とを接続してなる電子装置が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。   Conventionally, as this type of electronic device, bumps are arranged on the periphery of one surface of an IC chip, one surface of the IC chip is opposed to one surface of the substrate, and the IC chip and the substrate are connected via the bumps. An apparatus has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

このものにおいては、基板には一面から他面へ貫通する放熱用のビアが形成されており、ＩＣチップからの熱は、大気への放熱に加えて、バンプから上記放熱用のビアを通じて基板の他面側へ放熱するようにしている。
特開２００４−５５６７０号公報 In this structure, a heat radiating via penetrating from one surface to the other surface is formed on the substrate, and heat from the IC chip is not only released to the atmosphere but also from the bump through the heat radiating via. Heat is dissipated to the other side.
JP 2004-55670 A

しかしながら、上記した従来のものでは、基板の他面側への放熱経路としてＩＣチップのバンプを経由しているが、放熱経路としてのバンプの面積は、チップの面積に比べて小さい。また、通常、バンプはＩＣチップの周辺部に配置されているため、チップ中央付近での発熱に対して効率が悪い。   However, in the above-described conventional device, the bumps of the IC chip are routed as the heat radiation path to the other side of the substrate, but the area of the bumps as the heat radiation path is smaller than the area of the chip. In addition, since the bumps are usually arranged in the peripheral part of the IC chip, the efficiency against heat generation near the center of the chip is poor.

また、上記従来のものでは、放熱用のビアをチップ直下に設けているが、ＩＣチップと基板との間隙には空気層があり、ＩＣチップから基板への主たる放熱はバンプ経由である。ここで、従来一般に行われているように、ＩＣチップと基板との間隙にアンダーフィル材を充填した場合でも、アンダーフィル材を構成する樹脂の熱伝導率が小さいため、アンダーフィル材を介しての放熱は少ない。   Further, in the conventional device, a heat radiating via is provided directly under the chip, but there is an air layer in the gap between the IC chip and the substrate, and main heat radiation from the IC chip to the substrate is via bumps. Here, as is generally done conventionally, even when the gap between the IC chip and the substrate is filled with an underfill material, the thermal conductivity of the resin constituting the underfill material is small, so There is little heat dissipation.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ＩＣチップを基板の一面上にフリップチップ実装し、ＩＣチップと基板との間にアンダーフィル材を充填してなる電子装置において、ＩＣチップからアンダーフィル材を介した基板の他面側への放熱性を向上させることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and in an electronic device in which an IC chip is flip-chip mounted on one surface of a substrate and an underfill material is filled between the IC chip and the substrate, the IC chip It aims at improving the heat dissipation from the other surface side of a board | substrate through an underfill material.

上記目的を達成するため、本発明は、バンプ（３０）よりも内周側においてＩＣチップ（１０）の一面および基板（２０）の一面の少なくとも一方に、当該少なくとも一方側から相手側へ向かって突出する突出部（６１、８０）を設けることにより、ＩＣチップ（１０）の一面と基板（２０）の一面との間隔を、突出部（６１、８０）が位置する部位では、突出部（６１、８０）以外の部位よりも狭くなるようにし、基板（２０）のうち突出部（６１、８０）に対応した位置に、基板（２０）およびアンダーフィル材（４０）よりも熱伝導性に優れた放熱部材（６０、９０）を、基板（２０）の一面から他面へ貫通して設けたことを特徴とする。   In order to achieve the above object, according to the present invention, at least one of the one surface of the IC chip (10) and the one surface of the substrate (20) on the inner peripheral side from the bump (30) is directed from the at least one side to the other side. By providing the projecting portions (61, 80) that project, the distance between one surface of the IC chip (10) and one surface of the substrate (20) is set at a position where the projecting portions (61, 80) are located. , 80) is narrower than portions other than the substrate (20), and is superior in thermal conductivity to the substrate (20) and the underfill material (40) at the position corresponding to the protrusions (61, 80) in the substrate (20). The heat dissipation member (60, 90) is provided so as to penetrate from one surface of the substrate (20) to the other surface.

それによれば、突出部（６１、８０）が位置する部位では、それ以外の部位に比べて、アンダーフィル材（４０）が薄くなることで、当該薄い部位にてアンダーフィル材（４０）の熱伝導性が大きくなる。そして、ＩＣチップ（１０）からの熱は、この薄い部位から放熱部材（６０、９０）を介して基板（２０）の他面側に放熱されるため、ＩＣチップ（１０）からアンダーフィル材（４０）を介した基板（２０）の他面側への放熱性を向上させることができる。   According to this, the underfill material (40) is thinner in the portion where the protrusions (61, 80) are located than in the other portions, so that the heat of the underfill material (40) is reduced in the thin portion. Increases conductivity. And since the heat | fever from IC chip (10) is radiated | emitted from the thin site | part to the other surface side of a board | substrate (20) via a heat radiating member (60, 90), an underfill material ( The heat dissipation to the other surface side of the substrate (20) through 40) can be improved.

ここで、突出部（６１）を基板（２０）の一面に設けた場合においては、放熱部材（６０）の一部を基板（２０）の一面側にて当該一面より突出させ、この放熱部材（６０）における突出した部位を、突出部（６１）として構成したものにできる（後述の図１〜図７参照）。   Here, when the protrusion (61) is provided on one surface of the substrate (20), a part of the heat radiating member (60) is protruded from the one surface on the one surface side of the substrate (20). The projecting part in 60) can be configured as a projecting part (61) (see FIGS. 1 to 7 described later).

さらに、この場合、ＩＣチップ（１０）の一面と突出部（６１）との間に、これら両者を熱的に接続するとともにアンダーフィル材（４０）よりも熱伝導性に優れた熱接続部材（７０）を、介在させてもよい（後述の図３、図４等参照）。それによれば、この熱接続部材（７０）を介した放熱により放熱性の向上が見込まれる。   Furthermore, in this case, between the one surface of the IC chip (10) and the protruding portion (61), both of them are thermally connected and the thermal connection member (which has better thermal conductivity than the underfill material (40)) ( 70) may be interposed (see FIG. 3, FIG. 4 etc. described later). According to this, the heat dissipation is expected to be improved by the heat dissipation through the heat connecting member (70).

また、この場合、基板（２０）の一面から他面へ貫通するとともに当該一面から他面へ広がるテーパ状の貫通孔（２２）を設け、放熱部材（６０）を、貫通孔（２２）に倣ったテーパ形状の部位を有するとともに、当該テーパ形状の部位にて貫通孔（２２）に嵌合されたものとしてもよい（後述の図７参照）。それによれば、基板（２０）に対して、放熱部材（６０）を嵌合により容易に取り付けることが可能となる。   Further, in this case, a tapered through hole (22) extending from one surface to the other surface of the substrate (20) and extending from the one surface to the other surface is provided, and the heat dissipation member (60) is imitated by the through hole (22). It is good also as what was fitted to the through-hole (22) in the said taper-shaped site | part (refer FIG. 7 mentioned later). According to this, it becomes possible to easily attach the heat radiating member (60) to the substrate (20) by fitting.

また、突出部としては、アンダーフィル材（４０）よりも熱伝導性の高い樹脂よりなるものであって、ＩＣチップ（１０）の一面および基板（２０）の一の少なくとも一方に設けられた樹脂部材（８０）であるものにできる（後述の図８、図９、図１０参照）。   Moreover, as a protrusion part, it consists of resin with higher heat conductivity than an underfill material (40), Comprising: Resin provided in at least one of the one surface of IC chip (10), and a board | substrate (20) It can be a member (80) (see FIGS. 8, 9, and 10 to be described later).

また、この場合においても、ＩＣチップ（１０）の一面および基板（２０）の一面のうち樹脂部材（８０）が設けられていない方の面と樹脂部材（８０）との間に、これら両者を熱的に接続するとともにアンダーフィル材（４０）よりも熱伝導性に優れた熱接続部材（７０）を介在させれば、この熱接続部材（７０）を介した放熱により放熱性の向上が見込まれる。   Also in this case, both of the one surface of the IC chip (10) and one surface of the substrate (20) between the surface where the resin member (80) is not provided and the resin member (80) If a thermal connection member (70) that is thermally connected and has a thermal conductivity superior to that of the underfill material (40) is interposed, heat dissipation is expected to be improved by heat dissipation through the thermal connection member (70). It is.

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description.

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るフリップチップ実装構造体としての電子装置１００の概略断面構成を示す図であり、図２は、図１中の上方から同電子装置１００を見たときの概略平面構成を示す図である。なお、図２では、アンダーフィル材４０を省略するとともに、ＩＣチップ１０の外形を破線で示して、ＩＣチップ１０よりも下方に位置する構成要素を透過して示してある。 (First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an electronic device 100 as a flip chip mounting structure according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view of the electronic device 100 from above in FIG. It is a figure which shows a schematic planar structure at the time. In FIG. 2, the underfill material 40 is omitted, and the outer shape of the IC chip 10 is indicated by a broken line, and components positioned below the IC chip 10 are shown in a transparent manner.

この電子装置１００は、大きくは、ＩＣチップ１０と基板２０とがバンプ３０を介して電気的に接合され、ＩＣチップ１０と基板２０との隙間に樹脂よりなる樹脂部材としてのアンダーフィル材４０が充填されてなる。   In this electronic apparatus 100, the IC chip 10 and the substrate 20 are electrically joined through bumps 30, and an underfill material 40 as a resin member made of resin is formed in the gap between the IC chip 10 and the substrate 20. Filled.

ＩＣチップ１０は、フリップチップ実装を行えるものであるならば特に限定するものではないが、具体的には、一般的なシリコン半導体チップにトランジスタ素子などを形成してなるＩＣチップなどである。   The IC chip 10 is not particularly limited as long as it can be flip-chip mounted. Specifically, the IC chip 10 is an IC chip formed by forming a transistor element or the like on a general silicon semiconductor chip.

このＩＣチップ１０の一面（図１中の下面）には、複数個のバンプ３０が接続されている。このバンプ３０は、フリップチップに適用される一般的なものであり、たとえばＡｕやＣｕなどよりなる。ここで、複数個のバンプ３０は、ＩＣチップ１０の一面の周辺部に環状に配置されている。   A plurality of bumps 30 are connected to one surface (the lower surface in FIG. 1) of the IC chip 10. This bump 30 is a general thing applied to a flip chip, for example, consists of Au, Cu, etc. Here, the plurality of bumps 30 are annularly arranged on the periphery of one surface of the IC chip 10.

また、バンプ３０の形成についても、一般的な方法により行える。たとえば、バンプ３０は、ウエハプロセスにて形成されたワイヤボンド用パッドへのボンダーによるスタッドバンプ、あるいは、めっきによって形成されたＡｕやＣｕなどの金属めっき、あるいは、はんだバンプなどである。   The bumps 30 can also be formed by a general method. For example, the bump 30 is a stud bump by a bonder to a wire bonding pad formed by a wafer process, a metal plating such as Au or Cu formed by plating, or a solder bump.

基板２０は、同じくフリップチップ実装が可能なものであるならば、各種の電子回路基板を適用できる。ここでは、基板２０は、ガラエポ等の樹脂にＣｕ箔で配線２１をパターニングしたプリント配線基板である。なお、それ以外にも、基板２０としては、たとえば、アルミナ配線基板などのセラミック基板が挙げられる。   Various electronic circuit boards can be applied to the substrate 20 as long as flip-chip mounting is possible. Here, the board | substrate 20 is a printed wiring board which patterned the wiring 21 with Cu foil in resin, such as glass epoxy. In addition, as the substrate 20, for example, a ceramic substrate such as an alumina wiring substrate can be used.

この基板２０の配線２１は、基板２０の一面（図１中の上面）および他面（図１中の下面）、さらに基板２０の内部に設けられている。この配線２１は、この種の基板において一般的に用いられるＣｕや厚膜導体など、各種の配線材料よりなる。   The wiring 21 of the substrate 20 is provided on one surface (upper surface in FIG. 1) and the other surface (lower surface in FIG. 1), and further inside the substrate 20. The wiring 21 is made of various wiring materials such as Cu and thick film conductors generally used in this type of substrate.

そして、ＩＣチップ１０の上記一面と基板２０の上記一面とが対向して、これらＩＣチップ１０および基板２０が配置されており、バンプ３０を介して、両者１０、２０が電気的・機械的に接合されている。ここで、バンプ３０は図示しないＩＣチップ１０の電極と基板２０の一面における配線２１とを接続している。   The one surface of the IC chip 10 and the one surface of the substrate 20 are opposed to each other, and the IC chip 10 and the substrate 20 are disposed. The bumps 30 are used to electrically and mechanically connect both the substrates 10 and 20. It is joined. Here, the bump 30 connects the electrode of the IC chip 10 (not shown) and the wiring 21 on one surface of the substrate 20.

そして、アンダーフィル材４０は、この種の電子装置に用いられるアンダーフィル材料よりなり、たとえばエポキシ樹脂などよりなる。ここでは、アンダーフィル材４０には、通常のものと同じくシリカなどの無機材料よりなるフィラーが含まれていてもよいが、全く含まれなくてもよい。   The underfill material 40 is made of an underfill material used in this type of electronic device, and is made of, for example, an epoxy resin. Here, the underfill material 40 may include a filler made of an inorganic material such as silica as in the normal case, but may not include at all.

このアンダーフィル材４０は、ＩＣチップ１０と基板２０との間にあってバンプ３０の接合部を保護する目的で設けられるものであり、ＩＣチップ１０を基板２０へ実装した後に両者の間に充填したり、あるいは、当該実装前に塗布あるいはシート状態で挿入するなどにより配置される。   This underfill material 40 is provided between the IC chip 10 and the substrate 20 for the purpose of protecting the joints of the bumps 30. After the IC chip 10 is mounted on the substrate 20, it is filled between the two. Alternatively, it is arranged by application or insertion in a sheet state before the mounting.

ここで、ＩＣチップ１０の基板２０への具体的な実装方法について、さらに述べておく。まず、アンダーフィル材４０を実装後に充填する場合には、バンプ３０と配線２１とを導電性接着剤やはんだ、あるいは熱圧着などにより接続し、その後、アンダーフィル材４０の充填を行う。   Here, a specific method for mounting the IC chip 10 on the substrate 20 will be further described. First, when filling the underfill material 40 after mounting, the bumps 30 and the wiring 21 are connected by a conductive adhesive, solder, or thermocompression bonding, and then the underfill material 40 is filled.

また、ＩＣチップ１０の実装前にアンダーフィル材４０を配置する場合には、アンダーフィル材４０を突き破ってバンプ３０と配線２１とを熱圧着させる方法（ＮＣＦ（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）法、ＮＣＰ（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）法、）や、アンダーフィル材４０内に導電粒子を分散させ、この導電粒子を介してのバンプ３０と配線２１とを熱圧着させる方法（ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）法、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）法）などが挙げられる。   Further, when the underfill material 40 is disposed before the IC chip 10 is mounted, a method in which the bump 30 and the wiring 21 are thermocompression bonded by breaking through the underfill material 40 (NCF (Non-Conductive Film) method, NCP ( Non-Conductive Paste method), or a method in which conductive particles are dispersed in the underfill material 40 and the bumps 30 and the wirings 21 are thermocompression-bonded via the conductive particles (ACF (Anisotropic Conductive Film) method, ACP). (Anisotropic Conductive Paste method).

このように、本実施形態の電子装置１００は、ＩＣチップ１０の一面の周辺部にバンプ３０を配置し、ＩＣチップ１０の一面を基板２０の一面に対向させ、バンプ３０を介してＩＣチップ１０と基板２０とを接続し、ＩＣチップ１０の一面と基板２０一面との間にアンダーフィル材４０を充填してなる。   As described above, in the electronic device 100 according to the present embodiment, the bump 30 is disposed on the peripheral portion of one surface of the IC chip 10, the one surface of the IC chip 10 is opposed to the one surface of the substrate 20, and the IC chip 10 is interposed via the bump 30. And the substrate 20 are connected, and an underfill material 40 is filled between one surface of the IC chip 10 and one surface of the substrate 20.

さらに、図１、図２に示されるように、基板２０のうちバンプ３０よりも内周の部位には、熱伝導性を有する放熱部材６０が基板２０の一面から他面へ貫通して設けられている。ここでは、基板２０の一面から他面へ貫通する貫通孔２２が設けられており、放熱部材６０は、この貫通孔２２に嵌合されて取り付けられている。   Further, as shown in FIG. 1 and FIG. 2, a heat radiating member 60 having thermal conductivity is provided penetrating from one surface of the substrate 20 to the other surface of the substrate 20 on the inner periphery side of the bumps 30. ing. Here, a through hole 22 that penetrates from one surface of the substrate 20 to the other surface is provided, and the heat radiating member 60 is fitted and attached to the through hole 22.

具体的に、放熱部材６０は、貫通孔２２に隙間無く挿入され、いわゆる圧入により固定されている。なお、放熱部材６０と貫通孔２２との固定は、このような圧入でもよいが、放熱部材６０と貫通孔２２との間に隙間が無いものであればよく、両者は接着などにより固定されていてもよい。   Specifically, the heat radiating member 60 is inserted into the through hole 22 without a gap and is fixed by so-called press fitting. The heat dissipation member 60 and the through hole 22 may be fixed by press-fitting as long as there is no gap between the heat dissipation member 60 and the through hole 22, and both are fixed by bonding or the like. May be.

この放熱部材６０は、基板２０およびアンダーフィル材４０よりも熱伝導性に優れた材料、たとえば熱伝導の良いＣｕ等の金属により構成された板材である。ここでは、放熱部材６０は、図２に示されるように、円板状の板材であるが、平面角形の板材であってもよい。   The heat radiating member 60 is a plate material made of a material having a higher thermal conductivity than the substrate 20 and the underfill material 40, for example, a metal such as Cu having a good thermal conductivity. Here, the heat dissipating member 60 is a disk-shaped plate material as shown in FIG. 2, but it may be a plane square plate material.

そして、本実施形態の放熱部材６０は、その厚さを基板２０の厚さよりも厚いものとなっており、それにより、図１に示されるように、放熱部材６０は基板２０の一面より突出している。本実施形態では、この放熱部材６０における基板２０の一面より突出した部位が、突出部６１として構成されている。   The thickness of the heat radiating member 60 of this embodiment is larger than the thickness of the substrate 20, so that the heat radiating member 60 protrudes from one surface of the substrate 20 as shown in FIG. 1. Yes. In the present embodiment, a portion of the heat radiating member 60 that protrudes from one surface of the substrate 20 is configured as a protruding portion 61.

つまり、本実施形態では、バンプ３０よりも内周側において基板２０の一面には、基板２０の一面から相手側のＩＣチップ１０の一面へ向かって突出する突出部６１が設けられた構成となっている。   In other words, in the present embodiment, a protrusion 61 that protrudes from one surface of the substrate 20 toward one surface of the counterpart IC chip 10 is provided on one surface of the substrate 20 on the inner peripheral side of the bump 30. ing.

そして、これにより、ＩＣチップ１０の一面と基板２０の一面との間隔は、突出部６１が位置する部位では、突出部６１以外の部位すなわちバンプ３０の周辺部よりも狭くなっている。つまり、突出部６１が位置する部位では、その外側の部位であるバンプ３０の周辺部よりも、アンダーフィル材４０が薄くなっている。   As a result, the distance between one surface of the IC chip 10 and one surface of the substrate 20 is narrower at the portion where the protruding portion 61 is located than at the portion other than the protruding portion 61, that is, the peripheral portion of the bump 30. That is, the underfill material 40 is thinner at the portion where the protruding portion 61 is located than at the peripheral portion of the bump 30 that is the outer portion.

また、この突出部６１は、上述したように、放熱部材６０と一体に構成されたものであるが、逆に言えば、基板２０のうち突出部６１に対応した位置に、基板２０の一面から他面へ貫通するように、放熱部材６０が設けられている。   Further, as described above, the protruding portion 61 is configured integrally with the heat radiating member 60, but on the contrary, from one surface of the substrate 20 to a position corresponding to the protruding portion 61 of the substrate 20. A heat dissipation member 60 is provided so as to penetrate to the other surface.

このように、本実施形態の電子装置１００のうちＩＣチップ１０と基板２０との間の部位においては、突出部６１が位置する部位では、それ以外の部位に比べて、アンダーフィル材４０が薄くなることにより、当該薄い部位にてアンダーフィル材４０の熱伝導性が大きくなる。   As described above, in the portion between the IC chip 10 and the substrate 20 in the electronic device 100 of the present embodiment, the underfill material 40 is thinner in the portion where the protruding portion 61 is located than in the other portions. As a result, the thermal conductivity of the underfill material 40 increases at the thin portion.

つまり、バンプ３０の部分では、ＩＣチップ１０からの熱は当該バンプ３０を介して基板２０へ放熱されるが、バンプ３０以外の部分では、アンダーフィル材４０を薄くして放熱性を向上させている。そして、ＩＣチップ１０からの熱は、このアンダーフィル材４０の薄い部位から放熱部材６０を介して基板２０の他面側に放熱される。   That is, in the bump 30 portion, the heat from the IC chip 10 is radiated to the substrate 20 through the bump 30, but in the portion other than the bump 30, the underfill material 40 is thinned to improve heat dissipation. Yes. The heat from the IC chip 10 is radiated from the thin portion of the underfill material 40 to the other surface side of the substrate 20 through the heat radiating member 60.

なお、図示しないが、基板２０の他面側には、従来のものにおいて設けられるような冷却部材を接触させることにより、放熱効率を高めるようにしてもよい。このように、本実施形態によれば、ＩＣチップ１０からアンダーフィル材４０を介した基板２０の他面側への放熱性を向上させることができる。そして、バンプ３０の無いＩＣチップ１０の中央部においても、良好な放熱が可能となり、より厳しい環境での使用が可能となる。   In addition, although not shown in figure, you may make it raise heat dissipation efficiency by making the other surface side of the board | substrate 20 contact the cooling member which is provided in the conventional one. Thus, according to this embodiment, the heat dissipation from the IC chip 10 to the other surface side of the substrate 20 via the underfill material 40 can be improved. Even in the central portion of the IC chip 10 without the bumps 30, good heat dissipation is possible, and use in a more severe environment is possible.

ここで、本実施形態の電子装置１００の製造方法について、述べておく。まず、上記した方法にて、ＩＣチップ１０の一面にバンプ３０を形成するとともに、基板２０に対して放熱部材６０を嵌合して取り付ける。   Here, a method for manufacturing the electronic device 100 of this embodiment will be described. First, the bump 30 is formed on one surface of the IC chip 10 by the above-described method, and the heat radiating member 60 is fitted and attached to the substrate 20.

次に、ＩＣチップ１０の一面と基板２０の一面とを対向させ、ＩＣチップ１０を基板２０の一面上に搭載し、上記した熱圧着やはんだなどによってバンプ３０を介した接合を行う。その後は、ＩＣチップ１０と基板２０との隙間へアンダーフィル材４０を注入して硬化させれば、本実施形態の電子装置１００ができあがる。なお、上述したが、アンダーフィル材４０の配置は、ＩＣチップ１０の実装前でもよい。   Next, one surface of the IC chip 10 and one surface of the substrate 20 are opposed to each other, the IC chip 10 is mounted on one surface of the substrate 20, and bonding is performed via the bumps 30 by the above-described thermocompression bonding or soldering. Thereafter, if the underfill material 40 is injected into the gap between the IC chip 10 and the substrate 20 and cured, the electronic device 100 of this embodiment is completed. As described above, the underfill material 40 may be arranged before the IC chip 10 is mounted.

（第２実施形態）
図３において、（ａ）は、本発明の第２実施形態に係るフリップチップ実装構造体としての電子装置１０１の概略断面構成を示す図であり、（ｂ）は（ａ）中の上方から見たときの電子装置１０１における突出部６１の概略平面図である。 (Second Embodiment)
3A is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an electronic device 101 as a flip chip mounting structure according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a view from above in FIG. It is a schematic plan view of the protrusion part 61 in the electronic device 101 at the time.

本実施形態の電子装置１０１は、上記第１実施形態の電子装置において、さらに、ＩＣチップ１０の一面と放熱部材６０の突出部６１との間に、熱接続部材７０を介在させたものである。そして、この熱接続部材７０が、ＩＣチップ１０と放熱部材６０の突出部６１と接触することにより、熱接続部材７０を介して、これら両者１０、６１は熱的に接続されている。   The electronic device 101 according to the present embodiment is the electronic device according to the first embodiment, in which a thermal connection member 70 is further interposed between one surface of the IC chip 10 and the protruding portion 61 of the heat dissipation member 60. . The thermal connection member 70 comes into contact with the IC chip 10 and the protruding portion 61 of the heat radiating member 60, so that the both 10 and 61 are thermally connected via the thermal connection member 70.

この熱接続部材７０は、アンダーフィル材４０よりも熱伝導性に優れたものであれば、特に限定するものではないが、たとえば、Ａｕワイヤ等の低ヤング率の金属部材により構成される。ここでは、図３に示されるように、熱接続部材７０は、複数本のＡｕワイヤよりなる。   The thermal connection member 70 is not particularly limited as long as it has better thermal conductivity than the underfill material 40. For example, the thermal connection member 70 is made of a metal member having a low Young's modulus such as an Au wire. Here, as shown in FIG. 3, the thermal connection member 70 is made of a plurality of Au wires.

本実施形態の電子装置１０１は、上記第１実施形態に述べた製造方法において、放熱部材６０における突出部６１の表面上に熱接続部材７０を配置した状態で、ＩＣチップ１０の基板２０への搭載、バンプ接合を行い、その後、アンダーフィル材４０の充填を行うことにより、製造することが可能である。   In the manufacturing method described in the first embodiment, the electronic device 101 according to the present embodiment is arranged on the substrate 20 of the IC chip 10 in a state where the thermal connection member 70 is disposed on the surface of the protruding portion 61 of the heat radiating member 60. It is possible to manufacture by performing mounting and bump bonding and then filling with the underfill material 40.

本実施形態によれば、上記した第１実施形態における放熱性向上の効果に加えて、この熱接続部材７０を介した放熱により、さらなる放熱性の向上が期待できる。また、熱接続部材７０として、Ａｕワイヤ等の低ヤング率の金属を用いれば、ＩＣチップ１０の熱圧着時に変形可能であり、熱的な接続性の確保のために好ましい。   According to this embodiment, in addition to the effect of improving heat dissipation in the first embodiment described above, further improvement in heat dissipation can be expected by heat dissipation via the thermal connection member 70. Further, if a metal having a low Young's modulus such as an Au wire is used as the thermal connection member 70, it can be deformed at the time of thermocompression bonding of the IC chip 10, and it is preferable for ensuring thermal connectivity.

（第３実施形態）
図４は、本発明の第３実施形態に係るフリップチップ実装構造体としての電子装置１０２の概略断面構成を示す図である。本実施形態の電子装置１０２は、上記第２実施形態の電子装置を一部変形したものである。 (Third embodiment)
FIG. 4 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an electronic device 102 as a flip chip mounting structure according to the third embodiment of the present invention. The electronic device 102 of this embodiment is a partial modification of the electronic device of the second embodiment.

具体的には、上記第２実施形態の電子装置において、さらに、熱接続部材７０の位置決めを行う位置決め部６２を、放熱部材６０における突出部６１の表面に設けたものである。ここでは、位置決め部６２は、突出部６１の表面に形成された溝であり、この溝に熱接続部材７０がはまり込むことにより、位置決めがなされている。   Specifically, in the electronic device of the second embodiment, a positioning portion 62 that positions the heat connecting member 70 is further provided on the surface of the protruding portion 61 of the heat radiating member 60. Here, the positioning portion 62 is a groove formed on the surface of the protruding portion 61, and positioning is performed by the heat connecting member 70 being fitted into the groove.

なお、この熱接続部材７０の位置決め部６２は、上記図４に示した溝に限定されるものではない。図５は、本第３実施形態の他の例としての電子装置の要部を示す部分断面図であるが、この図５に示されるような複数の突起により構成された位置決め部６２であってもよい。   In addition, the positioning part 62 of this heat connection member 70 is not limited to the groove | channel shown in the said FIG. FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing a main part of an electronic apparatus as another example of the third embodiment. The positioning part 62 is composed of a plurality of protrusions as shown in FIG. Also good.

この場合も、熱接続部材７０は、複数の突起としての位置決め部６２の間に、はまりこんでおり、それにより、上記図４の場合と同様に、熱接続部材７０が突出部６１の表面上にて位置ずれすることが回避される。そのため、熱接続部材７０の位置決めを容易にするという本実施形態の効果を奏することができる。   Also in this case, the thermal connection member 70 is fitted between the positioning portions 62 as a plurality of protrusions, so that the thermal connection member 70 is placed on the surface of the protruding portion 61 as in the case of FIG. Misalignment is avoided. Therefore, the effect of this embodiment that the positioning of the thermal connection member 70 is facilitated can be achieved.

（第４実施形態）
図６は、本発明の第４実施形態に係るフリップチップ実装構造体としての電子装置１０３の概略断面構成を示す図である。この図６に示される電子装置１０３は、上記図１に示される電子装置（上記第１実施形態参照）を一部変形したものであり、当該図１のものとの相違点を中心に述べる。 (Fourth embodiment)
FIG. 6 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an electronic device 103 as a flip chip mounting structure according to the fourth embodiment of the present invention. The electronic device 103 shown in FIG. 6 is a partial modification of the electronic device shown in FIG. 1 (see the first embodiment), and the differences from the one shown in FIG. 1 will be mainly described.

図６に示されるように、本実施形態の電子装置１０３においては、放熱部材６０が基板２０の他面からも突出している。この場合、上記第１実施形態と同様の効果を奏することに加えて、基板２０の他面側に、上記した図示しない冷却部材を設ける場合、当該冷却部材との接触が良好となり、放熱性の向上が期待できる。   As shown in FIG. 6, in the electronic device 103 of this embodiment, the heat dissipation member 60 protrudes from the other surface of the substrate 20. In this case, in addition to the same effects as those of the first embodiment, in the case where the above-described cooling member (not shown) is provided on the other surface side of the substrate 20, the contact with the cooling member becomes good and the heat dissipation property is improved. Improvement can be expected.

なお、本実施形態においても、上記第２実施形態に示したような熱接続部材７０を、ＩＣチップ１０の一面と放熱部材６０により構成された突出部６１との間に介在させてもよいし、さらに、突出部６１の表面に熱接続部材の位置決め部を設けてもよい。つまり、本実施形態は、上記した各実施形態との組合せが可能である。   Also in this embodiment, the thermal connection member 70 as shown in the second embodiment may be interposed between the one surface of the IC chip 10 and the protruding portion 61 formed by the heat radiating member 60. Furthermore, a positioning portion for the thermal connection member may be provided on the surface of the protruding portion 61. That is, this embodiment can be combined with each of the above-described embodiments.

（第５実施形態）
図７は、本発明の第５実施形態に係るフリップチップ実装構造体としての電子装置１０４の概略断面構成を示す図である。この図７に示される電子装置１０４は、上記図６に示される電子装置（上記第４実施形態参照）を一部変形したものである。 (Fifth embodiment)
FIG. 7 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an electronic device 104 as a flip chip mounting structure according to a fifth embodiment of the present invention. The electronic device 104 shown in FIG. 7 is a partial modification of the electronic device shown in FIG. 6 (see the fourth embodiment).

図７に示されるように、本実施形態の電子装置１０４においても、基板２０の一面から他面へ貫通する貫通孔２２に対して、放熱部材６０が嵌合して取り付けられている。ここで、本実施形態においては、さらに、図７に示されるように、貫通孔２２は、基板２０の一面から他面へ広がるテーパ状をなすものとしている。   As shown in FIG. 7, also in the electronic device 104 of this embodiment, the heat dissipation member 60 is fitted and attached to the through hole 22 that penetrates from one surface of the substrate 20 to the other surface. Here, in the present embodiment, as shown in FIG. 7, the through hole 22 has a taper shape extending from one surface of the substrate 20 to the other surface.

そして、本実施形態の放熱部材６０は、この貫通孔２２に倣った断面テーパ形状をなすものとしており、このテーパ形状の部位にて貫通孔２２に嵌合されている。逆に言えば、放熱部材６０における貫通孔２２へ入り込む部位が貫通孔２２に倣ったテーパ形状をなしている。   And the heat radiating member 60 of this embodiment makes the cross-sectional taper shape which followed this through-hole 22, and is fitted by the through-hole 22 in this taper-shaped site | part. In other words, the portion of the heat dissipation member 60 that enters the through hole 22 has a tapered shape that follows the through hole 22.

本実施形態によれば、基板２０の他面から当該基板２０の貫通孔２２に対して、放熱部材６０を挿入しやすくなり、突出部６１を基板２０の一面側へ突出させることが容易になる。つまり、放熱部材６０を嵌合により容易に取り付けることが可能となる。なお、本実施形態は、放熱部材上記した各実施形態との組合せが可能である。   According to this embodiment, it becomes easy to insert the heat radiating member 60 from the other surface of the substrate 20 to the through hole 22 of the substrate 20, and the protruding portion 61 can be easily protruded to the one surface side of the substrate 20. . That is, the heat radiating member 60 can be easily attached by fitting. In addition, this embodiment can be combined with each of the embodiments described above.

（第６実施形態）
図８は、本発明の第６実施形態に係るフリップチップ実装構造体としての電子装置１０５の概略断面構成を示す図である。ここでは、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることにする。 (Sixth embodiment)
FIG. 8 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an electronic device 105 as a flip chip mounting structure according to a sixth embodiment of the present invention. Here, the difference from the first embodiment will be mainly described.

上記第１実施形態においては、突出部６１は、ＩＣチップ１０の一面側に設けられ放熱部材６０により構成されていた。それに対して、本実施形態の電子装置１０５では、突出部８０を、アンダーフィル材４０よりも熱伝導性の高い樹脂より構成している。   In the first embodiment, the protrusion 61 is provided on the one surface side of the IC chip 10 and is configured by the heat radiating member 60. On the other hand, in the electronic device 105 of this embodiment, the protrusion 80 is made of a resin having higher thermal conductivity than the underfill material 40.

本実施形態では、放熱部材６０は、基板２０の一面から突出しておらず、その代わりに、放熱部材６０を覆うように、基板２０の一面上に樹脂よりなる樹脂部材８０が設けられている。この樹脂部材８０が突出部として構成され、樹脂部材８０は、基板２０の一面より突出している。   In this embodiment, the heat radiating member 60 does not protrude from one surface of the substrate 20. Instead, a resin member 80 made of resin is provided on one surface of the substrate 20 so as to cover the heat radiating member 60. The resin member 80 is configured as a protruding portion, and the resin member 80 protrudes from one surface of the substrate 20.

この樹脂部材８０は、アンダーフィル材４０よりも熱伝導性の高い樹脂であれば特に限定されるものではないが、たとえば、Ａｇペーストなど、ＡｇやＣｕなどの導電性のフィラーを含有したエポキシなどの樹脂よりなる。このような樹脂部材８０は、ＩＣチップ１０を搭載する前に、予め、基板２０における放熱部材６０の表面に、塗布し硬化させる方法などにより配置すればよい。   The resin member 80 is not particularly limited as long as it is a resin having higher thermal conductivity than the underfill material 40. For example, an epoxy containing an electrically conductive filler such as Ag or Cu or the like such as an Ag paste. Made of resin. Such a resin member 80 may be disposed in advance on the surface of the heat radiating member 60 of the substrate 20 by a method of applying and curing before mounting the IC chip 10.

それにより、この膜状の樹脂部材８０が、その厚さの分、基板２０の一面より突出し、これにより、ＩＣチップ１０の一面と基板２０の一面との間隔は、突出部としての樹脂部材８０が位置する部位では、バンプ３０の周辺部よりも狭くなる。なお、この樹脂部材８０の平面形状は、上記放熱部材６０の突出部６１の平面形状（上記図２参照）と同様のものにできる。   As a result, the film-shaped resin member 80 protrudes from one surface of the substrate 20 by the thickness thereof, whereby the distance between one surface of the IC chip 10 and one surface of the substrate 20 is the resin member 80 as a protrusion. In the part where is located, it becomes narrower than the peripheral part of the bump 30. The planar shape of the resin member 80 can be the same as the planar shape of the protruding portion 61 of the heat radiating member 60 (see FIG. 2).

つまり、本実施形態においても、突出部８０が位置する部位では、その外側の部位であるバンプ３０の周辺部よりも、アンダーフィル材４０が薄くなっている。また、本実施形態においても、基板２０のうち突出部としての樹脂部材８０に対応した位置に、放熱部材６０が設けられている。   That is, also in the present embodiment, the underfill material 40 is thinner at the portion where the protruding portion 80 is located than at the peripheral portion of the bump 30 that is the outer portion. Also in the present embodiment, the heat radiating member 60 is provided at a position corresponding to the resin member 80 as the protruding portion in the substrate 20.

そのため、本実施形態の電子装置１０５においても、突出部８０が位置する部位では、アンダーフィル材４０が薄くなることで、熱伝導性が大きくなり、ＩＣチップ１０からの熱は、このアンダーフィル材４０の薄い部位から、熱伝導性の良好な樹脂部材８０および放熱部材６０を介して基板２０の他面側に放熱される。   Therefore, also in the electronic device 105 of the present embodiment, the thermal conductivity is increased by reducing the thickness of the underfill material 40 at the portion where the protruding portion 80 is located, and the heat from the IC chip 10 Heat is radiated from the thin portion 40 to the other surface side of the substrate 20 through the resin member 80 and the heat radiating member 60 having good thermal conductivity.

よって、本実施形態によっても、ＩＣチップ１０からアンダーフィル材４０を介した基板２０の他面側への放熱性を向上させることができる。なお、本実施形態において、突出部である樹脂部材８０とＩＣチップ１０の一面との間に、上記図３等に示したような熱接続部材７０を介在させてもよい。   Therefore, according to this embodiment, the heat dissipation from the IC chip 10 to the other surface side of the substrate 20 through the underfill material 40 can be improved. In the present embodiment, a thermal connection member 70 as shown in FIG. 3 or the like may be interposed between the resin member 80 that is a protruding portion and one surface of the IC chip 10.

また、本実施形態においても、上記図６に示したように、放熱部材６０が基板２０の他面から突出していてもよいし、上記図７に示したように、放熱部材６０がテーパ形状のものであってもよい。   Also in this embodiment, the heat radiating member 60 may protrude from the other surface of the substrate 20 as shown in FIG. 6, or the heat radiating member 60 has a tapered shape as shown in FIG. It may be a thing.

（第７実施形態）
図９は、本発明の第７実施形態に係るフリップチップ実装構造体としての電子装置１０６の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第６実施形態と同様に、樹脂部材８０により突出部８０を構成するものであるが、本実施形態では、ＩＣチップ１０の一面側に樹脂部材８０を設けたところが相違する。 (Seventh embodiment)
FIG. 9 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an electronic device 106 as a flip chip mounting structure according to a seventh embodiment of the present invention. In the present embodiment, the protruding portion 80 is configured by the resin member 80 as in the sixth embodiment. However, the present embodiment is different in that the resin member 80 is provided on one surface side of the IC chip 10. .

本実施形態によれば、ＩＣチップ１０側への樹脂部材８０の配設は、上記した基板２０側への配設方法と同様に行える。そして、本実施形態では、膜状の樹脂部材８０が、その厚さの分、ＩＣチップ１０の一面より突出し、突出部としての樹脂部材８０が位置する部位では、バンプ３０の周辺部よりも、アンダーフィル材４０が薄くなっている。   According to this embodiment, the resin member 80 can be arranged on the IC chip 10 side in the same manner as the arrangement method on the substrate 20 described above. In the present embodiment, the film-shaped resin member 80 protrudes from one surface of the IC chip 10 by the thickness, and the portion where the resin member 80 as the protruding portion is located is more than the peripheral portion of the bump 30. The underfill material 40 is thin.

そのため、本実施形態の電子装置１０６においても、樹脂部材８０が位置する部位では、薄くなったアンダーフィル材４０の熱伝導性が大きくなる。そして、ＩＣチップ１０からの熱は、熱伝導性の良好な樹脂部材８０を伝わり、このアンダーフィル材４０の薄い部位から放熱部材６０を介して基板２０の他面側に放熱される。このように、本実施形態によっても、ＩＣチップ１０からアンダーフィル材４０を介した基板２０の他面側への放熱性が向上する。   Therefore, also in the electronic device 106 according to the present embodiment, the thermal conductivity of the thinned underfill material 40 is increased at the portion where the resin member 80 is located. The heat from the IC chip 10 is transmitted through the resin member 80 having good thermal conductivity, and is radiated from the thin portion of the underfill material 40 to the other surface side of the substrate 20 through the heat radiating member 60. Thus, according to this embodiment, the heat dissipation from the IC chip 10 to the other surface side of the substrate 20 via the underfill material 40 is improved.

なお、本実施形態においても、突出部である樹脂部材８０と基板２０の一面との間に、上記図３等に示したような熱接続部材７０を介在させてもよい。また、本実施形態においては、突出部としての樹脂部材８０は、ＩＣチップ１０の一面に設けるものであり、放熱部材６０の構成については、上記した各実施形態に示した放熱部材６０の形態を採用することができる。   Also in the present embodiment, the thermal connection member 70 as shown in FIG. 3 or the like may be interposed between the resin member 80 that is the protruding portion and one surface of the substrate 20. Moreover, in this embodiment, the resin member 80 as a protrusion part is provided in one surface of IC chip 10, and about the structure of the heat radiating member 60, the form of the heat radiating member 60 shown in each above-mentioned embodiment is used. Can be adopted.

たとえば、本実施形態では、ＩＣチップ１０の一面より突出する突出部として樹脂部材８０を設けたが、この構成に対して、さらに、上記図１に示されるように、放熱部材６０を基板２０の一面から突出させ、これを突出部６１としてもよい。このように、本実施形態は、上記各実施形態との組合せが可能である。   For example, in the present embodiment, the resin member 80 is provided as a protruding portion that protrudes from one surface of the IC chip 10, but in addition to this configuration, as shown in FIG. It is good also as the protrusion part 61 making it protrude from one surface. Thus, this embodiment can be combined with each of the above embodiments.

なお、本実施形態と上記第１実施形態とを組み合わせた場合、ＩＣチップ１０の一面に樹脂部材８０が設けられ、基板２０の一面に放熱部材６０の突出部６１が設けられるというように、ＩＣチップ１０の一面および基板２０の一面の両方に突出部６１、８０が設けられた構成となるが、この場合も、アンダーフィル材４０を突出部により薄くして放熱性を向上させるという効果は、上記同様に発揮される。   When the present embodiment and the first embodiment are combined, the resin member 80 is provided on one surface of the IC chip 10, and the protruding portion 61 of the heat radiating member 60 is provided on the one surface of the substrate 20. The protrusions 61 and 80 are provided on both the one surface of the chip 10 and the one surface of the substrate 20, but also in this case, the effect of improving the heat dissipation by making the underfill material 40 thinner by the protrusions is It is demonstrated similarly to the above.

また、上記第６実施形態および第７実施形態では、ＩＣチップ１０および基板２０のいずれか一方に樹脂部材８０が設けられたが、この突出部としての樹脂部材８０は、ＩＣチップ１０の一面および基板２０の一面の両方に設けられていてもよい。このことは、具体的には、上記図９に示される構成において、ＩＣチップ１０の一面にも樹脂部材８０を設けた構成に相当する。   In the sixth embodiment and the seventh embodiment, the resin member 80 is provided on one of the IC chip 10 and the substrate 20. However, the resin member 80 as the protruding portion is formed on one surface of the IC chip 10 and It may be provided on both sides of the substrate 20. Specifically, this corresponds to a configuration in which the resin member 80 is also provided on one surface of the IC chip 10 in the configuration shown in FIG.

（第８実施形態）
図１０は、本発明の第８実施形態に係るフリップチップ実装構造体としての電子装置１０７の概略断面構成を示す図である。 (Eighth embodiment)
FIG. 10 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an electronic device 107 as a flip chip mounting structure according to the eighth embodiment of the present invention.

本実施形態は、上記第６実施形態と同様に、基板２０の一面に設けた樹脂部材８０により突出部８０を構成するものであるが、図１０に示されるように、放熱部材を放熱用のビア９０により構成したところが、上記第６実施形態と相違する。   In the present embodiment, similar to the sixth embodiment, the protruding portion 80 is constituted by the resin member 80 provided on one surface of the substrate 20. However, as shown in FIG. The configuration of the via 90 is different from the sixth embodiment.

この放熱部材としての放熱用のビア９０は、一般的なものと同様の構成を有しており、たとえば、基板２０の一面から他面に貫通する貫通孔を設け、その貫通孔の側面にＣｕなどの金属メッキを施してなるものである。   The heat dissipating via 90 as the heat dissipating member has the same configuration as a general member. For example, a through hole penetrating from one surface of the substrate 20 to the other surface is provided, and Cu is formed on the side surface of the through hole. It is made by metal plating such as.

この場合、放熱用のビア９０を形成した基板２０に、樹脂部材８０を塗布してビア９０の孔を塞いでから、ＩＣチップ１０のフリップチップ実装およびアンダーフィル材４０の配置を行うことで、製造される。そして、ＩＣチップ１０、アンダーフィル材４０、樹脂部材８０、ビア９０、基板２０の他面という放熱経路で放熱がなされる。   In this case, the resin member 80 is applied to the substrate 20 on which the heat dissipation via 90 is formed to close the hole of the via 90, and then the flip chip mounting of the IC chip 10 and the arrangement of the underfill material 40 are performed. Manufactured. Then, heat is radiated through a heat radiation path of the IC chip 10, the underfill material 40, the resin member 80, the via 90, and the other surface of the substrate 20.

本実施形態の場合、基板２０のうち突出部としての樹脂部材８０に対応した位置に、基板２０の一面から他面へ貫通する放熱部材としてのビア９０が設けられており、このビア９０は、上記したような貫通孔の側面に施された金属メッキを有することにより、基板２０およびアンダーフィル材４０よりも熱伝導性に優れたものとなっている。   In the case of the present embodiment, a via 90 as a heat dissipation member penetrating from one surface of the substrate 20 to the other surface is provided at a position corresponding to the resin member 80 as the protruding portion of the substrate 20. By having the metal plating applied to the side surface of the through hole as described above, the thermal conductivity is superior to that of the substrate 20 and the underfill material 40.

そして、本実施形態の電子装置１０７によっても、ＩＣチップ１０からアンダーフィル材４０を介した基板２０の他面側への放熱性を向上させることができる。   And also by the electronic device 107 of this embodiment, the heat dissipation from the IC chip 10 to the other surface side of the substrate 20 through the underfill material 40 can be improved.

（他の実施形態）
なお、図示しないが、基板２０の一面上に実装されるＩＣチップ１０は複数でもよい。また、基板２０の一面上にはＩＣチップ１０以外の回路構成素子が搭載されていてもよい。さらには、基板２０は図示しない筐体内に組み付けられていてもよい。この場合、当該筐体に対して、基板２０の他面側からさらに放熱を行うようにしてもよい。 (Other embodiments)
Although not shown, a plurality of IC chips 10 may be mounted on one surface of the substrate 20. Further, a circuit component other than the IC chip 10 may be mounted on one surface of the substrate 20. Furthermore, the board | substrate 20 may be assembled | attached in the housing | casing which is not shown in figure. In this case, heat may be further radiated from the other surface side of the substrate 20 to the housing.

また、上記各実施形態において、ＩＣチップ１０の一面とは反対側の他面すなわち基板２０への実装面とは反対の他面から、上記したような筐体あるいは冷却部材等へとつながる放熱経路があってもよい。   Further, in each of the above embodiments, the heat dissipation path that leads from the other surface opposite to the one surface of the IC chip 10, that is, the other surface opposite to the mounting surface to the substrate 20, to the housing or the cooling member as described above. There may be.

いずれにせよ、ＩＣチップの一面の周辺部にバンプを配置し、ＩＣチップの一面を基板の一面に対向させ、バンプを介してＩＣチップと基板とを接続し、ＩＣチップの一面と基板一面との間にアンダーフィル材を充填してなる電子装置において、上記突出部を設けることで、突出部におけるアンダーフィル材を薄くするものであればよい。   In any case, bumps are arranged on the periphery of one surface of the IC chip, one surface of the IC chip is opposed to one surface of the substrate, and the IC chip and the substrate are connected via the bumps. In the electronic device in which the underfill material is filled in between, it is sufficient if the underfill material in the protrusion is thinned by providing the protrusion.

そして、上記各実施形態の電子装置によれば、基板の他面への放熱効率を良くすることで、より高発熱のＩＣチップを実装可能としたり、あるいは、より高温環境での使用が可能となる。   And according to the electronic device of each said embodiment, by improving the heat dissipation efficiency to the other surface of the substrate, it becomes possible to mount an IC chip with higher heat generation or use in a higher temperature environment. Become.

本発明の第１実施形態に係る電子装置の概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of an electronic device according to a first embodiment of the present invention. 図１中の電子装置の概略平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of the electronic device in FIG. 1. （ａ）は、本発明の第２実施形態に係る電子装置の概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の上面図である。(A) is a schematic sectional drawing of the electronic device which concerns on 2nd Embodiment of this invention, (b) is a top view in (a). 本発明の第３実施形態に係る電子装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the electronic device which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 上記第３実施形態の他の例としての電子装置の要部を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the principal part of the electronic device as another example of the said 3rd Embodiment. 本発明の第４実施形態に係る電子装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the electronic device which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５実施形態に係る電子装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the electronic device which concerns on 5th Embodiment of this invention. 本発明の第６実施形態に係る電子装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the electronic device which concerns on 6th Embodiment of this invention. 本発明の第７実施形態に係る電子装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the electronic device which concerns on 7th Embodiment of this invention. 本発明の第９実施形態に係る電子装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the electronic device which concerns on 9th Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０…ＩＣチップ、２０…基板、２２…貫通孔、３０…バンプ、
４０…アンダーフィル材、６０…放熱部材、６１…突出部、７０…熱接続部材、
８０…突出部としての樹脂部材、１００〜１０７…電子装置。 10 ... IC chip, 20 ... substrate, 22 ... through hole, 30 ... bump,
40 ... Underfill material, 60 ... Heat dissipation member, 61 ... Protrusion, 70 ... Heat connection member,
80: Resin member as a protrusion, 100-107: Electronic device.

Claims (6)

ＩＣチップ（１０）の一面の周辺部にバンプ（３０）を配置し、
前記ＩＣチップ（１０）の一面を基板（２０）の一面に対向させ、前記バンプ（３０）を介して前記ＩＣチップ（１０）と前記基板（２０）とを接続し、
前記ＩＣチップ（１０）の一面と前記基板（２０）一面との間にアンダーフィル材（４０）を充填してなる電子装置において、
前記バンプ（３０）よりも内周側において前記ＩＣチップ（１０）の一面および前記基板（２０）の一面の少なくとも一方には、当該少なくとも一方側から相手側へ向かって突出する突出部（６１、８０）が設けられることにより、
前記ＩＣチップ（１０）の一面と前記基板（２０）の一面との間隔は、前記突出部（６１、８０）が位置する部位では、前記突出部（６１、８０）以外の部位よりも狭くなっており、
前記基板（２０）のうち前記突出部（６１、８０）に対応した位置には、前記基板（２０）および前記アンダーフィル材（４０）よりも熱伝導性に優れた放熱部材（６０、９０）が、前記基板（２０）の一面から他面へ貫通して設けられていることを特徴とする電子装置。 Bumps (30) are arranged on the periphery of one surface of the IC chip (10),
One surface of the IC chip (10) is opposed to one surface of the substrate (20), and the IC chip (10) and the substrate (20) are connected via the bump (30),
In an electronic device formed by filling an underfill material (40) between one surface of the IC chip (10) and one surface of the substrate (20),
At least one of the one surface of the IC chip (10) and the one surface of the substrate (20) on the inner peripheral side of the bump (30) is a protrusion (61, protruding from the at least one side toward the other side. 80),
The distance between the one surface of the IC chip (10) and the one surface of the substrate (20) is narrower at the portion where the protruding portion (61, 80) is located than at the portion other than the protruding portion (61, 80). And
A heat radiating member (60, 90) having better thermal conductivity than the substrate (20) and the underfill material (40) at a position corresponding to the protrusion (61, 80) in the substrate (20). Is provided penetrating from one surface of the substrate (20) to the other surface. 前記突出部（６１）は前記基板（２０）の一面に設けられており、
前記放熱部材（６０）の一部は前記基板（２０）の一面側にて当該一面より突出しており、この放熱部材（６０）における突出した部位が、前記突出部（６１）として構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。 The protrusion (61) is provided on one surface of the substrate (20),
A part of the heat radiating member (60) protrudes from the one surface side of the substrate (20), and a protruding portion of the heat radiating member (60) is configured as the protruding portion (61). The electronic device according to claim 1. 前記ＩＣチップ（１０）の一面と前記突出部（６１）との間には、これら両者を熱的に接続するとともに前記アンダーフィル材（４０）よりも熱伝導性に優れた熱接続部材（７０）が、介在していることを特徴とする請求項２に記載の電子装置。 Between the one surface of the IC chip (10) and the protruding portion (61), both of them are thermally connected and the thermal connecting member (70) having a higher thermal conductivity than the underfill material (40). The electronic device according to claim 2, wherein: 前記基板（２０）の一面から他面へ貫通するとともに当該一面から他面へ広がるテーパ状の貫通孔（２２）が設けられ、
前記放熱部材（６０）は、前記貫通孔（２２）に倣ったテーパ形状の部位を有し、当該テーパ形状の部位にて前記貫通孔（２２）に嵌合されたものであることを特徴とする請求項２または３に記載の電子装置。 A tapered through hole (22) extending from one surface of the substrate (20) to the other surface and extending from the one surface to the other surface is provided,
The heat radiating member (60) has a tapered portion following the through hole (22), and is fitted to the through hole (22) at the tapered portion. The electronic device according to claim 2 or 3. 前記突出部は、前記アンダーフィル材（４０）よりも熱伝導性の高い樹脂よりなるものであって、前記ＩＣチップ（１０）の一面および前記基板（２０）の一の少なくとも一方に設けられた樹脂部材（８０）であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。 The protrusion is made of a resin having higher thermal conductivity than the underfill material (40), and is provided on at least one of the one surface of the IC chip (10) and the substrate (20). The electronic device according to claim 1, wherein the electronic device is a resin member. 前記ＩＣチップ（１０）の一面および前記基板（２０）の一面のうち前記樹脂部材（８０）が設けられていない方の面と前記樹脂部材（８０）との間には、これら両者を熱的に接続するとともに前記アンダーフィル材（４０）よりも熱伝導性に優れた熱接続部材（７０）が介在していることを特徴とする請求項５に記載の電子装置。 Between the one surface of the IC chip (10) and the one surface of the substrate (20) where the resin member (80) is not provided and the resin member (80), both are thermally connected. The electronic device according to claim 5, wherein a thermal connection member (70) having a thermal conductivity higher than that of the underfill material (40) is interposed.
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