JP2008256572A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 試料に所定の照射で一次電子線を照射し、該一次電子線照射により発生する二次荷電粒子を検出して検出信号を出力する電子光学系と、
   当該検出信号を用いて前記試料の計測または検査を行う電子線応用装置において、
   前記試料を保持する複数の試料ホルダと、
   該複数の試料ホルダと前記試料との接触抵抗値を測定する手段と、
   前記電子光学系を制御する制御手段と、
   該制御手段を制御する制御コンピュータとを備え、
   該制御コンピュータは、前記接触抵抗値を元に前記電子光学系の照射条件を制御することを特徴とする電子線応用装置。
2. 請求項１に記載の電子線応用装置において、
   前記試料の表面抵抗値を計測する手段を備え、
   前記制御コンピュータは、前記接触抵抗値と該表面抵抗値の比に基づき前記照射条件を調整することを特徴とする電子線応用装置。
3. 請求項１に記載の電子線応用装置において、
   前記試料の表面抵抗値と該試料の属性情報とを対比して格納する記憶手段と、
   前記試料の属性情報を前記制御コンピュータに設定入力する手段とを備え、
   前記制御コンピュータは、入力された属性情報を元に前記表面抵抗値を読み出して前記接触抵抗値と該表面抵抗値の比を計算し、当該比に基づき前記電子光学系を調整することを特徴とする電子線応用装置。
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載の電子線応用装置において、
   前記試料ホルダに対して、前記試料と前記試料ホルダ間に絶縁破壊を発生するための電圧を印加する電源を備えたことを特徴とする電子線応用装置。
5. 請求項１から３のいずれか１項に記載の電子線応用装置において、
   前記試料に対して所定の加速電圧の一次電子線を照射することにより前記試料と前記試料ホルダ間に絶縁破壊を発生させることを特徴とする電子線応用装置。
6. 請求項１から３のいずれか１項に記載の電子線応用装置において、
   前記電子光学系は、前記試料ホルダに対向して配置された帯電制御電極を備え、
   前記前記照射条件として、前記一次電子線の照射エネルギー，電流値および前記帯電制御電極に印加する電圧のうち、少なくともいずれか１つを決定することを特徴とする電子線応用装置。
7. 請求項３に記載の電子線応用装置において、
   前記試料が、半導体ウェハ上にパターンが形成された試料であって、
   前記属性情報として、パターンの形状，パターン密度，前記半導体ウェハに対して施された処理工程の工程名のうち、少なくともいずれか１つを用いることを特徴とする電子線応用装置。
8. 請求項５に記載の電子線応用装置において、
   前記絶縁破壊をモニタする手段を備えたことを特徴とする電子線応用装置。