JP5406308B2 - 電子線を用いた試料観察方法及び電子顕微鏡 - Google Patents
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 141
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 104
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 38
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 33
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 28
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 8
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0048—Charging arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
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Description
照射電流は、試料帯電を処理する電子源28から試料位置に到達する電子線の電流で、ファラデーカップ30に電子線を照射し、試料ホルダを介して電流計29で計測できる。リーク電流は電子線を試料10に照射した際に試料から流出する電荷の流れで、試料帯電を処理する電子源28からの電子線を試料10に照射し、試料ホルダを介して電流計29で計測できる。
試料容量は(3)式により求められる
試料容量=試料誘電率×照射領域/試料厚さ (3)
本実施例ではSi基板上に成膜したSiO2試料を例に照射エネルギの変化の傾きαの効果について説明する。図9には目標電位を−50Vに設定し、0Vから目標電位まで照射エネルギを変化させたときの、照射エネルギの変化傾きαと試料帯電電位の関係38について示した。試料帯電は表面電位計37で測定した。帯電電位は目標電位Vcで規格化した。また図中には(2)(3)式による傾き閾値39の位置を示した。傾き閾値39以下の変化の傾きαで帯電処理した場合、帯電電位/目標電位は0.8以上の高効率な帯電処理ができているのに対し、変化の傾きαが傾き閾値39以上である場合、目標電位半分以下しか帯電できていない。変化傾きαが傾き閾値39以上である場合、試料への照射電荷量が不十分なため、試料帯電電位が上昇できない。よって、照射エネルギの変化によって入射エネルギが高まるため、電荷蓄積効率が悪化し、高密度な電荷蓄積ができない。傾き閾値39以下の変化傾きαであれば、十分な照射電荷量があり、入射エネルギが電荷蓄積効率の高い入射エネルギ帯内に維持されるため、高密度な電荷蓄積が可能となる。
また、1回の照射エネルギ変化にかかる時間Trは(5)式で決定される。
本実施例における帯電処理方法を示したフローチャートを図12に示す。前記実施例図10のフローチャートに従い、照射エネルギの変化の傾きαの設定(ステップ114)、目標電位Vcの設定(ステップ115)、初期照射エネルギViの設定を実施する(ステップ116)。次に前記(4)(5)式からステージ移動の速度閾値Vlimを算出する(ステップ117)。算出された速度閾値Vlim以下となるようステージ速度を決定する(ステップ118)。このとき速度閾値Vlim以下であれば、どの速度においても、本実施例を実行することが可能であるが、帯電処理の速度に鑑み、速度閾値Vlimと同等のステージ速度に設定することが望ましい。その後設定したパラメータにより照射エネルギを変化させ(ステップ119)、設定したステージ速度で所望の帯電処理領域を走査する(ステップ120)。帯電処理終了後、前記図6記載のステップ108以降を実施し、試料の観察を行う。本実施例により、帯電処理領域が大きい試料の高密度な電荷蓄積を実現することができる。
2 電子銃
3 コンデンサレンズ
4 アライメントコイル
5 偏向器
6 対物レンズ
7 検出器
8 XYZステージ
9 試料ホルダ
10 試料
11 試料搬送部
12 真空排気系
13 電子銃制御部
14 コンデンサレンズ制御部
15 アライメントコイル制御部
16偏向制御部
17 対物レンズ制御部
18 検出器制御部
19 検出信号処理部
20 ステージ制御部
21 真空排気制御部
22 帯電処理制御部
23 電子源制御部
24 波形生成部
25 制御コンピュータ
26 表示部
27 データ記憶部
28 帯電処理用電子源
29 電流計
30 ファラデーカップ
31 照射エネルギのタイムチャート
32 試料帯電電位
33 本発明によって形成した帯電電位
34 従来の方法で形成した帯電電位
35 エリプソメータ
36 ナイフエッジ式照射電流計
37 表面電位計
38 傾き変化時の帯電電位
39 傾き閾値
40 電子源
201 帯電処理実施GUI
202,203,204,205,207 ウィンドウ
206 傾き閾値
Claims (13)
- 電子線を試料に入射して前記試料から放出される電子を検出する電子線を用いた試料観察方法において、
電子線照射時の電荷蓄積効率が0.8〜1の範囲の入射エネルギ帯に含まれる第一の入射エネルギを持つ電子線を前記試料に照射する工程と、
前記第一の入射エネルギを維持したまま、前記電子線の照射エネルギを帯電処理の目標電位まで変化させて試料を帯電させる工程と、
前記試料を帯電させる工程の後に第二の入射エネルギを持つ電子線を前記試料に照射して電位コントラストを利用した試料の観察を実施する工程と、
を有することを特徴とする電子線を用いた試料観察方法。 - 電子線を試料に入射して前記試料から放出される電子を検出する電子線を用いた試料観察方法において、
電子線照射時の電荷蓄積効率が0.8〜1の範囲の入射エネルギ帯に含まれる第一の入射エネルギを持つ電子線を前記試料に照射する工程と、
前記電子線照射中に前記試料から流れる電流を監視しながら、前記電子線の照射エネルギを帯電処理の目標電位まで変化させて試料を帯電させる工程と、
前記試料を帯電させる工程の後に第二の入射エネルギを持つ電子線を前記試料に照射して電位コントラストを利用した試料の観察を実施する工程と、
を有することを特徴とする電子線を用いた試料観察方法。 - 請求項1または請求項2記載の電子線を用いた試料観察方法であって、
前記照射エネルギを変化させる速度を、試料の静電容量と照射電流から決まる閾値以下に設定することを特徴とする電子線を用いた試料観察方法。 - 請求項1または請求項2記載の電子線を用いた試料観察方法であって、
さらに、前記電子線で前記試料を走査して帯電処理領域が大きい試料を帯電させる工程を含み、照射エネルギを変化させる速度に応じて、電子線で試料を走査する速度を設定することを特徴とする電子線を用いた試料観察方法。 - 電子線を試料に入射して前記試料から放出される電子を検出する電子線を用いた試料観察方法において、
電子線照射時の電荷蓄積効率が0.8〜1の範囲の入射エネルギ帯に含まれる第一の入射エネルギを持つ電子線を前記試料に照射する工程と、
前記第一の入射エネルギを持つ電子線で、前記試料を走査する工程と、
前記第一の入射エネルギを維持する電圧ピッチで、前記電子線の照射エネルギを変化させる工程と、
前記変化された電子線の照射エネルギで、再度、電子線を前記試料に照射する工程と、
第一の入射エネルギを持つ電子線で、再度、前記試料を走査する工程と、
前記電子線の照射エネルギを変化させる工程、電子線を前記試料に照射する工程、および前記試料を走査する工程を繰り返すことにより、帯電処理の目標電位まで帯電処理領域が大きい試料を帯電させる工程と、
前記試料を帯電させる工程の後に第二の入射エネルギを持つ電子線を前記試料に照射して電位コントラストを利用した試料の観察を実施する工程と、
を有することを特徴とする電子線を用いた試料観察方法。 - 請求項1、請求項2、請求項5のいずれか一つに記載の電子線を用いた試料観察方法であって、
第一の入射エネルギ帯もしくは第一の入射エネルギが0から10eVまでであることを特徴とする電子線を用いた試料観察方法。 - 電子線を放出する電子銃と、
前記電子線を試料に照射する電子光学系と、
前記試料を保持する試料ホルダと、
前記試料から放出される電子を検出する検出器と、
照射エネルギ制御が可能な第二の電子源と、
連続的にまたはステップで変化する波形である照射エネルギの変化波形を生成する波形生成装置と、
前記照射エネルギの変化波形に基づき、電子線照射時の電荷蓄積効率が0.8〜1の範囲の入射エネルギ帯に含まれる入射エネルギを維持したまま、前記第二の電子源の電子線の照射エネルギを変化させる照射エネルギ制御装置と、
を有することを特徴とする電子顕微鏡。 - 照射エネルギを制御された電子線を放出する電子銃と、
前記電子線を試料に照射する電子光学系と、
前記試料を保持する試料ホルダと、
前記試料から放出される電子を検出する検出器と、
照射電流およびリーク電流を計測し、計測した照射電流およびリーク電流から前記電子線の電荷の蓄積効率を求める電荷蓄積効率測定装置と、
連続的にまたはステップで変化する波形である照射エネルギの変化波形を生成する波形生成装置と、
前記照射エネルギの変化波形に基づき、前記電荷の蓄積効率の測定結果に応じて、電子線照射時の電荷蓄積効率が0.8〜1の範囲の入射エネルギ帯に含まれる入射エネルギを維持したまま、前記電子線の照射エネルギを変化させる照射エネルギ制御装置と、
を有することを特徴とする電子顕微鏡。 - 電子線を放出する電子銃と、
前記電子線を試料に照射する電子光学系と、
前記試料を保持する試料ホルダと、
前記試料から放出される電子を検出する検出器と、
照射エネルギ制御が可能な第二の電子源と、
前記第二の電子源からの電子線の電荷の蓄積効率を測定する電荷蓄積効率測定装置と、
連続的にまたはステップで変化する波形である照射エネルギの変化波形を生成する波形生成装置と、
前記照射エネルギの変化波形に基づき、前記電荷の蓄積効率の測定結果に応じて、電子線照射時の電荷蓄積効率が0.8〜1の範囲の入射エネルギ帯に含まれる入射エネルギを維持したまま、前記第二の電子源からの電子線の照射エネルギを変化させる照射エネルギ制御装置と、
を有することを特徴とする電子顕微鏡。 - 請求項7乃至請求項9のいずれか一つに記載の電子顕微鏡において、
前記照射エネルギ制御装置が、電子線の前記電子源に印加する電圧と前記試料に印加する電圧とを制御するものであることを特徴とする電子顕微鏡。 - 請求項7乃至請求項9のいずれか一つに記載の電子顕微鏡において、
さらに、試料ホルダを移動させる移動機構を備え、該移動機構は、照射エネルギ制御装置の変化波形に基づき試料ホルダを移動させる速度を設定する速度制御装置と、設定された速度に基づき試料ホルダを移動させるステージ装置を備えることを特徴とする電子顕微鏡 - 請求項8または請求項9に記載の電子顕微鏡において、
前記電荷蓄積効率測定装置が、照射電流を測定する照射電流計と電子線照射時の帯電電位を測定する表面電位計を備えることを特徴とする電子顕微鏡。 - 電子線を放出する電子銃と、
前記電子線を試料に照射する電子光学系と、
前記試料を保持する試料ホルダと、
前記試料から放出される電子を検出する検出器と、
初期照射エネルギから目標電圧までの段階的な照射エネルギが順次印加される複数に分割された電子源と、
電子線照射時の電荷蓄積効率が0.8〜1の範囲の入射エネルギ帯に含まれる入射エネルギを維持するような速度で、前記試料ホルダと前記電子源とを相対的に移動させる移動機構と、
を有することを特徴とする電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011540499A JP5406308B2 (ja) | 2009-11-13 | 2010-11-08 | 電子線を用いた試料観察方法及び電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009259980 | 2009-11-13 | ||
JP2009259980 | 2009-11-13 | ||
PCT/JP2010/069845 WO2011058950A1 (ja) | 2009-11-13 | 2010-11-08 | 電子線を用いた試料観察方法及び電子顕微鏡 |
JP2011540499A JP5406308B2 (ja) | 2009-11-13 | 2010-11-08 | 電子線を用いた試料観察方法及び電子顕微鏡 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011058950A1 JPWO2011058950A1 (ja) | 2013-04-04 |
JP5406308B2 true JP5406308B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=43991609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011540499A Expired - Fee Related JP5406308B2 (ja) | 2009-11-13 | 2010-11-08 | 電子線を用いた試料観察方法及び電子顕微鏡 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120292506A1 (ja) |
JP (1) | JP5406308B2 (ja) |
WO (1) | WO2011058950A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10056228B2 (en) * | 2014-07-29 | 2018-08-21 | Applied Materials Israel Ltd. | Charged particle beam specimen inspection system and method for operation thereof |
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CN117153651A (zh) | 2017-09-29 | 2023-12-01 | Asml荷兰有限公司 | 样品检查中的图像对比度增强 |
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Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3984870B2 (ja) * | 2002-06-12 | 2007-10-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ウェハ欠陥検査方法及びウェハ欠陥検査装置 |
JP4895569B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2012-03-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 帯電制御装置及び帯電制御装置を備えた計測装置 |
-
2010
- 2010-11-08 JP JP2011540499A patent/JP5406308B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-08 US US13/508,774 patent/US20120292506A1/en not_active Abandoned
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005333161A (ja) * | 2005-08-05 | 2005-12-02 | Renesas Technology Corp | 荷電粒子ビームを用いた検査装置 |
JP2007265931A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2011058950A1 (ja) | 2013-04-04 |
US20120292506A1 (en) | 2012-11-22 |
WO2011058950A1 (ja) | 2011-05-19 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130709 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131031 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
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