JP2008266102A - Fz法シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】誘導加熱コイルで原料シリコン結晶素材を部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、溶融帯を移動させて単結晶を成長させるFZ法シリコン単結晶の製造方法において、原料シリコン結晶素材及び単結晶を共に回転させつつ、単結晶の回転の方向を正転と逆転とで交互に行いながら該単結晶を成長させる。このとき、正転における正回転角度と逆転における逆回転角度との比が0.1〜0.6であり、正転又は逆転における回転速度を10〜30rpmとする。
【選択図】図2
Description
前記原料シリコン結晶素材及び成長中の前記単結晶を共に回転させ、かつ、前記単結晶の回転の方向を正転と逆転とで交互に行いながら該単結晶を成長させ、
前記正転における一定速度域での正回転角度と、前記逆転における一定速度域での逆回転角度との比が0.1〜0.6であり、前記正転又は逆転における回転速度が10〜30rpmであるFZ法シリコン単結晶の製造方法。
<FZ法シリコン単結晶の製造>
図1は、本発明の製造方法に好適に用いられる、FZ法シリコン単結晶の製造装置の一例を示す模式断面図である。この製造装置においては、棒状の原料シリコン結晶素材2を上軸に保持すると共に、種結晶7を原料シリコン結晶素材2の直下に位置する下軸に保持し、偏平環状の高周波式の誘導加熱コイル1により原料シリコン結晶素材2を囲み、これを溶融して種結晶7に融着させた後、原料シリコン結晶素材2を回転させ、かつ軸線方向に下降させながら棒状の単結晶3を成長させる。
上記の問題を解決すべく、まず、本発明の製造方法においては、原料シリコン結晶素材2及び成長中の単結晶3を共に回転させ、かつ、単結晶3の回転の方向を正転と逆転とで交互に行いながら該単結晶3を成長させる。この際、原料シリコン結晶素材2の回転中心軸と成長中の単結晶3の回転中心軸とは実質的に同軸とされた状態が好ましいが、両者の回転中心軸を数mmから数十mm程度偏心させても単結晶3を成長させることができるため、求められる単結晶の品質仕様によって適宜調整すればよい。
次に、上記の条件で正転/逆転を繰り返すことによる作用について説明する。
まず、コンピュータシミュレーションにより計算した、FZ法によるシリコン単結晶製造時の融液部分の流れを図3に示す。図3は、溶融帯4における回転軸に垂直な面内における融液部分の流れである。正回転角度を400度に固定して、逆回転角度が260度の場合(図3(a))、逆回転角度が80度の場合(図3(b))の2種類のシミュレーションを行っている。図3から明らかなように、逆回転角度が小さい場合には、回転方向の流速が大きくなっている。これは、流れに対するブレーキとなる逆回転角度が小さくなることで、制動力が弱くなるためである。逆回転角度を小さくしていくほど、反転動作を行わない一方向回転の流れ方に近づく。
<実施例1>
図1に示すようなFZ法シリコン単結晶の製造装置を用い、従来公知のガスドープ法により、N型不純物(P(リン))をドープさせながら、直径155mm、直胴部長さ800mmのFZ法シリコン単結晶を成長させた。直胴部分を成長させる際、下記の条件下で反転動作を行わせた。その結果、結晶形状等、外観が非常に良好な単結晶が得られた。
結晶の回転速度:20rpm(正転/逆転共に同じ)
正回転角度α1:340度
逆回転角度α2:70度
駆動率D:46.5%
反転時に一定速度に達する時間:1秒(0rpmから20rpmまでが0.5秒)
下記の条件を変更した以外は、実施例1と同様の条件でFZ法シリコン単結晶を成長させた。その結果、結晶形状等、外観が非常に良好な単結晶が得られた。また、実施例1と同様の評価方法でRRGとρminを算出した。その結果を表1にまとめて示す。表1から解るように、RRG=±6.9%、ρmin=−7.4%と、良好な結果が得られた。
正回転角度α1:340度
逆回転角度α2=120度
駆動率D:28.3%
下記の条件を変更した以外は、実施例1と同様の条件でFZ法シリコン単結晶を成長させた。その結果、結晶形状等、外観が非常に良好な単結晶が得られた。この条件での駆動率Dは、ほぼ境界値付近の条件である。また、実施例1と同様の評価方法でRRGとρminを算出した。その結果を表1にまとめて示す。表1から解るように、RRG=±10.4%、ρmin=−12.7%と、製品として実用に耐えうる境界付近の値が得られた。
正回転角度α1:340度
逆回転角度α2=200度
駆動率D:16.2%
下記の条件を変更した以外は、実施例1と同様の条件でFZ法シリコン単結晶を成長させた。その結果、結晶形状等、外観が非常に良好な単結晶が得られた。この条件での駆動率Dは、ほぼ境界値付近の条件である。また、実施例1と同様の評価方法でRRGとρminを算出した。その結果を表1にまとめて示す。表1から解るように、RRG=±10.5%、ρmin=−11.0%と、製品として実用に耐えうる境界付近の値が得られた。
正回転角度α1:340度
逆回転角度α2=34度
駆動率D:68.0%
下記の条件を変更した以外は、実施例1と同様の条件でFZ法シリコン単結晶を成長させた。その結果、結晶形状等、外観が非常に良好な単結晶が得られた。この条件での駆動率Dは、良い撹拌効果が期待できる条件である。また、実施例1と同様の評価方法でRRGとρminを算出した。その結果を表1にまとめて示す。表1から解るように、RRG=±7.0%、ρmin=−6.8%と、非常に良好な結果が得られた。また、結晶中心での抵抗率の落ち込みが少なくなっており、撹拌効果を確認することができた。
正回転角度α1:620度
逆回転角度α2=125度
駆動率D:43.0%
下記の条件を変更した以外は、実施例1と同様の条件でFZ法シリコン単結晶を成長させた。その結果、結晶形状等、外観が非常に良好な単結晶が得られた。この条件での駆動率Dは、更に良い撹拌効果が期待できる条件である。また、実施例1と同様の評価方法でRRGとρminを算出した。その結果を表1にまとめて示す。表1から解るように、RRG=±6.8%、ρmin=−6.4%と、非常に良好な結果が得られた。また、結晶中心での抵抗率の落ち込みが最も少なくなっており、撹拌効果を確認することができた。
正回転角度α1:540度
逆回転角度α2=120度
駆動率D:40.9%
下記の条件を変更した以外は、実施例1と同様の条件でFZ法シリコン単結晶を成長させた。その結果、結晶形状等、外観が非常に良好な単結晶が得られた。この条件での駆動率Dは境界値外での条件である。また、実施例1と同様の評価方法でRRGとρminを算出した。その結果を表1にまとめて示す。表1から解るように、RRG=±11.0%、ρmin=−14.7%と、製品として使用できない分布となった。
正回転角度α1:480度
逆回転角度α2=340度
駆動率D:10.3%
下記の条件を変更した以外は、実施例1と同様の条件でFZ法シリコン単結晶を成長させた。その結果、結晶形状等、外観が非常に良好な単結晶が得られた。この条件での駆動率Dは境界値外での条件である。また、実施例1と同様の評価方法でRRGとρminを算出した。その結果を表1にまとめて示す。表1から解るように、RRG=±13.8%、ρmin=−14.1%と、製品として使用できない分布となった。
正回転角度α1:360度
逆回転角度α2=340度
駆動率D:8.2%
2 原料シリコン結晶素材
3 単結晶
4 溶融帯(溶融シリコン)
5 素材把持具
6 素材把持のための溝加工
7 種結晶
8 結晶保持具
Claims (5)
- 原料シリコン結晶素材を部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、該溶融帯から単結晶を成長させるFZ法シリコン単結晶の製造方法において、
前記原料シリコン結晶素材及び成長中の前記単結晶を共に回転させ、かつ、前記単結晶の回転の方向を正転と逆転とで交互に行いながら該単結晶を成長させ、
前記正転における一定速度域での正回転角度と、前記逆転における一定速度域での逆回転角度との比が0.1〜0.6であり、前記正転又は逆転における回転速度が10〜30rpmであるFZ法シリコン単結晶の製造方法。 - 前記比における分母側となる回転角度の範囲が260〜720度である請求項1記載のFZ法シリコン単結晶の製造方法。
- 前記正転及び逆転における一定速度が実質的に等しい速度である請求項1又は2記載のFZ法シリコン単結晶の製造方法。
- 前記回転の方向を反転する際に、一方の回転方向における一定速度から他方の回転方向における一定速度に達するまでに要する時間が0.2〜4秒の範囲である請求項1から3いずれか記載のFZ法シリコン単結晶の製造方法。
- 前記単結晶の直径が150mm以上である請求項1から4いずれか記載のFZ法シリコン単結晶の製造方法。
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