JP2008240701A - 排気ポンプ、連通管及び排気システム - Google Patents

排気ポンプ、連通管及び排気システム Download PDF

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Abstract

【課題】パーティクルの処理室内への侵入を防止することができる排気ポンプ、連通管及び排気システムを提供する。
【解決手段】基板処理装置10はチャンバ11を備え、チャンバ11にはTMP18が接続され、TMP18は、複数の回転翼群と、円筒状の本体37の上側、すなわち最上の回転翼群よりもチャンバ11側に配置される円筒状の吸気部40と、該吸気部40内に配置され、チャンバ11側から吸気部40を眺めたときに、上記最上の回転翼群を遮蔽する遮蔽装置41とを備える。
【選択図】図2

Description

本発明は、排気ポンプ、連通管及び排気システムに関し、特に、基板処理装置の処理室内へのパーティクルの侵入を防止する排気ポンプに関する。
通常、半導体デバイス用のウエハ等の基板に所定の処理を施す基板処理装置は、基板を収容して所定の処理を施す処理室(以下、「チャンバ」という。)を備える。また、基板処理装置の排気システムは、高真空を実現可能な排気ポンプであるターボ分子ポンプ(Turbo Molecular Pump)(以下、「TMP」という。)と、該TMP及びチャンバ内を連通する連通管とを有する。TMPは、排気流に沿って配置された回転軸と、該回転軸から直角に突出する複数のブレード状の回転翼とを有し、回転翼が回転軸を中心に高速回転することにより、回転翼前方のガスを回転翼後方に高速排気する。排気システムは、TMPを作動させることによってチャンバ内のガスを排出する。
また、基板処理装置のチャンバ内には、チャンバ内壁の付着物や所定の処理において発生した反応生成物に起因するパーティクルが浮遊している。これら浮遊しているパーティクルが基板表面に付着すると、該基板から製造される製品、例えば、半導体デバイスにおいて配線短絡が発生し、半導体デバイスの歩留まりが低下する。
ところが、近年、チャンバ内に排気システムからパーティクルが逆流することが分かってきた。具体的には、TMPの回転翼に付着した付着物が剥離してチャンバ内へ逆流し、または、チャンバ内から排出されたパーティクルがTMPの回転翼と衝突して反跳し、そのままチャンバ内へ逆流することが分かってきた。
回転翼から剥離した付着物及び回転翼によって反跳したパーティクルは、いずれも高速回転する回転翼によって大きな運動エネルギーを付与されるため、連通管の内壁との弾性衝突を繰り返し、連通管における排気流の存在にも拘わらずチャンバ内に侵入すると考えられている。
上述したパーティクルの逆流に関し、回転翼から剥離した付着物はTMPの交換頻度を向上することによってその発生を未然に防止している(例えば、非特許文献1参照。)。
佐藤等,「ターボ分子ポンプからの逆流パーティクルの可視化」,日本工業出版株式会社,クリーンテクノロジー,2003.6,p.20〜23
しかしながら、回転翼によって反跳したパーティクルは、パーティクルと回転翼との衝突が偶発的に発生するため、TMPの交換頻度を向上してもその発生を防止することができない。反跳したパーティクルは、上述したように連通管の内壁との弾性衝突を繰り返してチャンバ内に侵入し、基板表面に付着することによって、基板から製造される製品の歩留まりを低下させる。
本発明の目的は、パーティクルの処理室内への侵入を防止することができる排気ポンプ、連通管及び排気システムを提供することにある。
上記目的を達成するために、請求項1記載の排気ポンプは、基板処理装置の処理室に接続され且つ回転翼及び該回転翼より前記処理室側に配置された吸気部を備える排気ポンプであって、前記吸気部の内部に配置され、且つ前記処理室側から前記吸気部を眺めたときに、前記回転翼を遮蔽する遮蔽装置を備えることを特徴とする。
請求項2記載の排気ポンプは、請求項1記載の排気ポンプにおいて、前記遮蔽装置は複数の漏斗状部材と、該複数の漏斗状部材より前記回転翼側に配置された板状部材とからなり、各前記漏斗状部材は底部に前記板状部材に対向する開口部を有し、各前記開口部の大きさは、該開口部を有する前記漏斗状部材が前記板状部材に近いほど小さいことを特徴とする。
請求項3記載の排気ポンプは、請求項2記載の排気ポンプにおいて、前記漏斗状部材及び前記板状部材はパーティクルを捕捉するパーティクル捕捉部材からなることを特徴とする。
請求項4記載の排気ポンプは、請求項2記載の排気ポンプにおいて、前記漏斗状部材及び前記板状部材はパーティクルの運動エネルギーを低下させる運動エネルギー低下部材からなることを特徴とする。
請求項5記載の排気ポンプは、請求項1記載の排気ポンプにおいて、前記遮蔽装置は複数の環状部材と、該複数の環状部材より前記回転翼側に配置された板状部材とからなり、各前記環状部材は前記板状部材に対向する開口部を有し、各前記開口部の大きさは、該開口部を有する前記環状部材が前記板状部材に近いほど小さいことを特徴とする。
請求項6記載の排気ポンプは、請求項5記載の排気ポンプにおいて、前記環状部材及び前記板状部材はパーティクルを捕捉するパーティクル捕捉部材からなることを特徴とする。
請求項7記載の排気ポンプは、請求項5記載の排気ポンプにおいて、前記環状部材及び前記板状部材はパーティクルの運動エネルギーを低下させる運動エネルギー低下部材からなることを特徴とする。
請求項8記載の排気ポンプは、請求項1記載の排気ポンプにおいて、前記遮蔽装置は複数の屈曲部材を並設した薄板状構造体であることを特徴とする。
請求項9記載の排気ポンプは、請求項8記載の排気ポンプにおいて、前記屈曲部材はパーティクルを捕捉するパーティクル捕捉部材からなることを特徴とする。
請求項10記載の排気ポンプは、請求項8記載の排気ポンプにおいて、前記屈曲部材はパーティクルの運動エネルギーを低下させる運動エネルギー低下部材からなることを特徴とする。
請求項11記載の排気ポンプは、請求項1記載の排気ポンプにおいて、前記遮蔽装置は複数の板状部材を並設した薄板状構造体であり、各前記板状部材は前記回転翼に対向する複数の穴を有することを特徴とする。
請求項12記載の排気ポンプは、請求項11記載の排気ポンプにおいて、前記板状部材はパーティクルを捕捉するパーティクル捕捉部材からなることを特徴とする。
請求項13記載の排気ポンプは、請求項11記載の排気ポンプにおいて、前記板状部材はパーティクルの運動エネルギーを低下させる運動エネルギー低下部材からなることを特徴とする。
請求項14記載の排気ポンプは、請求項1記載の排気ポンプにおいて、前記遮蔽装置は漏斗状部材と、該漏斗状部材より前記回転翼側に配置された板状部材と、該板状部材より前記回転翼側に配置され、複数の筒状部材を並設した整流装置とからなり、前記漏斗状部材は底部に前記板状部材に対向する開口部を有することを特徴とする。
請求項15記載の排気ポンプは、請求項14記載の排気ポンプにおいて、前記漏斗状部材、板状部材及び筒状部材はパーティクルを捕捉するパーティクル捕捉部材からなることを特徴とする。
請求項16記載の排気ポンプは、請求項14記載の排気ポンプにおいて、前記漏斗状部材、板状部材及び筒状部材はパーティクルの運動エネルギーを低下させる運動エネルギー低下部材からなることを特徴とする。
請求項17記載の排気ポンプは、請求項1記載の排気ポンプにおいて、前記遮蔽装置はフィルタであることを特徴とする。
請求項18記載の排気ポンプは、請求項17記載の排気ポンプにおいて、前記フィルタはパーティクルを捕捉するパーティクル捕捉部材からなることを特徴とする。
請求項19記載の排気ポンプは、請求項17記載の排気ポンプにおいて、前記フィルタはパーティクルの運動エネルギーを低下させる運動エネルギー低下部材からなることを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項20記載の連通管は、基板処理装置の処理室及び回転翼を有する排気ポンプを連通する連通管であって、前記連通管の内部に配置され、且つ前記処理室側から前記連通管を眺めたときに、前記回転翼を遮蔽する遮蔽装置を備えることを特徴とする。
請求項21記載の連通管は、請求項20記載の連通管において、前記遮蔽装置は複数の漏斗状部材と、該複数の漏斗状部材より前記回転翼側に配置された板状部材とからなり、各前記漏斗状部材は底部に前記板状部材に対向する開口部を有し、各前記開口部の大きさは、該開口部を有する前記漏斗状部材が前記板状部材に近いほど小さいことを特徴とする。
請求項22記載の連通管は、請求項20記載の連通管において、前記遮蔽装置は複数の環状部材と、該複数の環状部材より前記回転翼側に配置された板状部材とからなり、各前記環状部材は前記板状部材に対向する開口部を有し、各前記開口部の大きさは、該開口部を有する前記環状部材が前記板状部材に近いほど小さいことを特徴とする。
請求項23記載の連通管は、請求項20記載の連通管において、前記遮蔽装置は複数の屈曲部材を並設した薄板状構造体であることを特徴とする。
請求項24記載の連通管は、請求項20記載の連通管において、前記遮蔽装置は複数の板状部材を並設した薄板状構造体であり、各前記板状部材は前記回転翼に対向する複数の穴を有することを特徴とする。
請求項25記載の連通管は、請求項20記載の連通管において、前記遮蔽装置は漏斗状部材と、該漏斗状部材より前記回転翼側に配置された板状部材と、該板状部材より前記回転翼側に配置され、複数の筒状部材を並設した整流装置とからなり、前記漏斗状部材は底部に前記板状部材に対向する開口部を有することを特徴とする。
請求項26記載の連通管は、請求項20記載の連通管において、前記遮蔽装置はフィルタであることを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項27記載の排気システムは、排気ポンプと、該排気ポンプ及び基板処理装置の処理室を連通する連通管とを備える排気システムであって、請求項1乃至19のいずれか1項に記載の排気ポンプ、及び請求項20乃至26のいずれか1項に記載の連通管の少なくとも一方を備えることを特徴とする。
請求項1記載の排気ポンプによれば、回転翼より処理室側に配置された吸気部の内部に、処理室側から吸気部を眺めたときに、回転翼を遮蔽する遮蔽装置が配置されるので、処理室内から排出されて排気ポンプ内に進入したパーティクルは吸気部内において遮蔽装置により捕捉される。これにより、排気ポンプの回転翼にパーティクルが到達することを防止でき、もって、パーティクルが回転翼と衝突して反跳し、そのまま処理室内へ逆流することを防止することができる。さらに、排気ポンプの回転翼に付着した付着物が剥離して該回転翼によって運動エネルギーを与えられたパーティクルも吸気部内において遮蔽装置により捕捉される。これにより、パーティクルが処理室内へ逆流することを防止することができる。したがって、パーティクルの処理室内への侵入を防止することができる。
請求項2記載の排気ポンプ及び請求項21記載の連通管によれば、遮蔽装置を構成する複数の漏斗状部材はそれぞれ底部に板状部材に対向する開口部を有し、各漏斗状部材の開口部の大きさは、該開口部を有する漏斗状部材が板状部材に近いほど小さいので、確実に回転翼を遮蔽することができる。
請求項3記載の排気ポンプ、請求項6記載の排気ポンプ、請求項9記載の排気ポンプ、請求項12記載の排気ポンプ、請求項15記載の排気ポンプ及び請求項18記載の排気ポンプによれば、パーティクルを確実に捕捉することができる。
請求項4記載の排気ポンプ、請求項7記載の排気ポンプ、請求項10記載の排気ポンプ、請求項13記載の排気ポンプ、請求項16記載の排気ポンプ及び請求項19記載の排気ポンプによれば、パーティクルの運動エネルギーが低下する。これにより、パーティクルを容易に捕捉することができる。
請求項5記載の排気ポンプ及び請求項22記載の連通管によれば、遮蔽装置を構成する複数の環状部材はそれぞれ板状部材に対向する開口部を有し、各板状部材の開口部の大きさは、該開口部を有する環状部材が板状部材に近いほど小さいので、確実に回転翼を遮蔽することができる。
請求項8記載の排気ポンプ及び請求項23記載の連通管によれば、複数の屈曲部材を並設して遮蔽装置が構成されるので、確実に回転翼を遮蔽することができる。
請求項11記載の排気ポンプ及び請求項24記載の連通管によれば、回転翼に対向する複数の穴を有する複数の板状部材を並設して遮蔽装置が構成されるので、確実に回転翼を遮蔽することができる。
請求項14記載の排気ポンプ及び請求項25記載の連通管によれば、底部に板状部材に対向する開口部を有する漏斗状部材と、該漏斗状部材より回転翼側に配置された板状部材と、該板状部材より回転翼側に配置され、複数の筒状部材を並設した整流装置とから遮蔽装置が構成されるので、確実に回転翼を遮蔽することができる。さらに、排気ポンプの回転翼に付着した付着物が剥離して該回転翼によって運動エネルギーを与えられたパーティクルは整流装置により移動方向が整えられる。これにより、該パーティクルを漏斗状部材や円板状部材に確実に衝突させることができ、もって、該パーティクルを確実に捕捉することができる。
請求項17記載の排気ポンプ及び請求項26記載の連通管によれば、フィルタから遮蔽装置が構成されるので、確実に回転翼を遮蔽することができる。
請求項20記載の連通管によれば、連通管の内部に、処理室側から連通管を眺めたときに、排気ポンプにおける最上の回転翼群を遮蔽する遮蔽装置が配置されるので、処理室内から排出されて連通管内に進入したパーティクルは連通管内において遮蔽装置により捕捉される。これにより、排気ポンプの回転翼にパーティクルが到達することを防止でき、もって、パーティクルが回転翼と衝突して反跳し、そのまま処理室内へ逆流することを防止することができる。さらに、排気ポンプの回転翼に付着した付着物が剥離して該回転翼によって運動エネルギーが与えられて連通管内に進入したパーティクルも連通管内において遮蔽装置により捕捉される。これにより、パーティクルが処理室内へ逆流することを防止することができる。したがって、パーティクルの処理室内への侵入を防止することができる。
請求項27記載の排気システムによれば、請求項1乃至19のいずれか1項に記載の排気ポンプ、及び請求項20乃至26のいずれか1項に記載の連通管の少なくとも一方を備えるので、上述した効果のいずれかを奏することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
まず、本発明の第1の実施の形態に係る排気ポンプが適用される基板処理装置について説明する。
図1は、本実施の形態に係る排気ポンプが適用される基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。
図1において、半導体デバイス用のウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wに反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching)(以下、「RIE」という。)処理を施すエッチング処理装置として構成される基板処理装置10は、金属、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼からなる、大小2つの円筒が重ねられた形状を呈するチャンバ11を備える。
該チャンバ11内には、直径が例えば300mmのウエハWを載置し、該載置されたウエハWと共にチャンバ11内を上下降するウエハステージとしての下部電極12と、上下降する下部電極12の側部を覆う円筒状のカバー13とが配置され、チャンバ11の側壁と、下部電極12の側部又はカバー13とにより、チャンバ11内の気体をチャンバ11の外へ排出する流路として機能する排気路14が形成される。
該排気路14の途中には、該排気路14を上流側部14aと下流側部14bに分ける環状の排気プレート15が配置され、下流側部14bは、連通管としての排気マニホールド16及び可変式スライドバルブである自動圧力制御弁(Adaptive Pressure Control)(以下、「APC」という。)バルブ17を介して真空引き用の排気ポンプとしてのTMP18に連通する。なお、APCバルブ17はバタフライバルブであってもよい。
TMP18はチャンバ11内をほぼ真空状態になるまで減圧し、APCバルブ17はチャンバ11の減圧の際にチャンバ11内の圧力を制御する。また、TMP18内には後述する吸気部40において遮蔽装置41が配置される。ここで、排気プレート15は排気路14の上流側部14aと下流側部14bを連通する複数の円孔状の通気孔を有する。
上述した排気路14、排気プレート15、排気マニホールド16、APCバルブ17及びTMP18は排気システムを構成する。
下部電極12には下部高周波電源19が下部整合器20を介して接続されており、下部高周波電源19は、所定の高周波電力を下部電極12に印加する。また、下部整合器20は、下部電極12からの高周波電力の反射を低減して該高周波電力の下部電極12への入射効率を最大にする。
下部電極12の内部上方には、ウエハWを静電吸着力で吸着するためのESC21が配置されている。ESC21には直流電源(図示しない)が電気的に接続されている。ESC21は、直流電源からESC21に印加された直流電圧により発生するクーロン力又はジョンソン・ラーベック(Johnsen-Rahbek)力によってウエハWをその上面に吸着保持する。また、ESC21の周縁にはシリコン(Si)等から成る円環状のフォーカスリング22が配置され、該フォーカスリング22は下部電極12の上方に発生したイオンやラジカルをウエハWに向けて収束させる。また、フォーカスリング22の周囲は環状のカバーリング23によって覆われている。
また、下部電極12の下方には、該下部電極12の下部から下方に向けて延設された支持体24が配置されている。該支持体24は下部電極12を支持し、不図示のボールネジを回転させることによって下部電極12を昇降させる。また、支持体24は、周囲をベローズカバー25によって覆われてチャンバ11内の雰囲気から遮断される。
この基板処理装置10では、チャンバ11内へウエハWが搬出入される場合、下部電極12がウエハWの搬出入位置まで下降し、ウエハWにRIE処理が施される場合、下部電極12がウエハWの処理位置まで上昇する。
また、チャンバ11の天井部には、チャンバ11内に後述する処理ガスを供給するシャワーヘッド26が配置されている。シャワーヘッド26は、下部電極12上方の空間である処理空間Sに面した多数のガス通気孔27を有する円板状の上部電極(CEL)28と、該上部電極28の上方に配置され且つ上部電極28を着脱可能に支持する電極支持体29とを有する。
上部電極28には、上部高周波電源30が上部整合器31を介して接続されており、上部高周波電源30は、所定の高周波電力を上部電極28に印加する。また、上部整合器31は、上部電極28からの高周波電力の反射を低減して該高周波電力の上部電極28への入射効率を最大にする。
電極支持体29の内部にはバッファ室32が設けられ、このバッファ室32には処理ガス導入管33が接続されている。処理ガス導入管33の途中にはバルブ34が配置され、さらに、バルブ34の上流にはフィルタ35が配置されている。また、バッファ室32には、例えば、処理ガス導入管33から四フッ化ケイ素(SiF),酸素ガス(O),アルゴンガス(Ar)及び四フッ化炭素(CF)の単独、又は組み合わせからなる処理ガスが導入され、該導入された処理ガスはガス通気孔27を介して処理空間Sに供給される。
この基板処理装置10のチャンバ11内では、上述したように、下部電極12及び上部電極28に高周波電力が印加され、該印加された高周波電力によって処理空間Sにおいて処理ガスから高密度のプラズマが発生し、イオンやラジカルが生成される。これら生成されたラジカルやイオンは、フォーカスリング22によってウエハWの表面に収束され、ウエハWの表面を物理的又は化学的にエッチングする。
また、基板処理装置10では、チャンバ11内に浮遊している、上記エッチングの際に発生した反応生成物、及びチャンバ11内壁の付着物に起因するパーティクルを上記排気システムによってチャンバ11内のガスと共に排出する。
図2は、図1におけるTMPの主要部を示す図であり、図2(A)は、TMPが備える遮蔽装置の構成を概略的に示す斜視図であり、図2(B)は、TMP内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。なお、図2(B)では、図中上方を「上側」と称し、図中下方を「下側」と称する。
図2(B)において、TMP18は、図中上下方向、すなわち排気流の方向に沿って配置された回転軸36と、該回転軸36を収容するように回転軸36と平行に配置される円筒状の本体37と、回転軸36から直角に突出する複数のブレード状の回転翼38と、本体37の内周面から回転軸36に向けて突出する複数のブレード状の静止翼39とを備える。
複数の回転翼38は回転軸36から放射状に突出して回転翼群を形成し、複数の静止翼39は、本体37の内周面の同一円周上において等間隔に配置され、且つ回転軸36に向けて突出して静止翼群を形成する。TMP18では回転翼群と静止翼群とが複数存在し、各回転翼群は回転軸36に沿って等間隔に配置され、各静止翼群は隣接する2つの回転翼群の間に配置される。
また、TMP18は、円筒状の本体37の上側、すなわち最上の回転翼群よりもチャンバ11側に配置される円筒状の吸気部40と、該吸気部40内に配置され、チャンバ11側から吸気部40を眺めたときに、上記最上の回転翼群を遮蔽する遮蔽装置41とを備える。
遮蔽装置41は、図2(A)に示すように、吸気部40内において縦列に配置された3つの漏斗状部材41a〜41c及び1つの円板状部材41dからなる。漏斗状部材41a〜41cはそれぞれ頂部に開口部42a〜42cを有し、底部に開口部43a〜43cを有する。
吸気部40内において、漏斗状部材41a〜41c及び円板状部材41dはこの順で上流側から配置される。また、漏斗状部材41a〜41c及び円板状部材41dは、それぞれの中心が回転軸36の中心軸に一致するように配置されるので、開口部43a〜43cは回転軸36及び円板状部材41dに対向する。ここで、開口部43a〜43cの内径は円板状部材41dに近いほど小さくなるように設定されている。また、開口部42aの外径は吸気部40の内径と等しくなるように、開口部42bの内径は開口部43aの内径よりも大きくなるように、開口部42cの内径は開口部43bの内径よりも大きくなるように、円板状部材41dの直径は開口部43cの内径よりも大きくなるように設定されている。また、漏斗状部材41a〜41c及び円板状部材41dの間の間隔44a〜44cは、チャンバ11側から吸気部40を眺めたときに、遮蔽装置41が上記最上の回転翼群を遮蔽するように、すなわち、チャンバ11側のどの角度から吸気部40を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように、且つ排気のコンダクタンスを極力低下させないように設定される。
また、漏斗状部材41a〜41c及び円板状部材41dは、例えば、以下に列挙するパーティクルを捕捉するパーティクル捕捉機構、若しくはパーティクルの運動エネルギーを低下させてパーティクルを捕捉する運動エネルギー低下機構からなる。
1)繊維状物質がランダムに絡み合った材料、繊維状物質が特定のパターンで織り込まれた材料又は多数の小空間を有する材料(以下、「パーティクル捕捉材」という。)
2)パーティクルの衝突による衝撃を吸収することが可能な柔軟性を有する材料(以下、「衝撃吸収材」という。)
3)パーティクルが粘着可能な材料(以下、「粘着材」という。)
4)パーティクルが侵入及び反跳する空間に向けて開口する複数の小部屋の集合体や複数の溝の集合体(以下、「パーティクル導入構造体」という。)
パーティクル捕捉材では、該パーティクル捕捉材に侵入したパーティクルが繊維状物質や小空間の境界面との衝突を繰り返す。また、衝突の繰り返しによってパーティクルの飛行経路が延びるため、パーティクルとガス分子との摩擦が増加する。これにより、パーティクルの運動量を低下させることができ、結果としてパーティクルを捕捉することができる。さらに、衝突の繰り返しによってパーティクルの運動エネルギーが損失する。これによっても、パーティクルの運動量を低下させることができ、結果としてパーティクルを捕捉することができる。
衝撃吸収材では、パーティクルの衝突による衝撃を吸収することによってパーティクルの運動量を低下させることができ、結果としてパーティクルを捕捉することができる。また、衝撃吸収材を用いて繊維状物質がランダムに絡み合った構造又は多数の小空間を有する構造を構成することにより、該構造においてパーティクルと衝撃吸収材との衝突回数を増加させることができ、これにより、パーティクルの運動量を確実に低下させることができる。
粘着材では、パーティクルが粘着材に粘着することによって直接的にパーティクルを捕捉することができる。
パーティクル導入構造体では、小部屋や溝の内部に導入されたパーティクルと小部屋や溝の壁面との衝突を繰り返させることによってパーティクルの運動量を低下させることができる。特に、パーティクル導入構造体をパーティクル捕捉材、衝撃吸収材又は粘着材の表面に設けた場合、パーティクルがパーティクル捕捉材、衝撃吸収材又は粘着材に到達する前に、当該パーティクルの運動量を低下させることができ、もって、パーティクル捕捉材、衝撃吸収材又は粘着材が容易にパーティクルを捕捉することができる。さらには、小部屋や溝の表面にパーティクル捕捉材、衝撃吸収材又は粘着材を設けてもよい。
また、上述したパーティクル捕捉材、衝撃吸収材、粘着材及びパーティクル導入構造体の構成材料が耐熱性、耐プラズマ腐食性(耐ラジカル腐食性、耐イオン腐食性)、耐酸性及び排気システム内を流れる排気流に対する十分な剛性を有しているのが好ましい。構成材料の具体例としては、金属(ステンレス、アルミニウム、シリコン)、セラミックス(アルミナ(Al)、酸化イットリウム(Y))、石英、有機化合物(PI,PBI,PTFE,PTCFE,PEI,CF系ゴム若しくはシリコン系ゴム)が挙げられる。また、所定の心材に酸化又は溶射等の表面処理を施したもの(イットリウム溶射物、アルミナ溶射物、アルマイト処理物)を用いてもよい。
ところで、TMP18における吸気部40内は、少なくとも0.133Pa(1mTorr)以下の低圧の環境下となる。本発明者は、0.133Pa(1mTorr)以下の低圧の環境下では、パーティクルはガス粘性力に従わず、重力や慣性力に従って移動する、すなわち、直線的に一定方向に移動することを確認した。具体的には、本発明者は別途チャンバを用意して、該チャンバ内の圧力を所定の圧力に設定して、該チャンバ内に発生させたパーティクルの挙動を観測したところ、26.6Pa(200mTorr)以下の低圧の環境下では、パーティクルはガス粘性力には従わず、重力や慣性力に従って移動することを確認した。したがって、TMP18における吸気部40内では、TMP18内に進入したパーティクルIP及び回転翼38によって運動エネルギーを与えられたパーティクルRPは直線的に一定方向に移動する。
本実施の形態では、TMP18内に進入したパーティクルIPは、図2(B)に示すように、図中上下方向、すなわち排気流の方向に沿って移動する。TMP18における吸気部40の内部には、チャンバ11側から吸気部40を眺めたときに、上記最上の回転翼群を遮蔽する、すなわち、チャンバ11側のどの角度から吸気部40を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように遮蔽装置41が配置されているため、パーティクルIPは吸気部40内において遮蔽装置41に衝突する。遮蔽装置41を構成する部材41a〜41dは、上述したように、パーティクル捕捉機構、若しくは運動エネルギー低下機構からなる。したがって、パーティクルIPは吸気部40内において遮蔽装置41により捕捉される。また、TMP18の回転翼38に付着した付着物が剥離して該回転翼38によって運動エネルギーを与えられたパーティクルRPは、図2(B)に示すように、上側に直線的に移動する。したがって、パーティクルRPも同様に吸気部40内において遮蔽装置41により捕捉される。
本実施の形態によれば、TMP18における吸気部40の内部に、チャンバ11側から吸気部40を眺めたときに、最上の回転翼群を遮蔽する、すなわち、チャンバ11側のどの角度から吸気部40を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように遮蔽装置41が配置されるので、TMP18内に進入したパーティクルIPは吸気部40内において遮蔽装置41により捕捉される。これにより、TMP18の回転翼38にパーティクルIPが到達することを防止でき、もって、パーティクルIPが回転翼38と衝突して反跳し、そのままチャンバ11内へ逆流することを防止することができる。さらに、TMP18の回転翼38に付着した付着物が剥離して該回転翼38によって運動エネルギーを与えられたパーティクルRPも吸気部40内において遮蔽装置41により捕捉される。これにより、パーティクルがチャンバ11内へ逆流することを防止することができる。したがって、パーティクルのチャンバ11内への侵入を防止することができる。その結果、基板処理装置10がRIE処理を施すウエハWへのパーティクルの付着を防止してウエハWの歩留まりを向上することができる。
また、本実施の形態によれば、遮蔽装置41がTMP18の回転翼38にパーティクルIPが到達することを防止するので、回転翼38にパーティクルIPが付着することを防止でき、もって、回転翼38の清掃頻度を低下させることができる。
さらに、本実施の形態によれば、遮蔽装置41をTMP18から容易に取り外すことができるので、遮蔽装置41を清掃することによって容易にTMP18内の清浄度を向上させることができ、もって、TMP18の清掃頻度を低下させることができる。
また、本実施の形態における遮蔽装置41の保持方法としては、排気のコンダクタンスを低下させないものであればよく、回転翼36の中心軸から延設された保持部により保持されるものであってもよい。
次に、本発明の第2の実施の形態に係る排気ポンプについて説明する。
本実施の形態は、その構成や作用が上述した第1の実施の形態と基本的に同じであり、遮蔽装置の構成が上述した第1の実施の形態と異なる。したがって、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。また、本実施の形態に係る排気ポンプが適用される基板処理装置は、その構成や作用が上述した第1の実施の形態に係る排気ポンプが適用される基板処理装置と基本的に同じであるため、説明を省略する。
図3は、本実施の形態に係る排気ポンプとしてのTMPの主要部を示す図であり、図3(A)は、TMPが備える遮蔽装置の構成を概略的に示す斜視図であり、図3(B)は、TMP内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。
図3(B)において、TMP45は、吸気部40内に配置され、チャンバ11側から吸気部40を眺めたときに、最上の回転翼群を遮蔽する遮蔽装置46を備える。
遮蔽装置46は、図3(A)に示すように、吸気部40内において縦列に配置された3つの環状部材46a〜46c及び1つの円板状部材46dからなる。環状部材46a〜46cはそれぞれ中心部に開口部47a〜47cを有する。
吸気部40内において、環状部材46a〜46c及び円板状部材46dはこの順で上流側から配置される。また、環状部材46a〜46c及び円板状部材46dは、それぞれの中心が回転軸36の中心軸に一致するように配置されるので、開口部47a〜47cは回転軸36及び円板状部材46dに対向する。ここで、開口部47a〜47cの内径は円板状部材46dに近いほど小さくなるように設定されている。また、環状部材46aの直径は吸気部40の内径と等しくなるように、環状部材46bの直径は開口部47aの内径よりも大きくなるように、環状部材46cの直径は開口部47bの内径よりも大きくなるように、円板状部材46dの直径は開口部47cの内径よりも大きくなるように設定されている。また、環状部材46a〜46c及び円板状部材46dの間の間隔48a〜48cは、チャンバ11側から吸気部40を眺めたときに、遮蔽装置46が最上の回転翼群を遮蔽するように、すなわち、チャンバ11側のどの角度から吸気部40を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように、且つ排気のコンダクタンスを極力低下させないように設定される。
また、環状部材46a〜46c及び円板状部材46dは、第1の実施の形態において詳述したパーティクル捕捉機構、若しくは運動エネルギー低下機構からなる。
本実施の形態によれば、TMP18における吸気部40の内部に、チャンバ11側から吸気部40を眺めたときに、最上の回転翼群を遮蔽する、すなわち、チャンバ11側のどの角度から吸気部40を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように遮蔽装置46が配置されるので、上述した第1の実施の形態と同様の効果を実現することができる。
次に、本発明の第3の実施の形態に係る排気ポンプについて説明する。
本実施の形態は、その構成や作用が上述した第1の実施の形態及び第2の実施の形態と基本的に同じであり、遮蔽装置の構成が上述した第1の実施の形態及び第2の実施の形態と異なる。したがって、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
図4は、本実施の形態に係る排気ポンプとしてのTMPの主要部を示す図であり、図4(A)は、TMPが備える遮蔽装置の構成を概略的に示す断面図であり、図4(B)は、TMP内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。
図4(B)において、TMP49は、吸気部40内に配置され、チャンバ11側から吸気部40を眺めたときに、最上の回転翼群を遮蔽する遮蔽装置50を備える。
遮蔽装置50は、図4(A)に示すように、吸気部40内において複数の屈曲部材51を並設した薄板状構造体からなる。また、隣り合う2つの屈曲部材51の間隔bは屈曲部材51の凸部の高さaより小さくなるように、且つ排気のコンダクタンスを低下させないように設定される。
また、屈曲部材51は、第1の実施の形態において詳述したパーティクル捕捉機構、若しくは運動エネルギー低下機構からなる。
本実施の形態によれば、TMP18における吸気部40の内部に、チャンバ11側から吸気部40を眺めたときに、最上の回転翼群を遮蔽する、すなわち、チャンバ11側のどの角度から吸気部40を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように遮蔽装置50が配置されるので、上述した第1の実施の形態と同様の効果を実現することができる。
次に、本発明の第4の実施の形態に係る排気ポンプについて説明する。
本実施の形態は、その構成や作用が上述した第1の実施の形態乃至第3の実施の形態と基本的に同じであり、遮蔽装置の構成が上述した第1の実施の形態乃至第3の実施の形態と異なる。したがって、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
図5は、本実施の形態に係る排気ポンプとしてのTMPの主要部を示す図であり、図5(A)は、TMPが備える遮蔽装置の構成を概略的に示す断面図であり、図5(B)は、TMP内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。
図5(B)において、TMP52は、吸気部40内に配置され、チャンバ11側から吸気部40を眺めたときに、最上の回転翼群を遮蔽する遮蔽装置53を備える。
遮蔽装置53は、図5(A)に示すように、吸気部40内において複数の板状部材54を並設した薄板状構造体からなる。複数の板状部材54はそれぞれ回転軸36に対向する複数の穴55を有する。各板状部材54が有する穴55の個数及び穴径は、排気のコンダクタンスを低下させないように設定される。
また、板状部材54は、第1の実施の形態において詳述したパーティクル捕捉機構、若しくは運動エネルギー低下機構からなる。
本実施の形態によれば、TMP18における吸気部40の内部に、チャンバ11側から吸気部40を眺めたときに、最上の回転翼群を遮蔽する、すなわち、チャンバ11側のどの角度から吸気部40を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように遮蔽装置53が配置されるので、上述した第1の実施の形態と同様の効果を実現することができる。
次に、本発明の第5の実施の形態に係る排気ポンプについて説明する。
本実施の形態は、その構成や作用が上述した第1の実施の形態乃至第4の実施の形態と基本的に同じであり、遮蔽装置の構成が上述した第1の実施の形態乃至第4の実施の形態と異なる。したがって、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
図6は、本実施の形態に係る排気ポンプとしてのTMPの主要部を示す図であり、図6(A)は、TMPが備える遮蔽装置の構成を概略的に示す斜視図であり、図6(B)は、TMP内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図であり、図6(C)は、図6(B)におけるC部の拡大図である。
図6(B)において、TMP56は、吸気部40内に配置され、チャンバ11側から吸気部40を眺めたときに、最上の回転翼群を遮蔽する遮蔽装置57を備える。
遮蔽装置57は、図6(A)に示すように、吸気部40内において縦列に配置された1つの漏斗状部材57a、1つの円板状部材57b及び複数の筒状部材58を並設した薄板状構造体57cからなる。漏斗状部材57aは頂部に開口部59を有し、底部に開口部60を有する。
吸気部40内において、漏斗状部材57a、円板状部材57b及び薄板状構造体57cはこの順で上流側から配置される。また、漏斗状部材57a及び円板状部材57bは、それぞれの中心が回転軸36の中心軸に一致するように配置されるので、開口部60は回転軸36及び円板状部材57bに対向する。ここで、開口部59の外径は吸気部40の内径と等しくなるように、円板状部材57bの直径は開口部60の内径以上になるように設定されている。また、漏斗状部材57a、円板状部材57b及び薄板状構造体57cの間の間隔61a,61bは、チャンバ11側から吸気部40を眺めたときに、遮蔽装置57が最上の回転翼群を遮蔽するように、すなわち、チャンバ11側のどの角度から吸気部40を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように、且つ排気のコンダクタンスを低下させないように設定される。また、薄板状構造体57cが有する筒状部材58の穴径及び穴長においても、排気のコンダクタンスを低下させないように設定される。
なお、漏斗状部材57a、円板状部材57b及び筒状部材58は、第1の実施の形態において詳述したパーティクル捕捉機構、若しくは運動エネルギー低下機構からなる。
本実施の形態では、筒状部材58が運動エネルギー低下機構からなる場合、図6(C)に示すように、回転翼38によって運動エネルギーを与えられたパーティクルRPが薄板状構造体57cの筒状部材58内を通過するときに、筒状部材58の壁部と非弾性衝突を繰り返す。その結果、パーティクルRPにおける図中左右方向の運動量が吸収されて、筒状部材58を通過したパーティクルRPは全て排気流に逆らう方向に沿って移動する。したがって、薄板状構造体57cはパーティクルRPの移動方向を整える整流装置として機能する。これにより、パーティクルRPは漏斗状部材57aや円板状部材57bに確実に衝突して、その結果、漏斗状部材57aや円板状部材57bに捕捉される。
本実施の形態によれば、TMP18における吸気部40の内部に、チャンバ11側から吸気部40を眺めたときに、最上の回転翼群を遮蔽する、すなわち、チャンバ11側のどの角度から吸気部40を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように遮蔽装置57が配置されるので、上述した第1の実施の形態と同様の効果を実現することができる。なお、上述した整流装置によりパーティクルRPの移動方向を制限できるので、遮蔽装置57を構成する漏斗状部材57a及び円板状部材57bをチャンバ11側のどの角度から吸気部40を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように配置しなくても、すなわち、チャンバ11側の排気流に沿った方向から吸気部40を眺めたときに、上記最上の回転翼群が見えないように配置すれば、上述した効果を実現することができる。
次に、本発明の第6の実施の形態に係る排気ポンプについて説明する。
本実施の形態は、その構成や作用が上述した第1の実施の形態乃至第5の実施の形態と基本的に同じであり、遮蔽装置の構成が上述した第1の実施の形態乃至第5の実施の形態と異なる。したがって、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
図7は、本実施の形態に係る排気ポンプとしてのTMPの主要部を示す図であり、図7(A)は、TMPが備える遮蔽装置の構成を概略的に示す斜視図であり、図7(B)は、TMP内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。
図7(B)において、TMP62は、吸気部40内に配置され、チャンバ11側から吸気部40を眺めたときに、最上の回転翼群を遮蔽する遮蔽装置63を備える。
遮蔽装置63は、図7(A)に示すように、円板状のフィルタ64からなる。このフィルタ64は、第1の実施の形態において詳述したパーティクル捕捉材からなり、パーティクルを捕捉するパーティクル捕捉機構として構成される。
本実施の形態によれば、TMP18における吸気部40の内部に、チャンバ11側から吸気部40を眺めたときに、最上の回転翼群を遮蔽する、すなわち、チャンバ11側のどの角度から吸気部40を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように遮蔽装置63が配置されるので、上述した第1の実施の形態と同様の効果を実現することができる。
次に、本発明の第7の実施の形態に係る連通管が適用される基板処理装置について説明する。なお、本実施の形態に係る連通管が適用される基板処理装置は、その構成や作用が上述した第1の実施の形態に係る排気ポンプが適用される基板処理装置と基本的に同じであり、連通管の構成が上述した第1の実施の形態と異なる。したがって、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
図8は、本実施の形態に係る連通管が適用される基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。
図8において、基板処理装置65は、下流側部14bと、APCバルブ17を介してTMP18とを直線的に連通する連通管としての排気マニホールド66を備える。排気マニホールド66内には後述する遮蔽装置67が配置される。
図9(A)は、図8における排気マニホールド内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。
図9(A)において、排気マニホールド66は、チャンバ11側から排気マニホールド66を眺めたときに、TMP18における最上の回転翼群を遮蔽する遮蔽装置67を備える。
遮蔽装置67は、その構成や作用が上述した図2(A)に示す遮蔽装置41と基本的に同じであるため、説明を省略する。
ところで、排気マニホールド66内は、少なくとも26.6Pa(200mTorr)以下の低圧の環境下となるので、排気マニホールド66内では、チャンバ11内から排出されて排気マニホールド66内に進入したパーティクルIP及び回転翼38によって運動エネルギーが与えられて排気マニホールド66内に進入したパーティクルRPは直線的に一定方向に移動する。
本実施の形態では、チャンバ11内から排出されて排気マニホールド66内に進入したパーティクルIPは、図9(A)に示すように、図中上下方向、すなわち排気流の方向に沿って移動する。排気マニホールド66の内部には、チャンバ11側から排気マニホールド66を眺めたときに、TMP18における最上の回転翼群を遮蔽する、すなわち、チャンバ11側のどの角度から排気マニホールド66を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように遮蔽装置67が配置されているため、パーティクルIPは排気マニホールド66内において遮蔽装置67に衝突する。遮蔽装置67を構成する部材は、パーティクル捕捉機構、若しくは運動エネルギー低下機構からなる。したがって、パーティクルIPは排気マニホールド66内において遮蔽装置67により捕捉される。また、TMP18の回転翼38に付着した付着物が剥離して該回転翼38によって運動エネルギーが与えられて排気マニホールド66内に進入したパーティクルRPは、図9(A)に示すように、上側に直線的に移動する。したがって、パーティクルRPも同様に排気マニホールド66内において遮蔽装置67により捕捉される。
本実施の形態によれば、排気マニホールド66の内部に、チャンバ11側から排気マニホールド66を眺めたときに、TMP18における最上の回転翼群を遮蔽する、すなわち、チャンバ11側のどの角度から排気マニホールド66を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように遮蔽装置67が配置されるので、チャンバ11内から排出されて排気マニホールド66内に進入したパーティクルIPは排気マニホールド66内において遮蔽装置67により捕捉される。これにより、TMP18の回転翼38にパーティクルIPが到達することを防止でき、もって、パーティクルIPが回転翼38と衝突して反跳し、そのままチャンバ11内へ逆流することを防止することができる。さらに、TMP18の回転翼38に付着した付着物が剥離して該回転翼38によって運動エネルギーが与えられて排気マニホールド66内に進入したパーティクルRPも排気マニホールド66内において遮蔽装置67により捕捉される。これにより、パーティクルがチャンバ11内へ逆流することを防止することができる。したがって、パーティクルのチャンバ11内への侵入を防止することができる。
また、本実施の形態によれば、遮蔽装置67を排気マニホールド66から容易に取り外すことができるので、遮蔽装置67を清掃することによって容易に排気マニホールド66内の清浄度を向上させることができ、もって、排気マニホールド66の清掃頻度を低下させることができる。
次に、本発明の第8の実施の形態に係る連通管について説明する。
本実施の形態は、その構成や作用が上述した第7の実施の形態と基本的に同じであり、遮蔽装置の構成が上述した第7の実施の形態と異なる。したがって、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。また、本実施の形態に係る連通管が適用される基板処理装置は、その構成や作用が上述した第7の実施の形態に係る連通管が適用される基板処理装置と基本的に同じであるため、説明を省略する。
図9(B)は、本実施の形態に係る連通管としての排気マニホールド内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。
図9(B)において、排気マニホールド68は、チャンバ11側から排気マニホールド68を眺めたときに、TMP18における最上の回転翼群を遮蔽する遮蔽装置69を備える。
遮蔽装置69は、その構成や作用が上述した図3(A)に示す遮蔽装置46と基本的に同じであるため、説明を省略する。
本実施の形態によれば、排気マニホールド68の内部に、チャンバ11側から排気マニホールド68を眺めたときに、TMP18における最上の回転翼群を遮蔽する、すなわち、チャンバ11側のどの角度から排気マニホールド68を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように遮蔽装置69が配置されるので、上述した第7の実施の形態と同様の効果を実現することができる。
次に、本発明の第9の実施の形態に係る連通管について説明する。
本実施の形態は、その構成や作用が上述した第7の実施の形態及び第8の実施の形態と基本的に同じであり、遮蔽装置の構成が上述した第7の実施の形態及び第8の実施の形態と異なる。したがって、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
図10(A)は、本実施の形態に係る連通管としての排気マニホールド内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。
図10(A)において、排気マニホールド70は、チャンバ11側から排気マニホールド70を眺めたときに、TMP18における最上の回転翼群を遮蔽する遮蔽装置71を備える。
遮蔽装置71は、その構成や作用が上述した図4(A)に示す遮蔽装置50と基本的に同じであるため、説明を省略する。
本実施の形態によれば、排気マニホールド70の内部に、チャンバ11側から排気マニホールド70を眺めたときに、TMP18における最上の回転翼群を遮蔽する、すなわち、チャンバ11側のどの角度から排気マニホールド70を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように遮蔽装置71が配置されるので、上述した第7の実施の形態と同様の効果を実現することができる。
次に、本発明の第10の実施の形態に係る連通管について説明する。
本実施の形態は、その構成や作用が上述した第7の実施の形態乃至第9の実施の形態と基本的に同じであり、遮蔽装置の構成が上述した第7の実施の形態乃至第9の実施の形態と異なる。したがって、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
図10(B)は、本実施の形態に係る連通管としての排気マニホールド内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。
図10(B)において、排気マニホールド72は、チャンバ11側から排気マニホールド72を眺めたときに、TMP18における最上の回転翼群を遮蔽する遮蔽装置73を備える。
遮蔽装置73は、その構成や作用が上述した図5(A)に示す遮蔽装置53と基本的に同じであるため、説明を省略する。
本実施の形態によれば、排気マニホールド72の内部に、チャンバ11側から排気マニホールド72を眺めたときに、TMP18における最上の回転翼群を遮蔽する、すなわち、チャンバ11側のどの角度から排気マニホールド72を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように遮蔽装置73が配置されるので、上述した第7の実施の形態と同様の効果を実現することができる。
次に、本発明の第11の実施の形態に係る連通管について説明する。
本実施の形態は、その構成や作用が上述した第7の実施の形態乃至第10の実施の形態と基本的に同じであり、遮蔽装置の構成が上述した第7の実施の形態乃至第10の実施の形態と異なる。したがって、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
図11(A)は、本実施の形態に係る連通管としての排気マニホールド内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。
図11(A)において、排気マニホールド74は、チャンバ11側から排気マニホールド74を眺めたときに、TMP18における最上の回転翼群を遮蔽する遮蔽装置75を備える。
遮蔽装置75は、その構成や作用が上述した図6(A)に示す遮蔽装置57と基本的に同じであるため、説明を省略する。
本実施の形態によれば、排気マニホールド74の内部に、チャンバ11側から排気マニホールド74を眺めたときに、TMP18における最上の回転翼群を遮蔽する、すなわち、チャンバ11側のどの角度から排気マニホールド74を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように遮蔽装置75が配置されるので、上述した第7の実施の形態と同様の効果を実現することができる。
次に、本発明の第12の実施の形態に係る連通管について説明する。
本実施の形態は、その構成や作用が上述した第7の実施の形態乃至第11の実施の形態と基本的に同じであり、遮蔽装置の構成が上述した第7の実施の形態乃至第11の実施の形態と異なる。したがって、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
図11(B)は、本実施の形態に係る連通管としての排気マニホールド内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。
図11(B)において、排気マニホールド76は、チャンバ11側から排気マニホールド76を眺めたときに、TMP18における最上の回転翼群を遮蔽する遮蔽装置77を備える。
遮蔽装置77は、その構成や作用が上述した図7(A)に示す遮蔽装置63と基本的に同じであるため、説明を省略する。
本実施の形態によれば、排気マニホールド76の内部に、チャンバ11側から排気マニホールド76を眺めたときに、TMP18における最上の回転翼群を遮蔽する、すなわち、チャンバ11側のどの角度から排気マニホールド76を眺めても上記最上の回転翼群が見えないように遮蔽装置77が配置されるので、上述した第7の実施の形態と同様の効果を実現することができる。
また、上述した各実施の形態に係る排気ポンプ及び連通管は個別に基板処理装置に適用されたが、上記排気ポンプ及び連通管は自由に組み合わせて基板処理装置に適用してもよい。
上述した各実施の形態では、基板処理装置が半導体デバイス製造装置としてのエッチング処理装置である場合について説明したが、本発明が適用可能な基板処理装置はこれに限られず、他のプラズマを用いる半導体デバイス製造装置、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)やPVD(Physical Vapor Deposition)等を用いる成膜処理装置であってもよい。さらには、イオン注入処理装置、真空搬送装置、熱処理装置、分析装置、電子性加速器、FPD(Flat Panel Display)製造装置、太陽電池製造装置、又は物理量分析装置としてのエッチング処理装置、成膜処理装置等のTMPを用いる減圧処理装置であれば本発明を適用可能である。
さらに、上述した各実施の形態では、処理される基板が半導体デバイス用のウエハであったが、処理される基板はこれに限られず、例えば、LCD(Liquid Crystal Display)やFPD等のガラス基板であってもよい。
本発明の第1の実施の形態に係る排気ポンプが適用される基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。 図1におけるTMPの主要部を示す図であり、(A)は、TMPが備える遮蔽装置の構成を概略的に示す斜視図であり、(B)は、TMP内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。 本発明の第2の実施の形態に係る排気ポンプとしてのTMPの主要部を示す図であり、(A)は、TMPが備える遮蔽装置の構成を概略的に示す斜視図であり、(B)は、TMP内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。 本発明の第3の実施の形態に係る排気ポンプとしてのTMPの主要部を示す図であり、(A)は、TMPが備える遮蔽装置の構成を概略的に示す断面図であり、(B)は、TMP内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。 本発明の第4の実施の形態に係る排気ポンプとしてのTMPの主要部を示す図であり、(A)は、TMPが備える遮蔽装置の構成を概略的に示す断面図であり、(B)は、TMP内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。 本発明の第5の実施の形態に係る排気ポンプとしてのTMPの主要部を示す図であり、(A)は、TMPが備える遮蔽装置の構成を概略的に示す斜視図であり、(B)は、TMP内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図であり、(C)は、図6(B)におけるC部の拡大図である。 本発明の第6の実施の形態に係る排気ポンプとしてのTMPの主要部を示す図であり、(A)は、TMPが備える遮蔽装置の構成を概略的に示す斜視図であり、(B)は、TMP内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。 本発明の第7の実施の形態に係る連通管が適用される基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。 本発明の第7の実施の形態及び第8の実施の形態に係る連通管としての排気マニホールドの主要部を示す図であり、(A)は、本発明の第7の実施の形態に係る連通管としての排気マニホールド内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図であり、(B)は、本発明の第8の実施の形態に係る連通管としての排気マニホールド内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。 本発明の第9の実施の形態及び第10の実施の形態に係る連通管としての排気マニホールドの主要部を示す図であり、(A)は、本発明の第9の実施の形態に係る連通管としての排気マニホールド内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図であり、(B)は、本発明の第10の実施の形態に係る連通管としての排気マニホールド内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。 本発明の第11の実施の形態及び第12の実施の形態に係る連通管としての排気マニホールドの主要部を示す図であり、(A)は、本発明の第11の実施の形態に係る連通管としての排気マニホールド内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図であり、(B)は、本発明の第12の実施の形態に係る連通管としての排気マニホールド内における遮蔽装置の配置状況を示す断面図である。
符号の説明
W ウエハ
S 処理空間
IP,RP パーティクル
10,65 基板処理装置
11 チャンバ
18,45,49,52,56,62 TMP
16,66,68,70,72,74,76 排気マニホールド
36 回転軸
38 回転翼
39 静止翼
40 吸気部
41,46,50,53,57,63,67,69,71,73,75,77 遮蔽装置

Claims (27)

  1. 基板処理装置の処理室に接続され且つ回転翼及び該回転翼より前記処理室側に配置された吸気部を備える排気ポンプであって、
    前記吸気部の内部に配置され、且つ前記処理室側から前記吸気部を眺めたときに、前記回転翼を遮蔽する遮蔽装置を備えることを特徴とする排気ポンプ。
  2. 前記遮蔽装置は複数の漏斗状部材と、該複数の漏斗状部材より前記回転翼側に配置された板状部材とからなり、各前記漏斗状部材は底部に前記板状部材に対向する開口部を有し、各前記開口部の大きさは、該開口部を有する前記漏斗状部材が前記板状部材に近いほど小さいことを特徴とする請求項1記載の排気ポンプ。
  3. 前記漏斗状部材及び前記板状部材はパーティクルを捕捉するパーティクル捕捉部材からなることを特徴とする請求項2記載の排気ポンプ。
  4. 前記漏斗状部材及び前記板状部材はパーティクルの運動エネルギーを低下させる運動エネルギー低下部材からなることを特徴とする請求項2記載の排気ポンプ。
  5. 前記遮蔽装置は複数の環状部材と、該複数の環状部材より前記回転翼側に配置された板状部材とからなり、各前記環状部材は前記板状部材に対向する開口部を有し、各前記開口部の大きさは、該開口部を有する前記環状部材が前記板状部材に近いほど小さいことを特徴とする請求項1記載の排気ポンプ。
  6. 前記環状部材及び前記板状部材はパーティクルを捕捉するパーティクル捕捉部材からなることを特徴とする請求項5記載の排気ポンプ。
  7. 前記環状部材及び前記板状部材はパーティクルの運動エネルギーを低下させる運動エネルギー低下部材からなることを特徴とする請求項5記載の排気ポンプ。
  8. 前記遮蔽装置は複数の屈曲部材を並設した薄板状構造体であることを特徴とする請求項1記載の排気ポンプ。
  9. 前記屈曲部材はパーティクルを捕捉するパーティクル捕捉部材からなることを特徴とする請求項8記載の排気ポンプ。
  10. 前記屈曲部材はパーティクルの運動エネルギーを低下させる運動エネルギー低下部材からなることを特徴とする請求項8記載の排気ポンプ。
  11. 前記遮蔽装置は複数の板状部材を並設した薄板状構造体であり、各前記板状部材は前記回転翼に対向する複数の穴を有することを特徴とする請求項1記載の排気ポンプ。
  12. 前記板状部材はパーティクルを捕捉するパーティクル捕捉部材からなることを特徴とする請求項11記載の排気ポンプ。
  13. 前記板状部材はパーティクルの運動エネルギーを低下させる運動エネルギー低下部材からなることを特徴とする請求項11記載の排気ポンプ。
  14. 前記遮蔽装置は漏斗状部材と、該漏斗状部材より前記回転翼側に配置された板状部材と、該板状部材より前記回転翼側に配置され、複数の筒状部材を並設した整流装置とからなり、前記漏斗状部材は底部に前記板状部材に対向する開口部を有することを特徴とする請求項1記載の排気ポンプ。
  15. 前記漏斗状部材、板状部材及び筒状部材はパーティクルを捕捉するパーティクル捕捉部材からなることを特徴とする請求項14記載の排気ポンプ。
  16. 前記漏斗状部材、板状部材及び筒状部材はパーティクルの運動エネルギーを低下させる運動エネルギー低下部材からなることを特徴とする請求項14記載の排気ポンプ。
  17. 前記遮蔽装置はフィルタであることを特徴とする請求項1記載の排気ポンプ。
  18. 前記フィルタはパーティクルを捕捉するパーティクル捕捉部材からなることを特徴とする請求項17記載の排気ポンプ。
  19. 前記フィルタはパーティクルの運動エネルギーを低下させる運動エネルギー低下部材からなることを特徴とする請求項17記載の排気ポンプ。
  20. 基板処理装置の処理室及び回転翼を有する排気ポンプを連通する連通管であって、
    前記連通管の内部に配置され、且つ前記処理室側から前記連通管を眺めたときに、前記回転翼を遮蔽する遮蔽装置を備えることを特徴とする連通管。
  21. 前記遮蔽装置は複数の漏斗状部材と、該複数の漏斗状部材より前記回転翼側に配置された板状部材とからなり、各前記漏斗状部材は底部に前記板状部材に対向する開口部を有し、各前記開口部の大きさは、該開口部を有する前記漏斗状部材が前記板状部材に近いほど小さいことを特徴とする請求項20記載の連通管。
  22. 前記遮蔽装置は複数の環状部材と、該複数の環状部材より前記回転翼側に配置された板状部材とからなり、各前記環状部材は前記板状部材に対向する開口部を有し、各前記開口部の大きさは、該開口部を有する前記環状部材が前記板状部材に近いほど小さいことを特徴とする請求項20記載の連通管。
  23. 前記遮蔽装置は複数の屈曲部材を並設した薄板状構造体であることを特徴とする請求項20記載の連通管。
  24. 前記遮蔽装置は複数の板状部材を並設した薄板状構造体であり、各前記板状部材は前記回転翼に対向する複数の穴を有することを特徴とする請求項20記載の連通管。
  25. 前記遮蔽装置は漏斗状部材と、該漏斗状部材より前記回転翼側に配置された板状部材と、該板状部材より前記回転翼側に配置され、複数の筒状部材を並設した整流装置とからなり、前記漏斗状部材は底部に前記板状部材に対向する開口部を有することを特徴とする請求項20記載の連通管。
  26. 前記遮蔽装置はフィルタであることを特徴とする請求項20記載の連通管。
  27. 排気ポンプと、該排気ポンプ及び基板処理装置の処理室を連通する連通管とを備える排気システムであって、
    請求項1乃至19のいずれか1項に記載の排気ポンプ、及び請求項20乃至26のいずれか1項に記載の連通管の少なくとも一方を備えることを特徴とする排気システム。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009049037A (ja) * 2007-08-13 2009-03-05 Nec Electronics Corp 真空装置
JP2009158524A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
WO2010098192A1 (ja) * 2009-02-24 2010-09-02 株式会社島津製作所 ターボ分子ポンプおよびターボ分子ポンプ用パーティクルトラップ
US8142567B2 (en) 2009-01-30 2012-03-27 Hitachi High-Technologies Corporation Vacuum processing apparatus
DE102011100311A1 (de) * 2011-05-03 2012-11-08 Pfeiffer Vacuum Gmbh Vorrichtung mit einer Leitstruktur
KR101356829B1 (ko) * 2011-03-25 2014-01-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 입자포착 유닛, 해당 입자포착 유닛의 제조 방법 및 기판 처리 장치
JP2014156632A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Kobe Steel Ltd プラズマcvd装置
KR20150071655A (ko) 2013-12-18 2015-06-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 입자 역류 방지 부재 및 기판 처리 장치

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4849626B2 (ja) * 2007-01-16 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 パーティクルモニタシステム及び基板処理装置
JP5460982B2 (ja) * 2008-07-30 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 弁体、粒子進入阻止機構、排気制御装置及び基板処理装置
JP5495547B2 (ja) * 2008-12-25 2014-05-21 キヤノン株式会社 処理装置、およびデバイス製造方法
DE102009028831A1 (de) * 2009-08-24 2011-03-03 Robert Bosch Gmbh Unterdruckpumpe mit Druckausgleich
KR101848528B1 (ko) * 2010-10-19 2018-04-12 에드워즈 가부시키가이샤 진공 펌프
KR102499085B1 (ko) 2016-05-04 2023-02-10 삼성전자주식회사 진공 펌프
US10559451B2 (en) * 2017-02-15 2020-02-11 Applied Materials, Inc. Apparatus with concentric pumping for multiple pressure regimes
US10704715B2 (en) * 2017-05-29 2020-07-07 Shimadzu Corporation Vacuum pumping device, vacuum pump, and vacuum valve
CN112563106B (zh) * 2019-09-10 2023-10-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种半导体处理设备及其排气系统
CN113707524B (zh) * 2020-05-20 2022-06-10 江苏鲁汶仪器有限公司 一种阻挡等离子体反流的进气结构
CN116752106B (zh) * 2023-08-17 2023-11-10 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 用于反应溅射的物理气相沉积设备

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02100624U (ja) * 1989-01-25 1990-08-10
JPH0814188A (ja) * 1994-06-24 1996-01-16 Osaka Shinku Kiki Seisakusho:Kk ターボ分子ポンプ
JPH1180964A (ja) * 1997-07-07 1999-03-26 Canon Inc プラズマcvd法による堆積膜形成装置
JP2004002906A (ja) * 2002-04-19 2004-01-08 Ulvac Japan Ltd 薄膜形成装置
JP3120167U (ja) * 2006-01-10 2006-03-23 株式会社島津製作所 ターボ分子ポンプ
US20060257243A1 (en) * 2005-03-02 2006-11-16 Tokyo Electron Limited Reflecting device, communicating pipe, exhausting pump, exhaust system, method for cleaning the system, storage medium storing program for implementing the method, substrate processing apparatus, and particle capturing component
JP2007046461A (ja) * 2005-08-05 2007-02-22 Shimadzu Corp ターボ分子ポンプ
JP2007170225A (ja) * 2005-12-20 2007-07-05 Shimadzu Corp ターボ分子ポンプ
JP2008144630A (ja) * 2006-12-07 2008-06-26 Edwards Kk 真空ポンプ、真空容器および配管構造体

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61203533A (ja) * 1985-03-05 1986-09-09 Mitsubishi Electric Corp カラ−陰極線管の製造方法
JPH01223348A (ja) * 1988-03-02 1989-09-06 Omron Tateisi Electron Co 粒子の固定装置
US4926648A (en) * 1988-03-07 1990-05-22 Toshiba Corp. Turbomolecular pump and method of operating the same
JPH02272209A (ja) * 1989-04-13 1990-11-07 Ube Ind Ltd 流動床燃焼装置
JPH03120167A (ja) 1989-10-03 1991-05-22 Murata Mach Ltd ワインダのテンサ制御装置
JP3120167B2 (ja) 1993-08-20 2000-12-25 段谷産業株式会社 木質板の製造方法
JPH07275863A (ja) * 1994-04-13 1995-10-24 Shigeaki Togawa 水の浄化処理用積層フイルター
US6791661B2 (en) * 1999-12-09 2004-09-14 Nikon Corporation Gas replacement method and apparatus, and exposure method and apparatus
TWI273642B (en) * 2002-04-19 2007-02-11 Ulvac Inc Film-forming apparatus and film-forming method
DE102005020521B4 (de) * 2005-04-29 2013-05-02 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Anordnung zur Unterdrückung von Debris bei der Erzeugung kurzwelliger Strahlung auf Basis eines Plasmas

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02100624U (ja) * 1989-01-25 1990-08-10
JPH0814188A (ja) * 1994-06-24 1996-01-16 Osaka Shinku Kiki Seisakusho:Kk ターボ分子ポンプ
JPH1180964A (ja) * 1997-07-07 1999-03-26 Canon Inc プラズマcvd法による堆積膜形成装置
JP2004002906A (ja) * 2002-04-19 2004-01-08 Ulvac Japan Ltd 薄膜形成装置
US20060257243A1 (en) * 2005-03-02 2006-11-16 Tokyo Electron Limited Reflecting device, communicating pipe, exhausting pump, exhaust system, method for cleaning the system, storage medium storing program for implementing the method, substrate processing apparatus, and particle capturing component
JP2007046461A (ja) * 2005-08-05 2007-02-22 Shimadzu Corp ターボ分子ポンプ
JP2007170225A (ja) * 2005-12-20 2007-07-05 Shimadzu Corp ターボ分子ポンプ
JP3120167U (ja) * 2006-01-10 2006-03-23 株式会社島津製作所 ターボ分子ポンプ
JP2008144630A (ja) * 2006-12-07 2008-06-26 Edwards Kk 真空ポンプ、真空容器および配管構造体

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009049037A (ja) * 2007-08-13 2009-03-05 Nec Electronics Corp 真空装置
JP2009158524A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
US8142567B2 (en) 2009-01-30 2012-03-27 Hitachi High-Technologies Corporation Vacuum processing apparatus
TWI385307B (zh) * 2009-02-24 2013-02-11 Shimadzu Corp Turbine Molecular Pumps and Turbine Molecular Pumps
WO2010098192A1 (ja) * 2009-02-24 2010-09-02 株式会社島津製作所 ターボ分子ポンプおよびターボ分子ポンプ用パーティクルトラップ
JP2010223213A (ja) * 2009-02-24 2010-10-07 Shimadzu Corp ターボ分子ポンプおよびターボ分子ポンプ用パーティクルトラップ
CN102326002A (zh) * 2009-02-24 2012-01-18 株式会社岛津制作所 涡轮分子泵及涡轮分子泵用颗粒捕集器
US8894355B2 (en) 2009-02-24 2014-11-25 Shimadzu Corporation Turbomolecular pump, and particle trap for turbomolecular pump
KR101356829B1 (ko) * 2011-03-25 2014-01-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 입자포착 유닛, 해당 입자포착 유닛의 제조 방법 및 기판 처리 장치
US8821607B2 (en) 2011-03-25 2014-09-02 Tokyo Electron Limited Particle capture unit, method for manufacturing the same, and substrate processing apparatus
DE102011100311A8 (de) * 2011-05-03 2013-01-03 Pfeiffer Vacuum Gmbh Vorrichtung mit einer Leitstruktur
DE102011100311A1 (de) * 2011-05-03 2012-11-08 Pfeiffer Vacuum Gmbh Vorrichtung mit einer Leitstruktur
JP2014156632A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Kobe Steel Ltd プラズマcvd装置
KR20150071655A (ko) 2013-12-18 2015-06-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 입자 역류 방지 부재 및 기판 처리 장치

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