JP2008266094A - 半導体単結晶の製造装置および方法 - Google Patents
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Abstract
を正確に制御できるようにする。
【解決手段】 収容室21と供給管22を備えたドーパント供給装置20が設けられる。
収容室21には、昇華可能なドーパント23が収容されている。供給管22は、収容室2
1内のドーパント23が昇華された場合に昇華されたドーパント23を融液5に導く。
加熱手段30は、ドーパント供給装置20の収容室21内のドーパント23を加熱する。
制御手段40は、所望の昇華速度でドーパント23が昇華されるように加熱手段30によ
る加熱量を制御する。
【選択図】 図1
Description
導体を引き上げる単結晶引上げ装置および単結晶製造方法に関するものである。
CZ法(チョクラルスキー法)は、CZ炉内のるつぼに融液を貯留し、この融液にドー
パントを供給し、融液からドーパントを添加されたシリコン単結晶を、引上げ機構によっ
て引き上げ、成長させるというものである。
bなどのN型用のドーパント(不純物)がシリコン単結晶に添加される。これらドーパン
トのうち、砒素As、燐Pは、昇華可能なドーパントであり、比較的低い温度で固相から
気相に昇華する。そこで、これら昇華可能なドーパントが収容された収容室を、CZ炉の
上方から、融液上方の所定位置まで下降させて、融液から輻射される輻射熱により収容室
内のドーパントを加熱して昇華させ、昇華されて気体となったドーパントを収容室から融
液に投入することで、ドーパントをシリコン結晶に添加するというドーパント供給方法が
従来より実施されている。こうしたドーパント投入方式の1つに、供給管の開口端を融液
よりも上方の所定位置に位置させ、アルゴンガスなどの不活性ガスを輸送用のキャリアガ
スとして使用して、供給管から融液に向けてキャリアガスを吹き付けることで、キャリア
ガスによりドーパントを融液に投入するという吹き付け方式がある。また、他の投入方
式として、供給管を融液に浸漬して、供給管から、昇華されて気体となってドーパントを
融液に投入するという浸漬方式がある。
特許文献1では、引上げ機構のシードチャックに不純物供給管アッセンブリを取り付け
て、引上げ機構によって不純物供給管アッセンブリのドーパント収容部が融液の液面から
約285mm上方に位置するまで、不純物供給管アッセンブリを下降させて、その位置で
融液から輻射される輻射熱によって収容部内の砒素を加熱して昇華させるようにしている。
位置まで、不純物供給管アッセンブリを下降させて、供給管より砒素蒸気を融液に投入す
るようにしている。ここで、ドーパントを昇華させる位置(融液の液面から約285mm
上方の位置)は、予め熱モデルの解析結果から得られる。
特許文献2では、引上げ機構と干渉しない位置にドーパント収納容器を配置して、収容
容器をCZ炉上方から石英るつぼの上面よりも上となる位置まで下降させて、その位置で
融液から輻射される輻射熱によって収容容器内のドーパントを溶解させるようにしている。
されたドーパントを融液に投入するようにしている。
まる。最適な昇華速度にすると、投入効率が最大となり、ドーパントの損失を最小に抑え
ることができる。
パントを加熱すれば投入効率を最大にすることができる。
液の上方のどの程度の位置まで下降させるかによってドーパントに与えられる輻射熱が変
動し、それに応じて昇華速度が変動する。ドーパント収容部が融液から遠ければ昇華速度
が遅くなるか、昇華そのものが困難となる。逆に ドーパント収容部が融液に近ければ昇
華速度が速くなる。昇華速度が変動すると、ドーパントの融液への投入効率、投入量が変
動し、シリコン単結晶のドーパント濃度、抵抗値に影響を与える。したがって昇華速度が
ばらつくと、ねらいとおりのドーパント濃度、抵抗値にすることができない。
ントに加え、昇華速度を最適にし投入効率を最大にし、シリコン単結晶のドーパント濃度、
抵抗値を所望の値にすることは容易なことではない。
な下降位置を求めたとしても、CZ炉内の熱環境の経時変化、つまり炉内部品の経時変化、
部品劣化などによって、その下降位置が最適なものではなくなって昇華速度が変動するこ
とがある。たとえば石英るつぼを加熱するためのヒータは、カーボン材で構成されている
が、カーボン材は経時変化によって劣化する。こうしたヒータの経時変化が生じると、ド
ーパント収容部を同じ位置まで下降させたとしても、時間の経過とともにドーパントが吸
収する輻射熱の熱量が変動して、昇華速度が変動してしまう。
このように輻射熱による昇華は、炉内部品(ホットゾーン)の経時変化の影響を受け易
く、昇華速度の制御は、極めて困難である。
晶を引上げ成長させるときには、結晶の崩れが生じやすいことが本発明者により明らかに
なった。結晶の崩れを生じさせないようにするには、シリコン単結晶にN型の電気的特性
を与える砒素As、燐Pといった昇華可能なドーパントの昇華速度を正確に制御して、シ
リコン単結晶中のドーパント濃度を正確に制御する必要がある。
響を受けることなくドーパントの昇華速度を正確に制御できるようにすることを解決課題
とするものである。
トが添加された半導体単結晶を、引上げ機構によって引き上げて半導体単結晶を成長させ
る半導体単結晶の製造装置において、
昇華可能なドーパントが収容された収容室と、この収容室内のドーパントが昇華された
場合に昇華されたドーパントを融液に導く供給管とを含むドーパント供給装置と、
ドーパント供給装置の収容室内のドーパントを加熱する加熱手段と、
所望の昇華速度でドーパントが昇華されるように加熱手段による加熱量を制御する制御手
段と
を備えたことを特徴とする。
ドーパント供給装置は、半導体単結晶および引上げ機構と干渉しない
位置に、配置されていること
を特徴とする。
ドーパント供給装置は、供給管が融液に浸漬しない位置に配置され、
供給管より、昇華されたドーパントを融液に吹き付けることで、昇華されたドーパントを
融液に導くものであること
を特徴とする。
前記制御手段は、ドーパント供給中にドーパントの実際の昇華速度をフィードバックし、
実際の昇華速度が目標昇華速度に一致するように、加熱量を制御すること
を特徴とする。
前記制御手段は、前回のバッチにおける昇華速度と加熱量に応じて、今回のバッチにおけ
る加熱量を制御すること
を特徴とする。
予め昇華速度と加熱量の関係を求めておき、前記制御手段は、この予め求められた関係に
したがって加熱量を制御すること
を特徴とする。
炉内のるつぼに貯留された融液にドーパントを供給し、融液からドーパントが添加された
半導体単結晶を、引き上げて半導体単結晶を成長させる半導体単結晶の製造方法において、
昇華可能なドーパントを加熱手段によって加熱することで、所望の昇華速度で昇華させ
て、昇華されたドーパントを融液に導くこと
を特徴とする。
半導体単結晶を引き上げながら、昇華されたドーパントを融液に導くこと
を特徴とする。
給装置20が設けられる。収容室21には、昇華可能なドーパント23が収容されている。
23を融液5に導く。加熱手段30は、ドーパント供給装置20の収容室21内のドーパ
ント23を加熱する。制御手段40は、所望の昇華速度でドーパント23が昇華されるよ
うに加熱手段30による加熱量を制御する。
望の昇華速度で昇華される。収容室21内のドーパント23が昇華されると、昇華された
ドーパント23が供給管22を介して融液5に導かれ、融液5に投入される。
段40により制御された熱がドーパント23に与えられてドーパント23が昇華する。よ
って、輻射熱による昇華のように、炉内部品(ホットゾーン)の経時変化の影響を受ける
ことがない。これにより昇華速度を極めて正確に制御することができる。したがって、ば
らつきなく常に安定した最適な熱量をドーパント23に加えることができるようになるた
め、昇華速度が最適なものとなり融液5へのドーパント投入効率が最大となり、シリコン
単結晶のドーパント濃度、抵抗値を所望の値に精度よく制御することができるようになる。
型のシリコン単結晶を引上げ成長させるときには、結晶の崩れが生じやすいが、本発明に
よれば、シリコン単結晶にN型の電気的特性を与える砒素As、燐Pといった昇華可能な
ドーパントの昇華速度を正確に制御してシリコン単結晶中のドーパント濃度を正確に制御
することが可能となったため、結晶の崩れを生じさせないように精度よく調整することが
できる。なお、本明細書において「低抵抗率のN++型のシリコン単結晶」とは、0.01
Ω・cmよりも小さい比抵抗値のN型のシリコン単結晶をいうものとする。
引上げ機構4と干渉しない位置に、配置されている。これにより、半導体単結晶6を引き
上げながら、昇華されたドーパント23を融液5に導くことが可能となり、追加ドープを
行う場合など、引上げ中のドーピングを極めて精度よく行うことができるようになる。
置され、供給管22より、昇華されたドーパント23が融液5に吹き付けられることで、
昇華されたドーパント23が融液5に導かれる。第3発明によれば、前述の吹き付け方式
によりドーパント23が融液5に投入される。
3の実際の昇華速度(ドーパント23の重量変化量)をフィードバックし、実際の昇華速
度が目標昇華速度に一致するように、加熱量を制御する。
加熱量に応じて、今回のバッチにおける加熱量を制御する。
段40は、この予め求められた関係にしたがって加熱量を制御する。
発明の装置発明に相当する方法の発明である。
図1は、第1実施例の装置の構成を側面からみた図である。
のCZ炉(チャンバ)2を備えている。
3が設けられている。るつぼ3は、たとえば石英で構成されている。るつぼ3の周囲には、
るつぼ3内の原料を加熱して溶融するヒータ9が設けられている。
ブル4aと、引上げ用ケーブル4aの先端の種結晶ホルダ4bとからなる。種結晶ホルダ
4bによって種結晶が把持される。
て融液5からシリコン単結晶(シリコン単結晶インゴット)6がCZ法により引き上げら
れる。すなわち、引上げ用ケーブル4aが降下され引上げ用ケーブル4aの先端の種結晶
ホルダ4bに把持された種結晶が融液5に浸漬される。種結晶を融液5になじま
せた後引上げ用ケーブル4aが上昇する。種結晶ホルダ4bに把持された種結晶が上
昇するに応じてシリコン単結晶6が成長する。引上げの際、るつぼ3は回転軸10によっ
て回転する。また引上げ機構4の引上げ用ケーブル4aは回転軸10と逆方向にあるいは
同方向に回転する。また回転軸10は鉛直方向に駆動することができ、るつぼ3を上下動
させ任意の上方方向位置に位置させることができる。
る。すなわちCZ炉2には不活性ガスとしてのアルゴンガス7が供給され、CZ炉2の排
気口からポンプによって排気される。これにより炉2内は所定の圧力に減圧される。
2内から蒸発物を除去しクリーンにしている。アルゴンガス7の供給流量は1バッチ中の
各工程ごとに設定する。
ぼ3との接触面積が変化しるつぼ3からの酸素溶解量が変化する。この変化が、引き上げ
られるシリコン単結晶6中の酸素濃度分布に影響を与える。
設けられている。熱遮蔽板8は、CZ炉2内に上方より供給されるキャリアガスとしての
アルゴンガス7を、融液表面5aの中央に導き、さらに融液表面5aを通過させて融液表
面5aの周縁部に導く。そして、アルゴンガス7は、融液5から蒸発したガスとともに、
CZ炉2の下部に設けた排気口から排出される。このため液面上のガス流速を安定化する
ことができ、融液5から蒸発する酸素を安定な状態に保つことができる。
るつぼ3、融液5、ヒータ9などの高温部で発生する輻射熱から、断熱、遮蔽する。また
熱遮蔽板8は、シリコン単結晶6に、炉内で発生した不純物(たとえばシリコン酸化物)
等が付着して単結晶育成が阻害されることを防止する。熱遮蔽板8の下端と融液表面5a
との距離Dの大きさは、回転軸10を上昇下降させ、るつぼ3の上下方向位置を変化させ
ることで調整することができる。また熱遮蔽板8を昇降装置により上下方向に移動させて
距離Dを調整してもよい。
燐Pが、N型用のドーパント(不純物)としてシリコン単結晶6に添加される。これらド
ーパント砒素As、燐Pは、昇華可能なドーパントであり、比較的低い温度で固相から気
相に昇華する。
ス導入管24と流量調整装置25を備えている。収容室21には、昇華可能なドーパント
23が収容されている。供給管22は、収容室21に連通しており、収容室21内のドー
パント23が昇華された場合に昇華されたドーパント23を融液5に導く。導入管24は、
収容室21に連通しており、図示しないガス供給源から供給されるドーパント輸送用のキ
ャリアガス17を収容室21に導入する。キャリアガス17は、昇華されたドーパント2
3が収容室21内に滞留されるのを抑止して、昇華されたドーパント23を効率よく供給
管22を経て融液5に導く。
えば石英で構成されている。
に向かうキャリアガス17の流量(質量流量)を調整する。流量調整は、弁の開口面積を
調節することで行われる。キャリアガス17は、アルゴンガスなどの不活性ガスが使用さ
れる。
おり、収容室21内のドーパント23を加熱する。ヒータ30は、たとえば抵抗加熱式の
ヒータが使用される。
けられている。ドーパント23の昇華速度は、ドーパント23が蒸発することで変化する
収容室21内のドーパント23の重量変化量として捕らえることができる。このためロー
ドセル26の検出結果から昇華速度が計測される。
ようにヒータ30による加熱量を制御する。
ドセル26で検出される収容室21内のドーパント23の重量をモニタし、そのドーパン
ト重量変化量をドーパント23の実際の昇華速度としてフィードバックし、フィードバッ
クされた実際の昇華速度が目標昇華速度に一致するように、ヒータ30に印加する電力を
調整して、ヒータ30によるドーパント加熱量を制御するとともに、流量調整装置25の
弁の開口面積を調整することでキャリアガス17の流量を制御する。収容室21内のドー
パント23の重量変化が大きくなるほどヒータ30に加える電力が小さくなりキャリアガ
ス17の流量が小さくなるように制御される。なお、キャリアガス17の流量は一定値に
保持してもよい。
と干渉しない位置に、配置されている。このため、これにより、シリコン単結晶6を引き
上げながら、昇華されたドーパント23を融液5に導くことが可能となっている。
昇華されたドーパント23が融液5に導かれる。すなわち、本実施例では、前述の吹き付
け方式によりドーパント23が融液5に投入される。
液5などからの輻射熱の影響を受けず、また、供給管22から融液5にドーパント23を
吹きつけるときに融液5内へのドーパント投入効率が最大となる位置に、配置される。供
給管22の開口端22aと融液5との距離は、10mm以下にすることが望ましい。
ついて説明する。
本実施例では、たとえばシリコン単結晶6にドーパント23を高濃度に添加して低抵抗
率のN++型のシリコン単結晶を引上げ成長させる場合を想定している。
結晶を引上げ成長させようとするときに、高濃度にするために必要な大量のドーパント2
3を融液5に投入してから結晶を引き上げると、結晶の崩れが生じやすいことが本発明者
により明らかになった。結晶の崩れを生じさせないようにするには、シリコン単結晶6の
直胴部の前半部が形成されるまでは、ドーパント23が低濃度に添加された状態か、ドー
パント23が無添加の状態とし、シリコン単結晶6の直胴部の前半部が形成された以降は、
ドーパント23が所望する高濃度に添加された状態となるように、融液にドーパントを供
給すればよいことが本発明者によって明らかになった。これは、結晶育成前に融液5に大
量にドーパント23を投入することで、融液5内の局所的なドーパント濃度のばらつきに
より異常成長が生じたためであると考えられている。
ント23が添加しておかれる。シリコン単結晶6の引上げ前に行うドーパント23の融液
5への添加の方法は、本実施例のドーパント供給装置20を使用しない従前の添加方法で
あってもよく、本実施例のドーパント供給装置20を用いた方法であってもよい。
cm3以下となる濃度であって、シリコン単結晶6の比抵抗値で4mΩ-cm以下となる濃
度をいうものとする。
の引上げを行うと、シリコン単結晶6の直胴部の前半部が形成されるまでのドーパント濃
度は、低濃度となる。
シリコン単結晶6の直胴部の前半部が形成されると、それ以降は、ドーパント23が所
望する高濃度に添加された状態となるように、本実施例のドーパント供給装置20を用い
て融液5に昇華されたドーパント23が追加ドープされる。
追加ドープされるように、ヒータ30および流量調整装置25の制御を引き上げ途中から
開始する。
に応じた電力が供給されて発熱する。ヒータ30が発熱すると、収容室21内のドーパン
ト23に熱が吸収されて、収容室21内のドーパント23が昇華されて蒸発する。
が流量指令に応じた流量で導入管24から収容室21を経て供給管22を流れ、供給管2
2から融液5に向けてキャリアガス17が吹き付けられる。
搬送されて供給管22から融液に向けて吹き付けられ、ドーパント23が融液5に投入さ
れる。
で検出されるドーパント23の重量をモニタし、そのドーパント重量変化量をドーパント
23の実際の昇華速度としてフィードバックし、フィードバックされた実際の昇華速度が
目標昇華速度に一致するように、ヒータ30に印加する電力を調整して、ヒータ30によ
るドーパント加熱量を制御するとともに、流量調整装置25の弁の開口面積を調整するこ
とでキャリアガス17の流量を制御する。
ト23が融液5へ追加ドープされる。これにより、シリコン単結晶6の直胴部の前半部が
形成された以降の結晶各部は、ドーパント23が所望する高濃度に添加された状態となる。
り調整されコントローラ40により制御された熱が収容室21内のドーパント23に与え
られてドーパント23が昇華する。よって、輻射熱による昇華のように、炉内部品(ホッ
トゾーン)の経時変化の影響を受けることがない。これにより昇華速度を極めて正確に制
御することができる。したがって、ばらつきなく常に安定した最適な熱量をドーパント2
3に加えることができるようになるため、昇華速度が最適なものとなり融液5へのドーパ
ント投入効率が最大となり、シリコン単結晶6のドーパント濃度、抵抗値を所望の高濃度、
低抵抗値に精度よく制御することができるようになる。
単結晶6を引上げ成長させるときには、結晶の崩れが生じやすいが、本実施例によれば、
シリコン単結晶6にN型の電気的特性を与える砒素As、燐Pといった昇華可能なドーパ
ント23の昇華速度を正確に制御してシリコン単結晶6中のドーパント濃度を正確に制御
することが可能となったため、結晶の崩れを生じさせないように精度よく調整することが
できる。
位置に、配置されている。これにより、シリコン単結晶6を引き上げながら、昇華された
ドーパント23を融液5に導くことが可能となり、追加ドープを行う際に引上げ中のドー
ピングを極めて精度よく行うことができるようになる。
置に配置され、供給管22より、昇華されたドーパント23が融液5に吹き付けられるこ
とで、昇華されたドーパント23が融液5に導かれるようにしている。かかる吹き付け方
式は、浸漬方式と比較して、結晶崩れを生じさせにくく安定して単結晶を育成することが
できる。これは、供給管22が融液5に浸漬するときに融液5に液振が発生したり、液温
が低下したり、融液5の対流の変化が発生してしまい、育成中の単結晶の単結晶化率を阻
害し、安定的に単結晶を育成することが困難になるためであると考えられている。このた
め吹き付け方式は、浸漬方式と比較して、そもそも結晶崩れを起こし易い、高濃度、低抵
抗率のN++型のシリコン単結晶6を引上げ成長させるときに、適用して好適である。
上述の第1実施例では、ドーパント供給中にドーパント23の実際の昇華速度(ドーパ
ント23の重量変化量)をフィードバックし、実際の昇華速度が目標昇華速度に一致する
ように、ヒータ30による加熱量を制御しているが、この制御は一例であり、図3に示す
ような他の制御装置を用いて構成してもよい。
説明する。
加熱量に応じて、今回のバッチにおける加熱量を調整する。
が記憶装置41に記憶されておかれる。
望する昇華速度に対応する電力が得られるようにヒータ30に電力指令を与えて、ヒータ
30に印加する電力を調整する。なお、1バッチの間、キャリアガス17の流量は一定値
に保持される。1バッチの間、ドーパント23の重量がロードセル26にてモニタされ、
1バッチ間の実際の昇華速度が記憶装置42に記憶されるとともに、ヒータ30に加えた
実際の電力(加熱量)が記憶装置42に記憶される。
ける実際の昇華速度と実際の電力(加熱量)を読み出し、これらと記憶装置41に記憶さ
れた昇華速度と電力(加熱量)との対応関係とを対比して、ヒータ30に加える電力を補
正して補正した電力をヒータ30に印加する。今回のバッチにおける実際の昇華速度が前
回のバッチにおける実際の昇華速度よりも速ければ、その分ヒータ30に加える電力を下
げる。
ト23が融液5へ追加ドープされる。
上述の第2実施例では、前回のバッチの実際の昇華速度を今回のバッチにフィードバッ
クしてヒータ30に加える電力を制御するようにしているが、予め実験で得られた昇華速
度とヒータ電力値との対応関係に基づき、所望する昇華速度に対応する固定した電力をヒ
ータ30に加えるように制御してもよい。
要素について説明する。
関係を求めておき、この予め求められた関係にしたがって加熱量(電力)を制御する。
が記憶装置41に記憶されておかれる。
望する昇華速度に対応する電力が得られるようにヒータ30に電力指令を与えて、ヒータ
30に印加する電力を調整する。なお、1バッチの間、キャリアガス17の流量は一定値
に保持される。
ト23が融液5へ追加ドープされる。
うにしているが、浸漬法を用いてドーパント23を融液5に供給してもよい。浸漬法を使
用する場合でも、収容室21は、融液5からの輻射熱の影響を受けにくい位置に配置する
ことが必要となる。
構4と干渉しない位置に、配置させ、追加ドープを行う際にシリコン単結晶6を引き上げ
ながら、昇華されたドーパント23を融液5に導くようにしているが、ドーパント供給装
置20を、シリコン単結晶6および引上げ機構4が配置される位置に、配置させてもよい。
配置させてこのドーパント供給装置20によりドーパント23を融液5に投入しておき、
その後、ドーパント供給装置20を外してドーパント供給装置20が配置されていた場所
に引上げ機構4を配置させてシリコン単結晶6を引上げ成長させる実施も可能である。
シリコンを想定しているが、引き上げられる半導体単結晶は、シリコン単結晶以外の半導
体単結晶であってもよい。
置、23 ドーパント、30 ヒータ、40 コントローラ
Claims (8)
- 炉内のるつぼに貯留された融液にドーパントを供給し、融液からド
ーパントが添加された半導体単結晶を、引上げ機構によって引き上げて半導体単結晶を成
長させる半導体単結晶の製造装置において、
昇華可能なドーパントが収容された収容室と、この収容室内のドーパントが昇華された
場合に昇華されたドーパントを融液に導く供給管とを含むドーパント供給装置と、
ドーパント供給装置の収容室内のドーパントを加熱する加熱手段と、
所望の昇華速度でドーパントが昇華されるように加熱手段による加熱量を制御する制御
手段と
を備えたことを特徴とする半導体単結晶の製造装置。 - ドーパント供給装置は、半導体単結晶および引上げ機構と干渉しない
位置に、配置されていること
を特徴とする請求項1記載の半導体単結晶の製造装置。 - ドーパント供給装置は、供給管が融液に浸漬しない位置に配置され、
供給管より、昇華されたドーパントを融液に吹き付けることで、昇華されたドーパントを
融液に導くものであること
を特徴とする請求項1または2記載の半導体単結晶の製造装置。 - 前記制御手段は、ドーパント供給中にドーパントの実際の昇華速度を
フィードバックし、実際の昇華速度が目標昇華速度に一致するように、加熱量を制御する
こと
を特徴とする請求項1または2または3記載の半導体単結晶の製造装置。 - 前記制御手段は、前回のバッチにおける昇華速度と加熱量に応じて、
今回のバッチにおける加熱量を制御すること
を特徴とする請求項1または2または3記載の半導体単結晶の製造装置。 - 予め昇華速度と加熱量の関係を求めておき、前記制御手段は、この予
め求められた関係にしたがって加熱量を制御すること
を特徴とする請求項1または2または3記載の半導体単結晶の製造装置。 - 炉内のるつぼに貯留された融液にドーパントを供給し、融液からドー
パントが添加された半導体単結晶を、引き上げて半導体単結晶を成長させる半導体単結晶
の製造方法において、
昇華可能なドーパントを加熱手段によって加熱することで、所望の昇華速度で昇華させ
て、昇華されたドーパントを融液に導くこと
を特徴とする半導体単結晶の製造方法。 - 半導体単結晶を引き上げながら、昇華されたドーパントを融液に導く
こと
を特徴とする請求項7記載の半導体単結晶の製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP2010163306A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Sumco Techxiv株式会社 | シリコン単結晶引上装置 |
US8535439B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-09-17 | Sumco Techxiv Corporation | Manufacturing method for silicon single crystal |
WO2023131634A1 (en) * | 2022-01-06 | 2023-07-13 | Globalwafers Co., Ltd. | Methods for growing single crystal silicon ingots that involve silicon feed tube inert gas control |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59190292A (ja) * | 1983-04-08 | 1984-10-29 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体シリコン単結晶の抵抗率制御方法 |
JP2003532613A (ja) * | 2000-05-11 | 2003-11-05 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | チョクラルスキー法により成長させたシリコン結晶において低抵抗率を得る多段階ヒ素ドーピング法 |
JP2005247671A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶引上装置 |
-
2007
- 2007-04-24 JP JP2007114184A patent/JP5437565B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59190292A (ja) * | 1983-04-08 | 1984-10-29 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体シリコン単結晶の抵抗率制御方法 |
JP2003532613A (ja) * | 2000-05-11 | 2003-11-05 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | チョクラルスキー法により成長させたシリコン結晶において低抵抗率を得る多段階ヒ素ドーピング法 |
JP2005247671A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶引上装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010163306A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Sumco Techxiv株式会社 | シリコン単結晶引上装置 |
US8535439B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-09-17 | Sumco Techxiv Corporation | Manufacturing method for silicon single crystal |
WO2023131634A1 (en) * | 2022-01-06 | 2023-07-13 | Globalwafers Co., Ltd. | Methods for growing single crystal silicon ingots that involve silicon feed tube inert gas control |
US11866845B2 (en) | 2022-01-06 | 2024-01-09 | Globalwafers Co., Ltd. | Methods for growing single crystal silicon ingots that involve silicon feed tube inert gas control |
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