JP2008254943A - 誘電体磁器および電子部品 - Google Patents

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【課題】常誘電性を有するとともに、比誘電率が250以上で、測定周波数100Hz温度100℃における誘電損失が1%以下の誘電体磁器及び電子部品を提供する。
【解決手段】金属元素としてBa、又はSr及びBaと、Ti、Nb及びZnとを含有するとともに、モル比による組成式を(Sr1−xBa)(Ti1−yNb2/3yZn1/3y)Oと表したとき、y≦0.314x+0.016で、かつ0<x≦1、y≧0.05の条件式を満足することを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、誘電体磁器および電子部品に関し、特に、金属元素としてBa、又はSr及びBaと、Ti、Nb及びZnとを含有するチタン酸塩の誘電体磁器および電子部品に関する。
通常の誘電体セラミック材料(誘電体磁器)は、中性又は還元性雰囲気というような低酸素分圧下で焼成すると還元され、半導体化するという性質を有している。そのため、このような誘電体セラミック材料を用いて構成される積層セラミックコンデンサにおいては、内部電極に含まれる導電材料として、高酸素分圧下で焼成しても酸化されず、しかも誘電体セラミック材料の焼結する温度では溶融しない、例えばパラジウム、白金などの貴金属を用いなければならない。その結果、積層セラミックコンデンサの低価格化の妨げになり、ひいては、大容量化の妨げになっていた。
このような問題を解決する方法として、ニッケルや銅などの卑金属を内部電極の導電材料として用いることが考えられるが、このような卑金属を内部電極の導電材料として使用した場合、前述した高酸素分圧下で焼成すると、導電材料としての卑金属が酸化されてしまうという問題があった。そこで、このような卑金属を用いる場合には、酸素分圧の低い中性または還元性雰囲気で焼成しても半導体化せず、優れた誘電特性を与える誘電体セラミック材料を用いることが必要である。
また、誘電体セラミック材料に電界が印加された場合に電気誘電歪が発生するという問題があり、電源回路において共鳴した場合‘音鳴り’と呼ばれる奇妙なノイズ音となり、例えば、プラズマディスプレイなどを観る人に不愉快な思いをさせる原因となるため、電気誘電歪が小さく、かつ比誘電率が大きい常誘電性の誘電体セラミック材料が要求されている。
このような条件を満たす非還元性誘電体セラミック、特にチタン酸ストロンチウム系の非還元性誘電体セラミック材料として、(Sr,Ca,Ba)(Ti,Zr,Hf)O系の誘電体セラミック材料が知られている(例えば、特許文献1参照)。
この特許文献1には、積層セラミックコンデンサの静電容量から求めた温度25℃での比誘電率が150以上、測定周波数1kHz温度25℃での誘電損失が0.3%以下のチタン酸ストロンチウム系の非還元性誘電体セラミック材料が記載されている。
特開2004−292173号公報
しかしながら、チタン酸ストロンチウム系の誘電体セラミック材料は、例えば測定周波数100Hzの低周波数で測定した場合、50℃を超えるあたりから誘電損失が急激に増大し、例えばSrTiOでは100℃の誘電損失が6%以上であり、非常に大きいものであり、常誘電性を有し、比誘電率が大きく、かつ高温での誘電損失が小さい誘電体セラミック材料が要求されていた。
本発明は、常誘電性を有するとともに、比誘電率が250以上で、かつ測定周波数100Hz温度100℃における誘電損失が1%以下の誘電体磁器及び電子部品を提供することを目的とする。
本発明者等は、SrTiOのSrサイト(Aサイト)にBaを置換固溶させた常誘電性の誘電体セラミック材料(誘電体磁器)をベースとし、Tiサイト(Bサイト)にモル比でNb:Zn=2:1となるようにNb、Znを固溶させてAサイトを2価、Bサイトを4価の値に保つことによって室温および100℃以上の高温における誘電損失を低く維持することができ、その結果静電容量値と絶縁性の低下を抑制することができることを見出し、本発明に至った。
即ち、SrTiOのTiサイト(4価)にNb等の(5価)元素を固溶させるだけではドナーイオンとして作用し、半導体化するが、本発明では、モル比で(5価元素):(2価元素)=2:1の割合で(Nb2/3Zn1/3)からなる複合酸化物をTiサイトに固溶させるため、余分な電子の形成を抑制したペロブスカイト構造からなる高絶縁性の誘電体磁器を提供できることを見出し、本発明に至った。
本発明の誘電体磁器は、金属元素としてBa、又はSr及びBaと、Ti、Nb及びZnとを含有するとともに、モル比による組成式を(Sr1−xBa)(Ti1−yNb2/3yZn1/3y)Oと表したとき、y≦0.314x+0.016で、かつ0<x≦1、y≧0.05の条件式を満足することを特徴とする。
このような誘電体磁器では、モル比による組成式を(Sr1−xBa)(Ti1−yNb2/3yZn1/3y)Oと表したとき、y≦0.314x+0.016で、かつ0<x≦1、y≧0.05の条件式を満足するため、室温での比誘電率が250以上を達成するとともに、測定周波数100Hz温度100℃における誘電損失が1%以下の誘電体磁器を得ることができる。
また、一般に用いられているチタン酸バリウム系の誘電体磁器はもともと強誘電性を有する結晶であるために、AC電圧依存性やDCバイアス依存性が大きく、また、電界が印加された場合に誘電体磁器に電気誘起歪が発生し、電源回路において共鳴した場合‘音鳴り’と呼ばれる奇妙なノイズ音となり、例えば、プラズマディスプレイなどを観る人に不愉快な思いをさせる原因となるが、本発明ではBサイトのTiの一部をNb2/3Zn1/3で置換することにより常誘電性を示すため、電気誘起歪を小さくできる。このため、本発明の誘電体磁器は、良好な音を発生する音響装置用として好適に用いることができる。
特に、本発明では、BサイトのTiの一部をNb2/3Zn1/3で置換するため、チタン酸バリウム系の誘電体磁器であっても常誘電性とすることができ、電気誘起歪を小さくできるとともに、Aサイトを、Ba、又はBaとSrとから構成し、比誘電率の高いチタン酸塩とすることにより、誘電体磁器としての比誘電率を高めることができる。また、AサイトをBaとSrとから構成することにより、比誘電率の温度特性を向上できる。
誘電体磁器は、誘電体結晶粒子と粒界相とからなり、前記誘電体結晶粒子が、モル比による組成式を(Sr1−xBa)(Ti1−yNb2/3yZn1/3y)Oと表したとき、y≦0.314x+0.016で、かつ0<x≦1、y≧0.05の条件式を満足することが望ましい。このような誘電体磁器では、誘電体結晶粒子が、モル比による組成式を(Sr1−xBa)(Ti1−yNb2/3yZn1/3y)Oと表したとき、y≦0.314x+0.016で、かつ0<x≦1、y≧0.05の条件式を満足するため、より常誘電性を強くできるとともに、室温での比誘電率をより高め、誘電損失をより小さくすることができる。粒界相を形成する材料として、誘電特性を劣化させない焼結助剤を選択することにより、焼成温度を低下できるとともに、誘電特性の劣化を防止することができる。
本発明の電子部品は、上記誘電体磁器と導体層とを交互に積層してなることを特徴とする。このような電子部品では、誘電体磁器として、室温での比誘電率が250以上と大きく、測定周波数100Hz温度100℃における誘電損失が1%以下と小さく、電気誘起歪を小さくできるため、例えば、電子部品として積層セラミックコンデンサに適用することにより、小型大容量とできるとともに、ノイズ音を低減し、例えば、プラズマディスプレイなどの音質の良好なテレビ等を観る人に不愉快な思いをさせることがない。
本発明の誘電体磁器によれば、モル比による組成式を(Sr1−xBa)(Ti1−yNb2/3yZn1/3y)Oと表したとき、y≦0.314x+0.016で、かつ0<x≦1、y≧0.05の条件式を満足するため、常誘電性を有するとともに、室温での比誘電率が250以上、測定周波数100Hz温度100℃における誘電損失が1%以下の誘電体磁器を得ることができる。このような誘電体磁器を、例えば積層セラミックコンデンサに用いることにより、小型大容量で、ノイズ音を低減できる。
本発明の誘電体磁器は、金属元素としてBa、又はSr及びBaと、Ti、Nb及びZnとを含有するとともに、モル比による組成式を(Sr1−xBa)(Ti1−yNb2/3yZn1/3y)Oと表したとき、y≦0.314x+0.016で、かつ0<x≦1、y≧0.05の条件式を満足するもので、いわゆるABOからなるペロブスカイト型である。
AサイトにおけるSrのBaによる置換量を示すxと、BサイトにおけるTiの(Nb2/3Zn1/3)による置換量を示すyは、図1に示すように、y≦0.314x+0.016で、かつ0<x≦1、y≧0.05の条件式を満足している。尚、図1における数字は、表1の試料No.を示す。
ここで、y≦0.314x+0.016としたのは、BサイトにおけるTiの一部を(Nb2/3Zn1/3)により置換することにより、常誘電性を発揮することができるようになるが、y=0.314x+0.016の線分よりもyが大きい場合、つまり、BサイトのTi量が少なくなり、言い換えれば、チタン酸塩としての特性が低下し、比誘電率が低下する。特に、BサイトにおけるTiの(Nb2/3Zn1/3)による置換量を示すyは、高い比誘電率が得られるという点から0.075〜0.14であることが望ましい。また、AサイトにおけるSrのBaによる置換量を示すxは、比誘電率の温度特性が良好という点から0.4〜0.6であることが望ましい。従って、本発明では、特に、xが0.4〜0.6であり、yが0.075〜0.14であることが望ましい。
また、y≧0.05としたのは、y<0.05の場合には、Tiの(Nb2/3Zn1/3)による置換量が少なく、言い換えれば、SrTiOの影響が大きくなり、高温での誘電損失低減効果が小さくなるからである。本発明の誘電体磁器の組成が、上記のような組成であるか否かは、蛍光x線分光分析により含まれる元素を定性分析し、これらの特定した元素についてICP発光分光分析により定量分析を行い、確認できる。
本発明の誘電体磁器は、誘電体結晶粒子と粒界相とからなり、誘電体結晶粒子は、モル比による組成式を(Sr1−xBa)(Ti1−yNb2/3yZn1/3y)Oと表したとき、y≦0.314x+0.016で、かつ0<x≦1、y≧0.05の条件式を満足するものから構成されている。誘電体結晶粒子が、上記組成か否かは、TEM(透過電子顕微鏡)を用い、TEM−EDS(エネルギー分散型X線分光分析装置)で確認できる。
誘電体結晶粒子間には粒界相が介在しており、この粒界相は結晶質とされている。このように結晶質からなる粒界相を形成することにより、誘電特性、特に比誘電率の低下を抑制することができる。
粒界相を構成する成分は、例えば、結晶粒子を形成する構成元素と、助剤成分とからなる結晶とされている。助剤成分は焼成温度を低下させる成分とされ、例えば、LiO、SiOが用いられる。助剤成分としては、B、BaO、CaO等を用いることもできる。助剤成分としては、特に、上記組成式で示される組成物に対して、誘電特性を劣化させない成分を選択することにより、優れた特性の誘電体磁器を低温焼成して得ることができる。
本発明の誘電体磁器のAサイトとBサイトの比率は、A/B比が0.995〜1.005の範囲とされることが望ましい。このようにA/B比が1でない場合には、特に、結晶粒子を形成する構成元素と助剤成分とからなる結晶が形成され、結晶粒子の粒界に結晶として析出する傾向にある。
誘電体結晶粒子は、モル比による組成式を(Sr1−xBa)(Ti1−yNb2/3yZn1/3y)Oで表されるものであり、誘電体磁器はこの結晶粒子が主結晶粒子であり、他にペロブスカイト型以外の異相がわずかに生成される場合もある。上記主結晶粒子の平均粒径は0.1〜4μm以下とされている。これにより、磁器の絶縁特性を向上できる。
本発明の誘電体磁器は、原料粉末として、平均粒径5μm以下のSrCO粉末及びBaCO粉末、平均粒径0.1〜0.5μmのTiO粉末、平均粒径0.5〜3μmのNb粉末、平均粒径2〜7μmのZnO粉末を用い、それぞれの粉末を、モル比による組成式を(Sr1−xBa)(Ti1−yNb2/3yZn1/3y)Oとなるように所定量秤量し、混合し、1000〜1400℃で仮焼処理(大気中)し、これを粉砕して、(Sr1−xBa)(Ti1−yNb2/3yZn1/3y)Oからなる仮焼粉末を作成する。
この仮焼粉末に対して、例えばSi−Li系の焼結助剤を所定量添加し、混合し、成形した後、大気雰囲気中で1200〜1400℃で焼成することにより、本発明の誘電体磁器を得ることができる。
以上のような誘電体磁器は、BサイトにおけるTiの一部をNb2/3Zn1/3で置換するため、常誘電性とすることができ、電気誘起歪を小さくできるとともに、測定周波数100Hz温度100℃における誘電損失が1%以下とすることができ、比誘電率を高めることができ、また、Aサイトを、Ba、又はBaとSrから構成し、比誘電率の高いチタン酸塩とすることにより、誘電体磁器としての比誘電率を250以上と高めることができる。本発明の誘電体磁器では、特に、測定周波数100Hz温度100℃における誘電損失が0.8%以下、比誘電率が280以上であることが望ましい。
本発明の誘電体磁器は、例えば、積層セラミックコンデンサのような電子部品に適用することができる。積層セラミックコンデンサは、複数の誘電体磁器と複数の導体層とを交互に積層してコンデンサ本体が構成されている。導体層しては、Ag−Pdを用いることができる。コンデンサ本体の両端面には、誘電体磁器の対向する両側の導体層に接続する一対の外部端子が形成されている。
このような積層セラミックコンデンサは、上記組成となるグリーンシートを作製し、このグリーンシート上にAg−Pdを含有する導電性ペーストを塗布し、導電性ペーストが塗布されたグリーンシートを複数積層し、これを焼成してコンデンサ本体を作製し、このコンデンサ本体の両端部に端子電極を形成することにより作製することができる。
このような積層セラミックコンデンサでは、測定周波数100Hz温度100℃における誘電損失が1%以下であり、25℃での誘電体磁器の比誘電率が250以上と高いため、静電容量を高くすることができるとともに、小型化が可能となり、電気誘起歪を小さくできるため、電源回路において共鳴した場合‘音鳴り’と呼ばれる奇妙なノイズ音がなくなり、例えば、プラズマディスプレイなどを観る人に不愉快な思いをさせることがない。
先ず、原料粉末として、純度99.0%で平均粒径1μmのSrCO粉末及びBaCO粉末、純度99.0%で平均粒径0.4μmのTiO粉末、純度99.9%で平均粒径1μmのNb粉末、純度99.0%で平均粒径5μmのZnO粉末を用い、それぞれ所定量秤量し、イソプロピルアルコール(IPA)を用いてポット混合した。
この後、アルミナるつぼで仮焼処理(大気中)を行った。仮焼処理温度は1000〜1400℃で行った。
仮焼合成後のセラミック粉末をX線回折(測定範囲2θ:20〜80°:CuKα)にかけ、合成相を確認した結果、大部分が(Sr1−xBa)(Ti1−yNb2/3yZn1/3y)Oからなる仮焼粉末が作製されていた。この後、仮焼粉末に対してSi−Liの焼結助剤を、仮焼粉末100質量部に対して1質量部添加し、再度IPA中で24時間混合処理を行った。IPAを乾燥させ、パラフィンワックスを混合後、プレス処理を行ってプレス単板を作製し、これを400℃で24時間脱脂処理した後、大気雰囲気中1200〜1400℃の温度で焼成を行い、電気特性評価用の誘電体磁器単板を作製した。単板の大きさは、直径10mm、厚み1mmであった。
この誘電体磁器単板について、蛍光x線分光分析により含まれる元素を定性分析し、これらの特定した元素についてICP発光分光分析により定量分析を行い、組成を分析した。
焼成後の磁器単板の主面全面にIn−Gaからなる電極を塗布し、1Vrms、100Hzで静電容量、誘電損失tanδを測定し、表1に記載した。25℃の静電容量から誘電体磁器の比誘電率を求め、誘電損失は100℃と125℃での値を記載した。これらの結果を表1に記載した。
さらに、常誘電体か否かを、電界−分極電荷特性(ヒステリシス曲線)で求めた結果、BサイトにおけるTiの一部を(Nb2/3Zn1/3)により置換した試料は、全て常誘電体であることを確認した。また、誘電体磁器単板の誘電体結晶粒子が、表1に示す(Sr1−xBa)(Ti1−yNb2/3yZn1/3y)Oからなる組成を示すことを、TEM(透過電子顕微鏡)を用い、TEM−EDS(エネルギー分散型X線分光分析装置)で確認した。
Figure 2008254943
表1の結果から明らかなように、本発明の誘電体磁器の試料では、100Hzで測定した100℃におけるtanδの値が1%以下であり、特に0.8%以下の試料もあり、試料No.1のSrTiOのtanδ6.73%と比較して、非常に小さいことがわかる。また、本発明の試料では、25℃での比誘電率も250以上と高いことがわかる。さらに、本発明の試料では、常誘電性を示すので、電気誘起歪を小さくできることがわかる。
特に、xが0.4〜0.6であり、yが0.075〜0.14である場合の試料No.11〜16では、常誘電性を示し、測定周波数100Hz温度100℃における誘電損失が0.8%以下、25℃での比誘電率が280以上であり、AサイトがSrとBaからなるため比誘電率の温度特性も良好であることがわかる。
(Sr1−xBa)(Ti1−yNb2/3yZn1/3y)Oのx、yの範囲を示す図である。

Claims (2)

  1. 金属元素としてBa、又はSr及びBaと、Ti、Nb及びZnとを含有するとともに、モル比による組成式を(Sr1−xBa)(Ti1−yNb2/3yZn1/3y)Oと表したとき、y≦0.314x+0.016で、かつ0<x≦1、y≧0.05の条件式を満足することを特徴とする誘電体磁器。
  2. 請求項1記載の誘電体磁器と導体層とを交互に積層してなることを特徴とする電子部品。
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