JP2008241346A - Probe and measuring instrument using it - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置の検査に好適な探針及びそれを用いた測定装置に関する。 The present invention relates to a probe suitable for inspection of a semiconductor device and a measuring apparatus using the probe.
半導体装置の検査はプローバ等を用いて行われているが、近年、半導体装置の微細化に伴って、走査型プローブ顕微鏡(SPM)を用いた検査も行われるようになってきている。SPMには、1nm以下の位置精度で測定対象に探針を接触させることが可能であるという利点、及びSPM自身が測定対象の画像を取得できるという利点がある。 Inspection of a semiconductor device is performed using a prober or the like, but recently, with the miniaturization of a semiconductor device, inspection using a scanning probe microscope (SPM) has also been performed. SPM has the advantage that the probe can be brought into contact with the measurement object with a positional accuracy of 1 nm or less, and the advantage that the SPM itself can acquire the image of the measurement object.
SPMは、半導体装置の検査のみならず、半導体装置の構成要素の物性の測定にも用いられている。例えば、SPMの一種である走査型容量顕微鏡(SCM)を用いてのトランジスタの不純物の濃度分布の測定、及びパルススイッチング法による強誘電体膜のスイッチング電荷量の測定等が行われている。 SPM is used not only for inspection of a semiconductor device but also for measuring physical properties of components of the semiconductor device. For example, measurement of impurity concentration distribution of a transistor using a scanning capacitance microscope (SCM), which is a kind of SPM, and measurement of switching charge amount of a ferroelectric film by a pulse switching method are performed.
但し、SPMを用いて半導体装置の検査を行う場合、その探針の先端が非常に先鋭であるため、試料への接触面積が小さく、良好な電気的接続を得ることが困難なことがある。図12に示すように、プローバの探針111の先端は湾曲しているため、試料のパッド151との接触面積を確保しやすいが、SPMの探針121の先端は先鋭であるため、図13に示すように、接触面積の確保が困難なのである。なお、試料のパッド151の下には、絶縁部152及び配線153等が設けられている。
However, when a semiconductor device is inspected using SPM, the tip of the probe is very sharp, so that the contact area with the sample is small, and it may be difficult to obtain good electrical connection. As shown in FIG. 12, since the tip of the prober 111 of the prober is curved, it is easy to ensure a contact area with the
また、SCMを用いての不純物の濃度分布の測定では、信号強度が接触面積に比例するため、接触面積の拡大が望まれている。更に、パルススイッチング法による強誘電体膜のスイッチング電荷量の測定では、接触面積が小さい場合は十分な信号強度を得ることができないため、予め強誘電体膜上に上部電極を形成している。このため、ウェハ上でのスイッチング特性分布の測定等が不可能である。 Further, in the measurement of impurity concentration distribution using SCM, since the signal intensity is proportional to the contact area, it is desired to increase the contact area. Further, in the measurement of the switching charge amount of the ferroelectric film by the pulse switching method, a sufficient signal intensity cannot be obtained when the contact area is small. Therefore, the upper electrode is formed on the ferroelectric film in advance. For this reason, it is impossible to measure the switching characteristic distribution on the wafer.
図14Aに示すように、パッド151の表面が粗い場合、探針121とパッド151との接触面積の確保が特に困難である。
As shown in FIG. 14A, when the surface of the
これらの事情を鑑みて、SPMの探針の改良に関する種々の研究が行われている。例えば、探針の先端に厚さが数百nm程度の金属膜を形成することにより、探針の曲率半径を大きくする技術、及び微細加工によって探針の先端を平面状にする技術が知られている。しかしながら、図14B及び図14Cに示すように、曲率半径を大きくした探針131及び先端が平面状に加工された探針141によっても、表面が粗いパッド151との接触面積を確保することは困難である。
In view of these circumstances, various studies on improvement of the SPM probe have been conducted. For example, a technique for increasing the radius of curvature of the probe by forming a metal film with a thickness of several hundreds of nanometers at the tip of the probe and a technique for making the tip of the probe flat by fine processing are known. ing. However, as shown in FIGS. 14B and 14C, it is difficult to secure a contact area with the
本発明の目的は、試料との良好な電気的接触を確保することができる探針及びそれを用いた測定装置を提供することにある。 The objective of this invention is providing the probe which can ensure the favorable electrical contact with a sample, and a measuring apparatus using the same.
本願発明者は、上記課題を解決すべく、鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。 As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventor has come up with the following aspects of the invention.
本発明に係る探針には、探針基部と、少なくとも前記探針基部の先端を覆う導電性弾性体と、が設けられている。前記導電性弾性体は、前記探針基部よりも弾性変形しやすい。 The probe according to the present invention is provided with a probe base and a conductive elastic body that covers at least the tip of the probe base. The conductive elastic body is more easily elastically deformed than the probe base.
本発明に係る測定装置には、上記の探針と、前記探針に作用する押圧力を制御する力制御手段と、前記探針を介して試料の状態を検出する検出手段と、が設けられている。 The measuring apparatus according to the present invention is provided with the above-described probe, force control means for controlling the pressing force acting on the probe, and detection means for detecting the state of the sample via the probe. ing.
本発明によれば、導電性弾性体の変形により、試料との間の接触面積を広く確保することができる。従って、試料との間の電気的接触を良好なものとすることができる。 According to the present invention, a wide contact area with the sample can be secured by deformation of the conductive elastic body. Therefore, the electrical contact with the sample can be improved.
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the accompanying drawings.
(第1の実施形態)
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。図1Aは、本発明の第1の実施形態に係る走査型プローブ顕微鏡(SPM)の探針を示す正面図であり、図1Bは、本発明の第1の実施形態に係るSPMの探針を示す断面図である。
(First embodiment)
First, a first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1A is a front view showing a probe of a scanning probe microscope (SPM) according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B shows the probe of the SPM according to the first embodiment of the present invention. It is sectional drawing shown.
第1の実施形態には、先端が尖った探針基部11が設けられており、この探針基部11の先端に、楕円体状又は球状の導電性ゴム材12が固定されている。そして、探針基部11及び導電性ゴム材12からSPMの探針が構成されている。探針基部11としては、従来のSPMの探針が用いられている。本実施形態では、導電性ゴム材12が導電性弾性体に相当する。
In the first embodiment, a
このような探針が試料に押し付けられると、導電性ゴム材12がその弾性に応じて変形する。例えば、図2に示すように、パッド51、絶縁部52及び配線53が設けられた試料のパッド51に探針が押し付けられると、導電性ゴム材12がパッド51の表面の凹凸に倣って変形する。従って、これらの接触面積が広く確保される。この結果、探針とパッド51との間の電気的接触が良好なものとなる。
When such a probe is pressed against the sample, the
このような導電性ゴム材12の変形は、不純物の濃度分布の測定、及び強誘電体膜のスイッチング電荷量の測定の際にも生じるため、これらの測定においても十分な接触面積を確保することができ、電気的特性の良好な測定が可能となる。
Such deformation of the
次に、第1の実施形態に係る探針を製造する方法について説明する。図3A乃至図3Dは、第1の実施形態に係る探針の製造方法を工程順に示す模式図である。 Next, a method for manufacturing the probe according to the first embodiment will be described. 3A to 3D are schematic views showing the probe manufacturing method according to the first embodiment in the order of steps.
先ず、図3Aに示すように、カンチレバー13の自由端に探針基部11を固定する。また、基台16上に導電性ゴム材12の原料である液体導電性ゴム17を載せておく。次に、図3Bに示すように、探針基部11の先端を液体導電性ゴム17に接触させる。次いで、図3Cに示すように、探針基部11を液体導電性ゴム17から引き上げる。この結果、探針基部11の先端に液体導電性ゴム17が付着する。そして、探針基部11の先端に付着している液体導電性ゴム17を硬化させる。この結果、図3Dに示すように、導電性ゴム材12が探針基部11の先端に固定される。
First, as shown in FIG. 3A, the
このようにして第1の実施形態に係る探針が製造される。 In this way, the probe according to the first embodiment is manufactured.
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図4Aは、本発明の第2の実施形態に係るSPMの探針を示す正面図であり、図4Bは、本発明の第2の実施形態に係るSPMの探針を示す断面図である。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 4A is a front view showing an SPM probe according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view showing the SPM probe according to the second embodiment of the present invention.
第2の実施形態には、先端が尖った探針基部21が設けられており、この探針基部21の側面が導電性ゴム材22により覆われている。そして、探針基部21及び導電性ゴム材22からSPMの探針が構成されている。探針基部21としては、探針基部11と同様に、従来のSPMの探針が用いられている。本実施形態でも、導電性ゴム材22が導電性弾性体に相当する。
In the second embodiment, a
このような探針が試料に押し付けられると、導電性ゴム材22がその弾性に応じて変形する。例えば、図5に示すように、試料のパッド51に探針が押し付けられると、導電性ゴム材22がパッド51の表面の凹凸に倣って変形する。従って、これらの接触面積が広く確保される。この結果、探針とパッド51との間の電気的接触が良好なものとなる。
When such a probe is pressed against the sample, the
このような導電性ゴム材22の変形は、不純物の濃度分布の測定、及び強誘電体膜のスイッチング電荷量の測定の際にも生じるため、これらの測定においても十分な接触面積を確保することができ、電気的特性の良好な測定が可能となる。
Such deformation of the
次に、第2の実施形態に係る探針を製造する方法について説明する。図6A乃至図6Dは、第2の実施形態に係る探針の製造方法を工程順に示す模式図である。 Next, a method for manufacturing the probe according to the second embodiment will be described. 6A to 6D are schematic views showing a probe manufacturing method according to the second embodiment in the order of steps.
先ず、図6Aに示すように、カンチレバー23の自由端に探針基部21を固定する。また、容器26内に導電性ゴム材22の原料である液体導電性ゴム27を溜めておく。次に、図6Bに示すように、探針基部21を液体導電性ゴム17に浸漬する。次いで、図6Cに示すように、探針基部21を液体導電性ゴム27から引き上げる。この結果、探針基部21の周囲に液体導電性ゴム27が付着する。そして、探針基部21の周囲に付着している液体導電性ゴム27を硬化させる。この結果、図6Dに示すように、導電性ゴム材22により探針基部11の側面が覆われる。
First, as shown in FIG. 6A, the
このようにして第2の実施形態に係る探針が製造される。 In this way, the probe according to the second embodiment is manufactured.
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。図7は、本発明の第3の実施形態に係るSPMの探針を示す模式図である。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 is a schematic diagram showing an SPM probe according to the third embodiment of the present invention.
第3の実施形態には、先端が尖った探針基部31が設けられており、この探針基部31の先端に、楕円体状又は球状の絶縁性ゴム材32が固定されている。また、絶縁性ゴム材32中に複数のカーボン粒子等の導電性粒子33が分散している。そして、探針基部31、絶縁性ゴム材32及び導電性粒子33からSPMの探針が構成されている。探針基部31としては、探針基部11と同様に、従来のSPMの探針が用いられている。本実施形態では、絶縁性ゴム材32が絶縁性を示すが、導電性粒子33が分散しているため、絶縁性ゴム材32及び導電性粒子33から構成された導電性弾性体は導電性を示す。
In the third embodiment, a
このような第3の実施形態によっても第1の実施形態と同様の作用効果が得られる。 Also according to the third embodiment, the same operational effects as those of the first embodiment can be obtained.
第3の実施形態に係る探針を製造するためには、例えば、第1の実施形態に係る探針を製造する際に用いる液体導電性ゴム17を、導電性粒子33を分散させた液体絶縁性ゴムに代えればよい。
In order to manufacture the probe according to the third embodiment, for example, the liquid
(第4の実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。図8は、本発明の第4の実施形態に係るSPMの探針を示す模式図である。
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 8 is a schematic diagram showing an SPM probe according to the fourth embodiment of the present invention.
第4の実施形態には、先端が尖った探針基部41が設けられており、この探針基部41の側面が絶縁性ゴム材42により覆われている。また、絶縁性ゴム材42中に複数のカーボン粒子等の導電性粒子43が分散している。そして、探針基部41、絶縁性ゴム材42及び導電性粒子43からSPMの探針が構成されている。探針基部41としては、探針基部11と同様に、従来のSPMの探針が用いられている。本実施形態では、絶縁性ゴム材42が絶縁性を示すが、導電性粒子43が分散しているため、絶縁性ゴム材42及び導電性粒子43から構成された導電性弾性体は導電性を示す。
In the fourth embodiment, a
このような第4の実施形態によっても第2の実施形態と同様の作用効果が得られる。 Also according to the fourth embodiment, the same operational effects as those of the second embodiment can be obtained.
第4の実施形態に係る探針を製造するためには、例えば、第2の実施形態に係る探針を製造する際に用いる液体導電性ゴム27を、導電性粒子43を分散させた液体絶縁性ゴムに代えればよい。
In order to manufacture the probe according to the fourth embodiment, for example, the liquid
ここで、これらの実施形態に係る探針(以下、本探針という)を用いて半導体装置の検査を行う方法について説明する。 Here, a method for inspecting a semiconductor device using the probe according to these embodiments (hereinafter referred to as the present probe) will be described.
先ず、試料の測定部位に探針を接触させるために、表面の形状を測定する。但し、コンタクトモードで表面形状を測定する場合には、本探針の試料との間の摩擦係数は従来の探針と比較すると大きくなると考えられ、また、本探針の強度は従来の探針よりも低くなると考えられる。このため、本探針に加える押圧力は、従来の探針を用いる場合よりも弱くすることが好ましい。探針に加える力を弱めた場合には、導電性弾性体の変形量が小さくなり、試料の表面が導電性弾性体の最先端部により探知されることになるため、従来と同等の力を加えた場合と比較して、表面形状の測定における分解能が高くなるという利点もある。また、タッピングモード(周期的接触モード)で表面形状を測定する場合には、本探針の振幅を小さくすることにより、本探針の先端に作用する押圧力を小さくすることが好ましい。従って、測定装置には、このような押圧力の制御を行うための手段を設けておくことが好ましい。 First, in order to bring the probe into contact with the measurement site of the sample, the shape of the surface is measured. However, when measuring the surface shape in contact mode, the friction coefficient between the probe and the sample is considered to be larger than that of the conventional probe, and the strength of the probe is the same as that of the conventional probe. Is considered to be lower. For this reason, it is preferable that the pressing force applied to the probe is weaker than when a conventional probe is used. If the force applied to the probe is weakened, the amount of deformation of the conductive elastic body will be small, and the surface of the sample will be detected by the most advanced part of the conductive elastic body. Compared with the case where it adds, there also exists an advantage that the resolution in the measurement of surface shape becomes high. When measuring the surface shape in the tapping mode (periodic contact mode), it is preferable to reduce the pressing force acting on the tip of the probe by reducing the amplitude of the probe. Therefore, it is preferable to provide the measuring device with means for controlling the pressing force.
なお、本探針を用いた場合、その先端の曲率半径が従来のものよりも大きいため、従来の探針よりも分解能が低くなる可能性もあるが、パッド及び配線等のサイズは数十nm以上であることが多いため、本探針によっても十分に表面形状を測定することができる。 When this probe is used, the radius of curvature of its tip is larger than that of the conventional probe, so the resolution may be lower than that of the conventional probe. However, the size of the pads and wirings is several tens of nm. Since the above is often the case, the surface shape can be sufficiently measured with this probe.
表面形状の測定の完了後には、本探針を所望の測定部位に移動させて、パッド等に接触させながら力を加える。このとき、本探針に加える力を加減することにより、導電性弾性体の変形量を調整することが可能であるため、十分な接触面積を確保することができる。そして、本探針を介して試料の状態を検出することにより、電気的特性等の測定を行う。 After the measurement of the surface shape is completed, the probe is moved to a desired measurement site, and a force is applied while contacting the pad or the like. At this time, the amount of deformation of the conductive elastic body can be adjusted by adjusting the force applied to the probe, so that a sufficient contact area can be ensured. Then, the electrical characteristics and the like are measured by detecting the state of the sample through the probe.
その後、本探針を次の測定部位に移動させ、そこでの電気的特性等の測定を行う。但し、本探針の移動に際しては、引きずりによる本探針の損傷を防ぐため、本探針を試料から引き上げ、試料から離間した状態で移動させ、次の測定部位の上方から本探針を下ろすことが好ましい。そして、このような測定及び移動を繰り返せばよい。 Thereafter, the probe is moved to the next measurement site, and the electrical characteristics and the like are measured there. However, when moving the probe, to prevent damage to the probe due to dragging, the probe is lifted from the sample, moved away from the sample, and the probe is lowered from above the next measurement site. It is preferable. Then, such measurement and movement may be repeated.
なお、ウェハ全面の網羅的測定等、試料の形状の事前の画像化が不要な場合には、高さ測定の後に続けて電気的特性等の測定及び移動を繰り返すことにより、走査を1回で済ませることも可能である。 If it is not necessary to image the shape of the sample in advance, such as comprehensive measurement of the entire surface of the wafer, scanning and scanning can be performed once by repeating measurement and movement of electrical characteristics, etc. after the height measurement. It is also possible to finish.
このような方法によれば、十分な面積の確保により良好な電気的接触を得ることが可能となる。従って、SCMによる不純物濃度分布の測定に適用した場合には、高い信号雑音比が得られる。また、パルススイッチング法による強誘電体膜のスイッチング電荷量の測定に適用した場合には、固定した上部電極を設けずともウェハレベルでの測定が可能となる。 According to such a method, it is possible to obtain good electrical contact by securing a sufficient area. Therefore, when applied to the measurement of impurity concentration distribution by SCM, a high signal-to-noise ratio can be obtained. Further, when applied to the measurement of the switching charge amount of the ferroelectric film by the pulse switching method, measurement at the wafer level is possible without providing a fixed upper electrode.
なお、第3及び第4の実施形態では、導電性粒子として、粒径が適切なものを用いることが好ましい。一般的に、パッド等のサイズは数十nm以上であり、探針との接触部分の最大径は10nm〜数百nm程度である。従って、例えば第3の実施形態の導電性粒子33として粒径が10nm程度のものを用いると、図9Aに示すように、導電性粒子33のみがパッド51に接触し、導電性弾性体の変形を得られないことがある。これは、第4の実施形態においても同様である。また、例えば第4の実施形態の導電性粒子43として粒径が10nm程度のものを用いると、図9Bに示すように、導電性粒子33の個数密度が低いために、導電性弾性体の変形が得られても、導電性粒子33を介した導通の確保が困難になることがある。これは、第3の実施形態においても同様である。このため、必要とされる接触面積等に応じて、適切な粒径の導電性粒子を用いることが好ましい。特に粒径が小さい導電性粒子としては、例えばフラーレンが挙げられる。フラーレンの粒径はナノオーダーである。
In the third and fourth embodiments, it is preferable to use conductive particles having an appropriate particle size. Generally, the size of the pad or the like is several tens of nm or more, and the maximum diameter of the contact portion with the probe is about 10 nm to several hundred nm. Therefore, for example, when the
また、パッド51の表面の凹凸が粗い場合には、図10に示すように、導電性ゴム材12が変形しても、接触面積がやや不足することも考えられる。このような場合であっても、図11に示すように、パッド51の表面を吸着水18で覆うことにより、十分な導電性を確保することが可能である。特に、パッド51の表面に予め塩化カルシウム等の潮解性イオン物質の飽和水溶液を塗布しておけば、吸着水18の量を増加させることができ、また、吸着水18の電気伝導度を高めることができる。従って、このような飽和水溶液を塗布していない場合と比較して、より大きな隙間があっても良好な電気的接触を確保することができる。なお、図10及び図11には、第1の実施形態に係る探針を示しているが、第2〜第4の実施形態についても同様である。また、飽和水溶液の塗布による効果は、本発明に係る探針のみならず、従来の探針を用いた場合にも得られる。
Moreover, when the unevenness | corrugation of the surface of the
なお、導電性弾性体の材料は、探針基部よりも弾性変形しやすければ特に限定されないが、試料が変形しやすい材料から構成されている場合には、試料が弾性変形する範囲内で自身も弾性変形する材料から構成されていることが好ましい。試料が塑性変形する程度の力がなければ導電性弾性体が弾性変形しない場合には、試料の形状が復元しないからである。また、導電性弾性体は、試料の材料よりも変形しやすい材料から構成されていることが望ましい。弾性変形であっても必要以上に試料を変形させないためである。例えば、ラテックス等のゴムだけでなく、ポリアセチレン又はポリピロール等を含む導電性樹脂材を用いることもできる。ポリアセチレンを含む導電性樹脂材の形成に当たっては、例えば、予め触媒が塗布された探針基部をアセチレンと接触させて探針基部の表面にポリアセチレン膜を形成し、次に、よう素又は臭素等をドープする。この結果、ポリアセチレン膜に導電性が付与される。ポリピロールを含む導電性樹脂材の形成に当たっては、例えば、予め表面に金属薄膜が形成された探針基部を電極としてピロール類を含んだ溶液中で電解重合する。この結果、探針基部の表面に、ドープされた状態のポリピロール膜が形成される。また、溶媒に溶解した可溶性ポリピロールを探針基部に塗布し、その後に乾燥させることによって導電性樹脂膜を形成することも可能である。一般の樹脂材を用いる場合には、例えば、探針基部の表面に絶縁性の樹脂膜を形成し、この表面に機械的特性を損なわない程度の厚さの金属薄膜を蒸着等により形成して導電性を付与すればよい。また、ゴム材を用いる場合に、探針基部で適当な大きさの絶縁性ラテックス球を押えた状態で加熱する等して探針基部の先端に取り付け、この表面に導電性を付与してもよい。 The material of the conductive elastic body is not particularly limited as long as it is more elastically deformable than the probe base, but when the sample is made of a material that is easily deformed, the sample itself is within the range where the sample is elastically deformed. It is preferably made of a material that is elastically deformed. This is because the shape of the sample is not restored when the conductive elastic body is not elastically deformed unless there is enough force to plastically deform the sample. The conductive elastic body is preferably made of a material that is more easily deformed than the material of the sample. This is because the sample is not deformed more than necessary even by elastic deformation. For example, not only rubber such as latex but also conductive resin material containing polyacetylene or polypyrrole can be used. In forming a conductive resin material containing polyacetylene, for example, a probe base portion to which a catalyst has been previously applied is brought into contact with acetylene to form a polyacetylene film on the surface of the probe base portion, and then iodine, bromine or the like is formed. Dope. As a result, conductivity is imparted to the polyacetylene film. In forming the conductive resin material containing polypyrrole, for example, electrolytic polymerization is performed in a solution containing pyrroles using, as an electrode, a probe base portion having a metal thin film previously formed on the surface. As a result, a doped polypyrrole film is formed on the surface of the probe base. It is also possible to form a conductive resin film by applying soluble polypyrrole dissolved in a solvent to the probe base and then drying it. When using a general resin material, for example, an insulating resin film is formed on the surface of the probe base, and a metal thin film having a thickness that does not impair the mechanical properties is formed on the surface by vapor deposition or the like. What is necessary is just to provide electroconductivity. Also, when rubber material is used, it may be attached to the tip of the probe base by heating it while holding an insulating latex ball of an appropriate size at the probe base, and conductivity may be imparted to this surface. Good.
なお、特許文献3に、形状測定時と電気測定時との間で探針の押圧力を変化させることが記載されているが、特許文献3に記載の探針は試料表面の絶縁性酸化膜を破壊しても、接触面積を拡大するものではない。 Note that Patent Document 3 describes that the pressing force of the probe is changed between shape measurement and electrical measurement, but the probe described in Patent Document 3 is an insulating oxide film on the surface of the sample. Destroying does not increase the contact area.
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。 Hereinafter, various aspects of the present invention will be collectively described as supplementary notes.
(付記1)
探針基部と、
少なくとも前記探針基部の先端を覆い、前記探針基部よりも弾性変形しやすい導電性弾性体と、
を有することを特徴とする探針。
(Appendix 1)
A probe base;
A conductive elastic body that covers at least the tip of the probe base and is more easily elastically deformed than the probe base;
A probe characterized by comprising:
(付記2)
走査型プローブ顕微鏡に用いられることを特徴とする付記1に記載の探針。
(Appendix 2)
The probe according to appendix 1, wherein the probe is used in a scanning probe microscope.
(付記3)
前記導電性弾性体は、導電性樹脂材を有することを特徴とする付記1又は2に記載の探針。
(Appendix 3)
The probe according to
(付記4)
前記導電性弾性体は、
絶縁性樹脂材と、
前記絶縁性ゴム材中に分散した複数の導電性粒子と、
を有することを特徴とする付記1又は2に記載の探針。
(Appendix 4)
The conductive elastic body is
An insulating resin material;
A plurality of conductive particles dispersed in the insulating rubber material;
The probe according to
(付記5)
付記1乃至4のいずれか1項に記載の探針と、
前記探針に作用する押圧力を制御する力制御手段と、
前記探針を介して試料の状態を検出する検出手段と、
を有することを特徴とする測定装置。
(Appendix 5)
The probe according to any one of appendices 1 to 4,
Force control means for controlling the pressing force acting on the probe;
Detecting means for detecting the state of the sample through the probe;
A measuring apparatus comprising:
(付記6)
試料の表面に潮解性イオン物質を含有する水溶液を塗布する工程と、
前記水溶液中に付記1乃至4のいずれか1項に記載の探針を挿入して前記試料の電気的特性を測定する工程と、
を有することを特徴とする測定方法。
(Appendix 6)
Applying an aqueous solution containing a deliquescent ionic substance to the surface of the sample;
Inserting the probe according to any one of appendices 1 to 4 into the aqueous solution and measuring the electrical characteristics of the sample;
A measuring method characterized by comprising:
(付記7)
試料の表面に潮解性イオン物質を含有する水溶液を塗布する工程と、
前記水溶液中に探針を挿入して前記試料の電気的特性を測定する工程と、
を有することを特徴とする測定方法。
(Appendix 7)
Applying an aqueous solution containing a deliquescent ionic substance to the surface of the sample;
Inserting a probe into the aqueous solution to measure the electrical characteristics of the sample; and
A measuring method characterized by comprising:
(付記8)
探針基部に、少なくとも前記探針基部の先端を覆い、前記探針基部よりも弾性変形しやすい導電性弾性体を固定する工程を有することを特徴とする探針の製造方法。
(Appendix 8)
A method for manufacturing a probe, comprising a step of fixing a conductive elastic body that covers at least the tip of the probe base to the probe base and is more easily elastically deformed than the probe base.
(付記9)
前記導電性弾性体を固定する工程は、
前記探針基部の少なくとも先端に、液状の導電性樹脂を付着させる工程と、
前記液状の導電性樹脂を固化させる工程と、
を有することを特徴とする付記8に記載の探針の製造方法。
(Appendix 9)
The step of fixing the conductive elastic body,
Attaching a liquid conductive resin to at least the tip of the probe base; and
Solidifying the liquid conductive resin;
The method of manufacturing a probe according to appendix 8, characterized by comprising:
(付記10)
前記導電性弾性体を固定する工程は、
前記探針基部の少なくとも先端に、導電性粒子が分散した液状の絶縁性樹脂を付着させる工程と、
前記液状の絶縁性樹脂を固化させる工程と、
を有することを特徴とする付記8に記載の探針の製造方法。
(Appendix 10)
The step of fixing the conductive elastic body,
Attaching a liquid insulating resin in which conductive particles are dispersed to at least the tip of the probe base; and
Solidifying the liquid insulating resin;
The method of manufacturing a probe according to appendix 8, characterized by comprising:
(付記11)
前記導電性弾性体を固定する工程は、
前記探針基部の少なくとも先端に、絶縁性樹脂材を固定する工程と、
前記絶縁性樹脂の表面に導電性を付与する工程と、
を有することを特徴とする付記8に記載の探針の製造方法。
(Appendix 11)
The step of fixing the conductive elastic body,
A step of fixing an insulating resin material to at least the tip of the probe base;
Providing conductivity to the surface of the insulating resin;
The method of manufacturing a probe according to appendix 8, characterized by comprising:
11、21、31、41探針基部
12、22:導電性ゴム材
32、42:絶縁性ゴム材
33、43:導電性粒子
11, 21, 31, 41
Claims (6)
少なくとも前記探針基部の先端を覆い、前記探針基部よりも弾性変形しやすい導電性弾性体と、
を有することを特徴とする探針。 A probe base;
A conductive elastic body that covers at least the tip of the probe base and is more easily elastically deformed than the probe base;
A probe characterized by comprising:
絶縁性樹脂材と、
前記絶縁性ゴム材中に分散した複数の導電性粒子と、
を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の探針。 The conductive elastic body is
An insulating resin material;
A plurality of conductive particles dispersed in the insulating rubber material;
The probe according to claim 1 or 2, characterized by comprising:
前記探針に作用する押圧力を制御する力制御手段と、
前記探針を介して試料の状態を検出する検出手段と、
を有することを特徴とする測定装置。 The probe according to any one of claims 1 to 4,
Force control means for controlling the pressing force acting on the probe;
Detecting means for detecting the state of the sample through the probe;
A measuring apparatus comprising:
前記水溶液中に請求項1乃至4のいずれか1項に記載の探針を挿入して前記試料の電気的特性を測定する工程と、
を有することを特徴とする測定方法。 Applying an aqueous solution containing a deliquescent ionic substance to the surface of the sample;
Inserting the probe according to any one of claims 1 to 4 into the aqueous solution and measuring the electrical characteristics of the sample;
A measuring method characterized by comprising:
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