KR100846632B1 - 실리콘 단결정의 제조방법, 그리고 그 방법으로 제조된실리콘 단결정 잉곳 및 웨이퍼 - Google Patents
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Abstract
Description
제조 장치 모델 | N3 | 자장 세기 | 1500Gauss |
핫존 사이즈(석영 도가니 내경) | 32 인치 | 실리콘 융액 갭(상부 단열재(도 1의 8)와 실리콘 융액면(6) 사이의 거리) | 35mm |
충전량 | 300~400kg | 실리콘 융액 레벨(히터(7) 상단과 실리콘 융액면(6) 사이의 거리) | 105.5mm |
Claims (11)
- 종결정을 이용하여 도가니 내에 함유된 실리콘 융액으로부터 실리콘 단결정을 인상할 때, 상기 도가니 내에 함유된 실리콘 융액에 결정성장축과 수직이고 실리콘 융액면에 평행한 수평 자장을 인가하면서 실리콘 단결정을 성장시키는 실리콘 단결정의 제조방법에 있어서,성장되는 실리콘 단결정의 아래에서 결정성장축 방향을 따라 실리콘 융액면에 대하여 수직 방향으로 흐르는 콜드한 실리콘 융액 유동부(cold melt flow)의 가장자리와 상기 결정성장축 사이의 거리를 △CF라고 하여, 상기 △CF를 조절함으로써 상기 결정성장축을 기준으로 한 상기 실리콘 융액의 대칭성을 높여 결정성장을 행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 종결정의 회전속도, 상기 도가니의 회전속도 및 상기 자장 세기를 포함하는 공정 변수를 변화시켜 상기 △CF를 시뮬레이션한 것에 기초하여, 미리 결정성장 실험을 행하여 상기 △CF를 작게 하는 공정 변수 조건들을 구하고, 그 조건들을 결정성장 조업에 적용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 종결정의 회전속도, 상기 도가니의 회전속도 및 상기 자장 세기를 포함하는 공정 변수에 의해 정해진 제1 성장 조건에서 실리콘 단결정 의 성장 시뮬레이션을 수행하는 제1 단계;상기 제1 단계의 시뮬레이션에서 얻어진 상기 실리콘 융액의 대류 패턴에서 상기 △CF를 구하는 제2 단계;상기 제2 단계에서 구한 상기 △CF가 상기 결정성장축을 기준으로 한 상기 실리콘 융액의 대칭성을 높이는 정도로 기 설정된 범위에 속하면 상기 제1 성장 조건을 적정 조건으로 선택하고, 상기 제 2단계에서 구한 상기 △CF가 상기 기 설정된 범위를 벗어나면 상기 제1 성장 조건의 공정 변수를 변화시킨 제2 성장 조건에서 △CF가 상기 기 설정된 범위에 속할 때까지 상기 제1 단계 및 제2 단계를 반복 수행하는 제3 단계; 및상기 제3 단계에서 선택된 적정 조건을 적용하여 실리콘 단결정을 성장하는 단계를 포함하는 실리콘 단결정의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 종결정의 회전속도와 상기 도가니의 회전속도를 증가시키면 상기 △CF가 증가하고, 상기 자장 세기를 증가시키면 상기 △CF가 감소하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 종결정의 회전속도는 1rpm∼5rpm이고, 상기 도가니의 회전속도는 0.1rpm∼1.0rpm이며, 상기 자장은 중심 자장세기를 1000∼4000Gauss로 하고, 최대 자장 중심(GMP)을 상기 결정성장축 상의 상기 실리콘 융액면보다 하방 50~250mm으로 설정하여 인가하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법.
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