JP4260310B2 - Micro contact type prober - Google Patents

Micro contact type prober Download PDF

Info

Publication number
JP4260310B2
JP4260310B2 JP30380499A JP30380499A JP4260310B2 JP 4260310 B2 JP4260310 B2 JP 4260310B2 JP 30380499 A JP30380499 A JP 30380499A JP 30380499 A JP30380499 A JP 30380499A JP 4260310 B2 JP4260310 B2 JP 4260310B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cantilever
contact
measurement
microcontact
prober
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP30380499A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2001124798A (en
Inventor
正敏 安武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Science Corp
Original Assignee
SII NanoTechnology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SII NanoTechnology Inc filed Critical SII NanoTechnology Inc
Priority to JP30380499A priority Critical patent/JP4260310B2/en
Publication of JP2001124798A publication Critical patent/JP2001124798A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4260310B2 publication Critical patent/JP4260310B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、接触式の回路試験用微小接触式プローバーのプローブとプローブの位置制御、押し込み力制御に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来技術接触式の回路試験用微小接触式プローバーのプローブは、例えば図11に示すように金属製の弾性を有する片持ち梁[112]の先端に探針状の接触子[113]を1ヶ取り付け、LSI回路の任意の測定点にプローブを位置合わせさせるためにプローブの根元部にXYZステージ等の移動機構[111]を有しているものが知られている
【0003】
点を同時に測定するために、図12に示すように前記プローブをアレー状に並べ等間隔で並ぶ測定端子から、複数個の電気信号を得るものも知られている置合わせの方法として、被検体の測定端子と前記プローブを長焦点の対物レンズ[115]の同一視野下におさめ、被検体の測定端子あるいは前記プローブをステージ等の移動機構で移動させた後、プローブを測定端子に押し付け電気測定を行なっているものもあった
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
今日のように、被検体の回路が微細化し、検査するメモリー等のセルサイズが特に1μmx1μm以下になってくると、前記金属製の片持ち張りでは、片持ち梁の加工と接触子の加工が困難になってきている
【0005】
ルが例えば2〜5μm以下の等間隔で並んだメモリーセルの検査の場合には特に、複数個の金属製のプローブを隣あって並べることが空間的に難しくなってきている
【0006】
現在主として使用されているプローブは、セルの微細化により探針が鋭利になってしまうため、被検体面の押し付け圧力適当な制御しないと増加してしまう。たとえばFeRAMのように電極下に強誘電体の薄膜を堆積させ作成したメモリーセル、TFT液晶のように電極の下に有機薄膜を配した構造体などでは、プローブの押し付け圧力の増加により、薄膜にダメージを与える可能性が高まり、微小な押し付け力の制御が必要になっている。
【0007】
数のプローブを隣あって並べた場合、接触子の先端高さが揃っていないとプローブの押し付け込み深さがばらばらになり、各のプローブの押し付け力が変動し、押し込み不足による接触不良や、押し込みすぎによる薄膜ダメージが生じる。
【0008】
またセルサイズが特に0.5μmx0.5μm以下になると、現行の光学顕微鏡では分解能不足で位置合わせは困難になる。
【0009】
【課題を解決するための手段】
発明に係る微小接触式プローバーは、 以下のいずれか、好ましくは互いに矛盾しない範囲で複数(全部を含む)を組み合わせた構成や方法が採用される。
【0010】
従来のような金属製のプローブではなく、原子間力顕微鏡(AFM)等で使用されているマイクロファブリケーションプロセスによるシリコンをベース材料とした微小プローブを使用する
【0011】
プローブ(カンチレバー部)に、複数個の被検体測定端子の同時測定用に、一つのカンチレバー上に複数個の接触子を作成してあるもの(計測用カンチレバーとするこのカンチレバーの両側に被検体測定端子面と接触子間のZ距離制御のために長めのカンチレバーを有すると好ましい
【0012】
Z距離制御用カンチレバーをし、被検体測定端子への接触子の移動速度を制御し、押し付け力制御には計測用カンチレバーのたわみ量が一定になるように制御を行う
【0013】
接触子と測定端子との位置合わせ用に、計測用カンチレバーに位置合わせマークを作成する。そのマークを光学顕微鏡で合わせることにより各接触子が測定端子の直上にくるように接触子とマークの位置関係を配した。
【0014】
光学顕微鏡以上の分解能で位置合わせするために、一方の端にあるZ距離制御用カンチレバーをAFMのプローブと同様の動作をさせてセルの形状測定を行ないセルの位置を確認する。カンチレバーの探針と計測用のカンチレバーの接触子との位置関係が既知(初期設定で決まっている)のため、セルの直上に接触子を位置合わせできる。
【0015】
確実な接触を行なうために、接触子として複数本の林立するカーボンナノチューブを採用する。
【0016】
例えば、 Z距離制御用のカンチレバーは導電性を備え、計測用カンチレバーより長くされたものが採用される。
1に示す例(カンチレバー部)では、同一チップ[70]上に複数個のカンチレバー[C1][C2] 作成されている。これらのカンチレバー[C1][C2]の変位検出は、M.Tortonese,R.C.Barrett,C.F.QuateAppl.Phys.Lett.62(8)1993,834の論文にあるようにピエゾレジティブ抵抗を用いた自己変位型の構成を採用することもでき、光てこ検出器のような外部変位検出器を用いた構成も採用することができる。カンチレバー部は、当初、被検体測定端子より数mmの距離が離れているものとするまず、カンチレバー部を高速で被検体測定端子面に接近させる。初めに長さの長いZ距離制御用カンチレバー[C1]が被検体測定端子面と接触し、これによりたわみを信号を発生する。このたわみ信号の発生をトリガにしてZ粗動の送り速度を低速に切り替える。次に接触子のある計測用のカンチレバー[C2]を、被検体測定端子面に接触させ、その後押し込み力が設定量域にはいるまで低速送りを行う。ここで接触子[3]と測定端子の接触を電気的に確認し、各被検体の動作確認を行なう。
【0017】
【発明の実施の形態】
下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
<カンチレバー部の構成>
図1、2、3、4、5、6、7、8に示すカンチレバー部の構成を説明する。図1、2は、カンチレバーの変位検出を外部のたとえば光てこ検出器を使用するカンチレバー部であり、図3は、カンチレバーの外形は図1と同様であるが、変位検出をカンチレバー内部に埋め込まれているピエゾ抵抗体[72]によって行う自己検知のカンチレバーを用いた別実施形態である。ピエゾ抵抗体[72]に一定の電流を流し、カンチレバーの変位による歪みをピエゾ抵抗の変化として捕らえ、ブリッジ回路により電流変化として検出している。図4は、3ヶ以上のカンチレバーを持つカンチレバー部の別実施形態である。両端に前記距離制御用のカンチレバーを有し中央部に複数個の計測用のカンチレバーがあり、それぞれの計測用カンチレバーには、複数個の接触子がある。
【0018】
うカンチレバー上の接触子の間隔は、測定するセル間隔の整数倍になるように配置されている。また計測用カンチレバーが複数個で構成されている訳は、カンチレバーのばね定数の低減とカンチレバー部が測定するセルに対して傾いていた場合個々のカンチレバーで押し込み量を調整し、押し込み力を調整するためである。
【0019】
以下図1、2をいて説明する。カンチレバー部は、長さの長いZ距離制御用のカンチレバー[c1](長さl1:400〜1000μm)と接触子[3]のある長さの短い計測用のカンチレバー[c2](長さl2:100〜500μm)が隣あって並ぶ(カンチレバーの探針[40]と接触子[3]の距離はセルピッチの整数倍)ように構成されている。またZ距離制御用のカンチレバー[c1]は、金等の導電性の金属で針先[40]までコートされ導電性を持たせてある。
【0020】
2は、図1のカンチレバーを横方向から眺めた図である。Z距離制御用のカンチレバー[c1]が試料面と接触しているとき、計測用のカンチレバー[c2]は、Z距離制御用のカンチレバー[c1]より高さh<100−300μm(h=(l1−l2)sinθ;l1:Z距離制御用のカンチレバーの長さ、l2:計測用のカンチレバー長さ、θ:カンチレバー取り付け角度)だけ試料面より浮く状態なる
Z距離制御用のカンチレバー[c1]は、先端半径100−200nm程度でばね定数0.01〜0.1N/mである。ばね定数が柔らかいため、Z距離制御用のカンチレバーを高速で試料面に接触してもカンチレバーの破損や試料面へのダメージは少ない。
【0021】
5に接触子[3]の配置と構成含めた計測用のカンチレバー[c2]の詳細を示す。接触子[3]は高さ10μm程度の突起であり、先端半径が100−200nmでこの突起部のみ金属コーティング[31]がほどこされている。この金属コーティング[31]はカンチレバーベース部[70]まで配線[50]され、ベース部[70]で接続用のパット[60]に接続されている。このパット[60]に外部電気試験機(図9における[12])が接続されており、接触子[3]と測定端子間にさまざまな試験信号を印加することができる。
【0022】
6の平面図に示すように各接触子[3]間の絶縁[75]は、酸化シリコンにより分離されている。さらに接触子[3]の面と接触子[3]の反対側の面とは、図7の断面図に示すように酸化シリコン膜[75]により分離され、接触子[3]の反対側のカンチレバー面は、金属でコーティング[76]されおり、アース電位に接続できシールド電極としてはたらかせることができる。
隣合う接触子[3]の間隔は、検査するセルピッチと等しくあるいはピッチの整数倍で作成する。
【0023】
8には、カーボンナノチューブ[33]を複数本林立させ、接触子[3]とした別形態の実施例をしめす。この場合接触子[3]の作り方は、シリコンカンチレバーの基部[71]に1〜3μm角の鉄系の触媒をパターニングし[32]、エタン等のハイドロカーボン雰囲気中で700〜1000℃で気相成長させると、基板と垂直に長さの揃ったカーボンナノチューブが前記鉄系の触媒でパターニングした所から多数成長する。このカーボンナノチューブは導電性があり、基部の鉄系触媒とカンチレバーベース部[70]を金属細線[50]で配線し、また接触子間の絶縁[75]を酸化シリコンにより分離すればよい。カーボンナノチューブを接触子[3]として使用すると、金属でコーティングした接触子に比較し、コーティング材が電界蒸発で飛び出すことも無く安定に電圧を印加できる。またカーボンナノチューブ自身に弾性があり堅牢なため多数回にわたる接触に耐える。
【0024】
<装置主要部構成>
図9を用いて装置の主要部の構成を説明する。カンチレバーを試料に近接させる移動機構(Z粗動機構)[1]にXYZ走査スキャナー[2]が固定されその先端部にカンチレバーベース[70]が取り付けられている。また試料台[5]には被検体[6]を試料台接触子[4]で電気的に接続を取り、前記カンチレバー部に対向して配置している。図9でカンチレバー[c1],[c2]は、自己検知のカンチレバーとして描かれている。図9で示す計測用カンチレバー[c2]の変位信号は、プレアンプ[7]により増幅され、Zサーボ系[8]に入力される。その出力信号をZ走査コントローラー[11]により増幅され、結果としてXYZ走査スキャナー[2]のZ軸が伸縮し、計測用カンチレバーのたわみ量が一定になるように接触子[3]−測定端子間[6]の距離が制御される。一方図9で示すZ距離制御用カンチレバー[c1]からの信号は、同様にプレアンプ[7]により増幅されZ粗動コントローラーに[9]に入力され、Z粗動メカニズム[1]の制御信号として使われている。Z粗動メカニズムは、主に差動ねじ、縮小てこ等のメカ系で構成されmm程度を0.1−0.05μm刻みで移動できる。ここで測定端子面上数mmから0.1−0.3mmまでは、Z粗動メカ機構[1]で高速に送り、残り0.1−0.3mm以下を低速で送るように制御する。
【0025】
<距離制御動作と接触子の押し込み力調整>
次に図1と図10のタイムチャートを使ってZ粗動の動作を説明する。最初カンチレバー部は、試料表面から数mm離れている。Z粗動系メカニズム[1]を高速で移動させ図1のようにZ距離制御用のカンチレバー[c1]が試料面と接触するとき[図10:t0]、Z距離制御用のカンチレバーは測定端子面から力を受けカンチレバーの変位信号が変化する。この信号をZ粗動コントローラー[9]に入力し、Z粗動系メカニズム[1]を低速送りに切り替える。この[図10:t0]の時点で計測用のカンチレバー[c2]は、およそhだけ試料面より浮いている。次に低速でおよそh>100−300μm(h:Z距離制御用カンチレバーと計測用カンチレバーの被検体面からの高さの差)だけ押し込み計測用のカンチレバー[c2]を接触させる。[図10:t1]その後接触子を被検体測定端子面に△hだけ押し込む[図10:t2]。この時計測用カンチレバーは、測定端子面から力を受けカンチレバーの変位信号が変化する。押し付け力は、計測用カンチレバーのばね定数に△h(カンチレバー押し込み深さ)を乗じたものになり、この量は図9の☆印に示す押し付け力設定信号により制御できる。
【0026】
4に示した複数個の計測用カンチレバー[c2] 有するカンチレバー部を使用する場合は、それぞれ両端のZ距離制御用のカンチレバー[c1]と[c1']のOR信号を取るとよい。カンチレバーベース[70]が傾いて取り付いていても、どちらか試料面に近い方のZ距離制御用カンチレバー信号をZ粗動コントローラー[9]の信号として使用することができる
【0027】
被検体の測定端子と接触、押し付け力調整後(t2の後)、前記外部電気試験機[12]より接触子[3]と測定端子間にさまざまな試験信号を印加し、被検体の電気的評価を行なう。
【0028】
<測定セルとの位置合わせ>
ここでは、被検体をメモリーセルのように空間的に同様の形状が二次元的に配列したセルを前提に説明する。
セル測定用のカンチレバー各部の寸法は、以下のように作る。計測用カンチレバー上の接触子[3]は、セルのピッチと等間隔あるいはピッチの整数倍に配置し、またZ距離制御用のカンチレバー[c1]の針先[40]と前記接触子[3]の間隔はセルの整数倍になるように作り込む。また計測用カンチレバー[c2]の背面または側面に、前記接触子[3]と一定の位置関係をもつ位置合わせマーク[図6:76](大きさ1μmx1μm以上)を作成し、顕微鏡での位置合わせ用のガイドとして使用する。
【0029】
セルとの微小位置合わせは、計測用カンチレバー[c2]上の接触子[3]をセルの直上にくるように、光学顕微鏡で観測しながら、前記XYZ走査スキャナーのXY軸に電圧を印加しXY位置の微調整を行なう。ここでセルが微小で光学顕微鏡で見えない場合は、Z距離制御用のカンチレバー[c1]をXYに走査し、このカンチレバー[c1]の変位が一定になるようにZスキャナーを制御し、AFMと同様の動作をさせセルの形状を得ることができる。このセルの形状をもとに接触子とセルの位置関係を求め、位置合わせが可能になる。
【0030】
本願発明は、上記実施形態に限定して解釈することは当然にできず、本明細書等に流れる思想・精神に基づいて解釈される。したがって、本願発明には、以下の技術的思想も当然に含まれる。
【0031】
(1)電気試験用のプローブとして、導電性の接触子と片持ち梁(カンチレバー)を有し、同一あるいは、隣接するカンチレバーのたわみ信号より被検体面測定端子と接触子の押し込み力を制御し接触を確認し、つぎに接触子を通じて被検体の回路に電気信号を印加し、 LSI 回路の動作を確認する微小接触式プローバーにおいて、前記電気試験用のプローブとして複数個のカンチレバーを有し、また同一カンチレバー上に1ケ以上の接触子を隣りあって配置することを特徴とする微小接触式プローバー
【0032】
微小接触式微小接触式プローバー
(2)前記カンチレバー上の接触子は導電性とし、個々の接触子間は、絶縁し、個々の接触子の間隔を測定するセルのピッチと等間隔あるいは整数倍とすることを特徴とする技術的思想(1)の微小接触式プローバー。
【0033】
(3)接触子の材質としてカーボンナノチーブを使用することを特徴とする技術的思想(1)の微小接触式プローバー。
【0034】
(4)接触子間の絶縁を SOI 基板の酸化シリコン層によって行なうことを特徴とする技術的思想(1)の微小接触式プローバー。
【0035】
(5)カンチレバーの接触子面と背面とが絶縁してあり、背面を金属膜でコーティングしてあることを特徴とする技術的思想(1)の微小接触式プローバー。
【0036】
(6)シリコンあるいはシリコンナイトライドで作られた微小なカンチレバーに電気測定用の複数個の導電性接触子を有し、その接触子から配線により電気信号を取り出す計測用カンチレバーとその両側に被検体面との距離制御用のカンチレバーを有するプローブを持つ微小接触式プローバー。
【0037】
(7)前記計測用カンチレバーの側面あるいは、接触子の反対側に接触子と一定位置関係にある顕微鏡ガイド用のマークを有する技術的思想(6)の微小接触式プローバー。
【0038】
(8)前記プローブの微小位置制御用に XY 方向に動作するピエゾスキャナーを有することを特徴とする技術的思想(1)または技術的思想(6)の微小接触式プローバー。
【0039】
(9)前記プローブの押し込み力制御用に Z 方向に動作するピエゾスキャナーを有することを特徴とする技術的思想(1)または(2)の微小接触式プローバー。
【0040】
【発明の効果】
この発明により、以上説明したような微小なプローブを用いて、微細化された個々のセルに直接接触し、電気的評価が行なえるようになった。また押し付け力が制御されたことにより押し込み不足による接触不良や、押し込み過ぎによるセルの薄膜へのダメージを与えること無しに電気的評価が行なえるようになった。
【0041】
また光学顕微鏡の分解能が不足の場合は、AFMと同様の動作でセルの形状を得ることができ、セル上に正確に接触子を位置合わせすることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】 外部検出器用プローブ(カンチレバー部)の斜視図である。
【図2】 外部検出器用プローブ(カンチレバー部)の側面図である。
【図3】 微小微小接触式プローバーのプローブ(カンチレバー部)部分の模式図である。(a)は自己検知のカンチレバーを用いたプローブの斜視図、(b)は(a)におけるA−A’線に沿った断面図である。
【図4】 3ヶ以上のカンチレバーを持つプローブの摸式図である。
【図5】 プローブの詳細説明の摸式図。(a)は計測用カンチレバーの斜視図、(b)は(a)においてA方向から見た図である。
【図6】 計測用カンチレバーの平面図である。
【図7】 計測用カンチレバーの断面図である。
【図8】 微小微小接触式プローバー装置のプローブとその位置制御機構(XYZ走査スキャナー)とその制御系の模式図である。(a)はカーボンナノチューブを接触子に用いた計測用カンチレバーの斜視図、(b)は(a)においてA方向より見た図である。
【図9】 本発明の微小接触式プローバー装置の模式図である。
【図10】 プローブ近接時のタイムチートである。動作のタイムチートである。
【図11】 従来の微小接触式プローバーのプローブの模式図である。
【図12】 従来のアレー型にプローブを配した微小接触式プローバーの模式図である。
【符号の説明】
1 Z粗動メカニズム
2 XYZ微動スキャナー
3 プローブ(カンチレバー部)
4 試料台の接触子
5 試料台
6 被検体
7 プレアンプ
8 Zサーボ系
9 Z粗動コントローラー
10 XY走査コントローラー
11 Z走査コントローラー
12 外部電気回路
20 制御用コンピュータ
☆印 押し付け力設定信号
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a probe of a contact-type microcontact prober for circuit testing, position control of the probe, and control of pushing force.
[0002]
[Prior art]
The prior art contact-type circuit probe of the test micro-contact type prober, for example a contact [113] tip on the probe-like cantilever [112] having a metal elasticity, as shown in FIG. 11 1 month attachment, shall have any moving mechanism of the XYZ stage such as the root portion of the probe to to align the probe to the measuring point [111] of the LSI circuit is known.
[0003]
To measure multiple points at the same time, from the measurement terminal arranged at equal intervals side by side the probe as shown in Figure 12 in an array, also known shall obtain a plurality of electrical signals. As a method of position adjustment, after moving in the same field of view housed under moving mechanism such as a stage measurement terminal or the probe of the subject of the objective lens [115] of the long focal the probe and the measurement terminal of the subject In some cases, electrical measurements were made by pressing the probe against the measurement terminal.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
As today, and circuit miniaturization of the subject, the cell size of the memory or the like for inspection come especially equal to or less than 1Myumx1myuemu, wherein the metallic cantilever tension, the processing of the processing and contacts the cantilever It has become difficult.
[0005]
Especially when cell Le is the inspection of memory cells arranged eg in the following equidistant 2~5μm may be aligned with a next a plurality of metal probes are getting I Do difficult spatially.
[0006]
Probes which are mainly used currently, since the probe due to the miniaturization of the cell resulting in sharp Tsu Na, pressing pressure of the subject surface, increases not to appropriate control. For example, by depositing a thin film of ferroelectric under the electrode and memory cell created as FeRAM, in such structure that the decor organic thin film under the electrode as TFT LCD, by increasing the pressing pressure of the probe, It increases the likelihood of damage to the thin film, Ru Ttei such needs control of small pressing force.
[0007]
If parallel solid there beside the multiple probes, unless equipped with tip height of the contactor become apart depth narrowing pressing of the probe, the pressing force is changed for each of the probe, faulty Ya contact by pushing shortage , Film damage due to excessive pressing occurs.
[0008]
Further, when the cell size is particularly 0.5μmx0.5μm below, alignment becomes difficult resolution deficiency in the current optical microscope.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The microcontact prober according to the present invention employs any of the following, preferably a configuration or method in which a plurality (including all) are combined within a range that does not contradict each other.
[0010]
· Conventional rather than metallic probe as, to use a micro probe the silicon by microfabrication processes used in atomic force microscopy (AFM) or the like based material.
[0011]
A probe (cantilever part) is a probe in which a plurality of contacts are created on one cantilever ( measurement cantilever ) for simultaneous measurement of a plurality of analyte measurement terminals . On both sides of the cantilever, preferably with elongated cantilever for Z distance control between the contacts and the object measurement terminal surface.
[0012]
- to adopt the Z distance control cantilever, it controls the movement speed of the contact to a subject measurement terminal, performs control so the amount of deflection of the pressing force measuring cantilever to control is constant.
[0013]
- and for the alignment of the measurement terminal contact, to create the alignment mark in the measurement for the cantilever. By aligning the marks with an optical microscope, the positional relationship between the contacts and the marks was arranged so that each contact would be directly above the measurement terminal.
[0014]
In order to align with a resolution higher than that of an optical microscope, the Z-distance control cantilever at one end is operated in the same manner as the AFM probe, and the cell shape is measured to confirm the cell position . Since the positional relationship between the probe of the cantilever and the cantilever contacts for measurement is known (as determined by initial setting), Ru can align the contacts directly on the cell.
[0015]
・ To make reliable contact, multiple carbon nanotubes are used as contacts.
[0016]
For example, a cantilever for Z distance control is provided with a conductive, those longer than the measuring cantilever is employed.
Example (cantilever part) shown in FIG. 1, a plurality of cantilever [C1] [C2] is created on the same chip [70]. The displacement detection of the cantilever [C1] [C2], M . Tortonese, R.A. C. Barrett, C.D. F. QuateAppl. Phys.Lett.62 (8) as in 1993,834 papers can also be employed self displacement type configuration using the Piezoreji scan Restorative resistance, using an external displacement detector such as an optical lever detector A configuration can also be employed. Cantilever portion is initially assumed that apart distance of several mm from the object measurement terminal. First, the cantilever part is brought close to the subject measurement terminal surface at high speed. First, the long Z-distance control cantilever [C1] comes into contact with the subject measurement terminal surface, thereby generating a deflection signal. Using the generation of this deflection signal as a trigger, the feed speed of Z coarse movement is switched to a low speed. Next, the measurement cantilever [C2] having a contact is brought into contact with the subject measurement terminal surface, and then low-speed feeding is performed until the pushing force enters the set amount range. Here the contact [3] an electrically check the contact of the measuring terminals will check the operation of each analyte row.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Below, we described with reference to the accompanying drawings of embodiments of this invention.
<Configuration of cantilever part>
The structure of the cantilever part shown in FIGS. 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, and 8 will be described. FIGS. 1 and 2 show a cantilever part that uses an external lever detector, for example, to detect the displacement of the cantilever. FIG. 3 shows the outer shape of the cantilever as in FIG. 1, but the displacement detection is embedded inside the cantilever. This is another embodiment using a self-detecting cantilever performed by a piezoresistor [72]. A constant current is passed through the piezoresistor [72], distortion due to the displacement of the cantilever is captured as a change in piezoresistance, and detected as a current change by a bridge circuit. FIG. 4 shows another embodiment of a cantilever portion having three or more cantilevers. The distance control cantilevers are provided at both ends, and a plurality of measurement cantilevers are provided at the center, and each measurement cantilever has a plurality of contacts.
[0018]
Spacing of contacts on neighboring case UGA Nchireba is arranged to be an integral multiple of the cell gap to be measured. Also, the reason why the measuring cantilever is composed of a plurality is that the spring constant of the cantilever is reduced, and when the cantilever part is tilted with respect to the cell to be measured, the pushing amount is adjusted with each cantilever and the pushing force is adjusted. Because.
[0019]
The following have been explained use to FIGS. Cantilever portion is longer Z distance control cantilever lengths [c1] (Length l1: 400~1000μm) and, cantilever for short measurement of the length of the contact [3] [c2] (length l2 : 100-500 μm) are arranged next to each other (the distance between the cantilever probe [40] and the contact [3] is an integer multiple of the cell pitch). The Z distance control cantilever [c1] is coated with a conductive metal such as gold to the needle tip [40] so as to have conductivity.
[0020]
FIG. 2 is a view of the cantilever of FIG. 1 viewed from the lateral direction . When the Z-distance control cantilever [c1] is in contact with the sample surface, the measurement cantilever [c2] is higher than the Z-distance control cantilever [c1] by h <100-300 μm (h = (l1 -l2) sinθ; l1: length of the cantilever of the Z distance control, l2: cantilever length for measurement, theta: a state of floating from the cantilever mounting angle) by sample surface.
Z distance control cantilever [c1], the tip radius of about 100-200 nm, the spring constant is 0.01~0.1N / m. Since the spring constant is soft, damage to the cantilever and damage to the sample surface are small even when the Z-distance control cantilever contacts the sample surface at high speed.
[0021]
Figure 5 shows a detail of the contact [3] a cantilever for measurement, including the arrangement and configuration of [c2]. The contact [3] is a protrusion having a height of about 10 μm, the tip radius is 100-200 nm, and the metal coating [31] is applied only to this protrusion. This metal coating [31] is wired [50] to the cantilever base [70] , and is connected to the connecting pad [60] at the base [70] . An external electrical tester ([12] in FIG. 9) is connected to the pad [60] , and various test signals can be applied between the contact [3] and the measurement terminal.
[0022]
As shown in the plan view of FIG. 6, the insulation between each contact [3] [75] it is separated by silicon oxide. The further opposite side of the contact [3] surfaces and contact [3], separated by a silicon oxide film [75] as shown in the sectional view of FIG. 7, on the opposite side of the contact [3] The cantilever surface is coated with metal [76] and can be connected to earth potential to serve as a shield electrode.
The interval between adjacent contacts [3] is made equal to the cell pitch to be inspected or an integer multiple of the pitch.
[0023]
FIG. 8 shows an example of another embodiment in which a plurality of carbon nanotubes [33] are formed as a contact [3] . In this case , the contact [3] is made by patterning a 1-3 μm square iron-based catalyst on the base [71] of the silicon cantilever [32], and in a hydrocarbon atmosphere such as ethane at 700 to 1000 ° C. When the phase growth is performed, a large number of carbon nanotubes having a uniform length perpendicular to the substrate grow from the places patterned with the iron-based catalyst. The carbon nanotubes are conductive, and the iron-based catalyst at the base and the cantilever base [70] may be wired with a thin metal wire [50], and the insulation [75] between the contacts may be separated by silicon oxide. When carbon nanotubes are used as the contact [3] , a voltage can be applied stably without the coating material popping out by field evaporation, compared to a metal-coated contact. In addition, the carbon nanotubes themselves are elastic and robust so that they can withstand multiple contact.
[0024]
<Main equipment configuration>
The configuration of the main part of the apparatus will be described with reference to FIG. An XYZ scanning scanner [2] is fixed to a moving mechanism (Z coarse movement mechanism) [1] that moves the cantilever close to the sample, and a cantilever base [70] is attached to the tip of the scanner. In addition, the subject [6] is electrically connected to the sample stage [5] by the sample stage contact [4], and is arranged to face the cantilever portion. In FIG. 9, cantilevers [c1] and [c2] are depicted as self-detecting cantilevers. The displacement signal of the measurement cantilever [c2] shown in FIG. 9 is amplified by the preamplifier [7] and input to the Z servo system [8]. The output signal is amplified by the Z-scanning controller [11]. As a result, the Z-axis of the XYZ scanning scanner [2] expands and contracts, so that the deflection of the measuring cantilever is constant, between the contact [3] and the measuring terminal The distance of [6] is controlled. On the other hand, the signal from the Z distance control cantilever [c1] shown in FIG. 9 is similarly amplified by the preamplifier [7] and input to [9] to the Z coarse motion controller and used as a control signal for the Z coarse motion mechanism [1]. It is used. The Z coarse movement mechanism is mainly composed of a mechanical system such as a differential screw and a reduction lever, and can move about mm in steps of 0.1 to 0.05 μm. Here, from a few mm on the measurement terminal surface to 0.1-0.3 mm, the Z coarse movement mechanical mechanism [1] is controlled to send at high speed, and the remaining 0.1-0.3 mm or less is sent at low speed.
[0025]
<Distance control operation and contact pushing force adjustment>
Then as FIG. 1, the operation of the Z coarse with the time chart of FIG. 10. Initially, the cantilever part is several mm away from the sample surface. When the Z coarse motion mechanism [1] is moved at high speed and the Z distance control cantilever [c1] contacts the sample surface as shown in FIG. 1 [FIG. 10: t0], the Z distance control cantilever is the measurement terminal. The displacement signal of the cantilever changes due to the force from the surface. This signal is input to the Z coarse controller [9], and the Z coarse mechanism [1] is switched to low speed feed. At this time [FIG. 10: t0], the measurement cantilever [c2] floats from the sample surface by approximately h. Next, at a low speed, approximately h> 100-300 μm (h: the difference in height between the Z-distance control cantilever and the measurement cantilever from the subject surface) is brought into contact with the measurement cantilever [c2]. [FIG. 10: t1] Thereafter, the contactor is pushed into the subject measurement terminal surface by Δh [FIG. 10: t2]. At this time , the measurement cantilever receives a force from the measurement terminal surface and the displacement signal of the cantilever changes. The pressing force is obtained by multiplying the spring constant of the measuring cantilever by Δh (cantilever pressing depth), and this amount can be controlled by a pressing force setting signal indicated by asterisks in FIG.
[0026]
When using a cantilever portion having a plurality of measurement cantilever [c2] shown in FIG. 4, respectively cantilevers [c1] the Z distance control across may take OR signal of [c1 ']. Even if Toritsui inclined cantilever base [70], either Z distance control cantilever signal closer to the sample surface can you to use as a signal Z rough movement controller [9].
[0027]
After contact with the measurement terminal of the subject and adjustment of the pressing force (after t2), various test signals are applied between the contact [3] and the measurement terminal from the external electrical test machine [12 ], and the electrical Evaluate.
[0028]
<Alignment with measurement cell>
Here, the description will be made on the assumption that the subject is a two-dimensional array of spatially similar shapes such as memory cells.
The dimensions of each part of the cantilever for cell measurement are made as follows. The contact [3] on the measurement cantilever is arranged at equal intervals with the cell pitch or an integer multiple of the pitch, and the needle tip [40] of the Z distance control cantilever [c1 ] and the contact [3] The interval is made to be an integral multiple of the cell. Also, on the back or side of the measuring cantilever [c2], an alignment mark [Fig. 6:76] (size 1 μm x 1 μm or more) having a fixed positional relationship with the contact [3] is created and aligned with a microscope. Use as a guide for
[0029]
Micro-alignment with the cell is performed by applying a voltage to the XY axis of the XYZ scanning scanner while observing with an optical microscope so that the contact [3 ] on the measurement cantilever [c2] is directly above the cell. Make fine adjustments to the position. If the cell is too small to be seen with an optical microscope, the Z distance control cantilever [c1] is scanned in XY, and the Z scanner is controlled so that the displacement of this cantilever [c1] is constant. The cell shape can be obtained by performing the same operation. Based on the shape of the cell, the positional relationship between the contact and the cell is obtained, and alignment is possible.
[0030]
Naturally, the present invention cannot be construed as being limited to the above-described embodiment, but is construed based on the philosophy and spirit that flows in this specification and the like. Accordingly, the present invention naturally includes the following technical ideas.
[0031]
(1) As a probe for electrical testing, it has a conductive contact and a cantilever (cantilever), and controls the object surface measurement terminal and the pushing force of the contact from the deflection signal of the same or adjacent cantilever. In a microcontact prober that confirms contact, then applies an electrical signal to the circuit of the subject through the contact, and confirms the operation of the LSI circuit, and has a plurality of cantilevers as the probe for electrical testing, A micro-contact prober characterized in that one or more contacts are arranged next to each other on the same cantilever .
[0032]
Micro contact type prober
(2) The technology is characterized in that the contacts on the cantilever are conductive, the individual contacts are insulated, and the distance between the individual contacts is equal to or equal to the pitch of the cell to be measured. Micro-contact prober with ideal idea (1).
[0033]
(3) A fine contact prober according to the technical idea (1), wherein carbon nano-tube is used as a material of the contact.
[0034]
(4) A microcontact prober according to the technical idea (1), wherein the insulation between the contacts is performed by the silicon oxide layer of the SOI substrate.
[0035]
(5) The microcontact prober of the technical idea (1), wherein the contact surface and the back surface of the cantilever are insulated and the back surface is coated with a metal film.
[0036]
(6) A small cantilever made of silicon or silicon nitride has a plurality of conductive contacts for electrical measurement, and a measurement cantilever for extracting electrical signals from the contacts by wiring and a subject on both sides A microcontact prober with a probe that has a cantilever for controlling the distance to the surface.
[0037]
(7) A microcontact prober according to the technical idea (6) having a microscope guide mark in a fixed positional relationship with the contact on the side surface of the measurement cantilever or on the opposite side of the contact.
[0038]
(8) A microcontact prober according to the technical idea (1) or the technical idea (6), comprising a piezo scanner operating in the XY directions for controlling the micro position of the probe.
[0039]
(9) The microcontact prober according to the technical idea (1) or (2), which has a piezo scanner that operates in the Z direction for controlling the pushing force of the probe.
[0040]
【The invention's effect】
According to the present invention, electrical evaluation can be performed by directly contacting each miniaturized cell using the micro probe as described above. In addition, since the pressing force is controlled, electrical evaluation can be performed without causing contact failure due to insufficient pressing or damage to the thin film of the cell due to excessive pressing.
[0041]
When the resolution of the optical microscope is insufficient, the cell shape can be obtained by the same operation as the AFM, and the contact can be accurately positioned on the cell.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view of an external detector probe (cantilever part).
FIG. 2 is a side view of an external detector probe (cantilever part).
FIG. 3 is a schematic diagram of a probe (cantilever part) portion of a micro-micro contact prober. (A) is a perspective view of a probe using a self-detecting cantilever, and (b) is a cross-sectional view along the line AA ′ in (a).
FIG. 4 is a schematic diagram of a probe having three or more cantilevers.
FIG. 5 is a schematic diagram of a detailed description of a probe. (A) is a perspective view of a measurement cantilever, (b) is a view seen from the A direction in (a).
FIG. 6 is a plan view of a measurement cantilever.
FIG. 7 is a cross-sectional view of a measurement cantilever.
FIG. 8 is a schematic diagram of a probe, a position control mechanism (XYZ scanning scanner), and a control system of the probe of the micro / micro contact prober apparatus. (A) is a perspective view of a measurement cantilever using a carbon nanotube as a contact, and (b) is a view as seen from the A direction in (a).
FIG. 9 is a schematic view of a microcontact type prober apparatus according to the present invention.
FIG. 10 is a time cheat when the probe is approaching. It is a time cheat of operation.
FIG. 11 is a schematic diagram of a probe of a conventional microcontact prober.
FIG. 12 is a schematic diagram of a microcontact prober in which probes are arranged in a conventional array type.
[Explanation of symbols]
1 Z coarse movement mechanism 2 XYZ fine movement scanner 3 Probe (cantilever part)
4 Contact on the sample table 5 Sample table 6 Subject 7 Preamplifier 8 Z servo system 9 Z coarse controller 10 XY scan controller 11 Z scan controller 12 External electric circuit 20 Control computer ☆ Marking force setting signal

Claims (10)

カンチレバーベースと、
前記カンチレバーベースに支持された1又は複数の計測用カンチレバーであって、該1又は複数の計測用カンチレバーはそれぞれ複数の接触子を有しており、各接触子はそれぞれ配線されて信号伝達可能な先端半径100〜200nmの接触子であり、各接触子を用いて電気試験を行うための1又は複数の計測用カンチレバーと、
前記カンチレバーベースに支持され、かつ、前記計測用カンチレバーよりも長い腕部を有しており、被検体測定端子面との高さ方向の情報を取得するためのZ距離制御用カンチレバーと、
前記カンチレバーのZ軸方向の移動を可能とするZ粗動機構と、を備え、
前記Z距離制御用カンチレバーを用いて前記被検体測定端子面との高さ方向の情報を取得し、当該情報に基づいて、前記カンチレバーを前記Z粗動機構により制御移動することで前記計測用カンチレバーに備えた接触子を前記被検体測定端子面に接触させ、その状態で前記計測用カンチレバーによって電気試験を行うことを特徴とする微小接触式プローバー。
A cantilever base,
One or more measurement cantilevers supported by the cantilever base, each of the one or more measurement cantilevers has a plurality of contacts, and each contact is wired to transmit a signal. A contact with a tip radius of 100 to 200 nm, and one or more measuring cantilevers for conducting an electrical test using each contact;
A Z-distance control cantilever that is supported by the cantilever base and has an arm portion longer than the measurement cantilever, and for acquiring information in the height direction with the subject measurement terminal surface;
A Z coarse movement mechanism that enables movement of the cantilever in the Z-axis direction ,
Using said Z distance control cantilever acquires information in the height direction of the subject measurement terminal surface, and based on the relevant information, for the measurement of the cantilever by controlling movement by the Z coarse positioner A microcontact prober characterized in that a contact provided on a cantilever is brought into contact with the subject measurement terminal surface, and an electrical test is performed with the measurement cantilever in that state .
請求項1に記載の微小接触式プローバーであって、
前記Z距離制御用カンチレバーを高速で被検体測定端子面に接近させ、
前記Z距離制御用カンチレバーが被検体測定端子面に接触すると、当該被検体測定端子面からの情報によりたわみ信号を発生させ、当該たわみ信号をトリガにして被検体測定端子面への接近を低速に切り替え、
低速で前記計測用カンチレバーを被検体測定端子面に接近させて、被検体測定端子面に前記接触子を接触させて、更に押し込むことで当該接触部に押し込み力を作用させ、
該押し込み力が設定量域にはいるまで低速送りを行うことを特徴とする微小接触式プローバー。
A microcontact prober according to claim 1,
The Z distance control cantilever is brought close to the subject measurement terminal surface at high speed,
When the Z-distance control cantilever contacts the subject measurement terminal surface, a deflection signal is generated based on information from the subject measurement terminal surface, and the deflection signal is used as a trigger to slow down the approach to the subject measurement terminal surface. switching,
The measurement cantilever is brought close to the subject measurement terminal surface at a low speed, the contactor is brought into contact with the subject measurement terminal surface, and a pushing force is applied to the contact portion by further pushing.
A micro-contact prober that performs low-speed feeding until the pushing force enters a set amount range .
前記計測用カンチレバーに設けられた各接触子は、それぞれに接続された配線を含め、各々互いに絶縁された請求項1又は請求項2に記載の微小接触式プローバー。  3. The microcontact prober according to claim 1, wherein each contact provided on the measurement cantilever is insulated from each other including a wire connected to each contact. 4. 接触子間の絶縁がSOI基板の酸化シリコン層によってとられている請求項3記載の微小接触式プローバー。  4. A microcontact prober according to claim 3, wherein the insulation between the contacts is taken by the silicon oxide layer of the SOI substrate. 前記計測用カンチレバーは、測定対象である各セルの配置間隔と略等しい間隔で接触子が配置されている請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の微小接触式プローバー。  The micro contact prober according to any one of claims 1 to 4, wherein the measurement cantilever has contacts arranged at an interval substantially equal to an arrangement interval of each cell to be measured. 前記計測用カンチレバーは、測定対象である各セルの配置間隔の整数倍の間隔で接触子が配置されている請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の微小接触式プローバー。  The microcontact prober according to any one of claims 1 to 4, wherein the measurement cantilever has contacts arranged at an interval that is an integral multiple of the arrangement interval of each cell to be measured. 前記接触子は、カーボンナノチューブで構成された請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の微小接触式プローバー。  The microcontact prober according to any one of claims 1 to 6, wherein the contact is made of carbon nanotubes. 前記計測用カンチレバーは、接触子が設けられた面と背面とが絶縁されており、背面が金属膜でコーティングされている請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の微小接触式プローバー。  The micro contact prober according to any one of claims 1 to 7, wherein the measurement cantilever has a surface on which a contact is provided and a back surface insulated from each other, and the back surface is coated with a metal film. . 前記計測用カンチレバーは、接触子が設けられた面の側面及び背面の少なくとも一方に、光学顕微鏡を用いて被検体測定端子面に対する前記計測用カンチレバーの位置を制御するためのガイド用のマークを有する請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の微小接触式プローバー。  The measurement cantilever has a guide mark for controlling the position of the measurement cantilever with respect to the subject measurement terminal surface using an optical microscope on at least one of the side surface and the back surface of the surface provided with the contact. The microcontact type prober according to any one of claims 1 to 8. 前記計測用カンチレバーの微小位置制御用に、XY方向に動作するピエゾスキャナー、及びZ方向に動作するピエゾスキャナーの少なくとも一つを有する請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の微小接触式プローバー。  10. The microcontact according to claim 1, comprising at least one of a piezo scanner operating in the XY direction and a piezo scanner operating in the Z direction for controlling the micro position of the measurement cantilever. Expression prober.
JP30380499A 1999-10-26 1999-10-26 Micro contact type prober Expired - Fee Related JP4260310B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30380499A JP4260310B2 (en) 1999-10-26 1999-10-26 Micro contact type prober

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30380499A JP4260310B2 (en) 1999-10-26 1999-10-26 Micro contact type prober

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006148811A Division JP2006284599A (en) 2006-05-29 2006-05-29 Device for acquiring information on sample face using cantilever
JP2007022966A Division JP4498368B2 (en) 2007-02-01 2007-02-01 Micro contact type prober

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001124798A JP2001124798A (en) 2001-05-11
JP4260310B2 true JP4260310B2 (en) 2009-04-30

Family

ID=17925511

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30380499A Expired - Fee Related JP4260310B2 (en) 1999-10-26 1999-10-26 Micro contact type prober

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4260310B2 (en)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002228686A (en) * 2001-01-31 2002-08-14 Mitsubishi Materials Corp Contact probe having breakage prevention function and probe device
JP4598300B2 (en) * 2001-04-26 2010-12-15 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 Scanning probe microscope and physical property measurement method using the same
JP2003090788A (en) * 2001-09-19 2003-03-28 Olympus Optical Co Ltd Spm cantilever and method of manufacturing the same
DE10320925B4 (en) * 2003-05-09 2007-07-05 Atg Test Systems Gmbh & Co.Kg Method for testing unpopulated printed circuit boards
KR100992144B1 (en) 2003-08-28 2010-11-10 삼성전자주식회사 Automic force microscope
KR101170287B1 (en) * 2004-06-21 2012-07-31 카프레스 에이/에스 An apparatus and method for providing alignment of a probe, and a testing apparatus for testing electric properties on a specific location of a test sample
JP4486486B2 (en) * 2004-12-06 2010-06-23 日本電子材料株式会社 Probe for probe card
JP4676224B2 (en) * 2005-03-23 2011-04-27 東京特殊電線株式会社 Probe needle and manufacturing method thereof
JP4665704B2 (en) * 2005-10-17 2011-04-06 セイコーインスツル株式会社 Measuring probe, surface characteristic measuring apparatus, and surface characteristic measuring method
US7731503B2 (en) * 2006-08-21 2010-06-08 Formfactor, Inc. Carbon nanotube contact structures
JP4498368B2 (en) * 2007-02-01 2010-07-07 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 Micro contact type prober
CN104360107B (en) * 2014-11-12 2016-11-30 苏州大学 Graphene-coated atomic force microscope probe and preparation method and application thereof
US11391756B2 (en) * 2018-02-06 2022-07-19 Hitachi High-Tech Corporation Probe module and probe

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001124798A (en) 2001-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2574942B2 (en) Electrical probe
US7520165B2 (en) Micro structure, cantilever, scanning probe microscope and a method of measuring deformation quantity for the fine structure
JP4260310B2 (en) Micro contact type prober
US5235187A (en) Methods of fabricating integrated, aligned tunneling tip pairs
US20070278405A1 (en) Multi-tip surface cantilever probe
JPH10312592A (en) Information processor and processing method
JP4498368B2 (en) Micro contact type prober
JP3069923B2 (en) Cantilever probe, atomic force microscope, information recording / reproducing device
US6614243B2 (en) Measurement probe for detecting electrical signals in an integrated semiconductor circuit
JP2006284599A (en) Device for acquiring information on sample face using cantilever
KR20190107061A (en) Methods and systems for detecting structures above or below the surface of a sample using probes including cantilevers and probe tips
JP3599880B2 (en) Cantilever tip
JPH1038916A (en) Probe device and electrically connecting method for minute region
JP4665704B2 (en) Measuring probe, surface characteristic measuring apparatus, and surface characteristic measuring method
US8327461B2 (en) High-speed scanning probe microscope
US6208151B1 (en) Method and apparatus for measurement of microscopic electrical characteristics
JP4497665B2 (en) Probe scanning control device, scanning probe microscope using the scanning control device, probe scanning control method, and measurement method using the scanning control method
JP2000155085A (en) Interatomic force microscope prober and interatomic force microscope
JPH0850872A (en) Sample surface observation method, interatomic force microscope, fine working method, and fine working device
JP3114902B2 (en) High-resolution and high-precision measuring device using a scanning tunneling microscope
JPH0835976A (en) Integrated spm sensor and displacement detecting circuit
JPH08220116A (en) Integrated spm sensor
JPH0321802A (en) Inter-atomic force microscope and its probe
JP2002014024A (en) Probe scanning control device, scanning probe microscope and working device by the same, probe scanning control method, and measuring and working method by the scanning control method
JPH11311628A (en) Displacement detection probe, position measuring device and position control device having the same

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20040302

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20040526

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040709

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060317

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060328

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060526

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060704

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060904

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20061219

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070201

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20070228

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20080328

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090107

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090204

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4260310

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20091108

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220

Year of fee payment: 3

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220

Year of fee payment: 5

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees