JP2008249865A - フォトマスクの作製方法およびフォトマスク、ならびにそのフォトマスクを使用したデバイスの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの作製方法およびフォトマスク、ならびにそのフォトマスクを使用したデバイスの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】所望の回路パターンの直線部分を描画座標軸もしくはスキャン方向から無理数角傾けてレジスト上に描画する。図3は、所望の回路パターンの直線部分を描画座標軸から有理数角傾けた場合(図3(a))と、無理数角傾けた場合(図3(b))の描画結果を模式的に示している。図中の点線は描画座標であり、実線は設計上のマスクパターンの境界線である。ともに作製された直線パターンの幅が階段状に変調されているが、有理数角の場合では直線パターンが周期的な形状となる一方、無理数角の場合では周期性が生じない。正の誤差と負の誤差がランダムに存在するため、距離が長くなると、ピクセル単位の丸め誤差が顕著に低減される。
【選択図】図3
Description
イズの寸法制御は必要ないと思われがちである。しかしながら、近年では平面光波回路においても小型化の要求が高まっており、曲げ半径を小さくするためにコアとクラッドの屈折率差の大きい超高Δ導波路の開発が進んでいる。
本発明は、所望の回路パターンの直線部分を描画座標軸もしくはスキャン方向から無理数の傾きを与える角度(以下に「無理数角」という。)傾けてレジスト上に描画することを特徴とする。以下に説明するように、傾斜角度が有理数の傾きを与える角度(以下に「有理数角」という。)である場合と無理数角である場合とではフォトマスクの製造誤差の低減において顕著な相違が見出される。
1.作製
クラッドが波長1.55μmにおいて1.4442の屈折率を有し、コアは、高さ3.5μm、コア幅3.5μm、そして比屈折率差2.5%である埋込型導波路で構成された16chのVOAアレイを考えた。コアの等価屈折率を求めると、n=1.46721となる。波長1.55μmで消光特性が得られるように光路長差を計算(ΔL=0.528μm)し、下側アームに光路長差を与えた非対称MZI回路の設計を行った。ここで、MZI回路の干渉部に含まれる直線部分をデジタイジング座標に平行に配置し、16chすべてのMZI回路の直線部分が平行となるようにレイアウトを行った。配線やヒータ工程に用いるフォトマスクも同様に設計を行った。
2.評価
作製した16chのVOAアレイの波長特性について調べた。得られたスペクトルから16ch各チャンネルでの消光波長を求め、消光波長のバラツキを、設計波長からの消光波長のずれの最大値の絶対値σ(nm)として評価を行った。
実施形態1に示したフォトマスクの作製方法およびそのようにして得られるフォトマスクは、製造誤差のいっそうの低減という課題を解決する。しかしながら、そのようなフォトマスクを使用してデバイスの製造を行うといくつか問題が生ずることが分かった。
実施形態2で説明した問題は、ウエハ全面を一括して露光するコンタクト(密着)マスクアライナー、プロキシミティ(近接)マスクアライナー、ミラープロジェクション(投影)マスクアライナー等の露光装置を前提としたものであるが、ステージに載置したウエハなどの基板を次々に露光する逐次移動露光を行うステッパ(スキャナー)を用いた場合においても個取り数の問題が発生する。
を含み、移動するステップは、制限された領域内の回路パターンの大きさを単位としてウエハを移動することを特徴とする。
701 入力部
702 出力部
710、902、912、1110、1120 ウエハ
711、901、911 OF
903、913、1002、1101 マーカ
904、914、1102 パターン描画領域
1001、1104 回路パターン
1003 位置決めピン
1103 露光制限領域
Claims (11)
- 直線パターンを備えるマスクパターンをラスタースキャンにより描画するフォトマスクの作製方法であって、
前記直線パターンを、前記ラスタースキャンのスキャン方向から無理数角傾斜させて描画することを特徴とするフォトマスクの作製方法。 - 前記フォトマスクは、平面光波回路製造用フォトマスクであることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクの作製方法。
- 直線パターンを備えるフォトマスクであって、
前記直線パターンの幅は、階段状に変調されており、
前記変調は、前記直線パターンに沿って無周期である
ことを特徴とするフォトマスク。 - 前記フォトマスクは、平面光波回路製造用フォトマスクであることを特徴とする請求項3に記載のフォトマスク。
- 直線部を備え、前記直線部の幅で特性が決まるデバイスであって、
前記直線部の幅は、階段状に変調されており、
前記変調は、前記直線部に沿って無周期である
ことを特徴とするデバイス。 - 前記デバイスは、平面光波回路であることを特徴とする請求項5に記載のデバイス。
- 傾斜描画により作製したフォトマスクを使用した、デバイスの製造方法であって、
前記フォトマスクは、前記デバイスの回路パターンおよびマーカを、ラスタースキャンのスキャン方向から+θ度傾斜させて描画することで作製されており、
作製した前記フォトマスクを、−θ度傾けて露光装置内のフォトマスクフォルダにセットするステップ
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。 - 前記フォトマスクをセットするステップは、前記フォトマスクを、前記フォトマスクを傾けずに前記フォトマスクフォルダにセットした位置と−θ度傾けてセットした位置とをともに一義に決定する3点の位置決めピンを用いてセットすることを含むことを特徴とする請求項7に記載のデバイスの製造方法。
- 前記フォトマスクをセットするステップは、前記フォトマスクを、前記フォトマスクを傾けずに前記フォトマスクフォルダにセットした位置と−θ度傾けてセットした位置とをともに一義に決定するザグリを用いてセットすることを含むことを特徴とする請求項7に記載のデバイスの製造方法。
- 傾斜描画により作製したフォトマスクを使用した、デバイスの製造方法であって、
前記フォトマスクは、前記デバイスの回路パターンを、ラスタースキャンのスキャン方向から傾斜させて描画することで作製されており、
前記フォトマスクの領域を、露光装置のブレードにより制限するステップと、
制限された前記領域を露光するステップと、
前記露光装置のステージ上のウエハを移動するステップと
を含み、
前記移動するステップは、制限された前記領域内の回路パターンの大きさを単位として前記ウエハを移動することを特徴とするデバイスの製造方法。 - 傾斜描画により作製したフォトマスクを使用した、デバイスの製造方法であって、
前記フォトマスクは、前記デバイスの回路パターンを、ラスタースキャンのスキャン方向からθ度傾斜させて描画することで作製されており、
前記フォトマスクの領域を、露光装置のブレードにより制限するステップと、
制限された前記領域を露光するステップと、
前記露光装置のステージ上のウエハを移動するステップと
を含み、
前記移動するステップは、制限された前記領域内の回路パターンの幅をWc、高さをDcと表した場合に、
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